JPS6222325A - Swtich - Google Patents

Swtich

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Publication number
JPS6222325A
JPS6222325A JP16234685A JP16234685A JPS6222325A JP S6222325 A JPS6222325 A JP S6222325A JP 16234685 A JP16234685 A JP 16234685A JP 16234685 A JP16234685 A JP 16234685A JP S6222325 A JPS6222325 A JP S6222325A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shape memory
memory alloy
contact
resistor
deformable element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16234685A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
貞次郎 森
小井川 茂
茂 増田
立石 時雄
俊一 須藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP16234685A priority Critical patent/JPS6222325A/en
Publication of JPS6222325A publication Critical patent/JPS6222325A/en
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  • Arc-Extinguishing Devices That Are Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電流を開閉する開閉器に関するものである
。本発明の主たる適用開閉器として0例えば電磁接触器
や配線用遮断器をあげることができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a switch that switches on and off an electric current. The main applicable switches of the present invention include, for example, electromagnetic contactors and molded circuit breakers.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

まず第3図に従って従来の電磁接触器の1例について説
明する。第3図において、(1)はプラスチックで成形
された取付台、(2)はこの取付台上にケイ素鋼板で積
層された固定鉄心、(31は固定鉄心(2)に対向して
設置されこれと同じくケイ素鋼板で積層された可動鉄心
、(4)は可動鉄心(3)と固定鉄心(2)とを引外し
ばね(図示せず)に抗して吸着させる駆動力を付与する
操作コイル、(5)はプラスチックで形成されたクロス
バ−で、その下端では可動鉄心(3)全保持している。
First, an example of a conventional electromagnetic contactor will be described with reference to FIG. In Figure 3, (1) is a mounting base made of plastic, (2) is a fixed core laminated with silicon steel plates on this mounting base, and (31 is a fixed core installed opposite to fixed core (2)). (4) is a movable core laminated with silicon steel plates, and (4) is an operating coil that provides a driving force to attract the movable core (3) and fixed core (2) against a tripping spring (not shown). (5) is a crossbar made of plastic, and its lower end fully holds the movable iron core (3).

(6)は押しはね(7)により押圧されている可動接触
子でクロスバ−(5)の一端と接触している。(6A)
 、 (6B)は可動接触子(6)に設けられた可動接
点、(8)は可動接触子(6)と対向して設けられ、電
流を導通させる固定接触子、  (8A)。
A movable contact (6) is pressed by a pusher spring (7) and is in contact with one end of the crossbar (5). (6A)
, (6B) is a movable contact provided on the movable contact (6), and (8) is a fixed contact provided opposite to the movable contact (6) to conduct current, (8A).

(8B)はこの固定接触子(8)に設けられた固定接点
(8B) is a fixed contact provided on this fixed contact (8).

(8C) 、 (8D)は端子を示す。(9)は電磁接
触器本体を外部回路と接続するための端子ねじ、αII
Iは固定接触子(8)を取付けるペース、αυは電磁接
触子上面を覆うカバーである。
(8C) and (8D) indicate terminals. (9) is a terminal screw for connecting the electromagnetic contactor body to an external circuit, αII
I is a pace on which the fixed contact (8) is attached, and αυ is a cover that covers the upper surface of the electromagnetic contact.

(13D)は可動接触子(6)に固着された絶縁板、α
Jはこの絶縁板(13D)とカバーαυの間に設けらn
たつる巻状の形状記憶合金、  (13A)と(13B
)は形状記憶合金α3の両端部を示し、その一端(13
A)はカバーαυを貫通する導体Iの一端と接続され、
従って固定接触子(81と接続されている。形状記憶合
金0の他端(1!iB)はカバーαυを貫通する導体α
5を介して、端子(8C)に接続されている。端子(8
C)から流入した電流は、導体α乳形状記憶合金0゜導
体α4.固定接触子(8A) 、固定接点(8A)、可
動接点(tsA) 、可動接触子(6)、可動接点(6
B) 、固定接点(8B ) 、固定接触子(8)全順
次経由して、他の端子(8D)から外部回路へ流出する
(13D) is an insulating plate fixed to the movable contact (6), α
J is provided between this insulating plate (13D) and the cover αυ.
Spiral shape memory alloys, (13A) and (13B)
) indicates both ends of shape memory alloy α3, and one end (13
A) is connected to one end of the conductor I passing through the cover αυ,
Therefore, it is connected to the fixed contact (81).The other end (1!iB) of the shape memory alloy 0 is connected to the conductor α passing through the cover αυ.
It is connected to the terminal (8C) via 5. Terminal (8
The current flowing from conductor α milk shape memory alloy 0° conductor α4. Fixed contact (8A), fixed contact (8A), movable contact (tsA), movable contact (6), movable contact (6)
B), the fixed contact (8B), and the fixed contactor (8) all pass through the other terminal (8D) to the external circuit.

第4図は第3図の要部を示す結線図である。第4図にお
いて、αeは接点装置で、第3図の、固定接点(8A)
 、 (8B) 、固定接触子(8)、可動接点(6A
) 。
FIG. 4 is a wiring diagram showing the main parts of FIG. 3. In Figure 4, αe is a contact device, which is the fixed contact (8A) in Figure 3.
, (8B), fixed contact (8), movable contact (6A
).

(6B) 、可動接触子(6)の部分を一括して示す。(6B) shows the movable contact (6) all at once.

1fc。1fc.

第4図の(13は第3図の形状記憶合金である。4 (13 is the shape memory alloy of FIG. 3).

なお、形状記憶合金α3の一端(13A/)はカバーα
0と、他端(13B)は絶縁板(I AD)と機械的に
連結されている。
In addition, one end (13A/) of the shape memory alloy α3 is attached to the cover α
0 and the other end (13B) are mechanically connected to an insulating plate (IAD).

また、カバー内には消弧装置が設けられていてもよい。Further, an arc extinguishing device may be provided within the cover.

上記構成を有するため、この従来の電磁接触器において
、操作コ゛イル(4)を消磁すると0図示されない引外
しばねにより可動鉄心(3)が固定鉄心(2)よす開離
し、クロスバ−(5)も、第3図に示す状態を占め、固
定接点(8A) 、 (8B)  と可動接点(6A)
Because of the above configuration, in this conventional electromagnetic contactor, when the operation coil (4) is demagnetized, the movable core (3) is separated from the fixed core (2) by a tripping spring (not shown), and the crossbar (5) also occupy the state shown in Fig. 3, with fixed contacts (8A), (8B) and movable contact (6A).
.

(6B)とが開離して固定接点(8A) 、 (8B)
  と可動接点(6A) 、 (6B)  との間にア
ークα2が生じるが。
(6B) is opened and fixed contacts (8A) and (8B)
An arc α2 occurs between the movable contacts (6A) and (6B).

このアークα2は電流零点において消弧され電流がしゃ
断されることになる。
This arc α2 is extinguished at the current zero point, and the current is cut off.

以上が通常動作であるが、もし、大電流が流れるとつる
巻状の形状記憶合金α3が加熱され、変態温度を越える
と収縮し、可動接触子(6)ヲ引き上げるので、可動接
点(6A) 、 (6B)が固定接点(8A) 。
The above is normal operation, but if a large current flows, the helical shape memory alloy α3 will be heated, and when it exceeds the transformation temperature, it will contract and pull up the movable contact (6), so the movable contact (6A) , (6B) is the fixed contact (8A).

(8B)から開離してアーク(Lzヲ生じるが、このア
ークα2は電流零点において消弧され電流がしゃ断され
る。可動接点(6A) 、 (6B) は、形状記憶合
金α3が変態温度以下に冷却すると押しはね(7)によ
って可動接点((SA) 、 (6B)が閉じられるの
で1図示しないラッチ機構にエリ可動接点(6A) 、
 (6B)  の開状態を保持すればよい。
(8B) opens and an arc (Lz) is generated, but this arc α2 is extinguished at the current zero point and the current is cut off.The movable contacts (6A) and (6B) When cooled, the movable contacts (SA), (6B) are closed by the push spring (7), so the movable contacts (6A),
(6B) It is sufficient to maintain the open state.

〔発明が解決しエフとする問題点〕[Problems solved by the invention]

従来の開閉器は以上のように構成されているので1通電
電流が大きくなると、形状記憶合金α謙の温度上昇が大
きくなって、形状記憶合金13の形状記憶効果を失い、
正規動作を行うことができなくなるという問題点があっ
た。
Since the conventional switch is configured as described above, when the current applied increases, the temperature rise of the shape memory alloy α increases, and the shape memory effect of the shape memory alloy 13 is lost.
There was a problem that normal operation could no longer be performed.

また、形状記憶合金0はNiやTiなどで形成されてお
りその固有抵抗が高いので、負荷電流通電による損失が
大きいという問題点があった。
Further, since the shape memory alloy 0 is made of Ni, Ti, etc. and has a high specific resistance, there is a problem in that the loss caused by the application of load current is large.

さらに、異常に大きい電流が流nると形状記憶合金a3
が溶断するという問題点があった。
Furthermore, when an abnormally large current flows, shape memory alloy A3
There was a problem that it would melt.

この発明は上記のよりな問題点を解消するためになされ
たもので、簡単な方法で大電流通電時における形状記憶
合金などの熱変形素子の形状記憶の消失や溶断を防止す
ると共に、負荷電流通電時の損失を低減できる開閉器を
得ることを目的とする。
This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to use a simple method to prevent loss of shape memory or melting of a heat deformable element such as a shape memory alloy when a large current is applied, and also to The purpose is to obtain a switch that can reduce loss during energization.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係る開閉器は、接点と熱変形素子が直列接続
され、大電流が流れた時に上記熱変形素子が変形するこ
とによって上記接点を開くように構成する開閉器におい
て、上記熱変形素子と並列接続された抵抗体を備えたも
のである。
The switch according to the present invention is configured such that a contact and a heat deformable element are connected in series, and the contact is opened by deforming the heat deformable element when a large current flows. It is equipped with resistors connected in parallel.

〔作用〕[Effect]

この発明における抵抗体は、熱変形素子に流nる電流を
分流するので、熱変形素子に大電流が流れることによる
熱変形素子の溶断や形状記憶の消失を防止する。また、
熱変形素子と並列に抵抗体が接続されているため、熱変
形素子だけの場合に比べ端子間抵抗が低くなり1通常の
負荷電流通電時における損失が低減される。
The resistor in this invention shunts the current flowing through the thermal deformable element, thereby preventing the thermal deformable element from melting or losing its shape memory due to a large current flowing through the thermal deformable element. Also,
Since the resistor is connected in parallel with the thermal deformable element, the resistance between the terminals is lower than in the case of only the thermal deformable element, and the loss when normal load current is applied is reduced.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below.

第1図において、αηは抵抗体である。すなわち。In FIG. 1, αη is a resistor. Namely.

この実施例は、熱変形素子である形状記憶合金αJと並
列に抵抗体αDが接続された点を除けば、第3図と第4
図に示す従来の開閉器と同一である。
3 and 4, except that a resistor αD is connected in parallel with the shape memory alloy αJ, which is a thermal deformation element.
This is the same as the conventional switch shown in the figure.

本発明の一実施例による開閉器の動作は第3図と第4図
に示す従来の開閉器の動作と類似しているので、以下に
、その相違点についてのみ説明することにする。
Since the operation of the switch according to one embodiment of the present invention is similar to the operation of the conventional switch shown in FIGS. 3 and 4, only the differences will be discussed below.

第1図において0通常の負荷電流は形状記憶合金α3と
抵抗体αηに分流して流れる。形状記憶合金組3と抵抗
体αηの抵抗値をそれぞれR1* R2とすれば、その
合成抵抗Rは次のようになる。
In FIG. 1, a zero normal load current flows in a branched manner through the shape memory alloy α3 and the resistor αη. If the resistance values of the shape memory alloy set 3 and the resistor αη are respectively R1*R2, the combined resistance R is as follows.

抵抗体αDが無い場合、端子間抵抗はR1であるから、
抵抗体αηを並列接続することにより、抵抗値は R2〉0であるから、−は1より必ず小さくなる。
If there is no resistor αD, the resistance between the terminals is R1, so
By connecting the resistors αη in parallel, the resistance value is R2>0, so that − is always smaller than 1.

従って、形状記憶合金αJと抵抗体αηの並列接続体の
損失は抵抗体αでが接続されていない場合の175 に
低減される。
Therefore, the loss of the parallel connection of the shape memory alloy αJ and the resistor αη is reduced to 175 Ω compared to the case where the resistor α is not connected.

次に、大電流通電時の温度上昇について計算する。簡単
のため最初、無通電状態で急に大電流が流れる場合を想
定する。そして1周囲源度をocと仮定する。
Next, we will calculate the temperature rise when a large current is applied. For simplicity, we will first assume that a large current suddenly flows in a non-energized state. Then, it is assumed that one ambient source degree is oc.

抵抗体(17+が無い場合、電流を工9通電時間itと
すると、形状記憶合金(13の熱入力Q1  は次式で
表わされる。
When there is no resistor (17+), the heat input Q1 of the shape memory alloy (13) is expressed by the following equation, assuming that the current is 9 energization time it.

Ql = l2R1t X O,24(cal )形状
記憶合金α罎の質量と比熱をそれぞれm、cとすれば、
形状記憶合金α国の温度上昇θ1 は次のようになる。
Ql = l2R1t X O, 24 (cal) If the mass and specific heat of the shape memory alloy α are m and c, respectively,
The temperature rise θ1 in the shape memory alloy α country is as follows.

次に抵抗体側が並列接続されている場合、形状記憶合金
0に流nる電流■2 は次のようになる。
Next, when the resistor sides are connected in parallel, the current 2 flowing through the shape memory alloy 0 is as follows.

従って、形状記憶合金αlの熱入力Q2 は次のよりに
なる。
Therefore, the heat input Q2 of the shape memory alloy αl is as follows.

また、この時の温度上昇θ2は次のようになる。Further, the temperature rise θ2 at this time is as follows.

C θ2と01を比較すると次のようになる。C Comparing θ2 and 01, we get the following.

R1〉0であるので、θ2/θ1は必らず1より小さく
なる。
Since R1>0, θ2/θ1 is necessarily smaller than 1.

のようになる。become that way.

噌 すなわち、形状記憶合金αjの温度上昇を1/25に抑
制できる。
In other words, the temperature rise of the shape memory alloy αj can be suppressed to 1/25.

このように、抵抗体aηを並列接続することにより、−
開閉器の損失を低減でき、かつ、大きい電流が流れても
、形状記憶合金a3の形状記憶を失いにくくすることが
できる。また、形状記憶合金03の温度上昇を抑制でき
ることから、形状記憶合金αjを溶断しにくくすること
ができる。
In this way, by connecting the resistors aη in parallel, -
The loss of the switch can be reduced, and the shape memory alloy a3 can be made difficult to lose its shape memory even when a large current flows. Moreover, since the temperature rise of the shape memory alloy 03 can be suppressed, the shape memory alloy αj can be made difficult to melt.

本発明の他の実施例を第2図に示す。この実施例では形
状記憶合金a1と並列接続された抵抗体αDに加えスイ
ッチング半導体OQが並列接続されてぃる。スイッチン
グ半導体α咎として、■ツェナーダイオード、■ツェナ
ー降伏方向が異なる2つのツェナーダイオードの直列接
続体、■PNPNスイッチングダイオード、■4層ダイ
オード、■ダイアック等があげらnる。
Another embodiment of the invention is shown in FIG. In this embodiment, a switching semiconductor OQ is connected in parallel to the resistor αD connected in parallel to the shape memory alloy a1. Examples of switching semiconductors include: ■ Zener diode, ■ series connection of two Zener diodes with different Zener breakdown directions, ■ PNPN switching diode, ■ four-layer diode, and ■ diac.

ツェナーダイオードを並列接続すると、大電流が流れて
形状記憶合金(13の端子間電圧がツェナー電圧を越え
た場合に、電流をツェナーダイオードに分流できる。直
流電流に対しては単一のツェナーダイオードの接続でよ
いが交流電流の場合、ツェナー降伏方向が異なるツェナ
ーダイオードの直列接続体を接続すればよい。
When Zener diodes are connected in parallel, a large current flows and when the voltage between the terminals of the shape memory alloy (13) exceeds the Zener voltage, the current can be shunted to the Zener diode. In the case of alternating current, a series connection of Zener diodes with different Zener breakdown directions may be connected.

PNPNスイッチング素子、4層ダイオード。PNPN switching element, 4-layer diode.

ダイアックのいずれかを形状記憶合金0国と並列に接続
すれば、大電流が流nて形状記憶合金03の端子間電圧
が一定値を越えると、これらの素子が導通状態になるの
で、形状記憶合金03に流れる電流をこれらの素子に分
流できる。
If one of the diacs is connected in parallel with the shape memory alloy 03, a large current will flow and when the voltage between the terminals of the shape memory alloy 03 exceeds a certain value, these elements will become conductive, so the shape memory The current flowing through Alloy 03 can be shunted to these elements.

なお、上記実施例では共に熱変形素子α3として形状記
憶合金を用いた場合について説明したが。
In the above embodiments, the case where a shape memory alloy was used as the thermal deformation element α3 was explained.

例えばバイメタルなど他の熱変形素子α3を用いた場合
にも上記実施例と同様の効果が得らルる。
For example, even when using another thermal deformation element α3 such as a bimetal, the same effects as in the above embodiment can be obtained.

また、上記実施例ではこの発明を電磁接触器に適用した
場合について説明したが、この発明は例えば配線用遮断
器など他の開閉器にも適用できるのは明らかである。
Further, in the above embodiments, the case where the present invention is applied to an electromagnetic contactor has been described, but it is obvious that the present invention can also be applied to other switches such as molded circuit breakers.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のよりに、この発明eこよれば、接点と熱変形素子
が直列接続され、大電流が流れた時に上記熱変形素子が
変形することによって上記接点を開くように構成する開
閉器において、上記熱変形素子と並列接続さnfc抵抗
体を備えたので、大電流通電時における熱変形素子の溶
断や形状記憶の消失を防止すると共に、負荷!流通電時
の損失を低減できる効果がある。
As described above, according to the present invention, there is provided a switch in which a contact and a heat deformable element are connected in series, and the contact is opened by deforming the heat deformable element when a large current flows. Equipped with an NFC resistor connected in parallel with the thermal deformable element, it prevents the thermal deformable element from melting and loss of shape memory when a large current is applied, and also prevents the thermal deformable element from melting and losing shape memory. This has the effect of reducing loss during current flow.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例の要部を示す結線図、第2
図はこの発明の他の実施例の要部を示す結線図、第3図
は従来の開閉器を示す一部破断正面図、第4図は第3図
の要部を示す結線図である。 図において、(6A) 、 (6B) 、 (8A) 
、 (8B)は接点。 a3は形状記憶合金、αeは接点装置、αDは抵抗体。 αlはスイッチング半導体である。 なお、各図中同一符号は同−舊たは相当部分を示すもの
とする。
FIG. 1 is a wiring diagram showing the main parts of an embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a wiring diagram showing the main parts of another embodiment of the present invention, FIG. 3 is a partially cutaway front view showing a conventional switch, and FIG. 4 is a wiring diagram showing the main parts of FIG. In the figure, (6A), (6B), (8A)
, (8B) is a contact point. a3 is a shape memory alloy, αe is a contact device, and αD is a resistor. αl is a switching semiconductor. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)接点と熱変形素子が直列接続され、大電流が流れ
た時に上記熱変形素子が変形することによって上記接点
を開くように構成する開閉器において、上記熱変形素子
と並列接続された抵抗体を備えたことを特徴とする開閉
器。
(1) In a switch in which a contact and a heat deformable element are connected in series and the contact is opened by deforming the heat deformable element when a large current flows, a resistor is connected in parallel with the heat deformable element. A switch characterized by having a body.
(2)抵抗体は、これと並列接続されたスイッチング半
導体を有する特許請求の範囲第1項記載の開閉器。
(2) The switch according to claim 1, wherein the resistor has a switching semiconductor connected in parallel with the resistor.
(3)スイッチング半導体は、ツェナーダイオード、P
NPNスイッチングダイオード、4層ダイオード、およ
びダイアックのうちの何れか一種である特許請求の範囲
第2項記載の開閉器。
(3) The switching semiconductor is a Zener diode, P
The switch according to claim 2, which is any one of an NPN switching diode, a four-layer diode, and a diac.
(4)熱変形素子は形状記憶合金である特許請求の範囲
第1項記載の開閉器。
(4) The switch according to claim 1, wherein the heat deformable element is a shape memory alloy.
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