JPS62222827A - 高分子材料の押出成形機 - Google Patents
高分子材料の押出成形機Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ゴムなどのような高分子材料の押出し成形機
、特に高分子材料の加熱架橋も押出し成形機内で行なえ
る装置に関する。
、特に高分子材料の加熱架橋も押出し成形機内で行なえ
る装置に関する。
従来の押出成形ラインは、ゴムなどの加熱架橋を行う場
合、第２図のように押出成形機１とマイクロ波加熱装置
２と二次加熱装置３が別々に配置されている。ホッパー
４から投入された材料は、シリンダー５中のスクリュー
６で成形ダイア側へ移送され、かつ成形ダイアから押出
し出され、８で示される如く棒状となって、次のマイク
ロ波加熱装置２に移送される。そしてマイクロ波加熱に
よって加熱架橋された後、二次加熱装置３で架橋反応ま
たは重合反応が行なわれる。
合、第２図のように押出成形機１とマイクロ波加熱装置
２と二次加熱装置３が別々に配置されている。ホッパー
４から投入された材料は、シリンダー５中のスクリュー
６で成形ダイア側へ移送され、かつ成形ダイアから押出
し出され、８で示される如く棒状となって、次のマイク
ロ波加熱装置２に移送される。そしてマイクロ波加熱に
よって加熱架橋された後、二次加熱装置３で架橋反応ま
たは重合反応が行なわれる。
このようなライン構造とするのは、次の２つの理由によ
る。すなわち （１）、押出機ヘッド内は、スクリュー６により圧送さ
れる高分子材料の圧力が１００Ｋｇ〜５００Ｋｇ／ｃ［
と高圧力である」二、ヘッド温度が８０℃〜１６０°Ｃ
と高温のため、ヘッド内にマイクロ波を導入することが
困難であった。
る。すなわち （１）、押出機ヘッド内は、スクリュー６により圧送さ
れる高分子材料の圧力が１００Ｋｇ〜５００Ｋｇ／ｃ［
と高圧力である」二、ヘッド温度が８０℃〜１６０°Ｃ
と高温のため、ヘッド内にマイクロ波を導入することが
困難であった。
（２）、一般的に高分子材料はマイクロ波の吸収が悪く
、押出機ヘッド内のような歩容量の高分子材料をマイク
ロ波で加熱することが困難であるため、図のようにマイ
クロ波加熱装置２を別に設け、マイクロ波照射室を大型
化して、多量の高分子材が入るようにし、マイクロ波吸
収を良くしていた。
、押出機ヘッド内のような歩容量の高分子材料をマイク
ロ波で加熱することが困難であるため、図のようにマイ
クロ波加熱装置２を別に設け、マイクロ波照射室を大型
化して、多量の高分子材が入るようにし、マイクロ波吸
収を良くしていた。
ところがこのようなライン構造は、機構が複雑かつ大掛
かりとなり、保守も困難である。
かりとなり、保守も困難である。
これに対し、押出機内で高分子材料を必要な温度にまで
昇温しで、成形加工するために、種々の案が提案されて
いる。第３図がその代表的なものであり、押出し成形機
のヘッド先端から加熱シリンダー９中に高分子材料を押
し込み、加熱シリンダー９中で回転棒１０をモータＭで
高速回転させることで、加熱シリンダー９と回転棒１０
間の高分子材料１１に、摩擦と剪断による熱を発生させ
て加熱し、先端の成形ダイ１２から押し出すものである
。
昇温しで、成形加工するために、種々の案が提案されて
いる。第３図がその代表的なものであり、押出し成形機
のヘッド先端から加熱シリンダー９中に高分子材料を押
し込み、加熱シリンダー９中で回転棒１０をモータＭで
高速回転させることで、加熱シリンダー９と回転棒１０
間の高分子材料１１に、摩擦と剪断による熱を発生させ
て加熱し、先端の成形ダイ１２から押し出すものである
。
この装置、回転棒１０の回転速度を制御して発熱させる
が、加熱ゾーンをダイ直前の狭い範囲に規定することが
出来ないため、ダイに至る前に架橋反応を起してヤケを
発生することが多く、成形ダイ部分で高分子材料を円滑
に高温状態とすることができない。また、高分子材料を
圧送過程で摩擦熱やせん断によって機械的に加熱するも
のであるため、高分子材料がぜん断によって低分子化す
る恐れがある。かつ発熱の温度制御がむずかしい。
が、加熱ゾーンをダイ直前の狭い範囲に規定することが
出来ないため、ダイに至る前に架橋反応を起してヤケを
発生することが多く、成形ダイ部分で高分子材料を円滑
に高温状態とすることができない。また、高分子材料を
圧送過程で摩擦熱やせん断によって機械的に加熱するも
のであるため、高分子材料がぜん断によって低分子化す
る恐れがある。かつ発熱の温度制御がむずかしい。
高分子材料を架橋反応させる場合、第４図のように、高
分子材料の粘度は時間と共に変化する。
分子材料の粘度は時間と共に変化する。
ずなわち図のように、温度−ヒ昇に伴い一旦粘度が低下
し、その後架橋により粘度が高（なるが、架橋が終了す
る迄の時間は、加熱温度により左右される。加熱温度が
低いと、破線のような特性を示し、高いと実線のような
特性となる。加熱温度が低いと、粘度の低い時間が長い
ため、せっかくダイで成形されても、硬化する迄の時間
内に、自重により変形してしまうので好ましくない。一
方、加熱温度を高くし過ぎると、ダイを通る前に架橋終
了するので、ダイによる成形が円滑に行なわれず、かつ
高分子材が劣化してしまう。
し、その後架橋により粘度が高（なるが、架橋が終了す
る迄の時間は、加熱温度により左右される。加熱温度が
低いと、破線のような特性を示し、高いと実線のような
特性となる。加熱温度が低いと、粘度の低い時間が長い
ため、せっかくダイで成形されても、硬化する迄の時間
内に、自重により変形してしまうので好ましくない。一
方、加熱温度を高くし過ぎると、ダイを通る前に架橋終
了するので、ダイによる成形が円滑に行なわれず、かつ
高分子材が劣化してしまう。
したがって最も望ましい加熱は、成形ダイの直前で、し
かも極く狭い領域で、極めて短時間に所要温度迄加熱す
ることである。本発明の技術的課題は、従来の高分子材
料の押出し成形機による加熱架橋装置におけるこのよう
な問題を解消し、押出し成形機中の狭い領域で極めて短
時間に所定温度まで加熱可能とすることにある。
かも極く狭い領域で、極めて短時間に所要温度迄加熱す
ることである。本発明の技術的課題は、従来の高分子材
料の押出し成形機による加熱架橋装置におけるこのよう
な問題を解消し、押出し成形機中の狭い領域で極めて短
時間に所定温度まで加熱可能とすることにある。
第１図に示すように、高分子材料の押出し成形機のヘッ
ド部の成形ダイ１３と、押出し機構部１４との間に、マ
イクロ波加熱ゾーンとなる空間１５が設けられている。
ド部の成形ダイ１３と、押出し機構部１４との間に、マ
イクロ波加熱ゾーンとなる空間１５が設けられている。
そしてこのマイクロ波加熱ゾーン１５と押出し機構部１
４との間は、高分子材料が通過する複数の小孔１６・・
・を有するマイクロ波遮断板１７で仕切られている。ま
たマイクロ波加熱ゾーン１５とマイクロ波導入路１８と
の間は、圧力隔壁１９で仕切られている。
４との間は、高分子材料が通過する複数の小孔１６・・
・を有するマイクロ波遮断板１７で仕切られている。ま
たマイクロ波加熱ゾーン１５とマイクロ波導入路１８と
の間は、圧力隔壁１９で仕切られている。
原料高分子材料は、押出し成形機の押出し機構部によっ
て、ヘッド部まで移送され、かつマイクロ波遮断板１７
の小孔１６・・・から、マイクロ波加熱ゾーン１５中に
押し出される。マイクロ波加熱ゾーン１５には、マイク
ロ波導入路１８からマイクロ波が供給されているため、
マイクロ波加熱ゾーン１５中の高分子材料は、マイクロ
波加熱された後、成形ダイ１３から押し出されることで
、成形される。なお、マイクロ波導入路１８とマイクロ
波加熱ゾーン１５との間は、圧力隔壁１９で仕切られて
いるため、マイクロ波加熱ゾーン１５中の高分子材料が
、マイクロ波導入路１８に進入するごとはない。
て、ヘッド部まで移送され、かつマイクロ波遮断板１７
の小孔１６・・・から、マイクロ波加熱ゾーン１５中に
押し出される。マイクロ波加熱ゾーン１５には、マイク
ロ波導入路１８からマイクロ波が供給されているため、
マイクロ波加熱ゾーン１５中の高分子材料は、マイクロ
波加熱された後、成形ダイ１３から押し出されることで
、成形される。なお、マイクロ波導入路１８とマイクロ
波加熱ゾーン１５との間は、圧力隔壁１９で仕切られて
いるため、マイクロ波加熱ゾーン１５中の高分子材料が
、マイクロ波導入路１８に進入するごとはない。
次に本発明による高分子材料の押出し成形機による加熱
架橋装置が実際上どのように具体化されるかを実施例で
説明する。第５図は本発明による押出し成形機部の実施
例を示す断面図、第６図はこの押出し成形機を実装した
ラインを示す断面図である。第５図において、押出しヘ
ッド本体２０に、マイクロ波加熱ゾーン１５が形成され
、かつマイクロ波導入路１８との間に圧力隔壁１９が配
設されている。圧力隔壁１９ば、石英やアルミナ磁器で
形成される。また本体２０の先端に、袋ナツト２１で成
形ダイ１３が取付けられている。この本体２０とシリン
ダー５の先端との間に、金属製のマイクロ波遮断板１７
を挟んだ状態で、ボルト２２でシリンダー５に取付は固
定されている。
架橋装置が実際上どのように具体化されるかを実施例で
説明する。第５図は本発明による押出し成形機部の実施
例を示す断面図、第６図はこの押出し成形機を実装した
ラインを示す断面図である。第５図において、押出しヘ
ッド本体２０に、マイクロ波加熱ゾーン１５が形成され
、かつマイクロ波導入路１８との間に圧力隔壁１９が配
設されている。圧力隔壁１９ば、石英やアルミナ磁器で
形成される。また本体２０の先端に、袋ナツト２１で成
形ダイ１３が取付けられている。この本体２０とシリン
ダー５の先端との間に、金属製のマイクロ波遮断板１７
を挟んだ状態で、ボルト２２でシリンダー５に取付は固
定されている。
この押出しヘッド部が、第６図のように押出し成形機１
に装備され、ポツパ４から原料が投入される。なおシリ
ンダー５中のスクリュー６は、減速歯車２３を介してモ
ータＭと連結されている。
に装備され、ポツパ４から原料が投入される。なおシリ
ンダー５中のスクリュー６は、減速歯車２３を介してモ
ータＭと連結されている。
原料は、ポツパー４より連続投入されるが、この原料は
シリンダー５内をスクリュー６によって圧送されて、押
出ヘッド部に達する。
シリンダー５内をスクリュー６によって圧送されて、押
出ヘッド部に達する。
そして、マイクロ波遮断板１７の多数の小孔１６・・・
から、マイクロ波加熱ゾーン１５中に押し出される。マ
イクロ波遮断板１７の孔１６・・・の口径を、マイクロ
波の４分の１波長より小さくしておけば、マイクロ波は
通過出来ず全反射するので、スクリュー６とシリンダー
５部にはマイクロ波が進入出来ず、マイクロ波加熱はマ
イクロ波加熱ゾーン１５中のみに限定される。
から、マイクロ波加熱ゾーン１５中に押し出される。マ
イクロ波遮断板１７の孔１６・・・の口径を、マイクロ
波の４分の１波長より小さくしておけば、マイクロ波は
通過出来ず全反射するので、スクリュー６とシリンダー
５部にはマイクロ波が進入出来ず、マイクロ波加熱はマ
イクロ波加熱ゾーン１５中のみに限定される。
圧力隔壁１９は、成形ダイを通過する高分子材の粘度と
成形の速度によって決まる圧力を受けるので、圧力隔壁
１９の＋Ａ Ｖ’ｌは、この圧力に耐え得るもので、更
にマイクロ波損失の少ないものが選定条件となるが、ダ
イを通過する時の高分子材料は、マイクロ波加熱によっ
て最も粘度が低下しているので、圧力隔壁にかかる圧力
はそれ程大きくない。およそ５０ｋｇ〜３００ｋｇ程度
である。従って圧力隔壁１９の厚み寸法は、石英ガラス
などを使用しても、１．５ ｍ ｍ程度で充分であるの
で、圧力隔壁の材Ｉｆ択にもかなり自由度がある。
成形の速度によって決まる圧力を受けるので、圧力隔壁
１９の＋Ａ Ｖ’ｌは、この圧力に耐え得るもので、更
にマイクロ波損失の少ないものが選定条件となるが、ダ
イを通過する時の高分子材料は、マイクロ波加熱によっ
て最も粘度が低下しているので、圧力隔壁にかかる圧力
はそれ程大きくない。およそ５０ｋｇ〜３００ｋｇ程度
である。従って圧力隔壁１９の厚み寸法は、石英ガラス
などを使用しても、１．５ ｍ ｍ程度で充分であるの
で、圧力隔壁の材Ｉｆ択にもかなり自由度がある。
ただし押出成形機のスクリュー径は６０ｍｍ〜１５０ｍ
ｍ程度が一般的なことから、マイクロ波加熱ゾーン１５
の内容積は、１８０ｃＪ〜９００ｃｎ＋と小容量である
ことが必要である。何故ならば、マイクロ波遮断板１７
を通過した高分子材料が成形ダイ１３を通加する迄、す
なわちマイクロ波加熱ゾーン１５を通過する時間が、第
４図の曲線の粘度の低下している時間以内でなければな
らないからである。
ｍ程度が一般的なことから、マイクロ波加熱ゾーン１５
の内容積は、１８０ｃＪ〜９００ｃｎ＋と小容量である
ことが必要である。何故ならば、マイクロ波遮断板１７
を通過した高分子材料が成形ダイ１３を通加する迄、す
なわちマイクロ波加熱ゾーン１５を通過する時間が、第
４図の曲線の粘度の低下している時間以内でなければな
らないからである。
この帯溜時間はせいぜい３０秒以内である。もしこれ以
−にになると、高分子材料は架橋反応により硬化を始め
てから成形ダイ１３を通ることになり、高分子材料と成
形ダイ１３との摩擦力が大きくなり、成形された高分子
材料に小さな亀列が生じたり、表面に凹凸が生じて、良
好な成形品とならなくなる。
−にになると、高分子材料は架橋反応により硬化を始め
てから成形ダイ１３を通ることになり、高分子材料と成
形ダイ１３との摩擦力が大きくなり、成形された高分子
材料に小さな亀列が生じたり、表面に凹凸が生じて、良
好な成形品とならなくなる。
このような小容量のマイクロ波加熱ゾーン１５に、５１
〜２０に−のマイクロ波電力を送り込むと、高分子材料
のマイクロ波吸収能力が低いので、かなりな量の反射電
力がマイクロ波発生器２６に向かって発生し、エネルギ
ー効率が低下してしまう。
〜２０に−のマイクロ波電力を送り込むと、高分子材料
のマイクロ波吸収能力が低いので、かなりな量の反射電
力がマイクロ波発生器２６に向かって発生し、エネルギ
ー効率が低下してしまう。
この時の反射電力の大きさは、高分子材料の種類や、高
分子材料の中に混入されたカーボンその他の補強充填材
の配合によって異なるので、導波管１８に反射電力モニ
ター２４と整合器２５を設けて反射電力を計測し、この
反射電力が少くなるように、スリースタブ整合器やＥ
Ｈ整合器のような可変整合器２５を用いて、負荷整合を
図る。
分子材料の中に混入されたカーボンその他の補強充填材
の配合によって異なるので、導波管１８に反射電力モニ
ター２４と整合器２５を設けて反射電力を計測し、この
反射電力が少くなるように、スリースタブ整合器やＥ
Ｈ整合器のような可変整合器２５を用いて、負荷整合を
図る。
このようにして加熱された高分子材料は、成形ダイ１３
の通過直後では、まだ架橋反応も進行しておらず、１０
０％架橋反応が終了する迄には、１〜３分間はどの時間
を必要とする。この間、高分子成形品をそのまま放置す
ると、冷却によって架橋反応が停止したり、反応速度か
にぶり、良好な製品とならないので、架橋終了まで、成
形ダイを通過した時の温度を保持し続けなければならな
い。
の通過直後では、まだ架橋反応も進行しておらず、１０
０％架橋反応が終了する迄には、１〜３分間はどの時間
を必要とする。この間、高分子成形品をそのまま放置す
ると、冷却によって架橋反応が停止したり、反応速度か
にぶり、良好な製品とならないので、架橋終了まで、成
形ダイを通過した時の温度を保持し続けなければならな
い。
この方法としては、２００°Ｃ〜３００℃の熱風を用い
て、成形された高分子材を囲んでしまうような熱風穴二
次加熱炉２７や、赤外線ヒーターを用いた二次加熱炉が
必要となる。二次加熱炉２７は、モータｍで駆動される
コンベア２８で、成形ダイ１３から押し出された加熱状
態の成形品２９を、二次加熱炉２７中にガイドし、通過
させる。二次加熱炉２７中には、電気ヒータ３０で発生
した熱が、送風器３１で送り込まれる。ただしこの二次
加熱炉２７は、すでに加熱された高分子材を冷却しない
ようにすることが目的であるので、多大な熱エネルギー
を投入する必要はなく、小電力のもので良い。
て、成形された高分子材を囲んでしまうような熱風穴二
次加熱炉２７や、赤外線ヒーターを用いた二次加熱炉が
必要となる。二次加熱炉２７は、モータｍで駆動される
コンベア２８で、成形ダイ１３から押し出された加熱状
態の成形品２９を、二次加熱炉２７中にガイドし、通過
させる。二次加熱炉２７中には、電気ヒータ３０で発生
した熱が、送風器３１で送り込まれる。ただしこの二次
加熱炉２７は、すでに加熱された高分子材を冷却しない
ようにすることが目的であるので、多大な熱エネルギー
を投入する必要はなく、小電力のもので良い。
成形ダイ１３の出口に、赤外線放射検出器３２を配設し
て、成形ダイ１３から押し出された直後の成形品２９の
温度を検出し、温度に比例した信号を比較器３３に入力
し、温度設定器３４から入力される設定温度と比較する
。そして設定温度との差の信号を、マイクロ波発生器２
６に入力して、マイクロ波発生器２６を制御することで
、マイクロ波加熱ゾーン１５における加熱架橋温度を一
定に制御できる。
て、成形ダイ１３から押し出された直後の成形品２９の
温度を検出し、温度に比例した信号を比較器３３に入力
し、温度設定器３４から入力される設定温度と比較する
。そして設定温度との差の信号を、マイクロ波発生器２
６に入力して、マイクロ波発生器２６を制御することで
、マイクロ波加熱ゾーン１５における加熱架橋温度を一
定に制御できる。
本発明方法の最大の利点は、高分子材料の圧送過程のほ
んの５〜６ｃｍの間で、時間にして１０〜２０秒の間に
、架橋反応に必要な温度まで昇温しでしまうことにより
、しかもマイクロ波のような応答の早いエネルギーを使
用して、瞬時に制御出来る点にある。またマイクロ波遮
断板により、シリンダー内へのマイクロ波エネルギー伝
達が防止されるので、スクリューやシリンダー内面を損
傷することなく、やけのない製品が得られる。
んの５〜６ｃｍの間で、時間にして１０〜２０秒の間に
、架橋反応に必要な温度まで昇温しでしまうことにより
、しかもマイクロ波のような応答の早いエネルギーを使
用して、瞬時に制御出来る点にある。またマイクロ波遮
断板により、シリンダー内へのマイクロ波エネルギー伝
達が防止されるので、スクリューやシリンダー内面を損
傷することなく、やけのない製品が得られる。
第１図は本発明による高分子材料の押出し成形機による
加熱架橋装置の基本構成を示す断面図、第２図は従来の
マイクロ波加熱ラインを示す図、第３図は従来の機械式
加熱架橋装置の断面図、第４図は加熱架橋時の加熱温度
と粘度の関係を示す図、第５図は本発明による高分子材
料の押出し成形機による加熱架橋装置の実施例を示す断
面図、第６図は同実施例装置を実装した加熱ラインを示
す断面図である。 ５はシリンダー、６はスクリュー、１３は成形ダイ、１
５はマイクロ波加熱ゾーン、１６は小孔、１７はマイク
ロ波遮断板、１８はマイクロ波導入路、１９は圧力隔壁
、ｚ９は成形品をそれぞれ示す。 特許出願人 ミクロ電子株式会社 代理人 弁理士 福 島 康 文 第１図 ［ １遍 第２図 第３図
加熱架橋装置の基本構成を示す断面図、第２図は従来の
マイクロ波加熱ラインを示す図、第３図は従来の機械式
加熱架橋装置の断面図、第４図は加熱架橋時の加熱温度
と粘度の関係を示す図、第５図は本発明による高分子材
料の押出し成形機による加熱架橋装置の実施例を示す断
面図、第６図は同実施例装置を実装した加熱ラインを示
す断面図である。 ５はシリンダー、６はスクリュー、１３は成形ダイ、１
５はマイクロ波加熱ゾーン、１６は小孔、１７はマイク
ロ波遮断板、１８はマイクロ波導入路、１９は圧力隔壁
、ｚ９は成形品をそれぞれ示す。 特許出願人 ミクロ電子株式会社 代理人 弁理士 福 島 康 文 第１図 ［ １遍 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）、高分子材料の押出し成形機のヘッド部の成形ダ
イ１３と、押出し機構部との間に、マイクロ波加熱ゾー
ンとなる空間１５が設けられていること、 このマイクロ波加熱ゾーン１５と押出し機構部との間は
、高分子材料が通過する複数の小孔を有するマイクロ波
遮断板１７で仕切られていること、マイクロ波加熱ゾー
ン１５とマイクロ波導入路１８との間が、圧力隔壁１９
で仕切られていることを特徴とする高分子材料の押出成
形機による加熱架橋装置。 - （２）、前記マイクロ波導入路１８は、マイクロ波発生
器２６とマイクロ波加熱ゾーン１５の間において、高分
子材料からの反射電力を消去あるいは低減するための反
射電力モニター２４と整合器２５を有することを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の高分子材料の押出
成形機による加熱架橋装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61067883A JPS62222827A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 高分子材料の押出成形機 |
| DE8787300245T DE3769480D1 (de) | 1986-01-16 | 1987-01-13 | Mikrowellenheizvorrichtung. |
| EP87300245A EP0229708B1 (en) | 1986-01-16 | 1987-01-13 | Microwave heating device |
| US07/003,846 US4760228A (en) | 1986-01-16 | 1987-01-16 | Microwave heating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61067883A JPS62222827A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 高分子材料の押出成形機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222827A true JPS62222827A (ja) | 1987-09-30 |
| JPH0348015B2 JPH0348015B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=13357741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61067883A Granted JPS62222827A (ja) | 1986-01-16 | 1986-03-25 | 高分子材料の押出成形機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222827A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2740722A1 (fr) * | 1995-11-06 | 1997-05-09 | Windmoeller & Hoelscher | Dispositif d'echauffement des secteurs de feuille d'une gaine en feuille extrudee d'une tete de soufflage de feuille |
| JP2006504553A (ja) * | 2002-10-31 | 2006-02-09 | レーアウ アクチエンゲゼルシヤフト ウント コンパニー | プラスチックから成る、過酸化物架橋性の成形品を押出成形する方法 |
| JP2009101602A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Yamamoto Vinita Co Ltd | 樹脂成形機および押出成形方法 |
-
1986
- 1986-03-25 JP JP61067883A patent/JPS62222827A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2740722A1 (fr) * | 1995-11-06 | 1997-05-09 | Windmoeller & Hoelscher | Dispositif d'echauffement des secteurs de feuille d'une gaine en feuille extrudee d'une tete de soufflage de feuille |
| JP2006504553A (ja) * | 2002-10-31 | 2006-02-09 | レーアウ アクチエンゲゼルシヤフト ウント コンパニー | プラスチックから成る、過酸化物架橋性の成形品を押出成形する方法 |
| JP2009101602A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Yamamoto Vinita Co Ltd | 樹脂成形機および押出成形方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348015B2 (ja) | 1991-07-23 |
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