JPS62219086A - Mask mismatching inspection device - Google Patents

Mask mismatching inspection device

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Publication number
JPS62219086A
JPS62219086A JP61060659A JP6065986A JPS62219086A JP S62219086 A JPS62219086 A JP S62219086A JP 61060659 A JP61060659 A JP 61060659A JP 6065986 A JP6065986 A JP 6065986A JP S62219086 A JPS62219086 A JP S62219086A
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JP
Japan
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optical system
wafer
mask
inspected
pattern
Prior art date
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Application number
JP61060659A
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Japanese (ja)
Inventor
Yukihiro Goto
幸博 後藤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To measure mask mismatching in a semiconductor device manufacturing process at high accuracy and high efficiency by providing an object holding part, an optical system, a photoelectric conversion part, a positioning control part and a decision part deciding mask mismatching based on a picture signal. CONSTITUTION:A wafer 10 is held at the prescribed position in a vacuum chuck 14, and a magnification switching part 12 sets the optical system 17 to a low magnification based on a control signal SC3. Then an ITV camera 20 forms the magnified optical image of the wafer 10. Next the dislocation of the rotation of the wafer 10 is detected and corrected from the position relation between marks in wafers. Continuously dislocation from the inspection positions of patterns to be inspected K1 and K2 is detected, and an X-Y table 16 is driven in the directions of arrows X and Y. Said patterns K1 and K2 are shifted to the center of a visual field to set the optical system 17 to a high magnification. The processing is repeated until the patterns K1 and K2 attain desired sizes.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は1例えば半導体製造工程におけるマスク合わせ
ずれ検出に使用されるマスク合せずれ検査装置に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a mask misalignment inspection device used for detecting mask misalignment in, for example, a semiconductor manufacturing process.

(従来の技術) 半導体製造工程にはウェハに回路パターンを形成する工
程があり、この回路パターンが高精度に形成されたかの
検査が行なわれている。第8図は半導体の製造工程の一
部を示すものであり、ウェハ(1)は第8図(a)に示
すようにシリコン基板(St)(2)に8i0.から成
る絶縁膜(3)を形成したものである。
(Prior Art) A semiconductor manufacturing process includes a process of forming a circuit pattern on a wafer, and an inspection is performed to see if this circuit pattern has been formed with high precision. FIG. 8 shows a part of the semiconductor manufacturing process, in which a wafer (1) is attached to a silicon substrate (St) (2) with an 8i0. An insulating film (3) consisting of the following is formed.

先ず、第8図(b)に示すようにウエノ・(1)にレジ
スト(4)が塗布される。この後、マスク(5)が施さ
れて露光が行なわれ、そうして現像が行なわれる。この
現像が終了すると第8図(d)に示すように光が照射さ
れたレジスト(4)の部分(6)は溶け、またマスクさ
れた部分はそのまま残る。この後、第8図(e)に示す
ように工、チングが行なわれる。ここで、マスク(5)
が所定位置に正確に合わされていないとエツチングする
部分が微小なために1例えば接合する不純物の位置やそ
の量が異なってしまい所定の性質を表わさなくなってし
まう。このため、現像処理後に、マスクされた位置が正
確かどうかの検査がおこなわれている。ところで、この
検査はレジスト(4)の縁部分(7a)、 (7b)の
位置を測定することによって行なわれる。なお、各線(
7a)、 (7b)はウェハ(1)の上部から見ると線
状に形成されるので。
First, as shown in FIG. 8(b), a resist (4) is applied to the Ueno film (1). Thereafter, a mask (5) is applied, exposure is performed, and development is then performed. When this development is completed, the portion (6) of the resist (4) irradiated with light melts, and the masked portion remains as is, as shown in FIG. 8(d). Thereafter, machining and cutting are performed as shown in FIG. 8(e). Here, mask (5)
If it is not precisely aligned with the predetermined position, the portion to be etched will be so small that, for example, the position and amount of the impurity to be bonded will be different, and the predetermined properties will not be exhibited. For this reason, after the development process, an inspection is performed to see if the masked position is accurate. Incidentally, this inspection is performed by measuring the positions of the edge portions (7a) and (7b) of the resist (4). In addition, each line (
7a) and (7b) are formed in a linear shape when viewed from the top of the wafer (1).

この各線の間隔つまり縁部分(7a)、 (7b)の位
置セよび間隔を測定することになる。そこで、従来。
The distance between these lines, that is, the position and distance of the edge portions (7a) and (7b) will be measured. Therefore, conventionally.

この測定は作業者が光学顕微鏡を通して行なっていたが
、最近、レーザ光を用いてその反射光レベルの遠いから
レジスト(4)の縁部分(7a)、 (7b)の位置を
測定する方法や、また光学スリットを用いて干渉光から
レジスト(4)の縁部分(7a)、 (7b)の位置を
測定する方法により行なわれている。
This measurement was performed by an operator using an optical microscope, but recently a method has been developed that uses laser light to measure the position of the edge portions (7a) and (7b) of the resist (4) because the reflected light level is far away. Further, the position of the edge portions (7a) and (7b) of the resist (4) is measured from interference light using an optical slit.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら上記各方法ではその使用する装置全体が複
雑となり、かつ高価となる。さらに。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in each of the above methods, the entire apparatus used is complicated and expensive. moreover.

上記方法は1箇所の縁部分(7a)、 (7b)を測定
するのに時間がかかつてしまいオンラインでのIIJ 
定には適用できないものである。なお1作業者が光学顕
微鏡を通して測定するのには作業者の熟練を必要とする
The above method takes time to measure one edge part (7a), (7b), and online IIJ
This cannot be applied to certain situations. It should be noted that one worker requires skill to perform measurements through an optical microscope.

そこで1本発明は、上記事情を勘案してなされたもので
、半導体製造工程におけるマスク合せずれの検査を高精
度かつ高能率で行うことのできるマスク合せずれ検査装
置を提供することを目的とする。
Therefore, 1. the present invention was made in consideration of the above circumstances, and an object thereof is to provide a mask misalignment inspection device that can inspect mask misalignment in a semiconductor manufacturing process with high precision and high efficiency. .

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(問題点を解決するための手段と作用)マスク合せずれ
が検出される被検査パターンが形成された被検査物を位
置決め自在に保持する被検査物保持部と、被検食パター
ンの光学像を倍率切換自在に形成する光学系と、上記光
学像を撮像する光電変換部と、上記被検査パターンの位
置決めを行うための位置決め制御部と、被検査パターン
を示す画像信号に基づいてマスク合せずれを判定する判
定部とを有し、マスク合せずれを高精度かつ高能率で行
うようにしたものである。
(Means and effects for solving the problem) An inspection object holder that holds an inspection object on which an inspection pattern on which mask misalignment is detected can be freely positioned, and an optical image of the inspection pattern. an optical system configured to freely change the magnification; a photoelectric conversion section for capturing the optical image; a positioning control section for positioning the pattern to be inspected; The mask misalignment is determined with high accuracy and efficiency.

(実施例) 以下2本発明の一実施例を図画を参照して詳述する。(Example) Hereinafter, two embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、この実施例のマスク合せずれ検査装置を示し
ている。この位置合せずれ測定装置は。
FIG. 1 shows a mask misalignment inspection device of this embodiment. This misalignment measuring device.

ウェハ(11を保持して位置決めする保持機構(11)
と。
Holding mechanism (11) that holds and positions the wafer (11)
and.

この保持機構a1)に保持されているウェハα〔を撮像
して画像信号SAを出力する撮像機構(Lりと、この撮
像機構α2から出力された画像信号SAに基づいてマス
ク合せずれを測定する演算制御機構0とから構成されて
いる。しかして、保持機構(11)は、ウェノ・(11
を着脱自在に真空吸着する真空チャックIと。
An imaging mechanism (L) that images the wafer α held by this holding mechanism a1) and outputs an image signal SA, and measures mask alignment misalignment based on the image signal SA output from this imaging mechanism α2. The holding mechanism (11) is composed of a calculation control mechanism (11).
Vacuum chuck I, which can be attached and detached by vacuum.

この真空チャック(14が載設され矢印θ方向に回転駆
動するθテーブルα9と、このθテーブルα9が載設さ
れθテーブルα9の回転軸線に直交する面内において矢
印X、Y両方向に進退駆動するX−Yテーブルαeとか
らなっている。しかして、この保持機構aυは、演算制
御機構(13からの制御信号SC1に基づいて駆動され
るようになっている。一方、撮像機構aのは、光学顕微
鏡を主体とするもので、真空チャックIに保持されてい
るウェハ住Qの光学像を拡大する複数の光学レンズの組
合せからなる光学系(l?)と、この光学系αつをウェ
ハαeの上方位置にて矢印Z方向に昇降駆動する支持部
(18と、この支持部−に付設され光学系(17)を介
して真空チャック(14に保持されているウェハ鵠に照
明光を投射する照明部α優と、光学系(171に連設さ
れこの光学系0により得られたウェハ(11の拡大光学
像を撮像して画像信号SAに変換するITV (Ind
ustrial Te1evision )カメラ(至
)と、このITVカメラ翰から出力された画像信号8A
が示すウェハQlの光学像がボケでいるときにこのボケ
を修正するため演算制御機構α3から出力された制御信
号SC鵞により光学系住nの焦点が真空チャックα荀に
保持されているウェハ(101上にくるように支持部α
砂を駆動して光学系(L′7)を昇降させる自動焦点部
01)と、演算制御機構(19から出力された倍率を切
換るための制御信号SC3に基づいて光学系αηの倍率
の切換駆動を行う′心動レボルバを主体とする倍率切換
部(2)とからなっている。他方。
A θ table α9 on which the vacuum chuck (14 is mounted and driven to rotate in the direction of the arrow θ) and a θ table α9 on which the θ table α9 is mounted and driven forward and backward in both directions of the arrows X and Y in a plane orthogonal to the rotational axis of the θ table α9 The holding mechanism aυ is driven based on a control signal SC1 from an arithmetic control mechanism (13).On the other hand, the imaging mechanism a is It is mainly an optical microscope, and consists of an optical system (l?) consisting of a combination of multiple optical lenses that magnify the optical image of the wafer Q held in the vacuum chuck I, and one optical system (l?) that magnifies the optical image of the wafer αe held in the vacuum chuck I. Illumination light is projected onto the wafer held by the vacuum chuck (14) through a support part (18) which is moved up and down in the direction of arrow Z at an upper position, and an optical system (17) attached to this support part. ITV (Ind.
ustrial Te1evision) camera (to) and the image signal 8A output from this ITV camera.
When the optical image of the wafer Ql shown by is blurred, the focus of the optical system is held on the vacuum chuck α by the control signal SC output from the arithmetic and control mechanism α3 in order to correct this blur. Support part α so that it is above 101
The magnification of the optical system αη is switched based on the automatic focusing unit 01) that drives the sand to raise and lower the optical system (L'7), and the control signal SC3 for switching the magnification output from the arithmetic control mechanism (19). It consists of a magnification switching unit (2) whose main body is a heart-moving revolver that performs driving.

演算制御機構0は、 ITVカメラ(至)から出力され
た画像信号8Aに基づいて後述する被検査パターンの位
置を自動検出する自動位置認識部(ハ)と、この自動位
置認識部(ハ)により検出されかつ位置決めされた検出
パターンに基づいてマスク合せずれ検査を自動的に行う
合せずれ検査部(財)とからなっている。
The arithmetic control mechanism 0 includes an automatic position recognition section (c) that automatically detects the position of the pattern to be inspected, which will be described later, based on the image signal 8A output from the ITV camera (to), and an automatic position recognition section (c) that automatically detects the position of the pattern to be inspected, which will be described later. The mask misalignment inspection section automatically performs mask misalignment inspection based on detected and positioned detection patterns.

しかして、自動位置認識部(ハ)は、アナログ画像信号
8Aをアナログ−ディジタル(A/D )変換してディ
ジタル画像信号8Dを出力するん1変換器(ハ)と、こ
の人β変換器(ハ)から出力された画像信号8Dが示す
ウェーハ画像データを所定のアドレスに格納する画像メ
モリ弼と、この画像メモリ(ハ)にいったん格納されて
いる画像データに基づいて前記制御信号sc1. sc
、、 sc、に出力し後述するプログラムに従りて検査
パターンの位置決めを行うマイクロ・コンピュータ(5
)とからなっている。また1合せずれ検査部C241は
、入力側が画像メモリ(至)に接続され画像データを1
画素ずつ読み出して順次微分を行い被検査パターンの縁
部の位置に対応したピーク値を有する微分データを出力
する空間フィルタ部例と、この空間フィルタ部(至)か
ら出力された微分データをいったん記憶するメモリ部(
至)と、このメモリ部―に格納されている微分データに
基づきマスク合せずれを判定する例えばマイクロ・コン
ピュータなどを主体とする判定部−と、この判定部■に
おける判定結果を表示するプリンタ、ブラウン管などか
らなる表示部Gυとからなりている。しかして、空間フ
ィルタ部盛は1画像メモリ(ハ)の出力側に接続され画
像信号SDの1次微分を行う第1の空間フィルタ回路(
至)と、この第1の空間フィルタ回路03から出力され
た1次微分信号SRを微分し2次微分信号8Fを出力す
る第2の空間フィルタ回路(至)とからなっている。そ
うして、これら第1及び第2の空間フィルタ回路Oa、
(33は、第2図に示すように1画像信号8Dを1画素
ずつ入力する8ピツ)(ITVカメラ(至)の1走査分
)構成の直列接続された3個のシフトレジスタ(至)、
(至)、(7)と、シフトレジスタ(財)、(至)、(
至)の最初の3ビツトを取出して対応するアドレスに格
納する微分用エリア07)と、このする各アドレスごと
に加重係数が記憶されている加重係数エリア(至)と、
これら微分用二′す°ア07)および加重係数エリア(
至)の出力側に接続され画像データが示す輝度レベルと
加重係数とを各アドレスごとに積算された後これら各ア
ドレスごとの積算値が加算され微分信号SE、 SFが
出力される積和演算回路の1とからなっている。また1
判定部(至)は、空間フィルタ部(ハ)から出力された
2次微分信号8Fにより、被検査パターンの各縁部位置
に対応した各ピーク位置を検出して後述する所定の演算
を行うようになっている。
Therefore, the automatic position recognition unit (c) has a converter (c) which converts the analog image signal 8A into an analog-to-digital (A/D) and outputs a digital image signal 8D, and a converter (c) which converts the analog image signal 8A into a digital image signal 8D. An image memory 2 stores the wafer image data indicated by the image signal 8D output from the image memory 8D at a predetermined address, and the control signal sc1. sc
,,sc, and performs positioning of the inspection pattern according to a program described later.
). In addition, the input side of the 1-alignment deviation inspection unit C241 is connected to the image memory (to), and the 1-alignment deviation inspection unit C241 inputs image data into 1
An example of a spatial filter section that reads out each pixel, sequentially differentiates it, and outputs differential data having a peak value corresponding to the position of the edge of the pattern to be inspected, and the differential data output from this spatial filter section (to) is temporarily stored. memory section (
), this memory section - which judges the mask alignment misalignment based on the differential data stored in it, and the judgment section which is mainly made up of a microcomputer, etc., and the printer and cathode ray tube which display the judgment results of this judgment section (2). It consists of a display section Gυ, etc. The spatial filter section is connected to the output side of the 1-image memory (c), and the first spatial filter circuit (c) performs first-order differentiation of the image signal SD.
(to) and a second spatial filter circuit (to) that differentiates the first-order differential signal SR output from the first spatial filter circuit 03 and outputs a second-order differential signal 8F. Then, these first and second spatial filter circuits Oa,
(33 is an 8-pixel inputting one image signal 8D pixel by pixel as shown in FIG. 2) (for one scan of an ITV camera) three shift registers connected in series,
(to), (7) and shift register (goods), (to), (
A differentiation area 07) for extracting the first 3 bits of (to) and storing them in the corresponding address, and a weighting coefficient area (to) for storing a weighting coefficient for each address.
These differentiator area 07) and weighting coefficient area (
A product-sum calculation circuit connected to the output side of It consists of 1 and 1. Also 1
The determination unit (to) detects each peak position corresponding to each edge position of the pattern to be inspected using the second-order differential signal 8F output from the spatial filter unit (c), and performs a predetermined calculation described later. It has become.

つぎに、上記構成の位置合せずれ検査装置の作動につい
て第3図に示すフローチャートに従りて説明する。
Next, the operation of the misalignment inspection apparatus having the above configuration will be explained according to the flowchart shown in FIG.

まず、ウェハCIGを真空チャックIの所定位置に保持
させる。つぎに、制御信号SC3に基づき1倍率切換部
(2りにより光学系(LDを低倍率にする(ステップ(
40)。ついで、 ITVカメラ(至)により光学系−
を経由してきたウェハa0の拡大光学像を撮像する(ス
テップ(41) )。ついで、演算制御機構α3から出
力された制御信号SC1により自動焦点部Qυが起動し
、光学系αηの自動焦点合せが行われる(ステップ(6
))。、つぎに、ウェハαQに形成されている一対のウ
ェハマーク(図示せず)の位置関係により。
First, the wafer CIG is held in a predetermined position on the vacuum chuck I. Next, based on the control signal SC3, the optical system (LD) is set to a low magnification by the 1 magnification switching section (2) (step (
40). Next, the optical system was installed using the ITV camera (towards).
An enlarged optical image of the wafer a0 that has passed through is captured (step (41)). Next, the automatic focusing unit Qυ is activated by the control signal SC1 output from the arithmetic control mechanism α3, and automatic focusing of the optical system αη is performed (step (6)
)). , next, based on the positional relationship between a pair of wafer marks (not shown) formed on the wafer αQ.

ウェハa・の回転ずれを検出する(ステップ(43)。A rotational deviation of wafer a is detected (step (43)).

つぎに、演算制御機構0から回転ずれを補正するための
制御信号SC□が、保持機構(11)に出力され。
Next, a control signal SC□ for correcting the rotational deviation is output from the arithmetic control mechanism 0 to the holding mechanism (11).

0テーブル(151が所定量回動し、ウェハα〔の回転
ずれが補正される(ステップ(44)。つづいて、ウェ
ハ(1)に形成され第4図に示すマスク合せずれを検査
するための被検査パターンに1.Ktの検査位置からの
位置ずれを検出する(ステップ(ハ))。つぎに。
0 table (151) is rotated by a predetermined amount, and the rotational deviation of the wafer α is corrected (step (44). Next, the rotational deviation of the wafer α is corrected (step (44). A positional deviation of 1.Kt from the inspection position is detected in the pattern to be inspected (step (c)).Next.

この位置ずれを補正するために、X−Yテーブルαeを
矢印X、Y方向に駆動し、被検査パターンKh狗を視野
の中心にもってくる(ステップ(46) )。しかして
、制御信号SCsにより光学系αηを高倍率にする(ス
テップ(4?) )。そして、前と同様にして被検査パ
ターンに1. K、のA−B線が視野の中心になるよう
に位置決めする。この処理は、被検査パタ−ンに、、に
、が所望の大きさくこなるまで繰返す。つぎlこ、 I
TVカメラ翰化より最終的に位置決めされた被検査パタ
ーンを撮像し、このとき得られたA−B線近傍の検査パ
ターンKl、に、を示す画像データを画像メモリ(ハ)
に格納し、このときこの画像メモIJ I:?[iに格
納された画像データに基づいてマスク合せずれ検査を行
う(ステップ姻)。ところで。
In order to correct this positional deviation, the X-Y table αe is driven in the directions of arrows X and Y to bring the pattern to be inspected Kh dog to the center of the visual field (step (46)). Then, the optical system αη is made to have a high magnification by the control signal SCs (step (4?)). Then, apply 1. to the pattern to be inspected in the same manner as before. Position the camera so that line A-B of K is at the center of the field of view. This process is repeated until the pattern to be inspected has a desired size. Next, I
The finally positioned inspection pattern is imaged by a TV camera, and the image data indicating the inspection pattern Kl near the A-B line obtained at this time is stored in the image memory (c).
At this time, this image memo IJ I:? [Mask misalignment inspection is performed based on the image data stored in i (step combination). by the way.

前記A−B線上の画像データの輝度レベルは、第5図に
示すように、レジストの縁の部分の輝度レベルが他の部
分よりも低くなっている。かくて。
As for the brightness level of the image data on the AB line, as shown in FIG. 5, the brightness level of the edge portion of the resist is lower than that of the other portion. Thus.

画像メモリ@化格納されている画像データは、1画素ず
つ順次読み出されて、第1の空間フィルタ回路0旧こ出
力される。すると、この第1の空間フィルタ回路Gので
は1画像データが、1画素づつシフトレジスタC34)
、 C3!19. @ Jこ取込まれ、この1画素取込
むごとに、微分用エリアC3?)に移された各輝度レベ
ルと対応する加重係数エリア弼中の加重係数とを積和演
算回路OIにて積算し、この後これら積算値を1次微分
信号8E(第6図参照)として第2の空間フィルタ回路
(至)に出力する。ついで、1次微分信号SEを入力し
た第2の空間フィルタ回路Qからは、同様にして、2次
微分信号SF(第7図参照)がメモリ部翰に出力され、
2次微分データとして格納される。なお、第5図ないし
第7図の信号は。
The image data stored in the image memory is sequentially read out pixel by pixel and output to the first spatial filter circuit 0. Then, in this first spatial filter circuit G, one image data is transferred one pixel at a time to the shift register C34)
, C3!19. @ J is captured, and every time this one pixel is captured, the area for differentiation C3? ) and the corresponding weighting coefficient in the weighting coefficient area are integrated in the product-sum operation circuit OI, and then these integrated values are converted into a first-order differential signal 8E (see Figure 6). Output to the second spatial filter circuit (to). Next, from the second spatial filter circuit Q into which the first-order differential signal SE has been input, a second-order differential signal SF (see FIG. 7) is outputted to the memory section in the same manner.
Stored as second-order differential data. Furthermore, the signals shown in Figs. 5 to 7 are as follows.

ディジタルデータをアナログ的に示しである。かくて、
第7図に示す2次微分データは、A−B線上の検査パタ
ーンに、 、 K、の縁に対応したピーク値Pi、 P
2. P3. P4が現われる。つぎに1判定部(至)
にては、ピーク値P1とP2及びP3とP4との各間隔
J、、L’を算出する。そうして、これら間隔1.L′
の差ΔLを算出し、この差ΔJが設定値よりも大きけれ
ば。
It shows digital data in analog form. Thus,
The second-order differential data shown in FIG. 7 has peak values Pi, P corresponding to the edges of , K, on the inspection pattern on line A-B.
2. P3. P4 appears. Next, 1 judgment part (to)
Then, the intervals J, L' between the peak values P1 and P2 and between P3 and P4 are calculated. Then, these intervals 1. L'
Calculate the difference ΔL, and if this difference ΔJ is larger than the set value.

「マスク合せずれアラ。」と判定し、また、差ΔJが設
定値以内にあれば「マスク合せずれすら。」と判定する
。つぎに、この判定部(至)における判定結果は1表示
部01)にて表示される(ステップ(4鵠)。
It is determined that "the mask alignment is slightly misaligned", and if the difference ΔJ is within the set value, it is determined that "the mask alignment is even misaligned". Next, the determination result in this determination section (to) is displayed on the 1 display section 01) (step (4)).

以上のように、この実施例のマスク合せずれ検査装置は
、比較的簡単な装置で、半導体装置製造工程におけるマ
スク位置合せずれの測定を高精度かつ高能率で行うこと
ができる。その結果、マスク合せずれの検査の信頼性が
向上し、半導体装置の歩留及び生産性の向上に寄与する
ことができる。
As described above, the mask misalignment inspection device of this embodiment is a relatively simple device that can measure mask misalignment in the semiconductor device manufacturing process with high precision and high efficiency. As a result, the reliability of mask misalignment inspection is improved, which can contribute to improved yield and productivity of semiconductor devices.

なお、上記ITVカメラの代りに他のイメージセを用い
てもよい。さらに、空間フィルタ部(ハ)の前に、ノイ
ズ除去を目的として平滑回路を設けてもj j’ よい。さらに1間隔 、の算出は、2次微分データに基
づくことなく、2値化法によってもよい。
Note that other image sensors may be used instead of the ITV camera. Furthermore, a smoothing circuit may be provided before the spatial filter section (c) for the purpose of noise removal. Furthermore, the calculation of one interval , may be performed by a binarization method without being based on the second-order differential data.

さらにまた、X−Yテーブル(161に矢印Z方向に昇
降する機能を付与してもよい。
Furthermore, the X-Y table (161) may be provided with a function of moving up and down in the direction of arrow Z.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明のマスク合せずれ検査装置は、半導体装置製造工
程におけるマスク位置合せずれの測定を高精度かつ高能
率で行うことができる。その結果、マスク合せずれの検
査の信頼性が向上し、半導体装置の歩留及び生産性の向
上に寄与することができる。
The mask misalignment inspection device of the present invention can measure mask misalignment in a semiconductor device manufacturing process with high precision and high efficiency. As a result, the reliability of mask misalignment inspection is improved, which can contribute to improved yield and productivity of semiconductor devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例のマスク合せずれ検査装置の
構成図、第2図は第1図における空間フィルタ部のブロ
ック図、第3図は第1図のマスク合せずれ検査装置の作
動を説明するための70−チャート、第4図は検査パタ
ーンを示す図、第5図ないし第7図は画像データの信号
処理を示す図。 第8図は半導体製造工程の説明図である。 α呻:クエハ(被検査物)。 ←η:保持機構(被検査物保持部)。 αη:光学系。 (イ): ITVカメラ(光電変換部)。 (ハ):自動位置認識部(位置決め制御部)。 c24) :合せずれ判定部(判定部)。 代理人 弁理士  則 近 憲 佑 同     竹 花 喜久男 第1図 第8図 第5図 第6図 第7図
FIG. 1 is a block diagram of a mask misalignment inspection device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram of the spatial filter section in FIG. 1, and FIG. 3 is an operation of the mask misalignment inspection device of FIG. 1. 70-chart for explaining, FIG. 4 is a diagram showing an inspection pattern, and FIGS. 5 to 7 are diagrams showing signal processing of image data. FIG. 8 is an explanatory diagram of the semiconductor manufacturing process. α groan: Kueha (tested object). ←η: Holding mechanism (test object holding part). αη: Optical system. (b): ITV camera (photoelectric conversion section). (c): Automatic position recognition unit (positioning control unit). c24): Misalignment determination unit (determination unit). Agent Patent Attorney Noriyuki Ken Yudo Takehana KikuoFigure 1Figure 8Figure 5Figure 6Figure 7

Claims (1)

【特許請求の範囲】 下記構成を具備することを特徴とするマスク合せずれ検
査装置。 (イ)マスク合せずれが検出される被検査パターンが形
成された被検査物が着脱自在に保持されるとともに上記
被検査パターンを検査位置に位置決め駆動する被検査物
保持部。 (ロ)上記被検査物保持部に保持された被検査物の光学
像を倍率切換自在に形成する光学系。 (ハ)上記光学系により形成された光学像を撮像して画
像信号を出力する光電変換部。 (ニ)上記光電変換部から出力された画像信号に基づい
て上記被検査物保持部に制御信号を出力し上記被検査パ
ターンの位置補正を行う位置決め制御部。 (ホ)上記光電変換部から出力された上記被検査パター
ンを示す画像信号を入力して上記マスク合せずれを判定
する判定部。
[Scope of Claims] A mask misalignment inspection device characterized by having the following configuration. (a) A test object holder that removably holds a test object on which a test pattern in which mask misalignment is detected is formed, and also positions and drives the test pattern to an inspection position. (b) An optical system that forms an optical image of the object to be inspected held in the object-to-be-inspected holding section, with the magnification being freely switchable. (c) A photoelectric conversion unit that captures an optical image formed by the optical system and outputs an image signal. (d) A positioning control section that outputs a control signal to the object holding section based on the image signal output from the photoelectric conversion section and corrects the position of the pattern to be inspected. (E) A determination unit that inputs an image signal indicating the pattern to be inspected outputted from the photoelectric conversion unit and determines the mask misalignment.
JP61060659A 1986-03-20 1986-03-20 Mask mismatching inspection device Pending JPS62219086A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7480404B2 (en) 2003-09-24 2009-01-20 Novo Measuring Instruments Ltd. Method and system for positioning articles with respect to a processing tool

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US7480404B2 (en) 2003-09-24 2009-01-20 Novo Measuring Instruments Ltd. Method and system for positioning articles with respect to a processing tool

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