JPS62162904A - Device for discriminating pattern defect - Google Patents

Device for discriminating pattern defect

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JPS62162904A
JPS62162904A JP61003644A JP364486A JPS62162904A JP S62162904 A JPS62162904 A JP S62162904A JP 61003644 A JP61003644 A JP 61003644A JP 364486 A JP364486 A JP 364486A JP S62162904 A JPS62162904 A JP S62162904A
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pattern
shift
inspected
pixels
patterns
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Mitsuzo Nakahata
仲畑 光蔵
Toshimitsu Hamada
浜田 利満
Hachio Nomoto
峰生 野本
Yutaka Hashimoto
豊 橋本
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Abstract

PURPOSE:To quickly discriminate a pattern defect with a small scale circuit by making prescribed feeding of patterns to be inspected and comparing the same with the standard pattern within the corresponding permissible mis registration range thereby decreasing the overlapping inspections of the patterns to be inspected. CONSTITUTION:The local region patterns of nX1 picture elements are successive ly fed at l picture element intervals in the horizontal direction from the patterns to be inspected on a shift memory 13. These patterns and the corresponding local region pattern including the permissible misregistration range of the shift memory 12 for the standard pattern are compared in a comparing and discrimi nating device 22 by which the coincidence and discordance are discriminated. The results of the discrimination are successively inputted to the shift memory and are two-dimensionally arranged so that all of the regions of 1Xn picture elements are subjected to the discrimination of whether the coincidence signal or not by vertical scanning. The defect in the two-dimensional region F(x0, y0) of nXn picture elements is quickly discriminated with the small scale circuit by a pipeline system at the decreased overlapping inspections of the patterns to be inspected.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、プリント板や集積回路などにおけるパターン
を検査するための装置に係り、特に2つの同一形状を有
するとされるパターンを比較することによって、もしも
相違が存在する場合には欠陥として判定するようにした
パターン欠陥判定装置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to an apparatus for inspecting patterns on printed circuit boards, integrated circuits, etc., and particularly relates to an apparatus for inspecting patterns on printed boards, integrated circuits, etc. This invention relates to a pattern defect determination device that determines a defect if there is a difference.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

第12図はパターン検査装置の一例での全体構成を示す
が、これによる場合パターン比較のための回路規模が徒
らに大きなものとなっている。
FIG. 12 shows the overall configuration of an example of a pattern inspection device, but in this case, the scale of the circuit for pattern comparison becomes unnecessarily large.

即ち、XYテーブル1上に載置されている被検査パター
ン2は、対物レンズ3を介して、パターン検出器4で撮
像される。その撮像信号は2値化回路5で2値化された
うえ、被検査パターン信号10となる。そして被検査パ
ターン信号10は、同期信号発生器8の信号に同期して
、標準パターン発生装置6から読み出された標準パター
ン信号9と。
That is, the pattern to be inspected 2 placed on the XY table 1 is imaged by the pattern detector 4 through the objective lens 3 . The image signal is binarized by a binarization circuit 5 and becomes a pattern signal to be inspected 10. The pattern signal to be inspected 10 is synchronized with the standard pattern signal 9 read out from the standard pattern generator 6 in synchronization with the signal from the synchronization signal generator 8.

欠陥判定装置7において比較されることによって、欠陥
検査が行われるようになっている。
Defect inspection is performed by comparison in the defect determination device 7.

ところで、これまでのパターン欠陥判定装置においては
、被検査パターンと標準パターンとを重ね合せつつ、各
パターン信号の入力に同期して、実時間で検査が行われ
ているのが実状である。
Incidentally, in the conventional pattern defect determination apparatus, the actual situation is that the pattern to be inspected and the standard pattern are superimposed and the inspection is performed in real time in synchronization with the input of each pattern signal.

第13図はこれまでの欠陥判定装置の概要を示したもの
である。第12図の被検査パターン信号10、標準パタ
ーン信号9に相当する信号の内容は、それぞれ、シフト
メモリ13.12上で2次元状に配列展開されたうえ、
被検査パターンにおける局所領域が所定画素数(n×n
)のウィンドウF。、0により切り出されるようになっ
ている。これと同様にして、I!準パターンからもその
局所領域対応のパターンが切り出され、両パターン間で
対応画素毎にパターン比較が行なわれるようになってい
るものである。
FIG. 13 shows an outline of a conventional defect determination device. The contents of the signals corresponding to the inspected pattern signal 10 and the standard pattern signal 9 in FIG. 12 are respectively expanded into a two-dimensional array on the shift memory 13.
The local area in the pattern to be inspected has a predetermined number of pixels (n×n
) window F. , 0. In the same way, I! A pattern corresponding to the local area is also cut out from the quasi-pattern, and a pattern comparison is performed between the two patterns for each corresponding pixel.

但し、一般的には被検査パターンの製作時での誤差や、
パターン検出誤差に伴い発生するX、Y両方向の位置ず
れ誤差(±m画素)を許容すべく図示のような回路構成
達とられる。即ち、大きさが(2m + 1 ) X 
(2m + 1 )画素の位置ずれ許容範囲内の全面を
、(n×n)の大きさを持ち。
However, in general, errors in manufacturing the pattern to be inspected,
The circuit configuration shown in the figure is adopted in order to tolerate positional deviation errors (±m pixels) in both the X and Y directions that occur due to pattern detection errors. That is, the size is (2m + 1)
The entire surface within the permissible positional deviation range of (2m + 1) pixels has a size of (n×n).

かつ、X、Y各方向に1画素ずつ、ずらして配置された
ウィンドウG mrTat G11t m−1”・t 
aoto? ”・G−□1.−□01.−mの各々より
切り出されたパターンと、ウィンドウFOyOからのパ
ターンとが比較判定器群14で比較される構成となって
いる。
And the window G mrTat G11t m-1"・t is shifted by one pixel in each of the X and Y directions.
aoto? The pattern cut out from each of ".G-□1.-□01.-m and the pattern from the window FOyO are compared in the comparison/judgment unit group 14.

比較判定器各々の判定結果はオアゲート15で論理和が
とられ、比較判定信号11として得られるが、もしも比
較判定器の何れかでパターンが一致していれば、比較判
定信号は所謂ハイレベル状態として得られることとなる
The judgment results of each comparison judgment device are logically summed at the OR gate 15 and obtained as a comparison judgment signal 11. If the patterns match in any of the comparison judgment devices, the comparison judgment signal is in a so-called high level state. This will be obtained as follows.

しかしながら比較判定器各々では、第14図で示すよう
に、切り出しパターンにおける(n×n)画素毎に対応
して排他的論理和ゲート群16で排他的論理和をとる必
要がある。また比較判定器各々について多大カッアゲー
ト17などが要求される他、02個の排他的論理和ゲー
トが要求されるものとなっている。このことは即ち、標
準パターンの切り出しウィンドウG mym+ Gm−
1pms・・・+ G−1et −m全体については比
較判定器が(2m+1)’個、要求されることを意味し
、更には、n”X(2m+1)’個の排他的論理和ゲー
トが要求されることとなる。
However, in each comparison/judgment device, as shown in FIG. 14, it is necessary to perform an exclusive OR operation in the exclusive OR gate group 16 for each (n×n) pixel in the cutout pattern. Further, in addition to requiring a large number of gates 17 for each comparison/judgment device, 02 exclusive OR gates are also required. This means that the standard pattern cutting window G mym+ Gm-
1pms...+ G-1et - This means that (2m+1)' comparison/judgment units are required for the entirety of m, and furthermore, n"X(2m+1)' exclusive OR gates are required. It will be done.

例えばウィンドウの大きさを5×5画素(n =5)と
し、位置ずれ許容値をX、Y方向に±55画素m=5)
とすれば、排他的論理和ゲートの数だけで実に 3025 (= 5” X (2X 5 + 1)”)
個必要となる。このことは回路パターンの微細化および
高密度化に伴い、パターン検出時の画素サイズが微小化
し、許容すべき位置ずれ量mも相対的に大きくなる傾向
を考えれば1回路規模および配線ライン数の膨大化を意
味している。
For example, the window size is 5 x 5 pixels (n = 5), and the positional deviation tolerance is ±55 pixels in the X and Y directions (m = 5).
Then, the number of exclusive OR gates alone is 3025 (= 5" x (2X 5 + 1)")
pcs are required. This means that as circuit patterns become finer and more dense, the pixel size at the time of pattern detection becomes smaller, and the tolerable positional deviation m tends to become relatively larger. It means expansion.

尚、この種の装置に関連する公知例としては“オートマ
チック インスペクション オブ マスク デフエクツ
(Auto+aatic  Inspectionof
Mask  Defects) (S P I E  
Vol、 100 Sem1−conductor  
Microlithography II 1977年
、P26〜36)や、「局所的特徴の抽出と比較による
回路パターンの欠陥検出法」 (電子通信学会論文:昭
58−論395. P−117)等が挙げられる。
Incidentally, a known example related to this type of device is “Auto+amatic Inspection of Mask Defects”.
Mask Defects) (S P I E
Vol, 100 Sem1-conductor
Microlithography II 1977, P26-36) and ``Defect Detection Method for Circuit Patterns by Extracting and Comparing Local Features'' (IEICE Paper: 1977-ron 395. P-117).

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除去し、高
速・実時間でのパターン欠陥検出を、回路構成を簡単に
して行い得るパターン欠陥判定装置を提供するにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a pattern defect determination device that eliminates the above-mentioned drawbacks of the prior art and can perform pattern defect detection at high speed and in real time with a simplified circuit configuration.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この目的のため本発明は、被検査パターンの重複検査を
低減することによって回路規模の小型化を図るべく被検
査パターン上からn×n画素の局部領域パターンをX方
向に2画素間隔、Y方向には1画素毎の周期で逐次切り
出すようにし、この切り出された局部領域パターンと、
これに対応する位置ずれ許容範囲内の標準パターン各々
とを比較し、この比較結果から欠陥の有無を判定するこ
とによって被検査パターン全面を検査すべくなしたもの
である。
For this purpose, the present invention aims to reduce the circuit scale by reducing the number of repeated inspections of the pattern to be inspected. The pattern is sequentially cut out at a period of one pixel, and this cut out local area pattern and
This is designed to inspect the entire surface of the pattern to be inspected by comparing the corresponding standard patterns within the permissible positional deviation range and determining the presence or absence of defects from the comparison results.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明を第1図から第11図により説明する。 The present invention will be explained below with reference to FIGS. 1 to 11.

先ず第2図により本発明の概要について説明すれば、本
発明はパターン欠陥判定処理をパイプライン方式により
パターン検出に同期して実時間で行なうべくなしたもの
であり、その概要は以下のようである。
First, the outline of the present invention will be explained with reference to Fig. 2.The present invention is designed to perform pattern defect determination processing in real time in synchronization with pattern detection using a pipeline method, and the outline thereof is as follows. be.

即ち、シフトメモリ13上における被検査パターンから
は先ず水平走査方向にnX1画素の局所領域パターンf
oが2画素間隔に逐次切り出され、保持される。
That is, from the pattern to be inspected on the shift memory 13, a local area pattern f of nX1 pixels is first obtained in the horizontal scanning direction.
o is successively cut out at two-pixel intervals and held.

これと、標準パターンの位置ずれ許容範囲内から上記領
域と同じ大きさにシフトメモリによって切り出された局
部領域パターン検出各々との間で比較が同時並行して、
比較判定装置22で行われる。
A comparison is simultaneously made between this and each local area pattern detection cut out by the shift memory to the same size as the above area from within the positional deviation tolerance range of the standard pattern.
This is performed by the comparison and determination device 22.

この結果、一致不一致を表わす2値の判定値が得られる
ようになっている。
As a result, a binary judgment value representing match/mismatch is obtained.

この後、上記判定値は局部領域パターン欠陥検出に順次
シフトメモリに入力され、検査パターンに対応して2次
元状に配列される。一方、この配列データからは垂直走
査方向にI×n画素(X方向に1.Y方向にn)の領域
を逐次、切り出したうえ、この判定値が全て一致信号で
あるか否かを判定する。
Thereafter, the determination values are sequentially input to a shift memory for local area pattern defect detection and are arranged two-dimensionally in correspondence with the inspection pattern. On the other hand, from this array data, an area of I×n pixels (1 in the X direction and n in the Y direction) is successively cut out in the vertical scanning direction, and it is determined whether or not all of the judgment values are match signals. .

以上のように組合せることで結果的にn×n画素の2次
元状の局部領域F(Xot yo)の比較結果が得られ
るようになっている。
By combining as described above, a comparison result of a two-dimensional local area F (Xot yo) of n×n pixels can be obtained.

より具体的に説明すれば、被検査パターンからのnX1
画素の切り出し領域fOに対しては、#A準パターン上
の対応する位置にはY方向の位置ずれ許容値±m画素の
範囲内の(2m+1)個の局部領域を切り出すためのn
X1画素のウィンドウg ll+ g m−1t・・・
2g−1が並列に設けられ、ウィンドウg++++・・
・9g−1各々からのパターンと、領域f、からのパタ
ーンとの間で同時に並行して比較が行なわれるようにな
っているものである。
To explain more specifically, nX1 from the pattern to be inspected
For the pixel cutout area fO, the corresponding position on the #A quasi-pattern has n for cutting out (2m+1) local areas within the Y-direction positional deviation tolerance ±m pixels.
Window of X1 pixels g ll+ g m-1t...
2g-1 are provided in parallel, and the window g++++...
- Comparisons are made simultaneously between the patterns from each of 9g-1 and the patterns from area f.

各結果はウィンドウgm+gm−1,・・・2g−1に
対応して設けられたシフトメモリ及び切り出し判定回路
により同時に並行して認識処理される。
Each result is simultaneously recognized and processed in parallel by shift memories and cutout determination circuits provided corresponding to windows gm+gm-1, . . . 2g-1.

更に領域fOからのパターンはそのままにして切り出し
、ウィンドウg ram g n+−1v・・・9g−
1各々からのパターンはX方向の位置ずれ許容値(+m
〜−m画素)の範囲内で1画素単位にずらして、前記領
域fOからのパターンと比較されて、これらの比較結果
も先の場合と同様にシフトメモリを介して切り出し判定
回路により認識処理されるようになっている。
Furthermore, the pattern from the area fO is cut out as it is, and a window gram g n+-1v...9g-
1 The pattern from each is the positional deviation tolerance in the X direction (+m
The pattern is shifted by one pixel within the range of ~-m pixels) and compared with the pattern from the area fO, and these comparison results are also processed for recognition by the cutout judgment circuit via the shift memory as in the previous case. It has become so.

ウィンドウgmasg+a−1t・・・9g−1対応の
認識処理結果は、その後、論理和がとられ、シリアル・
イン・パラレルアウトのシフトレジスタを介し。
The recognition processing results corresponding to windows gmasg+a-1t...9g-1 are then logically summed and serially processed.
Through an in/parallel out shift register.

再度、論理和がとられることによって、最終的な比較判
定信号23(第2図)が得られる。
By performing the logical sum again, the final comparison judgment signal 23 (FIG. 2) is obtained.

さて本発明を具体的に説明すれば、第1図は本発明に係
る欠陥判定装置の一実施例の基本構成を示したものであ
る。以下、切り出し領域n×nと位置ずれ許容範囲+m
〜−mが、n=5.m=4である場合について説明する
Now, to explain the present invention in detail, FIG. 1 shows the basic configuration of an embodiment of a defect determination apparatus according to the present invention. Below, the cutout area n x n and positional deviation tolerance + m
~-m is n=5. The case where m=4 will be explained.

標準パターン信号9(第1図左上)と被検査パターン信
号10は、各々、2次元パターン上からyl=1 : 
 Xi= l t 2 + ”’+ kyi=2 ; 
 X4=1g 2H・・・、にといった具合に、クロッ
クに同期して1画素単位に直列に、欠陥判定装置内のシ
フトメモリ12.13にシフト入力されるものとなって
いる。
The standard pattern signal 9 (upper left in FIG. 1) and the test pattern signal 10 are each yl=1 from the top of the two-dimensional pattern:
Xi=lt2+”'+kyi=2;
X4=1g 2H..., etc., are shifted and input in series to the shift memory 12, 13 in the defect determination device in synchronization with the clock, pixel by pixel.

ここで標準パターン信号9は、シフトレジスタ18を介
されてから、シフトメモリ12に入力される。
Here, the standard pattern signal 9 is input to the shift memory 12 after passing through the shift register 18 .

シフトレジスタ18は4(=m)ビット長を持つシリア
ルイン・シリアルアウトのもので、被検査パターン信号
IOに対して標準パターン信号9を相対的に4画素分遅
延させるべく機能するものとなっている。
The shift register 18 is a serial-in/serial-out type having a length of 4 (=m) bits, and functions to delay the standard pattern signal 9 by 4 pixels relative to the pattern signal IO to be inspected. There is.

またシフトメモリ12は、1走査ライン幅IHに相当す
る長さを持つシフトレジスタが8(=2m)段、設けら
れたものとして構成され、シフトレジスタ18から順次
、出力される4画素分遅れの標準パターン信号9を、2
次元画像データに配列させるようになっている。
Furthermore, the shift memory 12 is configured with eight (=2 m) stages of shift registers each having a length corresponding to one scanning line width IH. Standard pattern signal 9, 2
It is designed to be arranged into dimensional image data.

更にシフトレジスタ群19は、この配列パターン上から
パイプライン処理で水平方向に5(=n)画素分、垂直
方向には9(=2m+1)画素分をクロックに同期して
逐次切り出すもので、5ビツト長のシリアルイン・パラ
レルアウトのシフトレジスタ19−1ないし19−9よ
り構成されている。
Furthermore, the shift register group 19 sequentially cuts out 5 (=n) pixels in the horizontal direction and 9 (=2m+1) pixels in the vertical direction from this array pattern by pipeline processing in synchronization with the clock. It consists of bit-length serial-in/parallel-out shift registers 19-1 to 19-9.

一方、シフトメモリ13は1走査ライン幅IHの長さを
持つシフトレジスタが4(=m)段、設けられた構成で
ある。被検査パターン信号10はシフトレジスタ18か
らの標準パターン信号に対して、垂直方向に4画素分、
即ち、4上分遅延されて、シフトメモリ13からシリア
ルに出力される。
On the other hand, the shift memory 13 has a configuration in which four (=m) stages of shift registers each having a length of one scanning line width IH are provided. The pattern signal to be inspected 10 corresponds to four pixels in the vertical direction with respect to the standard pattern signal from the shift register 18.
That is, the signal is delayed by four times and is serially output from the shift memory 13.

シフトレジスタ20は、シフトメモリ13からの出力信
号をうけて画素を切り出すための5 (= n )ビッ
ト長のシリアルイン・パラレルアウトのレジスタである
The shift register 20 is a 5 (=n) bit long serial-in/parallel-out register for receiving the output signal from the shift memory 13 and cutting out pixels.

従って以上の回路により、シフトレジスタ20上に切り
出した5×1画素の被検査パターンに対して、シフトレ
ジスタ19−1ないし19−9上に切り出される各々5
×1画素の標準パターンは、水平方向に一4画素分、垂
直方向に+4〜−4画素分ずれた画素群となる。
Therefore, with the above circuit, for each 5×1 pixel pattern to be inspected cut out on the shift register 20, each of the 5
A standard pattern of x1 pixel is a pixel group shifted by 14 pixels in the horizontal direction and +4 to -4 pixels in the vertical direction.

これらのパターン切り出し動作を第5図(a)。These pattern cutting operations are shown in FIG. 5(a).

(b)に示す例で具体的に説明する。同図は、標準パタ
ーン(a)と被検査パターン(b)上の対応する画素に
位置ずれが無い場合であって、同一パターンが存在する
ときを示す。
This will be specifically explained using the example shown in (b). This figure shows a case where there is no positional shift between corresponding pixels on the standard pattern (a) and the pattern to be inspected (b), and the same pattern exists.

被検査パターン上から5X1画素のf(Xop yo)
がシフトレジスタ20(第1図左下)に切り出されたタ
イミングを考える。シフトレジスタ19−1ないし19
−9上には第5図(a)に示されるように、g(xo−
4+ yo+4)+ g(xo−4t yo+3)t・
・・+ g(xo  4+ yo  3)の各々5×1
画素のパターンが切り出されるようになっている。
f (Xop yo) of 5×1 pixels from the top of the pattern to be inspected
Consider the timing at which the signal is extracted to the shift register 20 (bottom left in FIG. 1). Shift register 19-1 to 19
-9, as shown in FIG. 5(a), g(xo-
4+ yo+4)+ g(xo-4t yo+3)t・
・・・+g(xo 4+yo 3) each 5×1
A pixel pattern is cut out.

シフトレジスタ20.19−1ないし19−9には。In shift registers 20.19-1 to 19-9.

パターンがクロック信号と同期して順次X OexO+
++・・・と水平方向に1画素ずつ移動しながら切り出
される。そして1水平走査方向の切り出し終了後は、更
に垂直方向に+1画素移動しては水平方向の先頭に戻り
、再び同様に水平方向の移動及び切り出しが繰り返され
る。この結果、検査パターン及び標準パターンが全面走
査されることとなる。
The pattern is sequentially X OexO+ in synchronization with the clock signal.
The image is cut out while moving one pixel at a time in the horizontal direction. After one horizontal scanning direction has been cut out, the image is further moved by +1 pixel in the vertical direction and returned to the beginning in the horizontal direction, and the horizontal movement and cutting are repeated again in the same manner. As a result, the entire surface of the test pattern and standard pattern is scanned.

ところでレジスタ21 (第1図)はシフトレジスタ2
0で切り出されたパターンを9(=2m+1)クロック
毎にサンプリング入力し、それまでの間はその切り出さ
れたパターンを保持する。
By the way, register 21 (Fig. 1) is shift register 2.
The pattern cut out at 0 is sampled and input every 9 (=2m+1) clocks, and the cut out pattern is held until then.

この保持パターンとシフトレジスタ19−1ないし19
−9各々で切り出されたパターンとが比較判定回路22
−1ないし22−9内の比較回路22−1−1.22−
2−1・・・、22−9−1で同時並行して比較される
ようになっている。
This holding pattern and shift registers 19-1 to 19
-9 The patterns cut out for each are compared to the judgment circuit 22.
-1 to 22-9 comparison circuit 22-1-1.22-
2-1..., 22-9-1 are compared simultaneously.

ここで、レジスタ20とシフトレジスタ19−1での切
り出しパターンを考えると、9クロツクの間はレジスタ
20での切り出しパターンf(Xop yo)は一定で
あるが、シフトレジスタ19−1での切り出しパターン
はg(xo  4+ yo+4)t g(x。
Now, considering the extraction patterns in the register 20 and the shift register 19-1, the extraction pattern f (Xop yo) in the register 20 is constant for 9 clocks, but the extraction pattern in the shift register 19-1 is constant. is g(xo 4+ yo+4)t g(x.

3+yo+4)r・・・v g (Xo+ yO+ 4
 ) *・・・。
3+yo+4) r...v g (Xo+ yO+ 4
) *...

g (xo” 4p yo + 4 )の順序でクロッ
ク毎に変化する。
It changes every clock in the order of g (xo'' 4p yo + 4).

従って、前記9クロツク間では垂直方向に+4画素ずれ
た位置での水平方向に一4〜+4画素ずらされた範囲に
おける各々のパターンとの一致判定結果が、比較回路2
2−1−1より逐次得られる。
Therefore, during the nine clocks, the comparison circuit 2 determines whether a position shifted by +4 pixels in the vertical direction matches each pattern in the range shifted by 14 to +4 pixels in the horizontal direction.
It can be obtained sequentially from 2-1-1.

同様にシフトレジスタ19−2ないし19−9によって
は垂直方向に+3画画素−4画素ずらされた位置の各々
における、水平方向−4〜+4画素ずらした範囲の各々
のパターンが切り出され、比較回路22−2−1 、・
・・、22−9−1からは一致判定結果が逐次得られる
こととなる。
Similarly, the shift registers 19-2 to 19-9 cut out each pattern in the range shifted by -4 to +4 pixels in the horizontal direction at each position shifted by +3 pixels to +4 pixels in the vertical direction, and the comparison circuit 22-2-1,・
. . , 22-9-1, the match determination results are sequentially obtained.

第6図(a)、 (b)は、以上の動作を説明するため
のもので、レジスタ20 (第1図)にf (Xot 
yo)のパターンが保持された後、5クロツク経過後の
状態を示したものである。シフトレジスタ19−1ない
し19−9には、それぞれ、g(Xoy yo+4Lg
(xo+ yo+3)+・・・+ g(xo+ yo 
 4)が切り出されているが、このときの回路の状態を
第7図に示す。
FIGS. 6(a) and 6(b) are for explaining the above operation.
This figure shows the state after 5 clocks have elapsed after the pattern yo) was held. The shift registers 19-1 to 19-9 each have g(Xoy yo+4Lg
(xo+yo+3)+...+g(xo+yo
4) is cut out, and the state of the circuit at this time is shown in FIG.

レジスタ20.シフトレジスタ19−1ないし19−9
には、それぞれf Cxoe yo) + g(Xot
 yo +4)* g(Xot Vo”3)e・・・r
 gcxoe yo  4)の各パターンが切り出され
、比較回路22−1−1 。
Register 20. Shift register 19-1 to 19-9
are f Cxoe yo) + g(Xot
yo +4)*g(Xot Vo”3)e...r
Each pattern of gcxoe yo 4) is cut out and sent to the comparison circuit 22-1-1.

・・・、22−9−1からは一致判定結果が図示のよう
に出力されるようになっている。
. . , 22-9-1 outputs the match determination results as shown in the figure.

第6図(a)、 (b)に示す例では標準パターンと被
検査パターンとの間には相対的な位置ずれがないと仮定
している。そこで比較回路22−5−1(第7図)のみ
が一致判定信号「1」を、他は不一致信号rOJを出力
する。なお、比較回路22−1−1、・・・、22−9
−1の構成は各々同一である。
In the examples shown in FIGS. 6(a) and 6(b), it is assumed that there is no relative positional deviation between the standard pattern and the pattern to be inspected. Therefore, only the comparator circuit 22-5-1 (FIG. 7) outputs the match determination signal "1", and the others output the mismatch signal rOJ. Note that the comparison circuits 22-1-1, . . . , 22-9
-1 have the same configuration.

因みに比較回路22−1−1は、第3図に示すように、
各画素毎に排他的論理和がとられ、ノアゲートで論理積
を採ることによって一致判定結果が得られる構成となっ
ている。
Incidentally, the comparator circuit 22-1-1, as shown in FIG.
The configuration is such that an exclusive OR is performed for each pixel, and a match determination result is obtained by performing a logical product using a NOR gate.

比較回路22−1−1等の出力結果は、それらに対応し
て設けられたシフトメモリ22−1−2(第1図)等に
逐次入力される。
The output results of the comparator circuits 22-1-1 and the like are sequentially input to shift memories 22-1-2 (FIG. 1) and the like provided correspondingly.

シフトメモリ22−1−2 、・・・、22−9−2は
同一の回路構成を採り、第4図に示すように、1走査ラ
イン幅IH長のシフトレジスタ5段より構成されている
。この一致判定信号は2次元に展開された後、この展開
データ上から垂直方向における5ビツトの判定結果の論
理積が、切り出し判定回路としてのアンドゲート22−
1−3ないし22−9−3で求められ、クロックに同期
して出力される(第1図)。
The shift memories 22-1-2, . . . , 22-9-2 have the same circuit configuration, and are composed of five stages of shift registers each having a width of one scanning line and a length of IH, as shown in FIG. After this match determination signal is expanded two-dimensionally, the AND gate 22 of the 5-bit determination results in the vertical direction from the expanded data is
1-3 to 22-9-3 and output in synchronization with the clock (FIG. 1).

この出力結果が標準パターン上における各切り出し位置
についての5X5 (n×n画素)ビットの切り出しパ
ターンに対する一致判定信号となるものである。
This output result becomes a match determination signal for a 5×5 (n×n pixel) bit cutout pattern for each cutout position on the standard pattern.

この回路の動作を第5図(a)、 (b)に示す具体例
について第8図及び第9図に示す。
The operation of this circuit is shown in FIGS. 8 and 9 with respect to the specific example shown in FIGS. 5(a) and 5(b).

第8図は一致判定信号が(第7図)がシフトメモリ22
−5−2に入力されてから4走査ライン(4H)期間の
パターン走査が進行した後におけるシフトメモリ22−
5−2の内部状態を示したものである。その5段目のシ
フトレジスタにおける「1」は4H分シフトされ出力さ
れた一致判定信号を示している。即ち、第5図(a) 
、 (b)におけるf(Xot yo)とg(xot 
yo)との一致検出結果である。
FIG. 8 shows that the match determination signal (FIG. 7) is the shift memory 22.
-Shift memory 22- after pattern scanning has progressed for 4 scanning line (4H) periods after being input to 5-2.
This shows the internal state of 5-2. "1" in the fifth stage shift register indicates a match determination signal shifted by 4H and output. That is, FIG. 5(a)
, f(Xot yo) and g(xot yo) in (b)
yo) is the match detection result.

同様に4段目におけるそれはf (x6. yO+ 1
 )とこれに対応する標準パターンg (Xot yo
 + 1 )との一致検出結果であり、第3段目、第2
段目、第1段目におけるそれはf(Xot yo + 
2 ) 、 f(Xot yo+3) 、f(Xot 
yo+4)の各々と対応するg(xo+ yo+2)、
g(xo+ yo+3)、f(Xot yo+4)との
一致検出結果となっている。
Similarly, in the fourth row, it is f (x6. yO+ 1
) and the corresponding standard pattern g (Xot yo
+ 1), and the third row, the second
In the first stage, it is f(Xot yo +
2), f(Xot yo+3), f(Xot
g(xo+yo+2) corresponding to each of yo+4),
The result is a match between g(xo+yo+3) and f(Xot yo+4).

また「0」は、各f(Xot yo)ないしf(Xot
yo+4)が同−y座標でX方向−1〜−4画素の各位
置において対応パターンがないと判定したことを示して
いる。
In addition, “0” represents each f(Xot yo) to f(Xot
yo+4) indicates that it has been determined that there is no corresponding pattern at each position of -1 to -4 pixels in the X direction at the same -y coordinate.

さて第9図は第8図に示す状態より(LH−1)クロッ
ク後のシフトメモリ22−5−2の状態を示したもので
ある。そして被検査パターンの5×5切り出しパターン
に相当するf(xoyyo)〜f(Xoy yo+4)
(以下、F(Xot yo)と定義する)が、標準パタ
ーンの対応位置に存在していることがアンドゲート22
−5−3で検出される6第9図以前の4クロック期間と
、これ以後の4クロック期間内に出力される「0」の出
力値は、上記F(Xoy yo)のパターンに対して標
準パターン上の同じy座標上でX座標が−4〜−1画素
と、+1〜+4画素ずれた各位置に該当パターンがなか
ったことを示している。
Now, FIG. 9 shows the state of the shift memory 22-5-2 after (LH-1) clocks from the state shown in FIG. And f(xoyyo) to f(Xoyyo+4) corresponding to the 5×5 cutout pattern of the pattern to be inspected
(Hereinafter, defined as F(Xot yo)) exists in the corresponding position of the standard pattern as shown in the AND gate 22.
-5-3 The output value of "0" output during the 4 clock periods before 6 Figure 9 and the 4 clock periods after this is standard for the above F(Xoy yo) pattern. This indicates that there is no corresponding pattern on the same y-coordinate on the pattern, but at positions where the X-coordinate is −4 to −1 pixels and shifted by +1 to +4 pixels.

以上、比較判定回路22−5の動作を説明したが、比較
判定回路22−1ないし22−4.22−6ないし22
−9においても同様に、y座標が−4〜−1゜+1〜+
4画素ずれた各位置において、X方向の位置ずれ許容範
囲一4〜+4画素における上記F(Xo+ yo)のパ
ターンの一致判定結果が逐次クロックに同期して出力さ
れるようになっている。
The operation of the comparison/judgment circuit 22-5 has been explained above.
Similarly, at −9, the y coordinate is −4 to −1° +1 to +
At each position shifted by 4 pixels, the match determination result of the pattern of F(Xo+yo) in the allowable X-direction positional shift range of -4 to +4 pixels is sequentially outputted in synchronization with the clock.

ここで再び第1図に戻って説明する。Here, the explanation will be given again by returning to FIG.

オアゲート22−10は比較判定回路22−1ないし2
2−9の各出力値の論理和を求めるもので、X方向の位
置ずれ許容範囲としての一4画素〜+4画素ずれた各位
置に該当パターンがある時「1」、無いとき「0」を求
め、X方向の位置ずれ許容範囲としての一4画素〜+4
画素の各位置におけるこの判定結果はクロックに同期し
、9クロック期間に亘って出力されたうえ、シフトレジ
スタ22−11に入力される。
The OR gate 22-10 is a comparison judgment circuit 22-1 or 2
It calculates the logical sum of each output value of 2-9, and if there is a corresponding pattern at each position shifted from 14 pixels to +4 pixels as the tolerance range for positional shift in the X direction, "1" is set, and when there is no, "0" is set. 14 pixels to +4 as the tolerance range for positional deviation in the X direction.
This determination result at each pixel position is synchronized with the clock, output over nine clock periods, and input into the shift register 22-11.

シフトレジスタ22−11に、この9クロック期間の判
定結果が入力されると、その出力結果からX・Y方向−
4〜+4画素の範囲内における上記F(Xo+ yo)
の該当パターンの有無が求められる6即ち、第5図(a
)、 (b)に示す具体例に対応する第1O図に示す動
作状態から明らかなように、シフトレジスタ22−11
上に「1」がオアゲート22−1oより入力される結果
、パターン一致の判定値「1」がオアゲート22−12
より得られるものである。
When the determination result of this 9 clock period is input to the shift register 22-11, the output result is determined in the X and Y directions.
The above F(Xo+yo) within the range of 4 to +4 pixels
6, that is, the presence or absence of the corresponding pattern in Figure 5 (a
), As is clear from the operating state shown in FIG. 1O corresponding to the specific example shown in (b), the shift register 22-11
As a result of "1" being input from the OR gate 22-1o, the pattern matching judgment value "1" is input to the OR gate 22-12.
This is something that can be obtained more easily.

第1図に示すレジスタ2Iにサンプリング入力される各
々の被検査パターンに対して上記した判定を逐次行ない
、標準パターン上の位置ずれ許容範囲内に該当パターン
が存在すれば「1」、無ければrQJと判定しつつ、被
検査パターン全面の検査が実行されるようになっている
The above-mentioned judgment is performed sequentially for each pattern to be inspected that is sampled and input to the register 2I shown in FIG. While determining this, the entire surface of the pattern to be inspected is inspected.

ところで以上述べたパターン欠陥判定では、F(Xot
 yo)のサンプリング間隔aを位置ずれ許容範囲2m
+1より小さく設定し得ない。このためF(xot y
o)のウィンドウ幅nがn (2m +1となる場合に
は、検査し得ない領域が生じることになる。
By the way, in the pattern defect determination described above, F(Xot
yo) sampling interval a is set to a positional deviation tolerance of 2m.
It cannot be set smaller than +1. For this reason, F(xot y
If the window width n in o) is n (2m +1), there will be an area that cannot be inspected.

このような不具合を解消するためには、ウィンドウF(
xo+ yo)のサンプリング間隔0をQく2m+1と
する必要があり、この目的を達成するためには第11図
に示すような回路構成とすればよい。
To resolve this kind of problem, open Window F (
It is necessary to set the sampling interval 0 of xo+yo) to Q*2m+1, and to achieve this purpose, a circuit configuration as shown in FIG. 11 may be used.

第11図LtF(xot yo)の切り出しウィンドウ
の大きさを5×5(即ちn=5)、位置ずれ許容値mを
±5画素(比較判定範囲2m+1=11画素)とした場
合での構成例を示し、F(Xo+ yo)のサンプリン
グ間隔悲=4画素を実現したものである。
Figure 11: Configuration example when the size of the extraction window of LtF(xot yo) is 5 x 5 (that is, n = 5), and the positional deviation tolerance m is ±5 pixels (comparison judgment range 2m + 1 = 11 pixels) , and the sampling interval of F(Xo+yo)=4 pixels is realized.

この場合にはシフトレジスタ18′およびシフトメモ1
月2’、13’はそれぞれ5ビツト長、10段構成、5
段構成とされるが、特に異なる点はシフトレジスタ群1
9’、シフトレジスタ20′およびレジスタ21′は1
3ビツト長とされていることである。 この13ビツト
は図示(19’、第11図)のように一部ビットが重複
した状態で5ビット単位に3つに区分されたうえ、区分
対応の比較判定装置16A−16cで同時並行して比較
判定処理されるようになっている。
In this case, shift register 18' and shift memory 1
Months 2' and 13' are each 5 bits long, 10 stages, 5
It has a stage configuration, but the main difference is that the shift register group 1
9', shift register 20' and register 21' are 1
It is said to be 3 bits long. These 13 bits are divided into three 5-bit units with some bits overlapping as shown in the diagram (19', Fig. 11), and are simultaneously processed in parallel by comparison/judgment devices 16A-16c corresponding to the divisions. Comparison and judgment processing is performed.

本発明は以上のようなものであるが、理論的にはシフト
レジスタ群19 (第1図) 、 19’ (第11図
)やシフトレジスタ20.20’は必ずしも必要とはさ
れない。ただ実際のICに素子においてはシフトメ−T
−1月2.12’、 13.13’を構成する個々のシ
フトレジスタとしては入出力ピン数の制限よりしてパラ
レル出力形式をとり得す、したがって外部にパラレル出
力形式のシフトレジスタ群19.19’やシフトレジス
タ20.20’が設けられているのである。
Although the present invention is as described above, the shift register groups 19 (FIG. 1) and 19' (FIG. 11) and the shift registers 20 and 20' are not necessarily required in theory. However, in the actual IC and element, the shift
- January 2.12', 13.13' The individual shift registers configuring 19.12' and 13.13' can take a parallel output format due to the limit on the number of input/output pins, so a parallel output shift register group 19. 19' and shift registers 20 and 20' are provided.

これまでにあっては排他的論理和ゲートのICが多く要
されていたが、本発明による場合はその数が大幅に低減
されていることから、全体としてのICの数ばかりか、
IC間布線数も大幅に低減されることになる。
Up until now, a large number of exclusive OR gate ICs have been required, but with the present invention, the number has been significantly reduced.
The number of interconnects between ICs will also be significantly reduced.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明による場合は、被検査パター
ンの標準パターンとの比較によるパターンの欠陥を高速
、且つ実時間で回路規模小さくして検出し得るという効
−果がある。
As described above, the present invention has the advantage that pattern defects can be detected at high speed and in real time by reducing the circuit scale by comparing the pattern to be inspected with a standard pattern.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明によるパターン欠陥判定装置における要
部の一実施例での基本構成を示す図、第2図は第1図の
要部の概要を説明するための図、第3図は被検査切り出
しパターンと標準切り出しパターンとを比較するための
具体的構成を示す図、第4図は比較結果を2次元に配列
させるためのシフトレジスタの構成を示す図、第5図(
a)、 (b)はパターン切り出し動作を説明するため
の図であって(a)は標準パターンに、(b)は被検査
パターンに、それぞれ対応する図、第6図(a)、 (
b)はそれぞれ第5図(a)、 (b)が5クロツク経
過した後の動作を説明するための図、第7図は第5図の
状態から5クロツク経過後の第1図の要部の状態を説明
するための図、第8図は第7図の一致判定信号が出力さ
れてから4走査ライン期間経過後のシフトメモリの内部
状態を示した図、第9図は第8図に示す状態より(LH
−1)クロック経過後のシフトメモリの内部状態を示し
た図、第10図はオアゲートとシフトレジスタの接続関
係を説明するための図、第11図は第1図の要部の他の
実施例を示す図、第12図は従来のパターン検査装置の
一例における全体構成図、第13図は第12図の要部の
概要構成図、第14図は被検査切り出しパターンと標準
切り出しパターンとを比較するための具体的回路構成を
示す図である。 12、12’、 13.13’・・・シフトメモリ(パ
ターン2次元配列用) 、tg、 ts’・・・シフト
レジスタ(遅延用) 、19.19’・・・シフトレジ
スタ群(標準パターン切り出し用) 、20.20’・
・・シフトレジスタ(被検査パターン切り出し用) 、
21.21’・・・レジスタ(被検査切り出しパターン
保持用) 、22.22A〜22G・・・比較判定装置
、22−1〜22−9・・・比較判定回路、22−1−
1.22−2−1.・・・、22−9−1・・・比較回
路(切り出しパターン比較用) 、 22−1−2.2
2−2−2.・・・、22−9−2・・・シフトメモリ
(比較結果2次元配列用)、22−1−3.22−2−
3.・・・、22−9−3・・・アンドゲート(比較結
果切り出し判定用) 、22−10.22−12・・・
オアゲート、 22−11・・・シフトレジスタ。
FIG. 1 is a diagram showing the basic configuration of an embodiment of the main part of the pattern defect determination apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a diagram for explaining the outline of the main part of FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a diagram showing a specific configuration for comparing the inspection cutout pattern and the standard cutout pattern, FIG. 4 is a diagram showing the configuration of a shift register for arranging comparison results two-dimensionally, and FIG.
6(a) and 6(b) are diagrams for explaining the pattern cutting operation, in which (a) corresponds to the standard pattern and (b) corresponds to the pattern to be inspected, respectively.
b) is a diagram for explaining the operation after 5 clocks have passed in Figures 5 (a) and (b), respectively, and Figure 7 is a diagram showing the main part of Figure 1 after 5 clocks have passed from the state in Figure 5. FIG. 8 is a diagram showing the internal state of the shift memory after four scanning line periods have elapsed since the coincidence judgment signal in FIG. 7 was output, and FIG. From the state shown (LH
-1) A diagram showing the internal state of the shift memory after the clock has elapsed; Figure 10 is a diagram for explaining the connection relationship between the OR gate and the shift register; Figure 11 is another embodiment of the main part of Figure 1. FIG. 12 is an overall configuration diagram of an example of a conventional pattern inspection device, FIG. 13 is a schematic configuration diagram of the main parts of FIG. 12, and FIG. 14 is a comparison of the cutout pattern to be inspected and the standard cutout pattern. FIG. 2 is a diagram showing a specific circuit configuration for doing so. 12, 12', 13.13'...Shift memory (for pattern two-dimensional array), tg, ts'...Shift register (for delay), 19.19'...Shift register group (standard pattern cutting out) ), 20.20'・
・・Shift register (for cutting out the pattern to be inspected),
21.21'...Register (for holding cutout pattern to be inspected), 22.22A to 22G...Comparison and judgment device, 22-1 to 22-9...Comparison and judgment circuit, 22-1-
1.22-2-1. ..., 22-9-1... Comparison circuit (for cutout pattern comparison), 22-1-2.2
2-2-2. ..., 22-9-2... Shift memory (for comparison result two-dimensional array), 22-1-3.22-2-
3. ..., 22-9-3...AND gate (for comparison result extraction judgment), 22-10.22-12...
OR gate, 22-11...shift register.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、撮像された被検査パターンの映像信号が2値化され
たうえ被検査パターン信号として、該パターン信号に同
期して発生される標準パターン信号との間で一定以内の
相対的位置ずれが許容された状態でパターンの比較が行
なわれるべくなしたパターン欠陥判定装置であって、標
準パターン信号をm(m;正の整数)画素分遅延せしめ
た状態で1水平走査ライン幅容量のシフトレジスタが2
m段縦続接続されているシフトメモリにシフト入力せし
めるとともに、上記遅延された標準信号および各シフト
レジスタ出力をそれぞれn(n;正の整数)画素以上の
容量の並列出力形式のシフトレジスタに切り出す一方、
被検査パターン信号を1水平走査ライン幅容量のシフト
レジスタがm段縦続接続されているシフトメモリにシフ
ト入力せしめるとともに、最終段シフトレジスタ出力を
n画素以上の容量の並列出力形式のシフトレジスタに切
り出したうえレジスタにl(l;正の整数)画素クロッ
ク周期毎に保持せしめ、該レジスタの並列出力と標準パ
ターン切り出しに係る2m+1個の上記シフトレジスタ
の並列出力各々との間の対応するn画素区分毎のパター
ン比較結果はn画素区分毎に、2m+1個の上記シフト
レジスタ対応に設けられ、且つ1水平走査ライン幅容量
のシフトレジスタがn段縦続接続せしめられているシフ
トメモリにシフト入力されるとともに、該シフトレジス
タ各々の出力は論理積され、2m+1個の上記シフトメ
モリ各々からの論理積結果は論理和されたうえ並列出力
が論理和されている2m+1画素容量のシフトレジスタ
にシフト入力されることによって、水平、垂直方向に±
m画素の位置ずれを許容した状態でn×n画素の大きさ
の被検査パターンの標準パターンとの比較が行われる構
成を特徴とするパターン欠陥判定装置。
1. The imaged video signal of the pattern to be inspected is converted into a binary value, and a relative positional deviation within a certain level is allowed as the pattern signal to be inspected from a standard pattern signal generated in synchronization with the pattern signal. This is a pattern defect determination device designed to compare patterns in a state in which a standard pattern signal is delayed by m (m: positive integer) pixels and a shift register with a capacity of one horizontal scanning line width is used. 2
While inputting a shift into shift memories connected in m stages in cascade, the delayed standard signal and each shift register output are each cut out to a parallel output type shift register having a capacity of n (n: positive integer) pixels or more. ,
The pattern signal to be inspected is shifted into a shift memory in which m stages of shift registers with a capacity of one horizontal scanning line width are connected in cascade, and the output of the final stage shift register is cut out to a parallel output type shift register with a capacity of n pixels or more. A register is made to hold every l (l; positive integer) pixel clock period, and corresponding n pixel divisions are formed between the parallel output of the register and each of the parallel outputs of the 2m+1 shift registers related to standard pattern cutting. The pattern comparison results for each n pixel section are shifted into a shift memory which is provided corresponding to 2m+1 shift registers and has n stages of shift registers each having a capacity of one horizontal scanning line width connected in cascade. , the outputs of each of the shift registers are ANDed, the AND results from each of the 2m+1 shift memories are ORed, and the parallel outputs are ORed and shifted into a shift register with a 2m+1 pixel capacity. ± horizontally and vertically by
A pattern defect determination device characterized by a configuration in which a pattern to be inspected having a size of n×n pixels is compared with a standard pattern while allowing a positional shift of m pixels.
JP364486A 1986-01-13 1986-01-13 Pattern defect determination device Expired - Lifetime JPH0658216B2 (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009229555A (en) * 2008-03-19 2009-10-08 Advanced Mask Inspection Technology Kk Correction pattern image generation device, pattern inspecting device, and correction pattern image generation method

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JPS62140009A (en) * 1985-12-13 1987-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and apparatus for detecting flaw of pattern

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