JPS62159313A - Magnetic memory - Google Patents

Magnetic memory

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JPS62159313A
JPS62159313A JP30514786A JP30514786A JPS62159313A JP S62159313 A JPS62159313 A JP S62159313A JP 30514786 A JP30514786 A JP 30514786A JP 30514786 A JP30514786 A JP 30514786A JP S62159313 A JPS62159313 A JP S62159313A
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magnetic
film
storage device
leg
pole
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Application number
JP30514786A
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Japanese (ja)
Inventor
ヘルベルト、シエーウエ
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Siemens AG
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Siemens AG
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/1278Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier

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  • Magnetic Heads (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非磁性の基板の上に層状に構成された薄膜磁
気ヘッドと、予め定められた保磁力を有する材料から成
りトラックに沿って情報を垂直磁化により書込まれれる
磁化可能な記憶膜を設けられている記録媒体とを有して
おり、磁気ヘッドが磁束を導くリングヘッド状の導磁体
を有しており、この導磁体が2つの磁脚を有し、 2つの磁脚がそれぞれ予め定められた磁気特性を有する
少なくとも1つの磁性膜を有し、 。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention comprises a thin film magnetic head constructed in layers on a non-magnetic substrate, and a material having a predetermined coercive force. It has a recording medium provided with a magnetizable storage film on which information is written by perpendicular magnetization, and the magnetic head has a ring head-shaped magnetic conductor that guides magnetic flux, and this magnetic conductor having two magnetic legs, each of the two magnetic legs having at least one magnetic film having predetermined magnetic properties;

2つの磁脚の記録媒体のほうを向いた磁極が、ヘッドの
(相対的な)運動方向に見て、相前後して配置されてお
り、その際に予め定められた幅の間隙が構成されており
、 また、2つの磁脚が磁極範囲の外側にで中間空間を画定
し、この中間空間を通って書込みおよび(または)読出
しコイルの巻線が延びている磁気記憶装置に関する。
The magnetic poles of the two magnetic legs pointing toward the recording medium are arranged one after the other, viewed in the direction of (relative) movement of the head, with a gap of a predetermined width being formed. The invention also relates to a magnetic storage device in which the two magnetic legs define an intermediate space outside the magnetic pole range, through which the windings of the write and/or read coil extend.

このような記憶装置の磁気ヘッドはたとえばヨーロッパ
特許第0012912号明細書に示されている。このヘ
ッドにより、情報の記憶が相応の記録媒体の垂直磁化に
よって行われ得る。この原理は一般に知られている(た
とえば「米国電気電子学会論文集磁気工学編」、第MA
G−16巻、第1号、1980年1月、第71〜76頁
または第MAG−20巻、第5号、1984年9月、第
657〜662頁および第675〜680頁参照)。こ
のしばしば垂直磁化と呼ばれる原理に用いられる記憶媒
体は磁気記憶ハードディスクまたは可撓性の個別ディス
ク(フロッピーディスク)の形態であってよい。これら
の媒体はそれぞれ、予め定められた保磁力を有する磁気
的に異方性の材料、特にCoCr合金から成り予め定め
られた厚みを有する磁化可能な記憶膜を有する。その際
に、この膜のいわゆる磁化容易軸は媒体の表面に対して
垂直に向けられている。特別な磁気ヘッドにより、トラ
ックに沿って個々の情報がビットとして相続くセクショ
ンに記憶膜の相応の磁化により書込まれ得る。
A magnetic head of such a storage device is shown, for example, in European Patent No. 0012912. With this head, information can be stored by means of perpendicular magnetization of the corresponding recording medium. This principle is generally known (for example, ``Proceedings of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, Proceedings of Magnetic Engineering,'' Vol.
(See Vol. G-16, No. 1, January 1980, pages 71-76 or MAG-20, No. 5, September 1984, pp. 657-662 and 675-680). The storage medium used for this principle, often referred to as perpendicular magnetization, may be in the form of a magnetic storage hard disk or a flexible discrete disk (floppy disk). Each of these media has a magnetizable storage film of a predetermined thickness made of a magnetically anisotropic material, in particular a CoCr alloy, with a predetermined coercivity. The so-called easy axis of magnetization of this film is then oriented perpendicular to the surface of the medium. By means of a special magnetic head, individual information can be written as bits in successive sections along the track by corresponding magnetization of the storage film.

しかし、いわゆる長手磁化の原理に対して知られている
複合書込みおよび読出し磁気ヘッドは垂直磁化に対して
は容易に実現され得ない。磁脚から形成される導磁体が
一般にリングヘッド状の形態を有するこのヘッドを使用
する際には、確かに垂直磁化の原理においても望まれる
可能なかぎり閉じられたループへの磁束案内はわずかな
磁気抵抗で達成され得る。しかし、ビット密度が高く、
従って記録媒体のほうを向いたリングヘッドの磁極の間
に構成されているいわゆる空隙の長さが相応に小さい場
合には、十分に高い書込み磁界を発生させることが困難
である。
However, the combined write and read magnetic heads known for the principle of so-called longitudinal magnetization cannot be easily realized for perpendicular magnetization. When using this head, in which the conductive body formed from the magnetic legs generally has a ring-head-like form, it is true that the magnetic flux guiding into the as closed loop as possible, which is also desired in the principle of perpendicular magnetization, is slight. This can be achieved with magnetoresistive. However, the bit density is high,
It is therefore difficult to generate a sufficiently high write field if the length of the so-called air gap formed between the magnetic poles of the ring head facing the recording medium is correspondingly small.

従って、垂直磁化の原理に対して特別な書込み/Vt出
し磁気ヘッドを開発せざるを得ない。このようなヘッド
の構成はたとえば前記のヨーロッパ特許に示されている
。この公知の磁気ヘッドは、磁束を案内するために、い
わゆる導磁体を有する。
Therefore, it is necessary to develop a special write/Vt output magnetic head based on the principle of perpendicular magnetization. Such a head construction is shown, for example, in the European patent mentioned above. This known magnetic head has a so-called magnetic conductor for guiding the magnetic flux.

この導磁体は、それぞれ予め定められた特殊な磁気特性
を有する磁性材料、たとえば特殊なNiFe合金(たと
えば「パーマロイ」ベル電話製造会社の登録商標)から
成る膜から成っている2つの磁脚により形成される。そ
の記録媒体のほうを向いた端範囲により、ヘッドの運動
方向に見て相前後して予め定められたわずかな相互間隔
で配置されている2つの磁極が構成されている。これら
の端範囲に、磁脚がより大きい相互間隔で導かれている
ヘッド範囲が続いている。こうして両磁脚の間に十分に
広い中間空間が得られ、それを通して書込みおよび読出
しコイルの巻線が延びている。
This magnetic conductor is formed by two magnetic legs each consisting of a membrane of a magnetic material with predetermined special magnetic properties, for example a special NiFe alloy (for example "Permalloy", a registered trademark of the Bell Telephone Manufacturing Company). be done. Its end region facing the recording medium forms two magnetic poles which are arranged one after the other at a predetermined small distance from each other in the direction of movement of the head. These end regions are followed by a head region in which the magnetic legs are guided at a greater distance from each other. A sufficiently large intermediate space is thus obtained between the two magnetic legs, through which the windings of the write and read coils extend.

書込み機能に対しても読出し機能に対しても、両磁脚を
有する導磁体のリングヘッド状の形態が利用される。
For both the write function and the read function, a ring head-like configuration of the magnetic conductor with both magnetic legs is used.

この公知の磁気ヘッドの個々の部分は非磁性基板の平ら
な裏面に取り付けられている。この技術は一般に公知で
ある(たとえば「精密機構技術および測定技術(Fei
nwerktechnik und Messtech
nik)」、第88巻、第2号、1980年3月、第5
3〜59頁または「シーメンスツアイトシュリフト(S
iemens Zeitschrift)J 、第52
巻、第7号、1978年、第434〜437頁参照)。
The individual parts of this known magnetic head are attached to the flat back side of a non-magnetic substrate. This technique is generally known (e.g. "Precision Mechanisms and Measuring Technology (Fei)
nwerktechnik und Messtech
Nik), Volume 88, No. 2, March 1980, No. 5
Pages 3-59 or “Siemens Zeitschrift (S
iemens Zeitschrift) J, No. 52
Vol. 7, 1978, pp. 434-437).

しかし、このような薄膜磁気ヘッドでは、読出しの際の
高い分解能を保ちつつ十分に大きい書込み磁界を発生す
るのに問題がある。これらの両要求は互いに矛盾してい
る。すなわち一般に高い磁界は大きい間隙幅および(ま
たは)大きい磁極厚みによってのみ達成されるが、高い
ビット密度における高い分解能は小さい間隙幅および(
または)小さい磁極厚みによってのみ達成される(たと
えば「米国電気電子学会論文集磁気工学線」、第MAG
−19巻、第5号、1983年9月、第1617〜16
19頁参照)。さらに、垂直記録のための磁気ヘッドで
は書込み磁界が、この磁界の垂直成分を書込み磁極の走
り去る縁において高くし、かつ逆極性の垂直成分を他の
磁極の先行する縁において弱くするため、可能なかぎり
非対称でなければならない。しかし、公知の磁気ヘッド
形式では、走り去る縁における磁界が一般に先行する縁
における磁界よりも若干弱い。
However, such a thin film magnetic head has a problem in generating a sufficiently large write magnetic field while maintaining high resolution during reading. Both of these requirements are contradictory to each other. That is, in general high magnetic fields can only be achieved with large gap widths and/or large pole thicknesses, whereas high resolution at high bit densities is achieved with small gap widths and/or large pole thicknesses.
or) achieved only by small pole thicknesses (e.g., Proceedings of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, Proceedings of Magnetic Engineering, Vol. MAG
-Volume 19, No. 5, September 1983, Nos. 1617-16
(See page 19). Furthermore, in a magnetic head for perpendicular recording, the write field has a possible It must be asymmetrical to the extent possible. However, in known magnetic head types, the magnetic field at the trailing edge is generally somewhat weaker than the magnetic field at the leading edge.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

従って、本発明の目的は、冒頭に記載したf類の磁気記
憶装置を、その磁気ヘッドにより書込みおよび読出し機
能がそれぞれ比較的高い効率で垂直磁化の原理により可
能にされているように改良することである。その際に大
きい書込み磁界および高い分解能に関する前記の要求が
少なくとも十分に考慮されていなければならない。
It is therefore an object of the present invention to improve a magnetic storage device of the f class mentioned at the outset, in such a way that its magnetic head allows writing and reading functions, respectively, with relatively high efficiency, according to the principle of perpendicular magnetization. It is. In this case, the above-mentioned requirements regarding large write fields and high resolution must at least be taken into account.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この目的は、本発明によれば、 運動方向に見て後続の磁脚の少なくとも1つの磁性膜が
少なくともその磁極を構成する端範囲内でその磁気特性
に関して、先行の磁脚の少なくともその磁極を構成する
端範囲内の少なくとも1つの磁性膜とくらべて異なって
おり、 また、記録媒体の記憶膜の材料の保磁力が十分に高く選
定されており、 従って、後続の磁脚の磁極に生じさせるべき磁界による
記憶媒体の重さね書きが少なくともほとんど排除されて
いる ことにより達成される。
This object, according to the invention, provides that at least one magnetic membrane of a subsequent magnetic leg, viewed in the direction of movement, outstrips at least its magnetic pole of a preceding magnetic leg with respect to its magnetic properties at least in the end region constituting its magnetic pole. The coercive force of the material of the storage film of the recording medium is selected to be sufficiently high, so that the coercive force of the material of the storage film of the recording medium is selected to be sufficiently high, so that the magnetic pole of the subsequent magnetic leg is This is achieved in that overwriting of the storage medium by magnetic fields is at least largely eliminated.

それぞれの磁性膜の特徴的な磁気特性として、少なくと
もその磁極を構成する端範囲内で特に膜の磁気抵抗また
は膜材料の飽和磁化に着目することは有利である。
As a characteristic magnetic property of each magnetic film, it is advantageous to pay particular attention to the magnetoresistance of the film or the saturation magnetization of the film material, at least within the end range constituting the magnetic pole.

本発明による磁気記憶装置の有利な実施態様は特許請求
の範囲第2項以下にあげられている。
Advantageous embodiments of the magnetic storage device according to the invention are listed in the subclaims.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明による磁気記憶装置の利点は特に、書込みの際に
後続の磁脚の磁性膜の磁化がその磁極範囲内で先行の磁
脚の磁性膜の磁化にくらべて低くされており、従ってま
た後続の磁脚の磁界の垂直成分が先行の磁脚の垂直磁界
よりも相応に小さいことにある。このことは、磁気ヘッ
ドが両磁極を構成する磁界の間の非常に急峻なスロープ
により書込むことを意味する。それによって、読出し振
幅に対して重要な磁気的移行長さも通常の書込みにくら
べて走り去る縁により強く短縮される。すなわち、本発
明による磁気記憶装置の磁気ヘッドは、その磁脚の相異
なる磁気特性に起因して、公知のヘッドと異なり、その
先行の磁極により書込む。このことは特に、記録媒体の
記憶膜に対して、走り去る磁極の磁界がこの記憶膜に書
込むのにもはや十分でないように(垂直)保磁力の高い
値を有する材料が選定されることにより保証され得る。
A particular advantage of the magnetic storage device according to the invention is that during writing, the magnetization of the magnetic film of the succeeding magnetic leg is lowered in its magnetic pole range compared to the magnetization of the magnetic film of the preceding magnetic leg; This consists in that the vertical component of the magnetic field of the magnetic leg is correspondingly smaller than the vertical magnetic field of the preceding magnetic leg. This means that the magnetic head writes with a very steep slope between the magnetic fields forming the two magnetic poles. As a result, the magnetic transition length, which is important for the read amplitude, is also strongly shortened by the running edge compared to normal writing. That is, the magnetic head of the magnetic storage device according to the invention differs from known heads in that it writes with its leading magnetic pole due to the different magnetic properties of its magnetic legs. This is ensured, in particular, by selecting a material with a high value of the (perpendicular) coercive force for the storage film of the recording medium, such that the magnetic field of the passing magnetic pole is no longer sufficient to write into this storage film. can be done.

それに対して磁気ヘッドは読出しの際に、非常に鋭い磁
気的移行を相応に大きい続出し電圧により記録する従来
の薄膜リングヘッドの場合のように周知のより弱い磁界
に基づいて作動する。さらに、本発明による記憶装置の
磁気ヘッドにおける間隙幅が書込み特性をほとんど損な
うことなく非常に小さく保たれ得ること、またそれによ
って最大到達可能なビット密度が相応に大きいことは特
に有利である。
On the other hand, magnetic heads operate on the basis of weaker magnetic fields during reading, as is the case with conventional thin-film ring heads, which record very sharp magnetic transitions with correspondingly large successive voltages. Furthermore, it is particularly advantageous that the gap width in the magnetic head of the storage device according to the invention can be kept very small with little loss of the writing properties, and that the maximum achievable bit density is thereby correspondingly large.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面を参照して本発明を説明する。 The present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図に部分的に縦断面図で示されている本発明による
磁気記録装置の第1の実施例では、垂直磁化の原理に対
して開発されているように層状の構成を有するそれ自体
は公知のリングヘッド状の実施形態から出発している(
たとえば前記ヨーロッパ特許を参照)。全体として符号
Iを付されている磁気ヘッドにより書込み機能も読出し
機能も行われる。このヘッドは、通常の浮上体とも呼ば
れる要素の正面または特に背面を形成する(図面には示
されていない)非磁性基板の平らな面の上に位置してい
る。磁気ヘッドはそれ自体は公知の記録媒体Aに対して
相対的にわずかな浮上高さfに保たれており、磁気ヘッ
ドに対する記録媒体の相対的な運動方向は符号Vを付さ
れた矢線で示されている。記録媒体Aのほうを向いたヘ
ッド1の下面と記録媒体Aとの間に保たれる浮上高さf
は0、1μmのオーダーに過ぎない。記録媒体A、たと
えば磁気記憶ディスクは、垂直に向けられておりまた予
め定められた厚みDを有する記憶膜6を有する。記憶膜
の材料、たとえばCoCr合金はたとえば20kA/m
よりも大きい、好ましくは60kA/mよりも大きい(
垂直)保磁力H0の高い値を有するべきである(ヨーロ
ッパ特許第0120413号および第0054269号
明細書を参照)。
In a first embodiment of the magnetic recording device according to the invention, which is shown in partial longitudinal section in FIG. Starting from the known ring-head-shaped embodiment (
see for example the European patent mentioned above). A magnetic head, generally designated I, performs both the writing and reading functions. This head rests on the flat side of a non-magnetic substrate (not shown in the drawings) which forms the front or in particular the rear side of the element, also called a conventional levitator. The magnetic head itself is maintained at a small flying height f relative to the known recording medium A, and the direction of movement of the recording medium relative to the magnetic head is indicated by the arrow marked V. It is shown. Flying height f maintained between the lower surface of head 1 facing recording medium A and recording medium A
is only on the order of 0.1 μm. A recording medium A, for example a magnetic storage disk, has a storage film 6 that is vertically oriented and has a predetermined thickness D. The material of the memory film, such as a CoCr alloy, is 20 kA/m, for example.
, preferably greater than 60 kA/m (
perpendicular) should have a high value of coercive force H0 (see EP 0120413 and EP0054269).

記憶膜6がたとえば場合によってはたとえばNiまたは
Nbから成る3成分の添加物をも有する特殊なNiFe
合金または無定形CoZrまたはCoHfから成る少な
くとも1つの別の軟磁性膜の上に配置されていることは
有利である。この下膜は図面に符号7を付して示されて
いる。
The memory film 6 is made of a special NiFe film, for example, which optionally also has a ternary additive of Ni or Nb.
Advantageously, it is arranged on at least one further soft magnetic film of alloyed or amorphous CoZr or CoHf. This inferior membrane is designated by the reference numeral 7 in the drawings.

磁気ヘッド主は、2つの磁脚iおよびユを有し磁束を導
くリングヘッド状の導磁体重を有している。これらの磁
脚はほぼ、また特にその記録媒体のほうを向いた磁極M
plまたはMp2を構成する端範囲11または12内で
少なくとも近似的に記録媒体の表面に対して垂直に向け
られている。
The main magnetic head has two magnetic legs i and y, and a ring head-shaped magnetic conductive weight that guides magnetic flux. These magnetic legs generally and specifically point the magnetic pole M towards the recording medium.
In the end region 11 or 12 constituting pl or Mp2 it is oriented at least approximately perpendicular to the surface of the recording medium.

ここで端範囲とはそれぞれ、少なくともほぼ均一な厚み
を有し、または別の膜により補強されていない磁脚の薄
い端片を意味する。端範囲11および12は、磁極Mp
lおよびMp2の範囲内で1μmよりも小さい、特に0
.5μmよりも小さい、好ましくは0.25μmよりも
小さい長手方向、すなわち磁気ヘッドの運動方向Vの幅
gを有する空隙13により空間的に隔てられている。導
磁体重の中央範囲では両磁脚工および10の間の間隔は
、たとえば運動方向Vと反対方向の、すなわち後続の磁
脚エエが前側の平らに構成された(基板3のほうを向い
た)磁脚工に対してより大きい幅Wを有することによっ
て 上記の間隙幅gにくらべて広げられている。この範
囲15の外側に導磁体重の記録媒体Aと反対のほうを向
いた側で磁脚IQ−は公知の仕方で接続範囲16内で磁
11111主に添わされており、それによって導磁体重
のリングヘッド状の形態が生じている。
End regions here each mean a thin end piece of the magnetic leg that has an at least approximately uniform thickness or is not reinforced by another membrane. The end ranges 11 and 12 are magnetic poles Mp
l and Mp2 smaller than 1 μm, especially 0
.. They are spatially separated by an air gap 13 having a width g in the longitudinal direction, ie in the direction of movement V of the magnetic head, of less than 5 μm, preferably less than 0.25 μm. In the central region of the conducting mass, the spacing between the two magnetic legs and 10 is such that, for example, the direction opposite to the direction of movement V is such that the subsequent magnetic legs are configured flat on the front side (facing towards the substrate 3). ) By having a larger width W for the magnetic pedestal, it is widened compared to the above gap width g. Outside this region 15, on the side of the conductive mass facing away from the recording medium A, the magnetic leg IQ- is attached in a known manner to the magnetic field 11111 in the connecting region 16, so that the conductive mass A ring head-like morphology has occurred.

両磁脚工と10との間で中央範囲15内に構成される中
間空間17を通って、書込みコイルとしての役割も読出
しコイルとしての役割もし得る少なくとも1つの平らな
コイル巻線18が延びている。図面には単一の層18a
でしか示されていない巻線は多層に構成されていてもよ
く、また一般に比較的大きな数のターンを有する。それ
を通って比較的大きい書込み電流1が流れる。
Through an intermediate space 17 formed in the central region 15 between the two magnetic legs and 10 extends at least one flat coil winding 18 which can serve both as a write coil and as a read coil. There is. A single layer 18a is shown in the drawing.
The windings only shown can be constructed in multiple layers and generally have a relatively large number of turns. A relatively large write current 1 flows through it.

磁気ヘッド1の両磁脚工および10はそれぞれ膜厚d1
またはd2を有する少なくとも1つの磁性膜9aまたは
10aにより構成されている。ここで、それぞれの膜厚
は、運動方向Vに見たそれぞれの磁極範囲11または1
2における相応の膜の厚みを意味する。さて本発明によ
れば、これらの磁性膜は少なくともその磁極範囲11お
よび12内で相異なる磁気抵抗を有するべきであり、そ
の際に運動方向に見て後続の磁脚10の膜10aははる
かに高い、好ましくは2倍だけ高い磁気抵抗RM2を有
するべきである。それにくらべて低い先行の磁脚主の1
99aの磁気抵抗はRMIで示されている。それぞれの
磁性膜の磁気抵抗の大きさは周知のようにそれぞれの磁
性膜の可逆透磁率μrおよびジオメトリに関係する。磁
性膜の可逆透磁率は材料選定により−、またたとえばス
パッタの際の製造条件により決定され得る。好ましくは
、先行の磁脚工の磁性膜9aに対しては、後続の磁脚の
磁性膜10aの可逆透磁率μr2よりも大きい可逆透磁
率μr1を有する材料が選定される。
Both magnetic legs of the magnetic head 1 and 10 each have a film thickness d1.
or d2, it is constituted by at least one magnetic film 9a or 10a. Here, each film thickness is the respective magnetic pole range 11 or 1 seen in the direction of motion V.
2 means the corresponding membrane thickness. Now, according to the invention, these magnetic membranes should have different magnetic reluctances at least in their magnetic pole ranges 11 and 12, with the membrane 10a of the subsequent magnetic leg 10 having a much higher magnetic reluctance in the direction of movement. It should have a high magnetoresistance RM2, preferably by a factor of two. Compared to that, the leading magnetic leg 1 is lower.
The magnetoresistance of 99a is given in RMI. As is well known, the magnitude of the magnetic resistance of each magnetic film is related to the reversible magnetic permeability μr and geometry of the respective magnetic film. The reversible magnetic permeability of the magnetic film can be determined by the material selection and, for example, by the manufacturing conditions during sputtering. Preferably, a material having a reversible magnetic permeability μr1 larger than the reversible magnetic permeability μr2 of the magnetic film 10a of the succeeding magnetic leg is selected for the magnetic film 9a of the preceding magnetic leg.

その際、大きいほうの可逆透磁率μr1カ月000を越
える値、好ましくは3000を越える値を有するべきで
あり、他方において小さいほうの可逆透磁率μr2の値
は一般に1000未満、たとえば約500であるべきで
ある。好ましくは、可逆透磁率が少なくとも3倍だけ相
異なる材料が選定される。
The larger reversible permeability μr should then have a value of more than 1 month 000, preferably more than 3000, while the smaller reversible permeability μr2 should generally have a value less than 1000, for example about 500. It is. Preferably, materials are selected whose reversible magnetic permeabilities differ by a factor of at least three.

さらに、磁性膜9aおよび10aの膜厚d1およびd2
の適応な選定により、これらの磁性膜の磁気抵抗が変更
され得る。これらの膜厚は2μmよりも小さく、特に1
μmよりも小さく、好ましくは0.7μmよりも小さく
選定されるべきである。
Furthermore, the film thicknesses d1 and d2 of the magnetic films 9a and 10a are
By adaptive selection of the magnetic films, the magnetoresistance of these magnetic films can be changed. The thickness of these films is less than 2 μm, especially 1 μm.
It should be chosen to be smaller than μm, preferably smaller than 0.7 μm.

場合によっては、その際に、先行の磁脚工の磁性膜9a
に対しては後続の磁脚10の磁性膜10aの厚みd2の
値よりも大きい厚みdlの値が選定される。30KPC
I  (kilo  Flux  Change  p
er  Inch)を越えるビット密度に対してはたと
えばdl<0.6μm、d2<0.4μmまたg < 
0.25μmに選定すべきである。
In some cases, at that time, the magnetic film 9a of the preceding magnetic leg
, a value of the thickness dl is selected that is larger than the value of the thickness d2 of the magnetic film 10a of the succeeding magnetic leg 10. 30KPC
I (kilo Flux Change p
For bit densities exceeding er Inch), for example dl < 0.6 μm, d2 < 0.4 μm or g <
It should be selected to be 0.25 μm.

浮上高さfおよびCoCr記憶膜の厚みDは、この場合
、不等式f+D<0.5μmを満足すべきである。さら
に、軟磁性の下膜の厚みは両磁極Mp1、Mp2の厚い
ほうの厚みを著しく下回るべきではない。
In this case, the flying height f and the thickness D of the CoCr storage film should satisfy the inequality f+D<0.5 μm. Furthermore, the thickness of the soft magnetic underlayer should not be significantly less than the thickness of the thicker of the two magnetic poles Mp1, Mp2.

さらに第1図かられかるように、磁脚工および10の各
々はそれぞれの端範囲11または12の外側に追加的な
比較的厚い磁性膜9bおよび10bを設けられていてよ
く、その際にこれらの膜は特にコイル巻線18を有する
導磁体重の中央範囲15を覆う。これらの追加的な磁性
膜9bおよびtabの厚みはd3またはd4で示されて
いる。
Furthermore, as can be seen from FIG. 1, each of the magnetic legs and 10 may be provided with an additional relatively thick magnetic film 9b and 10b outside the respective end area 11 or 12, with these The membrane in particular covers the central region 15 of the conductive mass with the coil winding 18 . The thickness of these additional magnetic films 9b and tab is indicated by d3 or d4.

磁性Ill!9bおよび10bはそれぞれの磁極Mpl
またはMp2まで達しておらず、それから予め定められ
た距離のところで終端している。このようにして磁性膜
9bおよびtabは端範囲11または12の上限を定め
る。従って、磁脚10の端範囲12は、磁性膜10bの
符号20を付されている外側が磁性膜10aの外側に当
接する個所で開始する。さらに図面中に破線20′およ
び20#により示されているように、磁性IQ10bの
外側はさらに引っ込んだ個所で終端しているので、磁性
膜10aの端範囲は相応に広げられている。外側20′
または20“により画定されるこれらの端範囲は符号1
2′または12“を付されている。
Magnetic Ill! 9b and 10b are respective magnetic poles Mpl
Alternatively, it does not reach Mp2 and terminates at a predetermined distance from there. In this way, the magnetic films 9b and tab define the upper limit of the end range 11 or 12. The end region 12 of the magnetic leg 10 thus begins at the point where the outside of the magnetic film 10b, marked 20, abuts the outside of the magnetic film 10a. Furthermore, as indicated by broken lines 20' and 20# in the drawing, the outside of the magnetic IQ 10b terminates at a further recessed point, so that the end range of the magnetic film 10a is correspondingly widened. outside 20'
or these end ranges delimited by 20" are coded 1
2' or 12''.

追加的な磁性膜9bおよび10bはそれぞれの磁脚の磁
気抵抗に有利に影響する役割をし、さらに書込み磁界の
磁界分布を所望のように非対称にするのに利用され得る
。こうして外側20.20′、20’の相異なる長さま
たは記録媒体Aに対する磁性膜10bの相異なる広がり
は磁気ヘッド1の書込み/続出し特性に強い影響を有す
る。こうして、たとえば、より短い磁脚はより良好な書
込み磁界に、しかしより小さい読出し振幅に通ずる。
The additional magnetic films 9b and 10b serve to advantageously influence the reluctance of the respective magnetic leg and can further be utilized to asymmetric the magnetic field distribution of the write field as desired. Thus, the different lengths of the outer sides 20, 20', 20' or the different extents of the magnetic film 10b with respect to the recording medium A have a strong influence on the write/sequence characteristics of the magnetic head 1. Thus, for example, shorter magnetic legs lead to better write fields, but smaller read amplitudes.

後続の磁脚10の磁気抵抗を大きくするための別の方法
として、磁気抵抗を高める横断面減少部を磁性膜10a
のなかに設けることもできる。この横断面減少部は、好
ましくは、中央範囲15のほうを向いた端範囲12また
は12′または12″の縁に位置し得る0図示されてい
る実施例によれば、このような抵抗上昇部が、たとえば
磁脚10のイオンビームエツチングの際にエツチング凹
みをこの磁脚の磁極Mp2を構成する磁性膜10aのな
かにオーバーエツチングにより発生させることにより得
られる。このエツチング凹みの輪郭は図面中に破線22
により示されている。
As another method for increasing the magnetic resistance of the subsequent magnetic leg 10, a reduced cross-section portion that increases magnetic resistance is formed in the magnetic film 10a.
It can also be provided inside. This cross-sectional reduction can preferably be located at the edge of the end region 12 or 12' or 12'' facing the central region 15. According to the embodiment shown, such a resistance increase This can be obtained, for example, by over-etching an etching recess in the magnetic film 10a constituting the magnetic pole Mp2 of the magnetic leg during ion beam etching of the magnetic leg 10.The outline of this etching recess is shown in the drawing. Broken line 22
It is shown by.

磁極MplおよびMp2を有する磁脚工または10の端
範囲11および12または12′、121の飽和特性に
、従ってまた発生可能な磁界に書込み/続出しコイル1
8の位置も影響を存する。すなわち、このコイルが間隙
13に近く位置するほど、磁界は大きい。しかし、その
際に考慮すべきこととして、この近接により磁界分布の
所望の非対称性は部分的に再び退行させられる。従って
、書込み/続出しコイル18の位置により磁界の振幅に
も非対称性にも影響する別の可能性が得られる。
The saturation characteristics of the end ranges 11 and 12 or 12', 121 of the magnetic pedestal or 10 with magnetic poles Mpl and Mp2, and therefore also the magnetic field that can be generated/followed by the coil 1
The position of 8 also has an influence. That is, the closer this coil is located to the gap 13, the greater the magnetic field. However, it should be taken into account that due to this proximity, the desired asymmetry of the magnetic field distribution is partially regressed. The position of the write/sequence coil 18 thus provides another possibility of influencing both the amplitude and the asymmetry of the magnetic field.

磁性膜9a、9bおよび10a、jobの材料としては
特にたとえば“パーマロイ”のようなFeNi合金また
は無定形CoZrまたはCoHf合金が通している。場
合によっては、これらの無定形合金の合金パートナ−に
別のたとえば3成分パートナーが添加されていてよい。
The material of the magnetic films 9a, 9b and 10a, job is in particular a FeNi alloy such as "permalloy" or an amorphous CoZr or CoHf alloy. Optionally, further, for example ternary, partners may be added to the alloying partners of these amorphous alloys.

こうして両磁脚工および10内、特にその相応の端範囲
11または12.12′、12’内に設定すべき相異な
る磁気抵抗比に基づいて、実際上先行の磁脚工の磁極M
plによってのみ書込み機能が行われるようにすること
ができる。磁気へラド1のこの特徴的な作用の仕方を保
証するため、すなわち先行の磁脚工により書込まれた情
報が後続の磁脚10により重さね書きされるのを少なく
ともほぼ回避するため、本発明による磁気記憶装置では
、さらに、記録媒体への記憶膜6の保磁力Hcが、走り
去る磁極Mp2の磁界が書込まれた情報を切換磁化によ
り書き換えるのにもはや十分でない高さに選定されてい
る。相応の磁界比が第2図に一層詳細に示されている。
In this way, due to the different reluctance ratios to be set in both magnetic legs and 10, in particular in their respective end regions 11 or 12, 12', 12', the magnetic pole M of the preceding magnetic leg
The write function can be performed only by pl. In order to ensure this characteristic mode of action of the magnetic spatula 1, i.e. to avoid, at least approximately, that the information written by a preceding magnetic leg maker is overwritten by a subsequent magnetic leg 10, In the magnetic storage device according to the invention, the coercive force Hc of the storage film 6 on the recording medium is further selected to a height such that the magnetic field of the running magnetic pole Mp2 is no longer sufficient to rewrite the written information by switching magnetization. There is. The corresponding magnetic field ratios are shown in more detail in FIG.

その際に保磁力H0の絶対値はたとえば少なくとも20
 k A/m、好ましくは少なくとも60kA/mであ
るべきである。
In this case, the absolute value of the coercive force H0 is, for example, at least 20
kA/m, preferably at least 60 kA/m.

第2図には、両磁極MplおよびMp2により発生され
る磁界の強さHが磁気ヘッドの運動方向Vの広がりXに
関係して示されている。第2図では、これらの磁極の輪
郭は概要のみを示されており、正しい尺度では示されて
いない。縦軸に記入されている磁界の強さHは記録媒体
Aの表面で垂直方向(y方向)に測定されたものである
。第2図かられかるように、磁界の強さHYは主として
先行の磁極Mp1に帰するべき際立った(正の)極大H
SIを有する。この極大は明らかに記憶膜6の相応の(
正の)切換磁界“+Hc”を超過している。ここで、破
線で示されているこの切換磁界“+Hc°は、記憶膜6
内の切換磁化を行うのにまさに十分な磁界を意味する。
In FIG. 2, the strength H of the magnetic field generated by the magnetic poles Mpl and Mp2 is shown in relation to the extent X in the direction of movement V of the magnetic head. In FIG. 2, the contours of these magnetic poles are shown only schematically and not to scale. The magnetic field strength H plotted on the vertical axis is measured in the vertical direction (y direction) on the surface of the recording medium A. As can be seen from FIG.
Has SI. This maximum is clearly due to the corresponding (
The positive) switching field “+Hc” is exceeded. Here, this switching magnetic field “+Hc°” indicated by a broken line is
means just enough magnetic field to effect switching magnetization within.

理想的な場合には、この切換磁界は記憶膜の材料の相応
の保磁力に相当する。しかし、一般には、それかられず
かな係数だけ偏差している。しかし、第2図には、切換
磁界が保磁力Hcに等しい理想的な場合が示されている
。さらに第2図かられかるように、磁界の強さHyの曲
線は、先行の磁極Mplに帰するべきHSIを有する波
高点S1と、切換磁界“+HC”との交点Pとの間に非
常に急峻な経過が生ずるという有利な事実を示している
。このことは、磁気ヘッドが、第1図中に磁界の強さの
曲線を太くすることにより強調されている磁極Mplと
Mp2との間のこの非常に急峻なスロープFにより書込
むことを意味する。すなわち、X方向のこのスロープF
の広がりを示すいわゆる磁気的移行長さUが公知の磁気
ヘッドの走り去る縁による従来公知の書込みにくらべて
はるかに短縮されている。さらに第2図から、後続の磁
極Mp2による書込みは実際上可能でないという事実が
わかる。
In the ideal case, this switching field corresponds to the corresponding coercivity of the material of the storage film. However, it generally deviates from it by a small factor. However, FIG. 2 shows the ideal case where the switching field is equal to the coercive force Hc. Furthermore, as can be seen from FIG. 2, the curve of the magnetic field strength Hy has a very large gap between the wave high point S1, which has the HSI attributable to the preceding magnetic pole Mpl, and the intersection point P of the switching magnetic field "+HC". This indicates the advantageous fact that a steep course occurs. This means that the magnetic head writes with this very steep slope F between the magnetic poles Mpl and Mp2, which is emphasized by thickening the magnetic field strength curve in Figure 1. . That is, this slope F in the X direction
The so-called magnetic transition length U, which indicates the extent of the magnetic head, is much shorter than in conventional writing with the running edges of known magnetic heads. Furthermore, it can be seen from FIG. 2 that writing by the subsequent magnetic pole Mp2 is practically not possible.

すなわち、この磁極に帰するべき磁界の強さHyの曲線
部分がその負の波高点S2に有する極小値)(SZは、
破線で示されている相応の負の切換磁界“−Hc”のは
るかに上側に位置する。すなわち本発明による記憶装置
の記録媒体への記憶膜6に対しては、相応に高い切換磁
界を生ずる保磁力Hcを有する材料を選定すべきである
。そのために通した材料は一般に知られている(たとえ
ば前記のヨーロッパ特許第0120413号および第0
054269号明細書を参照)。さらに第2図には、運
動方向■に構成される(長手方向の)磁界成分の磁界の
強さHxの曲線が鎖線により記入されている。
That is, the minimum value that the curved portion of the magnetic field strength Hy to be attributed to this magnetic pole has at its negative peak point S2) (SZ is,
It lies far above the corresponding negative switching field "-Hc", which is indicated by a dashed line. That is, for the storage film 6 of the recording medium of the storage device according to the invention, a material should be selected that has a coercive force Hc that produces a correspondingly high switching field. The materials used for this purpose are generally known (e.g. European Patents No. 0120413 and European Patent Nos.
054269). Further, in FIG. 2, a curve of the magnetic field strength Hx of the (longitudinal) magnetic field component configured in the movement direction (2) is drawn by a chain line.

第2図の曲線は、書込み電流■が先行の磁脚の磁極Mp
lの極大H5Iおよびl&続の磁脚の磁極Mp2の極小
H52を生ずる磁気ヘッド1にもとづいている。それに
対して、反転された向きに書込み電流が流れる場合には
、相応の、しかしX軸に対して鏡像的な磁界分布が得ら
れる。
The curve in Figure 2 shows that the write current ■ is the magnetic pole Mp of the leading magnetic leg.
It is based on a magnetic head 1 that produces a maximum H5I of l and a minimum H52 of the magnetic pole Mp2 of the magnetic legs of l & continuation. In contrast, if the write current flows in the reversed direction, a corresponding, but mirror-image field distribution with respect to the X-axis is obtained.

第2図の曲線に相応する磁化特性が第3図に示されてい
る。その際に説明を簡単にするため、理想的な垂直な薄
い記憶膜6、いわゆる−重膜のみを有する記録媒体が仮
定されている。この図には、随意の単位で磁化Mを縦軸
に、また磁界の強さHを横軸にとって磁化曲線が示され
ている。飽和磁化Msを有する材料から成るこのような
薄い膜に対しては膜の法線の方向の減磁率Nは正確にN
−1である。すなわち、この場合には、残留磁気M1お
よび保磁力Hcは等大である:Mf=Hc。
The magnetization characteristic corresponding to the curve of FIG. 2 is shown in FIG. To simplify the explanation, a recording medium with only an ideal vertical thin storage film 6, a so-called double film, is assumed here. This figure shows a magnetization curve with the magnetization M on the vertical axis and the magnetic field strength H on the horizontal axis in arbitrary units. For such a thin film made of a material with saturation magnetization Ms, the demagnetization rate N in the direction normal to the film is exactly N
-1. That is, in this case, the residual magnetism M1 and the coercive force Hc are equal: Mf=Hc.

書込み過程の開始前に、書込むべき個所はヒステリシス
曲線上で点POに位置する。記憶膜に対して相対的に運
動する磁気ヘッドは先ずその最大の書込み磁界の強さI
Hs、l>Hcを有する先行の磁極Mplにより記憶膜
の切換磁化を行い、従って磁化はヒステリシス曲線に沿
って点PIに移動する。次いで垂直磁界が両磁極Mpl
およびMp2の間で転橿され、その際に縦軸上の点P2
と交わり、また最後に大きさ1Hs21<Hcを有する
負の値をとる。
Before the start of the writing process, the location to be written is located on the hysteresis curve at point PO. The magnetic head moving relative to the storage film first has its maximum write magnetic field strength I.
The leading pole Mpl with Hs, l>Hc performs a switching magnetization of the storage film, so that the magnetization moves along the hysteresis curve to the point PI. Then the vertical magnetic field is applied to both magnetic poles Mpl
and Mp2, and at that time, point P2 on the vertical axis
, and finally takes a negative value with magnitude 1Hs21<Hc.

その際に磁化曲線上で点P3が到達される。その後に磁
界が零に減少することにより、磁化反転、従ってまた書
込み過程は終了される。縦軸上の相応の点はP斗で示さ
れている。点P、は点P2と一致している。読出し信号
の大きさはこの点P4の磁化に比例しているので、走り
去る磁極Mp2の垂直磁界は不等式 %式% を満足しなければならない。この不等式をたてる際に、
書込み電流Iの向きの反転の際にH5Iが負に、またH
5+2が正になることが考慮に入れられている。
Point P3 is then reached on the magnetization curve. A subsequent reduction of the magnetic field to zero terminates the magnetization reversal and thus also the writing process. The corresponding point on the vertical axis is marked P. Point P, coincides with point P2. Since the magnitude of the read signal is proportional to the magnetization of this point P4, the vertical magnetic field of the magnetic pole Mp2 running away must satisfy the inequality %. When formulating this inequality,
When the direction of write current I is reversed, H5I becomes negative and H5I becomes negative.
It is taken into account that 5+2 is positive.

第3図は、記憶膜として一重膜を有する記録媒体Aに対
するものである。特にCoCrから成る記憶膜に追加し
てたとえばNiFe、CoZr5CoHrなどから成る
軟磁性のベース7を有する二重膜の記憶媒体を使用する
際には、第1図中に示されているすべての臨界的な寸法
:g、(d++g/2)、(d2+g/2)、(f+D
)が最小の磁束交番波長に関係することを追加的に考慮
に入れるべきである(「米国電気電子学会論文集磁気工
学編」、第MAG−19巻、第5号、1983年、第1
611〜1613頁参照)。−重膜に比較して、このよ
うな二重膜6.7の利点は、書込みの際に、軟磁性のベ
ース7により望ましくない水平磁界を犠牲にして強く優
先されて、はるかに大きい垂直磁界が得られることであ
る。磁性膜はこの場合にはるかに深くかつ鋭く切換磁化
を行われ、従ってまた読出し信号が有利に明白に増大さ
れる。
FIG. 3 is for a recording medium A having a single layer film as a storage film. In particular, when using a double-layer storage medium with a soft-magnetic base 7 made of NiFe, CoZr5CoHr, etc., in addition to a storage film made of CoCr, all the critical values shown in FIG. dimensions: g, (d++g/2), (d2+g/2), (f+D
) should be additionally taken into account that is related to the minimum magnetic flux alternating wavelength.
(See pages 611-1613). - The advantage of such a double membrane 6.7 compared to a heavy membrane is that when writing, a much larger vertical magnetic field is strongly favored by the soft-magnetic base 7 at the expense of the undesirable horizontal magnetic field. is obtained. The magnetic film is in this case switched magnetized much more deeply and sharply, so that the readout signal is also advantageously increased significantly.

第4図に部分的に縦断面図で示されている本発明による
別の記憶装置の磁気ヘッドは、はぼ第1図に示されてい
る磁気ヘッドlの構成に相当する構成を有する。従って
、図面中で互いに一致する要素には同一の符号が付され
ている。符号24を付されている磁気ヘッドの両磁脚工
および10は同じくそれぞれ、膜厚d、またはd2を有
する磁性膜9aまたはlOaにより構成されている。第
1図ないし第3図による実施例と異なり、第4図の実施
例の場合には、個々の磁脚の磁気特性に関する本発明に
よる対策は、その磁気抵抗に関してではなく、その材料
の飽和磁化に関して行われている。従って、第4図によ
る実施例では磁性膜に対して本発明により相異なる飽和
磁化Msを有する材料が選定されるべきであり、その際
に相対的運動方向Vに見て先行の磁脚工の磁性膜9aの
材料は高いほうの飽和磁化MS+を有するべきである。
The magnetic head of another storage device according to the invention, shown partially in longitudinal section in FIG. 4, has a configuration that corresponds essentially to the configuration of the magnetic head l shown in FIG. Accordingly, elements that correspond to each other in the drawings are given the same reference numerals. Both magnetic legs and 10 of the magnetic head denoted by reference numeral 24 are similarly constructed of a magnetic film 9a or lOa having a film thickness d or d2, respectively. In contrast to the embodiment according to FIGS. 1 to 3, in the case of the embodiment according to FIG. It is being carried out regarding. Therefore, in the embodiment according to FIG. 4, materials with different saturation magnetizations Ms should be selected according to the invention for the magnetic film, and in this case, as seen in the relative movement direction V, The material of the magnetic film 9a should have a higher saturation magnetization MS+.

それにくらべて低い後続の磁l111110の磁性膜1
0aの材料の飽和磁化はM S 2で示されている。
The magnetic film 1 of the subsequent magnetic l111110 is lower than that.
The saturation magnetization of the 0a material is designated M S 2.

飽和磁化Ms1およびMs2の値は特に少なくともl。The values of the saturation magnetizations Ms1 and Ms2 are in particular at least l.

4倍だけ相異なっているべきである。磁性膜9aおよび
10aに対する材料としては特に、たとえば“パーマロ
イ”または無定形CoZrまたはCoHf合金のような
合金が通している。その際に大きいほうの飽和磁化M 
S +が1000kA/mを越える値、好ましくは11
00kA/mを越える値を有し、他方において小さいほ
うの飽和磁化M S 2の値が900kA/m未満、好
ましくは800kA/m未満であることは有利である。
They should differ by a factor of 4. Materials for the magnetic films 9a and 10a are particularly suitable, for example "permalloy" or alloys such as amorphous CoZr or CoHf alloys. At that time, the larger saturation magnetization M
S + exceeds 1000 kA/m, preferably 11
00 kA/m, while the smaller saturation magnetization M S 2 has a value of less than 900 kA/m, preferably less than 800 kA/m.

“パーマロイ”はたとえば800kA/mのオーダーの
飽和磁化を有し、他方において前記の2成分の無定形材
料の飽和磁化は1100kA/mのオーダーである。場
合によっては、より高い飽和磁化M S Iを有する3
成分の無定形合金を使用することも考えられる。その際
に個々の膜の飽和磁化Msは周知の仕方で製造条件によ
り、または合金組成の選定により影響され得る。
"Permalloy", for example, has a saturation magnetization of the order of 800 kA/m, while the saturation magnetization of the two-component amorphous material is of the order of 1100 kA/m. In some cases, 3 with higher saturation magnetization M S I
It is also conceivable to use amorphous alloys of the components. The saturation magnetization Ms of the individual membranes can then be influenced in a known manner by the manufacturing conditions or by the selection of the alloy composition.

さらに第4図かられかるように、磁脚工および二の各々
は、端範囲11または12により占められる範囲の外側
に追加的な比較的厚い磁性膜9bまたは10bを設けら
れていてよく、その際にこれらの磁性膜は特にコイル巻
線18を有する中央範囲15を覆う。これらの追加的な
磁性膜9bおよび10bの厚みはd3またはd4で示さ
れている。これらの追加的な磁性膜が導磁体8のなかの
磁気抵抗を減少させる役割をし、さらに書込み磁界の分
布を所望のように非対称にするのに利用されることは有
利である。
Furthermore, as can be seen from FIG. 4, each of the magnetic pedestals and two may be provided with an additional relatively thick magnetic film 9b or 10b outside the area occupied by the end area 11 or 12. These magnetic films in particular cover the central region 15 with the coil winding 18 . The thickness of these additional magnetic films 9b and 10b is indicated by d3 or d4. Advantageously, these additional magnetic films serve to reduce the reluctance in the conductor 8 and are furthermore utilized to make the distribution of the write field asymmetry as desired.

この所望の非対称性は個々の磁性膜の厚みまたはその材
料の飽和磁化の選定により達成される。
This desired asymmetry is achieved by selecting the thickness of the individual magnetic films or the saturation magnetization of their materials.

すなわち、高い飽和磁化MsIを有する先行の磁脚工の
磁性膜9aの膜[d+が、場合によっては、後続の磁脚
10の低いほうの飽和磁化Ms2を有する磁性膜10a
の膜J!!d2よりも大きく選定されることは有利であ
る。さらに、先行の磁脚工の追加的な磁性膜9bに対し
て、後続の磁脚10の追加的な磁性膜10bの材料の飽
和磁化Ms4よりも大きい飽和磁化Ms3を有する材料
を使用することは有利である。図示されている実施例で
は、磁性H’!!9bおよびlObに対して、それらに
それぞれ隣接する磁性膜9aまたはloaと同一の材料
が使用されると仮定されているので、M s 3 =M
sIかつM S 4 = Ms 2が成り立っている。
That is, the film [d+] of the magnetic film 9a of the preceding magnetic leg having a high saturation magnetization MsI may be the same as the magnetic film 10a of the succeeding magnetic leg 10 having a lower saturation magnetization Ms2, depending on the case.
Membrane J! ! Advantageously, it is selected to be larger than d2. Furthermore, it is not possible to use a material having a saturation magnetization Ms3 larger than the saturation magnetization Ms4 of the material of the additional magnetic film 10b of the subsequent magnetic leg 10 for the additional magnetic film 9b of the preceding magnetic leg 10. It's advantageous. In the illustrated embodiment, the magnetic H'! ! Since it is assumed that the same material is used for 9b and lOb as the magnetic film 9a or loa adjacent to them, respectively, M s 3 =M
sI and M S 4 = M S 2 holds true.

しかし、それとは異なる飽和磁化を有する材料を選定す
ることもできる。
However, it is also possible to select a material with a different saturation magnetization.

第4図に示されている磁気ヘッドHの個々の磁性膜の少
なくともいくつかに対して、予め定められた飽和磁化と
ならんで相異なる透磁率を有する材料を使用することは
特に有利である。その際に材料の可逆i3磁率が基礎と
される。すなわち、特に先行の磁脚工の間隙13を画定
する磁性膜9aに対して、後続の磁脚10の間隙13を
画定する磁性膜10aの透磁率μr2よりも大きい透磁
率μrlを有する材料を選定し得る。この対策により磁
性膜10aは高い書込み電流Iの際に追加的な磁束をも
はや受は入れ得ないので、書込み電流lのそれ以上の上
昇は、はるかに大きい飽和磁化Mslを有する材料から
成る他方の磁脚工の磁性膜9aが書込み機能をすること
に通ずる。それに対して読出しの際には周知のように記
録媒体Aの記憶膜6から出る磁界が比較的小さいので、
この磁界は小さいほうの飽和磁化M s 2を有する材
料から成る磁性膜10aは飽和状態に駆動され得ない。
It is particularly advantageous to use materials with different magnetic permeabilities in addition to a predetermined saturation magnetization for at least some of the individual magnetic films of the magnetic head H shown in FIG. The basis here is the reversible i3 magnetic flux of the material. That is, in particular, for the magnetic film 9a that defines the gap 13 of the preceding magnetic leg, a material is selected that has a magnetic permeability μrl larger than the magnetic permeability μr2 of the magnetic film 10a that defines the gap 13 of the subsequent magnetic leg 10. It is possible. Due to this measure, the magnetic film 10a can no longer accept an additional magnetic flux at high write currents I, so that a further increase in the write current l is limited by the magnetic film 10a, which is made of a material with a much higher saturation magnetization Msl. This leads to the fact that the magnetic film 9a of the magnetic leg has a writing function. On the other hand, during reading, as is well known, the magnetic field emitted from the storage film 6 of the recording medium A is relatively small.
This magnetic field cannot drive the magnetic film 10a made of a material having a smaller saturation magnetization M s 2 to a saturated state.

その結果、この磁性膜によっても読出し機能が行われる
。すなわち、読出しの際に磁気ヘッド1↓は通常のリン
グヘッドとして周知の良好な効率で作動する。
As a result, this magnetic film also performs a read function. That is, during reading, the magnetic head 1↓ operates with the well-known good efficiency as a normal ring head.

磁気ヘッド1±のこの特徴的な作動の仕方を保証するた
め、すなわち先行の磁脚工により書込まれた情報が後続
の磁脚10により重さね書きされるのを回避するため、
本発明によるこの磁気記憶装置では同じく、記憶媒体へ
の記憶膜6の保磁力Hcが、走り去る磁極Mp2の磁界
が記憶膜6に書込むのにもはや十分でないように高く選
定されている。相応の磁界比が第5図に一層詳細に示さ
れている。その際に保磁力Hcの絶対値は少なくとも3
0kA/m、好ましくは少なくとも60kA / mで
あるべきである。
In order to ensure this characteristic manner of operation of the magnetic head 1±, that is, to avoid overwriting of information written by a preceding magnetic leg 10 by a subsequent magnetic leg 10,
In this magnetic storage device according to the invention, the coercive force Hc of the storage film 6 on the storage medium is also selected so high that the magnetic field of the running away magnetic pole Mp2 is no longer sufficient to write into the storage film 6. The corresponding magnetic field ratios are shown in more detail in FIG. At that time, the absolute value of the coercive force Hc is at least 3
It should be 0 kA/m, preferably at least 60 kA/m.

第5図には、両磁極MplおよびMp2により発生され
る磁界の強さHが磁気ヘッドの運動方向Vの広がりXに
関係して示されている。その際に磁界の強さは記録媒体
の表面において法線方向(X方向)に測られている。さ
らに第5図には先行の磁極Mplおよび後続の磁極Mp
2の輪郭が、寸法的には正しくないが、概要を示されて
いる。
In FIG. 5, the strength H of the magnetic field generated by the magnetic poles Mpl and Mp2 is shown in relation to the extent X in the direction of movement V of the magnetic head. At this time, the strength of the magnetic field is measured in the normal direction (X direction) on the surface of the recording medium. Furthermore, FIG. 5 shows a leading magnetic pole Mpl and a following magnetic pole Mp.
2 is shown schematically, although not dimensionally correct.

第5図かられかるように、磁界の強さHyは主として先
行の磁極Mplに帰するべき際立った(負の)極小Hm
lnを有する。この掻小は明らかに記憶膜6の相応の(
負の)切換磁界“−Hc゛を下廻っている。ここで、破
線で示されているこの切換磁界“−Hc”は、記憶膜6
内の切換磁化を行うのにまさに十分な磁界を意味する。
As can be seen from FIG.
It has ln. This scratch clearly corresponds to the memory film 6 (
The switching magnetic field "-Hc" (negative) is below the switching magnetic field "-Hc".Here, this switching magnetic field "-Hc" shown by the broken line is
means just enough magnetic field to effect switching magnetization within.

理想的な場合には、この切換磁界は記憶膜の材料の相応
の保磁力に相当する。しかし、一般には、それかられず
かな値だけ偏差している。しかし、第5図には、切換磁
界が保磁力HCに等しい理想的な場合が示されている。
In the ideal case, this switching field corresponds to the corresponding coercivity of the material of the storage film. However, it generally deviates from this by a small amount. However, FIG. 5 shows the ideal case where the switching field is equal to the coercive force HC.

さらに第5図かられかるように、磁界の強さH7の曲線
は、極小Hmlnと、切換磁界“−Hc”との交点Sと
の間に非常に急峻な経過が生ずるという有利な事実を示
している。このことは、磁気ヘッドが、第5図中に磁界
の強さの曲線を太(することにより強調されている磁極
MplとMp2との間のこの非常に急峻なスロープF′
により書込むことを意味する。すなわち、X方向のこの
スロープF′の広がりを示すいわゆる磁気的移行長さU
が公知の磁気ヘッドの走り去る縁による従来公知の書込
みに(らべてはるかに短縮されている。さらに第5図か
ら、後続の磁極Mp2による書込みは実際上可能でない
という事実がわかる。すなわち、この磁極に帰するべき
磁界の強さH7の曲線部分の極大)1maxは、破線で
示されている相応の負の切換磁界“+Hc”よりもはる
かに小さい。すなわち本発明による記憶装置の記録媒体
Aの記憶膜6に対しては、相応に高い切換磁界を生ずる
保磁力HCを有する材料を選定すべきである。そのため
に通した材料は一般に知られている(たとえば前記のヨ
ーロッパ特許第0120413号および第005426
9号明細書を参照)。
Furthermore, as can be seen from FIG. 5, the curve of the magnetic field strength H7 exhibits the advantageous fact that a very steep course occurs between the minimum Hmln and the point of intersection S with the switching field "-Hc". ing. This means that the magnetic head has this extremely steep slope F' between the magnetic poles Mpl and Mp2, which is emphasized by thickening the magnetic field strength curve in FIG.
means to write by. That is, the so-called magnetic transition length U indicating the extension of this slope F' in the X direction
is much shorter than the previously known writing by the running edge of the known magnetic head. Furthermore, it can be seen from FIG. 5 that writing by the subsequent magnetic pole Mp2 is practically not possible. The maximum of the curve section of the magnetic field strength H7 to be attributed to the magnetic pole ()1max is much smaller than the corresponding negative switching field "+Hc", which is indicated by the dashed line. That is, for the storage film 6 of the recording medium A of the storage device according to the invention, a material should be selected that has a coercive force HC that produces a correspondingly high switching field. The materials used for this purpose are generally known (e.g. European Patents Nos. 0120413 and 005426 mentioned above).
(See Specification No. 9).

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明による記憶装置の1つの実施例の概要図
、第2図は第1図による記憶装置の磁気ヘッドにより発
生される垂直磁界成分を示す図、第3図は相応の磁化比
を示す図、第4図は本発明による記憶装置の他の実施例
の概要図、第5図は第4ヌ1による記憶装置の磁気ヘッ
ドにより発生される垂直磁界成分を示す図である。 ■・・・磁気ヘッド、3・・・基板、6・・・記(Q膜
′ミ゛1・・・導磁体、ユ・・・先行の磁脚、9a、9
b・・・磁性膜、土■・・・後続の磁脚、10a、10
b・・・磁性膜、11.12.12′、12“・・・磁
脚の端範囲、13・・・空隙、15・・・中央範囲、1
6・・・接続範囲、17・・・中間空間、18・・・コ
イル巻線、22・・・エツチング凹み、24・・・磁気
ヘッド。 tsH8)代理人プを理士富村 瀉 。
FIG. 1 is a schematic diagram of one embodiment of the storage device according to the invention, FIG. 2 is a diagram showing the perpendicular magnetic field components generated by the magnetic head of the storage device according to FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram showing the corresponding magnetization ratio. FIG. 4 is a schematic diagram of another embodiment of the storage device according to the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing the perpendicular magnetic field component generated by the magnetic head of the storage device according to No. 4. ■... Magnetic head, 3... Substrate, 6... Note (Q film' 1... Magnetic conductor, Y... Leading magnetic leg, 9a, 9
b...Magnetic film, soil ■...Subsequent magnetic leg, 10a, 10
b... Magnetic film, 11.12.12', 12''... End range of magnetic leg, 13... Air gap, 15... Center range, 1
6... Connection range, 17... Intermediate space, 18... Coil winding, 22... Etching recess, 24... Magnetic head. tsH8) The agent was Rishi Tomimura.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)非磁性の基板の上に層状に構成された薄膜磁気ヘッ
ドと、予め定められた保磁力を有する材料から成りトラ
ックに沿って情報を垂直磁化により書込まれれる磁化可
能な記憶膜を設けられている記録媒体とを有しており、
磁気ヘッドが磁束を導くリングヘッド状の導磁体を有し
ており、この導磁体が2つの磁脚を有し、 2つの磁脚がそれぞれ予め定められた磁気特性を有する
少なくとも1つの磁性膜を有し、2つの磁脚の記録媒体
のほうを向いた磁極が、ヘッドの(相対的な)運動方向
に見て、相前後して配置されており、その際に予め定め
られた幅の間隙が構成されており、 また、2つの磁脚が磁極範囲の外側にあって中間空間を
画定し、この中間空間を通って書込みおよび(または)
読出しコイルの巻線が延びている 磁気記憶装置において、 運動方向(v)に見て後続の磁脚(¥10¥)の少なく
とも1つの磁性膜(10a)が少なくともその磁極(M
p2)を構成する端範囲(12、12′、12″)内で
その磁気特性(磁気抵抗R_M_2;飽和磁化M_s_
2)に関して、先行の磁脚(¥9¥)の少なくともその
磁極(Mp1)を構成する端範囲(11)内の少なくと
も1つの磁性膜(9a)とくらべて異なっており、 また、記録媒体(A)の記憶膜(6)の材料の保磁力(
H_c)が十分に高く選定されており、従って、後続の
磁脚(¥10¥)の磁極(Mp2)に生じさせるべき磁
界による記憶媒体(A)の重さね書きが少なくともほと
んど排除されている ことを特徴とする磁気記憶装置。 2)後続の磁脚(¥10¥)の磁性膜(10a)が少な
くともその磁極(Mp2)を構成する端範囲(12、1
2′、12″)内で比較的高い磁気抵抗(R_M_2)
を有し、また先行の磁脚(¥9¥)の磁性膜(9a)が
少なくともその磁極(Mp1)を構成する端範囲(11
)内で、後続の磁脚(10)の磁性膜(10a)の比較
的高い磁気抵抗(R_M_2)よりも予め定められた大
きさだけ低い磁気抵抗(R_M_1)を有することを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気記憶装置。 3)関係式 |H_s_2|≦2・H_c−|H_s_1|ここで、
H_s_1およびH_s_2は、磁気ヘッド(¥2¥)
により記憶膜(6)の表面に発生される磁界の垂直成分
の、先行の磁脚(¥9¥)の磁極(Mp1)または後続
の磁脚(¥10¥)の磁極(Mp2)に対応付けられて
いる波高値である が成り立つように、保磁力(H_c)が予め定められた
値を有する材料から成る記憶膜(6)が設けられている
ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の磁気記憶
装置。 4)磁脚(¥9¥、¥10¥)の磁性膜(9a、10a
)がその磁極(Mp1、Mp2)を構成する端範囲(1
1;12、12′;12″)内で、少なくとも2倍だけ
値が相異なる磁気抵抗(R_M_1、R_M_2)を有
することを特徴とする特許請求の範囲第2項または第3
項記載の磁気記憶装置。 5)後続の磁脚(¥10¥)の磁極(Mp2)を構成す
る磁性膜(10a)が、特にその端範囲(12、12′
、12″)の記憶媒体(A)と反対のほうを向いた端に
、磁気抵抗(R_M_2)を高くする横断面減少部(エ
ッチング凹み22)を有することを特徴とする特許請求
の範囲第2項ないし第4項のいずれか1項に記載の磁気
記憶装置。 6)先行の磁脚(¥9¥)が少なくともその磁極(Mp
1)の範囲内で、予め定められた比較的高い飽和磁化(
M_s_1)を有する材料から成る少なくとも1つの磁
性膜(9a)から成っており、また後続の磁脚(¥10
¥)が少なくともその磁極(Mp2)の範囲(12)内
に、先行の磁脚(¥9¥)の磁性膜(9a)の比較的高
い飽和磁化(M_s_1)よりも予め定められた大きさ
だけ低い飽和磁化(M_s_2)を有する材料から成る
少なくとも1つの磁性膜(10a)を有しており、従っ
て少なくとも後続の磁極(Mp2)の範囲(12)が書
込み機能の際にコイル(18)を流れる書込み電流(I
)に基づいて磁気飽和状態に駆動されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の磁気記憶装置。 7)磁気ヘッド(¥2¥)の磁脚(¥9¥、¥10¥)
の少なくとも1つが、予め定められた飽和磁化(M_s
_1、M_s_2)を有する材料から成る第1の磁性膜
(9a、10a)のほかに、その磁極(Mp1、Mp2
)の範囲(11、12)の外側に少なくとも1つの追加
的な磁性膜(9b、10b)を有することを特徴とする
特許請求の範囲第6項記載の磁気記憶装置。 8)先行の磁脚(¥9¥)の磁極(Mp1)を形成する
磁性膜(9a)が少なくとも1000kA/m、好まし
くは1100kA/mよりも大きい飽和磁化(M_s_
1)を有する材料から成っていることを特徴とする特許
請求の範囲第6項または第7項記載の磁気記憶装置。 9)後続の磁脚(¥10¥)の磁極(Mp2)を形成す
る磁性膜(10a)が少なくとも900kA/mよりも
小さい、好ましくは800kA/mよりも小さい飽和磁
化(M_s_2)を有する材料から成っていることを特
徴とする特許請求の範囲第6項ないし第8項のいずれか
1項に記載の磁気記憶装置。 10)先行の磁脚(¥9¥)の磁極(Mp1)を形成す
る磁性膜(9a)が、後続の磁脚(¥10¥)の磁極(
Mp2)を形成する磁性膜(10a)の飽和磁化(M_
s_2)の値よりも少なくとも1.4倍だけ大きい値の
飽和磁化(M_s_1を有する材料から成っていること
を特徴とする特許請求の範囲第6項ないし第9項のいず
れか1項に記載の磁気記憶装置。 11)磁気ヘッド(¥24¥)の両磁脚(¥9¥、¥1
0¥)が、相異なる飽和磁化(M_s_3またはM_s
_4)を有する材料から成るそれぞれ1つの追加的な磁
性膜(9bまたは10b)を有し、その際に先行の磁脚
(1)の追加的な磁性膜(9b)の飽和磁化(M_s_
3)は後続の磁脚(¥10¥)の追加的な磁性膜(10
b)の飽和磁化(M_s_4)よりも大きいことを特徴
とする特許請求の範囲第6項ないし第10項のいずれか
1項に記載の磁気記憶装置。 12)両磁脚(¥9¥、¥10¥)の磁性膜(9a、1
0a)が少なくともそのそれぞれの磁極(Mp1または
Mp2)を構成する端範囲(11または12、12′、
12″)内でそれぞれ、運動方向(v)に測って、2μ
mよりも小さい、特に1μmよりも小さい、好ましくは
0.7μmよりも小さい膜厚(d_1またはd_2)を
有することを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第
11項のいずれか1項に記載の磁気記憶装置。 13)先行の磁脚(¥9¥)の磁性膜(9a)が少なく
ともその磁極(Mp1)を構成する端範囲(11)内で
、運動方向(v)に測って、後続の磁脚(¥10¥)が
少なくともその磁極(Mp2)を構成する端範囲(12
、12′、12″)内で有する厚み(d_2)よりも大
きい厚み(d_1)を有することを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第12項のいずれか1項に記載の磁
気記憶装置。 14)磁気ヘッド(¥2¥、¥24¥)の導磁体(¥8
¥)の磁性膜(9a、9b、10a、10b)の少なく
ともいくつかが、相異なる可逆透磁率(μ_r_1、μ
_r_2)を有する材料から成っていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項ないし第13項のいずれか1項
に記載の磁気記憶装置。 15)先行の磁脚(¥9¥)の磁性膜(9a)の材料が
少なくともその磁極(Mp1)を構成する端範囲(11
)内で少なくとも後続の磁脚(¥10¥)の相応の端範
囲(12)内の磁性膜(10a)の材料よりも大きい(
可逆)透磁率(μ_r_1)を有することを特徴とする
特許請求の範囲第14項記載の磁気記憶装置。 16)両磁脚(¥9¥、¥10¥)の相異なる(可逆)
透磁率(μ_r_1、μ_r_2)の値が少なくとも2
倍だけ、好ましくは5倍だけ異なっていることを特徴と
する特許請求の範囲第15項記載の磁気記憶装置。 17)比較的大きいほうの(可逆)透磁率(μ_r_1
)が1000よりも大きい、好ましくは3000よりも
大きいことを特徴とする特許請求の範囲第15項または
第16項記載の磁気記憶装置。 18)比較的小さいほうの(可逆)透磁率(μ_r_2
)が1000よりも小さい値を有することを特徴とする
特許請求の範囲第15項ないし第17項のいずれか1項
に記載の磁気記憶装置。 19)磁気ヘッド(¥2¥、¥24¥)の両磁脚(¥9
¥、¥10¥)がそれぞれ追加的な磁性膜(9bまたは
10b)を有することを特徴とする特許請求の範囲第1
項ないし第18項のいずれか1項に記載の磁気記憶装置
。 20)記録媒体(A)の記憶膜(6)が、少なくとも2
0kA/m、好ましくは少なくとも60kA/mの絶対
値の保磁力(H_c)を有する材料から成っていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第19項のい
ずれか1項に記載の磁気記憶装置。 21)記憶媒体(A)の記憶膜(6)が軟磁性材料から
成る下膜(7)の上に配置されていることを特徴とする
特許請求の範囲第1項ないし第20項のいずれか1項に
記載の磁気記憶装置。 22)下膜(7)がNi−Fe合金または無定形CoZ
rまたはCoHf合金から成っていることを特徴とする
特許請求の範囲第21項記載の磁気記憶装置。
[Claims] 1) A thin-film magnetic head constructed in layers on a non-magnetic substrate, and a magnetized head made of a material having a predetermined coercive force, in which information is written along a track by perpendicular magnetization. and a recording medium provided with a possible storage film,
The magnetic head has a ring-head-shaped magnetic conductor that guides magnetic flux, the magnetic conductor has two magnetic legs, and each of the two magnetic legs has at least one magnetic film having predetermined magnetic properties. and the magnetic poles of the two magnetic legs pointing towards the recording medium are arranged one after the other, viewed in the direction of (relative) movement of the head, with a gap of a predetermined width. is configured, and two magnetic legs are located outside the magnetic pole range to define an intermediate space through which writing and/or
In a magnetic storage device in which the winding of a readout coil extends, at least one magnetic film (10a) of a trailing magnetic leg (10a) when viewed in the direction of movement (v) is arranged so that at least one of its magnetic poles (M
p2) within the end ranges (12, 12', 12'') of which the magnetic properties (magnetic resistance R_M_2; saturation magnetization M_s_
Regarding 2), it is different from at least one magnetic film (9a) in the end range (11) constituting at least the magnetic pole (Mp1) of the preceding magnetic leg (¥9¥), and the recording medium ( Coercive force of the material of the memory film (6) in A)
H_c) is selected to be sufficiently high, so that overwriting of the storage medium (A) by the magnetic field to be generated in the magnetic pole (Mp2) of the subsequent magnetic leg (¥10¥) is at least almost eliminated. A magnetic storage device characterized by: 2) The magnetic film (10a) of the subsequent magnetic leg (¥10) is located at least in the end range (12, 1) constituting its magnetic pole (Mp2).
2′, 12″) relatively high magnetic resistance (R_M_2)
, and the magnetic film (9a) of the preceding magnetic leg (¥9) extends at least to the end range (11) constituting the magnetic pole (Mp1).
), the magnetic film (10a) of the subsequent magnetic leg (10) has a magnetic resistance (R_M_1) lower by a predetermined amount than the relatively high magnetic resistance (R_M_2) of the magnetic film (10a). The magnetic storage device according to item 1. 3) Relational expression |H_s_2|≦2・H_c−|H_s_1|where,
H_s_1 and H_s_2 are magnetic heads (¥2¥)
The vertical component of the magnetic field generated on the surface of the memory film (6) is associated with the magnetic pole (Mp1) of the preceding magnetic leg (¥9) or the magnetic pole (Mp2) of the succeeding magnetic leg (¥10). Claim 2, characterized in that a memory film (6) made of a material having a coercive force (H_c) having a predetermined value is provided so that the peak value is satisfied. Magnetic storage device as described. 4) Magnetic film (9a, 10a) of magnetic leg (¥9, ¥10)
) constitutes the magnetic poles (Mp1, Mp2) of the end range (1
1; 12, 12';12''), the magnetoresistances (R_M_1, R_M_2) differ by at least twice in value.
Magnetic storage device as described in . 5) The magnetic film (10a) constituting the magnetic pole (Mp2) of the subsequent magnetic leg (¥10¥) is particularly close to its end range (12, 12')
, 12'') facing away from the storage medium (A) has a cross-sectional reduction (etching recess 22) which increases the magnetic resistance (R_M_2). The magnetic storage device according to any one of Items 6 to 4. 6) The preceding magnetic leg (¥9) has at least its magnetic pole (Mp
Within the range of 1), a predetermined relatively high saturation magnetization (
M_s_1) consisting of at least one magnetic film (9a) of a material with
¥) is at least within the range (12) of its magnetic pole (Mp2) by a predetermined magnitude higher than the relatively high saturation magnetization (M_s_1) of the magnetic film (9a) of the preceding magnetic leg (¥9¥). It has at least one magnetic membrane (10a) consisting of a material with a low saturation magnetization (M_s_2) so that at least a range (12) of subsequent magnetic poles (Mp2) flows through the coil (18) during a write function. Write current (I
2. The magnetic storage device according to claim 1, wherein the magnetic storage device is driven to a magnetic saturation state based on the following. 7) Magnetic leg of magnetic head (¥2¥) (¥9¥, ¥10¥)
at least one of them has a predetermined saturation magnetization (M_s
In addition to the first magnetic films (9a, 10a) made of a material having magnetic poles (Mp1, Mp2)
7. Magnetic storage device according to claim 6, characterized in that it has at least one additional magnetic film (9b, 10b) outside the range (11, 12) of ). 8) The magnetic film (9a) forming the magnetic pole (Mp1) of the preceding magnetic leg (¥9¥) has a saturation magnetization (M_s_) of at least 1000 kA/m, preferably greater than 1100 kA/m.
1) The magnetic storage device according to claim 6 or 7, characterized in that the magnetic storage device is made of a material having the following properties. 9) The magnetic film (10a) forming the magnetic pole (Mp2) of the subsequent magnetic leg (¥10¥) is made of a material having a saturation magnetization (M_s_2) of at least less than 900 kA/m, preferably less than 800 kA/m. A magnetic storage device according to any one of claims 6 to 8, characterized in that: 10) The magnetic film (9a) forming the magnetic pole (Mp1) of the preceding magnetic leg (¥9) is the same as the magnetic pole (Mp1) of the succeeding magnetic leg (¥10).
Saturation magnetization (M_
9. The magnet according to any one of claims 6 to 9, characterized in that it is made of a material having a saturation magnetization (M_s_1) at least 1.4 times greater than the value of s_2). Magnetic storage device. 11) Both magnetic legs (¥9, ¥1) of magnetic head (¥24)
0¥) but different saturation magnetizations (M_s_3 or M_s
_4), in each case one additional magnetic film (9b or 10b) of a material with a saturation magnetization (M_s_
3) is an additional magnetic film (10 yen) of the subsequent magnetic leg (10 yen)
The magnetic storage device according to any one of claims 6 to 10, which is larger than the saturation magnetization (M_s_4) of (b). 12) Magnetic film (9a, 1
0a) constitutes at least its respective magnetic pole (Mp1 or Mp2) (11 or 12, 12',
12″), each measured in the direction of movement (v), 2μ
According to any one of claims 1 to 11, characterized in that the film has a film thickness (d_1 or d_2) smaller than m, in particular smaller than 1 μm, preferably smaller than 0.7 μm. Magnetic storage device as described. 13) The magnetic film (9a) of the preceding magnetic leg (¥9) at least within the end range (11) constituting its magnetic pole (Mp1), measured in the direction of movement (v), 10 yen) constitutes at least its magnetic pole (Mp2) (12
, 12', 12''), the magnetic storage device according to any one of claims 1 to 12, wherein the magnetic storage device has a thickness (d_1) larger than a thickness (d_2) within 14) Magnetic conductor (¥8) of magnetic head (¥2¥, ¥24¥)
At least some of the magnetic films (9a, 9b, 10a, 10b) of ¥) have different reversible magnetic permeabilities (μ_r_1, μ
_r_2) The magnetic storage device according to any one of claims 1 to 13, characterized in that the magnetic storage device is made of a material having _r_2). 15) The material of the magnetic film (9a) of the preceding magnetic leg (¥9¥) forms at least the end range (11
) which is at least larger than the material of the magnetic film (10a) within the corresponding end range (12) of the subsequent magnetic leg (¥10¥).
15. The magnetic storage device according to claim 14, wherein the magnetic storage device has a reversible magnetic permeability (μ_r_1). 16) Different magnetic legs (¥9¥, ¥10¥) (reversible)
The value of magnetic permeability (μ_r_1, μ_r_2) is at least 2
16. Magnetic storage device according to claim 15, characterized in that they differ by a factor of 5, preferably by a factor of 5. 17) Relatively larger (reversible) magnetic permeability (μ_r_1
) is greater than 1000, preferably greater than 3000. 18) Relatively smaller (reversible) magnetic permeability (μ_r_2
) has a value smaller than 1000, the magnetic storage device according to any one of claims 15 to 17. 19) Both magnetic legs (¥9) of magnetic head (¥2¥, ¥24¥)
¥, ¥10¥) each have an additional magnetic film (9b or 10b)
19. The magnetic storage device according to any one of Items 1 to 18. 20) The storage film (6) of the recording medium (A) has at least two
20. The magnet according to claim 1, characterized in that it is made of a material having a coercive force (H_c) of an absolute value of 0 kA/m, preferably at least 60 kA/m. Magnetic storage device. 21) Any one of claims 1 to 20, characterized in that the storage film (6) of the storage medium (A) is disposed on a lower film (7) made of a soft magnetic material. The magnetic storage device according to item 1. 22) Lower film (7) is Ni-Fe alloy or amorphous CoZ
22. The magnetic storage device according to claim 21, wherein the magnetic storage device is made of r or CoHf alloy.
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