JPS62149181A - リング・レ−ザ・ジヤイロ - Google Patents
リング・レ−ザ・ジヤイロInfo
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- JPS62149181A JPS62149181A JP29021685A JP29021685A JPS62149181A JP S62149181 A JPS62149181 A JP S62149181A JP 29021685 A JP29021685 A JP 29021685A JP 29021685 A JP29021685 A JP 29021685A JP S62149181 A JPS62149181 A JP S62149181A
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- Japan
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- substrate
- film
- concave
- multilayer film
- dielectric multilayer
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/083—Ring lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、航空機搭載用の慣性航法装置に使用するリ
ング・レーザ・ジャイロに係り、特にその凹面ばラーに
関する。
ング・レーザ・ジャイロに係り、特にその凹面ばラーに
関する。
一般に、航空機搭載用の慣性航法装置に使用するリング
・レーザ・ジャイロは、レーザ光を利用した最も高度な
センサーであシ、その原理は次の如くである。
・レーザ・ジャイロは、レーザ光を利用した最も高度な
センサーであシ、その原理は次の如くである。
即ち、環状に構成された光路内において、互いに逆方向
に進行するレーデ光を発振させ、装置全体が回転すると
、それら２つの進行波に光路差が生じる＜Ｖニヤツク効
果）。この光路差は、２つの反対方向の進行波間に周波
数差を生じさせ、両方の進行波を重ね合せると、ビート
周波数を持った干渉縞が生じる。このビート周波数と検
出器で読取シ、回転角度を測定するものである。
に進行するレーデ光を発振させ、装置全体が回転すると
、それら２つの進行波に光路差が生じる＜Ｖニヤツク効
果）。この光路差は、２つの反対方向の進行波間に周波
数差を生じさせ、両方の進行波を重ね合せると、ビート
周波数を持った干渉縞が生じる。このビート周波数と検
出器で読取シ、回転角度を測定するものである。
又、リング・レーザージャイロは、従来の機械的なソヤ
イロと比較し、 （１）慣性質量が無いため、スイッチを入れてから測定
可能となる定常状態に達する時間が著しく短い。
イロと比較し、 （１）慣性質量が無いため、スイッチを入れてから測定
可能となる定常状態に達する時間が著しく短い。
（２）機械的な摩擦、潤滑等が無いので、長寿命となる
。
。
（３） デジタル出力であり、制御しようとする系に
直接取付は可能である（ストラッグ・ダウン方式）。
直接取付は可能である（ストラッグ・ダウン方式）。
（４＋ 安価、高信頼性を達成すれば、複数個分散し
て配置することによυ、事故に対する安全性の著しく高
いシステム全設計することが出来る。
て配置することによυ、事故に対する安全性の著しく高
いシステム全設計することが出来る。
等の利点を有するだめ、航空機搭載用のストラップ・ダ
クン慣性航法装置に使用されているのは、周知のことで
おる。
クン慣性航法装置に使用されているのは、周知のことで
おる。
このようなり／グ・レーデ・ソヤイロは、従来、第３図
に示すように構成され、使用温度範囲（例えば−６０Ｃ
０〜−ｓ ｏ ’ｃ ）の領域で、熱膨張係数が極めて
小さいガラスからなるグロック１に、レーデ光の光路２
となる部分等、所望の箇所に切抜き加工が施されている
。内Ｗ１５１Ｋ−は、レーザ光を発振するためのカソー
ド３、アノード４．４が設けられている。中空部６には
、真空排気後、レーザ媒質として例えばヘリクム・ネオ
ン混合ガスが導入される。更に、レーデ発振を維持する
ため、ずラーが配設されている。
に示すように構成され、使用温度範囲（例えば−６０Ｃ
０〜−ｓ ｏ ’ｃ ）の領域で、熱膨張係数が極めて
小さいガラスからなるグロック１に、レーデ光の光路２
となる部分等、所望の箇所に切抜き加工が施されている
。内Ｗ１５１Ｋ−は、レーザ光を発振するためのカソー
ド３、アノード４．４が設けられている。中空部６には
、真空排気後、レーザ媒質として例えばヘリクム・ネオ
ン混合ガスが導入される。更に、レーデ発振を維持する
ため、ずラーが配設されている。
現在、提案されているリング・レーザ・ノヤイロとして
は、ミラーを３個（高反射側ばシー２個と出力側ばジー
１個）を用いた方式もあるが、装置全体を小形化可能で
ある第３図に示すごラーを４個用いた方式について述べ
る。
は、ミラーを３個（高反射側ばシー２個と出力側ばジー
１個）を用いた方式もあるが、装置全体を小形化可能で
ある第３図に示すごラーを４個用いた方式について述べ
る。
即ち、図中７．７は高反射側ミラーである。
又、８．８は出力側ばラーであシ、出力光は図示しない
検出器へ導かれ、夫々ビート周波数の検出並びに光路長
制御に用いられる。そして通常、高反射側ばラー７．７
は凹面基板上に、又、出力側ばラー８．８は平板状基板
上に夫々形成された誘電体多層膜よシなっている。尚、
高反射側ミラー７．７は、後述のように凹面部の周辺に
平坦部を有しておシ、この平坦部を介して光学的接触に
より本体１に取付けられている。
検出器へ導かれ、夫々ビート周波数の検出並びに光路長
制御に用いられる。そして通常、高反射側ばラー７．７
は凹面基板上に、又、出力側ばラー８．８は平板状基板
上に夫々形成された誘電体多層膜よシなっている。尚、
高反射側ミラー７．７は、後述のように凹面部の周辺に
平坦部を有しておシ、この平坦部を介して光学的接触に
より本体１に取付けられている。
そして、上記凹面基板及び平板状基板は、共に表面精度
が要求され、機械的な光学研磨法により裏作される。
が要求され、機械的な光学研磨法により裏作される。
ところで、す）グ・レーデ・ジャイロの性能は、ミラー
によるレーデ光の散乱に大きく依存する。散乱の発生す
る場所は、凹面基板に形成された高反射側ミラーについ
て説明すると、ミラーの構成要素である誘電体多層膜の
各層並びに凹面基板においてである。誘電体多層Ｕにお
いては、その膜質と各層間の界面が問題とな９、凹面基
板においては、凹面基板の内部（バルク）とその表面が
問題となる。リング・レーザ・ノヤイロの本体ブロック
１並ひに高反射側だラー７．７の凹面基板として用いら
れる低熱膨張係数のガラスは、線膨張係数が０〜５ Ｘ
１０−” ／ｄｅｇを有するゼロデーア（ショット社
の商品名）がある。そして、低熱膨張係数のガラスは、
脈理等の欠陥が多く、狭面研磨が難しいという欠点を有
する。更に凹面基板の場合には凹面のままであると本体
ＩＫミラーを取付けることは不可能であυ、周辺部を平
坦に光学研磨し、真壁による引力及び表面張力による光
学的接触により、本体１に高反射ミラー７．７と取付け
る。しかし、前述の如く、周辺の平坦部形成の研磨工程
において、研磨剤が凹面基板の凹部に集まる。
によるレーデ光の散乱に大きく依存する。散乱の発生す
る場所は、凹面基板に形成された高反射側ミラーについ
て説明すると、ミラーの構成要素である誘電体多層膜の
各層並びに凹面基板においてである。誘電体多層Ｕにお
いては、その膜質と各層間の界面が問題とな９、凹面基
板においては、凹面基板の内部（バルク）とその表面が
問題となる。リング・レーザ・ノヤイロの本体ブロック
１並ひに高反射側だラー７．７の凹面基板として用いら
れる低熱膨張係数のガラスは、線膨張係数が０〜５ Ｘ
１０−” ／ｄｅｇを有するゼロデーア（ショット社
の商品名）がある。そして、低熱膨張係数のガラスは、
脈理等の欠陥が多く、狭面研磨が難しいという欠点を有
する。更に凹面基板の場合には凹面のままであると本体
ＩＫミラーを取付けることは不可能であυ、周辺部を平
坦に光学研磨し、真壁による引力及び表面張力による光
学的接触により、本体１に高反射ミラー７．７と取付け
る。しかし、前述の如く、周辺の平坦部形成の研磨工程
において、研磨剤が凹面基板の凹部に集まる。
そして、上記研磨剤が凹面状のゼロデユア基板の表面に
損傷を与えるという欠点があった。
損傷を与えるという欠点があった。
即ち、ゼロデユア基板の表面の損傷が、レーデ光の散乱
の最も大きな原因である。
の最も大きな原因である。
又、誘電体多層膜を基板上に形成してミラーとした場合
にも、散乱の原因となる場所で最も問題となるのは、凹
面基板の表面、即ち、誘電体多層膜の基板側から数えて
第１層目との界面においてである。
にも、散乱の原因となる場所で最も問題となるのは、凹
面基板の表面、即ち、誘電体多層膜の基板側から数えて
第１層目との界面においてである。
以上、ゼロデユアのように、低熱膨張係数のガラス基板
を用い、単にその上に誘電体多層膜全形成すると、基板
、特に凹面基板の表面状態に起因する散乱の発生によっ
て性能の低下？招き、高信頼性のリング・レーザ・ノヤ
イロが得られないという欠点があった。
を用い、単にその上に誘電体多層膜全形成すると、基板
、特に凹面基板の表面状態に起因する散乱の発生によっ
て性能の低下？招き、高信頼性のリング・レーザ・ノヤ
イロが得られないという欠点があった。
この発明の目的は、低散乱のミラーを形成することによ
シ、以て高性能、高信頼のリング・レーザ・ジャイロを
提供することである。
シ、以て高性能、高信頼のリング・レーザ・ジャイロを
提供することである。
この発明は、周辺部に光学接合のだめの平坦部金有する
凹面基板上に形成された誘電体多層族よりなり、該誘電
体多層膜の上記凹面基板側第１層目が、上記凹面基板の
平坦部形成時の凹面部の研磨剤からの保護膜であり、特
にこの保護膜が五酸化タンタル又は酸化アルごニワムで
ある低散乱ばラーを有するリング・レーザ・ジャイロで
ある。
凹面基板上に形成された誘電体多層族よりなり、該誘電
体多層膜の上記凹面基板側第１層目が、上記凹面基板の
平坦部形成時の凹面部の研磨剤からの保護膜であり、特
にこの保護膜が五酸化タンタル又は酸化アルごニワムで
ある低散乱ばラーを有するリング・レーザ・ジャイロで
ある。
以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明するが、この発明は上記目的を達成するために、高反
射側ミラーを改良したもので、高反射側ばラーについて
のみ説明することにする。
明するが、この発明は上記目的を達成するために、高反
射側ミラーを改良したもので、高反射側ばラーについて
のみ説明することにする。
即ち、この発明のリング・レーザ・ジャイロで使用する
高反射側ばラーは、第１図に示すように溝成され、１１
は基板であり、この基板１１は低熱膨張係数のガラス例
えばショット社のゼロデユアが使用されている。そして
、誘電体多層膜が形成される面は、所定の曲率半径を持
つ凹面に形成されている。このような凹面基板１ノの凹
面の表面１４上には、誘電体多層膜１０が積層形成され
るが、この誘電体多層膜１０の凹面基板１１側第１層目
が保護膜１６となっている。つマフ、凹面基板１１の凹
面の表面１４上に、直ぐ保護膜１６が形成されている訳
である。この保護膜１６は研磨剤からの保護として働く
物質、例えば五酸化タンタルからなっている。この五酸
化タンタルは、高屈折率物質（屈折率は約２．２０）で
あるため、上記研磨剤からの保護膜としての作用のみな
らず、凹面基板１１上への誘電体多層膜１０を形成して
高反射側だラーとした場合の、第１層目の物質としても
作用させることも可能である。高反射側ばラーを形成す
る場合には、第３図からも明らかなように、入射光は４
５°で入射する。即ち、高屈折率物質１２と低屈折率物
質１３の交互層金主体とする誘電体多層膜１０の各層は
、入射角４５°で入射した場合の分光特性の高反射帯に
おいて、はぼ中央に６３２８＾が位置するように、各層
の膜厚は設計されている。膜厚精度を再現性良く形成す
るためには、膜形成中に膜厚モニタにより、制御する。
高反射側ばラーは、第１図に示すように溝成され、１１
は基板であり、この基板１１は低熱膨張係数のガラス例
えばショット社のゼロデユアが使用されている。そして
、誘電体多層膜が形成される面は、所定の曲率半径を持
つ凹面に形成されている。このような凹面基板１ノの凹
面の表面１４上には、誘電体多層膜１０が積層形成され
るが、この誘電体多層膜１０の凹面基板１１側第１層目
が保護膜１６となっている。つマフ、凹面基板１１の凹
面の表面１４上に、直ぐ保護膜１６が形成されている訳
である。この保護膜１６は研磨剤からの保護として働く
物質、例えば五酸化タンタルからなっている。この五酸
化タンタルは、高屈折率物質（屈折率は約２．２０）で
あるため、上記研磨剤からの保護膜としての作用のみな
らず、凹面基板１１上への誘電体多層膜１０を形成して
高反射側だラーとした場合の、第１層目の物質としても
作用させることも可能である。高反射側ばラーを形成す
る場合には、第３図からも明らかなように、入射光は４
５°で入射する。即ち、高屈折率物質１２と低屈折率物
質１３の交互層金主体とする誘電体多層膜１０の各層は
、入射角４５°で入射した場合の分光特性の高反射帯に
おいて、はぼ中央に６３２８＾が位置するように、各層
の膜厚は設計されている。膜厚精度を再現性良く形成す
るためには、膜形成中に膜厚モニタにより、制御する。
尚、具体的な高反射側ｉラ一の膜構成は、次の如くであ
る。
る。
Ｓ ｕ ｂ、 ｌ ３’ｒａ、 ０５ ・ＬＬ−Ｈ）”
・２Ｌｌ Ａｌ ｒここでＨは高屈折率物質、Ｌは低
屈折率物質であシ、光学的膜厚がλｎ／４ であること
を示す。
・２Ｌｌ Ａｌ ｒここでＨは高屈折率物質、Ｌは低
屈折率物質であシ、光学的膜厚がλｎ／４ であること
を示す。
そして上記高屈折率物質としては二酸化テタ／、上記低
屈折率物質としては二ば化シリコンを用いる。庇って、
基板側第１層目は光学的膜厚が７λ。の五酸化タンタル
の層である。
屈折率物質としては二ば化シリコンを用いる。庇って、
基板側第１層目は光学的膜厚が７λ。の五酸化タンタル
の層である。
次に、上記のような晶反射側ばラーの製造方法について
説明する。
説明する。
先ず、第２図（−）に示すように、低熱膨張係数のがラ
ス例えばショット社のゼロデーアからなる基板１ノの一
面には、所定の曲率半径を持つ凹面が形成されている。
ス例えばショット社のゼロデーアからなる基板１ノの一
面には、所定の曲率半径を持つ凹面が形成されている。
次に、同図（ｂ）に示すように、凹面基板１１の表面１
４には例えば五酸化タンタルからなる保護膜１６が形成
される。この場合、凹面基板１１上に形成される膜厚は
、装置内のモニタ位置、ト９−ム状の凹面基板１ノ、タ
ーゲット等の幾何学的位置により異なるが、発明者達は
、実験的にミラーの中心波長λ。＝６４００′ｋｆｃ既
に求めている。それ故、形成した光学的膜厚は、ばラー
としての第１層としても兼ねさせるため、ｎｄ＝礼／４
Ｘ３、即ち３／４波長光学的膜厚とした。ここでｎは五
酸化タンタルの屈折率、ｄは物理的膜厚である。ｎユ２
．２だから、ｄユ２１８０Ａとなる。
４には例えば五酸化タンタルからなる保護膜１６が形成
される。この場合、凹面基板１１上に形成される膜厚は
、装置内のモニタ位置、ト９−ム状の凹面基板１ノ、タ
ーゲット等の幾何学的位置により異なるが、発明者達は
、実験的にミラーの中心波長λ。＝６４００′ｋｆｃ既
に求めている。それ故、形成した光学的膜厚は、ばラー
としての第１層としても兼ねさせるため、ｎｄ＝礼／４
Ｘ３、即ち３／４波長光学的膜厚とした。ここでｎは五
酸化タンタルの屈折率、ｄは物理的膜厚である。ｎユ２
．２だから、ｄユ２１８０Ａとなる。
又、成膜条件は、次の如くである。
即ち、成膜装置の詳細は図示しないが、例えばス・ンノ
タ装置である。成膜は酸素とアルゴンの混合がス雰囲気
下で行なった。膜厚の制御は、ｆａｔば水晶振動子のモ
ニタの周波数変化を制御することにより行なった。
タ装置である。成膜は酸素とアルゴンの混合がス雰囲気
下で行なった。膜厚の制御は、ｆａｔば水晶振動子のモ
ニタの周波数変化を制御することにより行なった。
以上の方法により、同図（ｂ）に示すように、凹面基板
１ノ上に光学的膜厚が３／４λ０の五酸化タンタルから
なる保護膜１６が形成される。
１ノ上に光学的膜厚が３／４λ０の五酸化タンタルから
なる保護膜１６が形成される。
次に、同図（Ｃ）に示すように、保護膜１６の周辺部の
研磨を行ない平坦部１５を形成する。五酸化タンタルの
膜は、研磨剤に対して非常に強く、凹面部にはキズが付
かない。従って、五酸化タンタルの膜は、平坦部研磨工
程において、凹面基板１１の凹面部の保護の役目を果た
す。
研磨を行ない平坦部１５を形成する。五酸化タンタルの
膜は、研磨剤に対して非常に強く、凹面部にはキズが付
かない。従って、五酸化タンタルの膜は、平坦部研磨工
程において、凹面基板１１の凹面部の保護の役目を果た
す。
次に、同図（ｄ）に示すように、五酸化タンタルからな
る保護膜１６上に、高屈折率物質１２と低屈折率物質１
３の交互層を主体とする誘電体多層膜１０を形成するが
、その第１層目として保桟膜１６が既に形成されている
ため、低屈折率物質１３から成膜する。
る保護膜１６上に、高屈折率物質１２と低屈折率物質１
３の交互層を主体とする誘電体多層膜１０を形成するが
、その第１層目として保桟膜１６が既に形成されている
ため、低屈折率物質１３から成膜する。
又、ｖｊ誘電体多層膜形成方法に、例えばス／ぞツタリ
ング法でも良いし、電子ビームを用いた蒸着法あるいは
イオングレーティング法でも良い。ス・ゼッタリング法
による場合は、二酸化シリコン膜形成時には、アルゴン
・ガスのみを用いた成膜法で良いが、二酸化チタン膜形
成時には、酸素とアルゴンの混合ガスを放′亀した雰囲
気なかで成膜する。
ング法でも良いし、電子ビームを用いた蒸着法あるいは
イオングレーティング法でも良い。ス・ゼッタリング法
による場合は、二酸化シリコン膜形成時には、アルゴン
・ガスのみを用いた成膜法で良いが、二酸化チタン膜形
成時には、酸素とアルゴンの混合ガスを放′亀した雰囲
気なかで成膜する。
以上の工程により、第１図に示すように、凹面基板１１
上に第１層に研磨剤の保護となる五酸化タンタルからな
る保護膜１６が形成され、この保護膜１６上に誘電体多
層膜ｌＯが形成された高反射側ミラーが得られる。
上に第１層に研磨剤の保護となる五酸化タンタルからな
る保護膜１６が形成され、この保護膜１６上に誘電体多
層膜ｌＯが形成された高反射側ミラーが得られる。
この発明のリング・レーデ・ソヤイロは、上記のような
高反射側ミラーと出力側ミラーを夫々２個ずつ用いてい
るので、発振初期試験並びに寿命試験を行なった結果は
、極めて高性能かつ高信頼性のものが得られた。
高反射側ミラーと出力側ミラーを夫々２個ずつ用いてい
るので、発振初期試験並びに寿命試験を行なった結果は
、極めて高性能かつ高信頼性のものが得られた。
即ち、高反射側ごラーのヘリウム・ネオン・レーデ光の
６３２８λの波長における高透過率は、ノ２ワー・メー
タによる測定結果では、Ｏ，０１％以下であった。又、
散乱光の評価結果では、５０ ｐｐｍのものが得られた
。
６３２８λの波長における高透過率は、ノ２ワー・メー
タによる測定結果では、Ｏ，０１％以下であった。又、
散乱光の評価結果では、５０ ｐｐｍのものが得られた
。
尚、この発明の実施例では、研磨剤の保護膜１６として
の五酸化タンタルの光学的膜厚を３／４礼形成した場合
を例にとり詳述したが、λＱ／４Ｘ（２ｍ＋１ ）、（
但し、ｍ＝ｏ 、 １ 、２・）だけ形成すれば、ミラ
ーとしての用いる場合の誘電体多層膜の第１層目として
の役割を果たすことになる。又、光学的膜厚をλ。／４
ｘ２ｍ。
の五酸化タンタルの光学的膜厚を３／４礼形成した場合
を例にとり詳述したが、λＱ／４Ｘ（２ｍ＋１ ）、（
但し、ｍ＝ｏ 、 １ 、２・）だけ形成すれば、ミラ
ーとしての用いる場合の誘電体多層膜の第１層目として
の役割を果たすことになる。又、光学的膜厚をλ。／４
ｘ２ｍ。
（但し、ｍ＝０．１．２・・・）たけ形成すれば、保護
膜として作用した後、引き続き誘電体多層膜１０を高屈
折率物質１２から形成すれば良い。
膜として作用した後、引き続き誘電体多層膜１０を高屈
折率物質１２から形成すれば良い。
ｆｆｌ］ち、λ。／４の整数倍の光学的膜厚を形成して
おけば、引き続き多層膜を形成する場合の膜厚制御が容
易となり、ヘリウム・ネオン・レーザ光の６３２８人の
波長における所望の透過率乃至反射率を容易に制（ホ）
し得ることが可能である。
おけば、引き続き多層膜を形成する場合の膜厚制御が容
易となり、ヘリウム・ネオン・レーザ光の６３２８人の
波長における所望の透過率乃至反射率を容易に制（ホ）
し得ることが可能である。
又、上記実施例においては、研磨剤からの保護膜１６と
して五酸化メンタルの場合と例に取り詳述したが、他の
保＠膜１６の材料として酸化アルミニワムがあり、上記
五酸化タンタルの場合と同様に低散乱ミラーを提供する
ことが可能である。
して五酸化メンタルの場合と例に取り詳述したが、他の
保＠膜１６の材料として酸化アルミニワムがあり、上記
五酸化タンタルの場合と同様に低散乱ミラーを提供する
ことが可能である。
第１図はこの発明の一実施例に係るリング・レーデ・ノ
ヤイロで使用する高反射側ミラーを示す断面図、第２図
（ａ）〜（ｄ）は第１図の高反射側ミラーの製造方法を
示す工程説明図、第３図は従来及びこの発明全説明する
ために用いるリング・レーザ・ジャイロ？示す平面図で
ある。 ７．７・・・高反射側ミラー、８．８・・・出力側ミラ
ー、１０・・・誘電体多層膜、１１・・・凹面基板、１
２・・・高屈折率物質、１３・・・低屈折率物質、１４
・・・凹面基板の表面、１５・・・平坦部、１６・・・
保護膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 ］４ ＠２図
ヤイロで使用する高反射側ミラーを示す断面図、第２図
（ａ）〜（ｄ）は第１図の高反射側ミラーの製造方法を
示す工程説明図、第３図は従来及びこの発明全説明する
ために用いるリング・レーザ・ジャイロ？示す平面図で
ある。 ７．７・・・高反射側ミラー、８．８・・・出力側ミラ
ー、１０・・・誘電体多層膜、１１・・・凹面基板、１
２・・・高屈折率物質、１３・・・低屈折率物質、１４
・・・凹面基板の表面、１５・・・平坦部、１６・・・
保護膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 ］４ ＠２図
Claims (3)
- （１）少なくとも、周辺部に平坦部を有する凹面基板上
に誘電体多層膜を積層してなるミラーを備えたリング・
レーザ・ジャイロにおいて、上記誘電体多層膜の凹面基
板側第１層目が、上記凹面基板の平坦部形成時の凹面部
の研磨剤からの保護膜であることを特徴とするリング・
レーザ・ジャイロ。 - （２）上記保護膜が、五酸化タンタル又は酸化アルミニ
ウムからなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のリング・レーザ・ジャイロ。 - （３）上記保護膜の光学的膜厚が、入射光に対して１／
４波長の整数倍であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第２項記載のリング・レーザ・ジャイロ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29021685A JPS62149181A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | リング・レ−ザ・ジヤイロ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29021685A JPS62149181A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | リング・レ−ザ・ジヤイロ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62149181A true JPS62149181A (ja) | 1987-07-03 |
Family
ID=17753254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29021685A Pending JPS62149181A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | リング・レ−ザ・ジヤイロ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62149181A (ja) |
-
1985
- 1985-12-23 JP JP29021685A patent/JPS62149181A/ja active Pending
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