JPS62132689A - Information-recording medium - Google Patents

Information-recording medium

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JPS62132689A
JPS62132689A JP60272809A JP27280985A JPS62132689A JP S62132689 A JPS62132689 A JP S62132689A JP 60272809 A JP60272809 A JP 60272809A JP 27280985 A JP27280985 A JP 27280985A JP S62132689 A JPS62132689 A JP S62132689A
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JP
Japan
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information
group
information recording
recording medium
compound
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Application number
JP60272809A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Oguchi
小口 芳弘
Yoshio Takasu
高須 義雄
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain an information-recording medium capable of recording and erasing information, by laminating, or incorporating in mixture, a light- absorbing material comprising a cyanine methine compound of a specified formula. CONSTITUTION:A cyanine methine compound of formula I, II or III is laminated, or incorporated in mixture, as a light-absorbing coloring matter to produce an information-recording medium capable of recording and erasing information. In the formulas, each of Z1 and Z2 is an atomic group necessary for completing a substd. or unsubstd. nitrogen-containing heterocyclic ring; each of Z3 and Z4 is a bivalent hydrocarbon group for forming a substd. or unsubstd. 5- or 6-membered ring; each of R1 and R2 is hydrogen or a substd. or unsubstd. alkyl; each of R3 and R4 is hydrogen, a halogen, hydroxyl, carboxyl, alkyl, substd. or unsubstd. aryl or acyloxyl; each of R5 and R6 is hydrogen or a halogen; X<-> is an acid anion; each of m and n is 0 or 1; and l is 0, 1 or 2. This information-recording medium is capable of displaying information by heating a specified region thereof to a specified temperature.

Description

【発明の詳細な説明】 (1)lL業上の利用分野 本発明は加熱により可逆的に情報の記録、消去ができ、
かつ加熱として光学的手段を用いた情報の記録、消去可
能な情+p記録体に関し、詳しくはレーザ等の可視およ
び近赤外域の波長の光を効果的に吸収し、熱的エネルギ
ーに変換する高密度の記録、消去可能な情報記録体に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Industrial field of use The present invention allows information to be reversibly recorded and erased by heating.
Regarding information recording and erasable information recording media using optical means for heating, more specifically, high-temperature recording materials such as lasers that effectively absorb visible and near-infrared wavelength light and convert it into thermal energy. It relates to density recording and erasable information recording media.

(2)従来技術 従来、可逆的に消去可能で繰り返し使用可能な情報記録
材料として、フォトクロミック物質、サーモクロミック
物質、或は磁気記録物質等が知られている。例えばフォ
トクロミックを示す物質としてスピロピラン等の有機化
合物やガラス状のマトリックスに分散したハロゲン化銀
等の無機化合物があるが記録情報を安定に固定できない
欠点を有している。又、サーモクロミック物質としては
有機、無機の各種色材が知られているが、フォトクロミ
ー同様に定着が困難である。最近サーモクロミーに替る
熱的な記録材料に結晶質と非晶質の相変化を利用したカ
ルコゲナイド系ガラス域は熱可塑性ポリマー中に溶解し
た低分子の脂肪酸やそのアミド、エステルまたはアンモ
ニウム塩の熱的物質変化を利用した系(特開昭57−1
17140)等が提案されている。しかしながらカルコ
ゲナイドガラスは記録層を蒸着により作成するため高価
となる。又、熱可塑性ポリマー中に低分子物質を溶解し
たフィルムは記録と消去を微妙な温度差で行なうもので
あり、実用に付されていないのが現状である。
(2) Prior Art Conventionally, photochromic materials, thermochromic materials, magnetic recording materials, and the like are known as reversibly erasable and repeatedly usable information recording materials. For example, photochromic substances include organic compounds such as spiropyran and inorganic compounds such as silver halide dispersed in a glass-like matrix, but these have the disadvantage that recorded information cannot be stably fixed. Furthermore, various organic and inorganic coloring materials are known as thermochromic materials, but like photochromic materials, they are difficult to fix. Chalcogenide glasses, which utilize the phase change between crystalline and amorphous, are recently used as thermal recording materials to replace thermochromy, and are thermal substances made of low-molecular fatty acids, their amides, esters, or ammonium salts dissolved in thermoplastic polymers. System using change (Unexamined Japanese Patent Publication No. 57-1
17140) etc. have been proposed. However, chalcogenide glass is expensive because the recording layer is created by vapor deposition. Furthermore, films in which low-molecular substances are dissolved in thermoplastic polymers perform recording and erasing using slight temperature differences, and are currently not in practical use.

磁気記録は云うまでもなく、直接可視画像を得るもので
なく画像情報として取り扱うには、他のシステムとの組
み合せが必要である。
Needless to say, magnetic recording does not directly obtain visible images, but must be combined with other systems in order to handle it as image information.

(3)発明が解決しようとする問題点 本発明は、前記情報記録体を用いて、従来の情報記録装
置の持つ欠点を解決した情報の記録、消去、および表示
、装置を提供することを目的とする。
(3) Problems to be Solved by the Invention The object of the present invention is to provide a device for recording, erasing, and displaying information that solves the drawbacks of conventional information recording devices using the information recording medium. shall be.

(4)問題点を解決する為の手段 本発明の情報の記録、消去および表示装置は情報記録体
とこの情報記録体へ記録を行なうための光学的手段とを
組み合せて備えてなり、前記情報記録体は、特定温度へ
の加熱および冷却により均一な透明状#;あるいは不透
明状yEとなる感熱材料および光源の波長に吸収を有す
る材料を混合または積層からなり、この情報記録体は特
定範囲を特定温度に加熱することにより、情報を表示し
得ることを4.シ徴とするものである。
(4) Means for Solving the Problems The information recording, erasing and display device of the present invention is equipped with a combination of an information recording body and an optical means for recording on this information recording body, The recording medium is made of a mixture or lamination of a heat-sensitive material that becomes uniformly transparent or opaque when heated to a specific temperature and cooled, and a material that absorbs the wavelength of the light source. 4. Information can be displayed by heating to a specific temperature. This is a sign of shi.

また、本発明において、光源の波長光を吸収する材料と
しては、シアニンメチン化合物を用いるものである。
Further, in the present invention, a cyanine methine compound is used as the material that absorbs the wavelength light of the light source.

本発明による情報記録体は、特定温度への加熱および冷
却により均一な透明状g11、あるいは不透明状態とな
る感熱材ネ2]および可視域および近赤外域の波長領域
に吸収特性をもち、光を効果的に吸収し、熱エネルギー
に変換する光吸収材料を混合または積層からなり、この
情報記録体が特定範囲を特定温度に加熱することにより
、高速で高密度な情報の記録、消去可能な特長を有する
The information recording medium according to the present invention is a heat-sensitive material that becomes uniformly transparent (g11) or opaque when heated and cooled to a specific temperature, and has absorption characteristics in the visible and near-infrared wavelength regions, and absorbs light. Made of a mixture or laminated layer of light-absorbing materials that effectively absorb and convert into thermal energy, this information recording medium can record and erase high-speed, high-density information by heating a specific area to a specific temperature. has.

〔問題を解決する為の手段〕及び〔作用〕シアニンメチ
ン化合物として代表的なものは、下記一般式[I]  
[IL]  [mlまたは[IV]によって表わされる
ことができる。
[Means for solving the problem] and [action] Typical cyanine methine compounds have the following general formula [I]
[IL] can be represented by [ml or [IV].

一般式[1] 一般式 [Hコ 一般式[ml zlおよびz2は、置換または未置換の含窒素複素環、
例えば、チアゾール系列の核(例えばチアゾール、4−
メチルチアゾール、4−フェニルチアゾール、5−メチ
ルチアゾール、5−フェニルチアゾール、4.5−ジメ
チルチアゾール、4,5−ジフェニルチアゾール、4−
(2−チェニル)−チアゾールなど)、ベンゾチアゾー
ル系列の核(例えばベンゾチアゾール、5−クロロベン
ゾチアゾール、5−メチルベンゾチアゾール、6−メチ
ルベンゾチアゾール、5,6−シメチルベンゾチアゾー
ル、5−ブロモベンゾチアゾール、5−フェニルベンゾ
チアゾール、5−メトキシベンゾチアゾール、6−メト
キシベンゾチアゾール、5,6−シメトキシベンゾチア
ゾール、5.6−シオキシメチレンベンゾチアゾール、
5−ヒドロキシベンゾチアゾール、6−ヒドロキシベン
ゾチアゾール、4,5,6.7−チトラヒドロベンゾチ
アゾールなど)、ナフトチアゾール系列の核(例えば、
ナフ) (2,1−d)チアゾール、ナフト(1,2−
cl)チアゾール、5−メトキシナフト(1,2−d)
チアゾール、5−エトキシナフト(1,2−d)チアゾ
ール、8−メトキシナフト(2,1−d)チアゾール、
7−メトキシナフト(2,1−d)チアゾールなど)、
チオナフテン(7,6−d)チアゾール系列の核(例え
ば、7−メドキシチオナフテン〔7゜6−d〕チアゾー
ル)、オキサゾール系列の核(例えば、4−メチルオキ
サゾール、5−メチルオキサゾール、4−フェニルオキ
サゾール、4.5−ジフェニルオキサゾール、4−エチ
ルオキサゾール、4.5−ジメチルオキサゾール、5−
フェニルオキサゾール)、ベンゾオキサゾール系列の核
(例えば、ベンゾオキサゾール、5−クロロベンゾオキ
サゾール1,5−メチルベンゾオキサゾール、5−フェ
ニルベンゾオキサゾール、6−メチルベンゾオキサゾー
ル、5.6−シメチルベンゾオキサゾール、5−メトキ
シベンゾオキサゾール、6−メトキシベンゾオキサゾー
ル、5−ヒドロキシベンゾオキサゾール、6−ヒドロキ
シベンゾオキサゾールなど)、ナフトオキサゾール系列
の核(例えば、ナフ) C2,1−d)オキサゾール、
ナフト(1,2−d)オキサゾールなど)、セレナゾー
ル系列の核(例えば、4−メチルセレナゾール、4−フ
ェニルセレナゾールなど)、ベンゾセレナゾール系列の
核(例えば、ベンゾセレナソール、5−クロロベンゾセ
レナゾール、5−メチルベンゾセレナゾール、5.6−
ジメチルへンゾセレナゾール、5−メトキシベンゾセレ
ナゾール、5−メチル−6−メトキシベンゾセレナゾー
ル、5,6−シオキシメチレンベンゾセレナゾール、5
−ヒドロキシベンゾセレナゾール、4,5,6.7−チ
トラヒドロベンゾセレナゾールなど)、ナフトセレナゾ
ール系列の核(例えば、ナフ) (2,1−d)セレナ
ゾール、ナツト(:1.2−d)セレナゾール)、チア
ゾリン系列の核(例えば、チアゾリン、4−メチルチア
ゾリン、4−ヒドロキシメチル−4−メチルチアゾリン
、4.4−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンなど)、
オキサゾリン系列の核(例えば、オキサゾリン)、セレ
ナゾリン系列の核(例えばセレナゾリン)、2−キノリ
ン系列の核(例えばキノリン、6−メチルキノリン、6
−クロロキノリン、6−メドキシキノリン、6−ニトキ
シキノリン、6−ヒドロキシキノリン)、4−キノリン
系列の核(例えば、キノリン、6−メドキシキノリン、
7−メチルキノリン、8−メチルキノリン)、1−イソ
キノリン系列の核(例えば、インキノリン、3.4−ジ
ヒドロイソキノリン)、3−イソキノリン系列の核(例
えば、インキノリン)、3.3−ジアルキルインドレニ
ン系列の核(例えば、3,3−ジメチルインドレニン、
3.3−ジメチル−5−クロロインドレニン、3.3.
5−)ジメチルインドレニン、3゜3 、7−1−ジメ
チルインドレニン)、ピリジン系列の核(例えばピリジ
ン、5−メチルピリジン)、ベンゾイミダゾール系列の
核(例えば、1−エチル−5、6−シクロロペンゾイミ
ダゾール、l−ヒドロキシエチル−5,6−ジクロロベ
ンゾイミダゾール、1−エチル−5−クロロベンシイミ
グゾール、1−エチル−5,6−ジブロモベンゾイミダ
ゾール、1−エチル−5−フェニルベンゾイミダゾール
、■=エチルー5フルオロベンゾイミダゾール、1−エ
チル−5−シアノベンゾイミダゾール、1−(β−アセ
トキシエチル)−5−シアノベンゾイミダゾール、l−
エチル−5−クロロ−6−シアノベンゾイミダゾール、
■−エチルー5−フルオロ−6−ジアツベンゾイミダゾ
ール、1−エチル−5−アセチルベンゾイミダゾール、
1−エチル−5−カルボキシベンゾイミダゾール、l−
エチル−5−エトキシカルボニルベンゾイミダゾール、
l−エチル−5−スルファミルベンゾイミダゾール、1
−エチル−5−N−エチルスルファミルベンゾイミダゾ
ール、1−エチル−5,6−ジフルオロベンゾイミダゾ
ール、l−エチル−5,6−ジシアツベンゾイミタソー
ル、1−エチル−5−エチルスルホニルベンゾイミダゾ
ール、■−エチルー5−メチルスルホニルベンゾイミダ
ゾール、■−エチルー5−トリフルオロメチルベンゾイ
ミダゾール、1−エチル−5−トリフルオロメチルスル
ホニルベンゾイミダゾール、l−エチル−5−トリフル
オロメチルスルフィニルベンゾイミダゾールなど)を完
成するに必要な非金属原子群を表わす。
General formula [1] General formula [H general formula [ml zl and z2 are substituted or unsubstituted nitrogen-containing heterocycles,
For example, thiazole series nuclei (e.g. thiazole, 4-
Methylthiazole, 4-phenylthiazole, 5-methylthiazole, 5-phenylthiazole, 4,5-dimethylthiazole, 4,5-diphenylthiazole, 4-
(2-chenyl)-thiazole, etc.), benzothiazole series nuclei (e.g. benzothiazole, 5-chlorobenzothiazole, 5-methylbenzothiazole, 6-methylbenzothiazole, 5,6-dimethylbenzothiazole, 5-bromo Benzothiazole, 5-phenylbenzothiazole, 5-methoxybenzothiazole, 6-methoxybenzothiazole, 5,6-simethoxybenzothiazole, 5,6-cyoxymethylenebenzothiazole,
5-hydroxybenzothiazole, 6-hydroxybenzothiazole, 4,5,6.7-titrahydrobenzothiazole, etc.), naphthothiazole series nuclei (e.g.
naphtho(2,1-d)thiazole, naphtho(1,2-
cl) Thiazole, 5-methoxynaphtho(1,2-d)
Thiazole, 5-ethoxynaphtho(1,2-d)thiazole, 8-methoxynaphtho(2,1-d)thiazole,
7-methoxynaphtho(2,1-d)thiazole, etc.),
Nuclei of the thionaphthene (7,6-d)thiazole series (e.g., 7-medoxythionaphthene[7°6-d]thiazole), nuclei of the oxazole series (e.g., 4-methyloxazole, 5-methyloxazole, 4- Phenyloxazole, 4.5-diphenyloxazole, 4-ethyloxazole, 4.5-dimethyloxazole, 5-
phenyloxazole), benzoxazole series nuclei (e.g. benzoxazole, 5-chlorobenzoxazole 1,5-methylbenzoxazole, 5-phenylbenzoxazole, 6-methylbenzoxazole, 5,6-dimethylbenzoxazole, 5 C2,1-d) oxazole,
naphtho(1,2-d)oxazole, etc.), selenazole series nuclei (e.g., 4-methylselenazole, 4-phenylselenazole, etc.), benzoselenazole series nuclei (e.g., benzoselenazole, 5-chlorobenzo selenazole, 5-methylbenzoselenazole, 5.6-
Dimethylbenzoselenazole, 5-methoxybenzoselenazole, 5-methyl-6-methoxybenzoselenazole, 5,6-cyoxymethylenebenzoselenazole, 5
-hydroxybenzoselenazole, 4,5,6,7-titrahydrobenzoselenazole, etc.), naphthoselenazole series nuclei (e.g. naph) (2,1-d) selenazole, nut (:1.2-d) ) selenazole), thiazoline series nuclei (e.g., thiazoline, 4-methylthiazoline, 4-hydroxymethyl-4-methylthiazoline, 4,4-bis-hydroxymethylthiazoline, etc.),
Oxazoline series nuclei (e.g. oxazoline), selenazoline series nuclei (e.g. selenazoline), 2-quinoline series nuclei (e.g. quinoline, 6-methylquinoline, 6
-chloroquinoline, 6-medoxyquinoline, 6-nitoxyquinoline, 6-hydroxyquinoline), 4-quinoline series nuclei (e.g. quinoline, 6-medoxyquinoline,
7-methylquinoline, 8-methylquinoline), 1-isoquinoline series nuclei (e.g. inquinoline, 3,4-dihydroisoquinoline), 3-isoquinoline series nuclei (e.g. inquinoline), 3,3-dialkylindo Nuclei of the renin series (e.g. 3,3-dimethylindolenine,
3.3-dimethyl-5-chloroindolenine, 3.3.
5-)dimethylindolenine, 3゜3,7-1-dimethylindolenine), pyridine series nuclei (e.g. pyridine, 5-methylpyridine), benzimidazole series nuclei (e.g. 1-ethyl-5,6- Cyclopenzimidazole, l-hydroxyethyl-5,6-dichlorobenzimidazole, 1-ethyl-5-chlorobenzimidazole, 1-ethyl-5,6-dibromobenzimidazole, 1-ethyl-5-phenyl Benzimidazole, ■=ethyl-5-fluorobenzimidazole, 1-ethyl-5-cyanobenzimidazole, 1-(β-acetoxyethyl)-5-cyanobenzimidazole, l-
ethyl-5-chloro-6-cyanobenzimidazole,
-Ethyl-5-fluoro-6-diatubenzimidazole, 1-ethyl-5-acetylbenzimidazole,
1-ethyl-5-carboxybenzimidazole, l-
ethyl-5-ethoxycarbonylbenzimidazole,
l-ethyl-5-sulfamylbenzimidazole, 1
-Ethyl-5-N-ethylsulfamylbenzimidazole, 1-ethyl-5,6-difluorobenzimidazole, l-ethyl-5,6-dicyazbenzimitazole, 1-ethyl-5-ethylsulfonylbenzo imidazole, ■-ethyl-5-methylsulfonylbenzimidazole, ■-ethyl-5-trifluoromethylbenzimidazole, 1-ethyl-5-trifluoromethylsulfonylbenzimidazole, l-ethyl-5-trifluoromethylsulfinylbenzimidazole, etc.) Represents a group of nonmetallic atoms necessary to complete the process.

Z3およびZ4は、置換又は未置換の5員若しくは6員
環を形成する2価の炭化水素基(−CH2−CH2−1
−C)(2−CH2−CH2OCH3 H−など)を示し、これらの5員又は6員環はベンゼン
環、ナフタレン環などと縮合されていてもよい。
Z3 and Z4 are substituted or unsubstituted divalent hydrocarbon groups forming a 5- or 6-membered ring (-CH2-CH2-1
-C) (2-CH2-CH2OCH3 H-, etc.), and these 5- or 6-membered rings may be fused with a benzene ring, a naphthalene ring, etc.

R1およびR2は、水素原子又はアルキル基(例えば、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、1so−プロピ
ル基、n−ブチル基、5eC−ブチル基、1so−ブチ
ル基、t−ブチル基、n−アミル基、t−アミル基、n
−へキシル基、n−オクチル基、t−オクチル基など)
を示し、さらに他のアルキルノ、(、例えば置換アルキ
ル基(例えば、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキ
シプロピルノ駁4−ヒドロキシブチル基、2−アセトキ
シエチル〕、(、カルボキシメチル基、2−カルボキシ
エチル基、3−カルボキシプロピル基、2−スルホエチ
ル基、3−スルホプロピル基、4−スルホブチル基、3
−スルフェートプロピル基、4−スルフェートブチル基
、N−(メチルスルホニル)−力ルバミルメチル基、3
−(アセチルスルファミル)プロピル基、4−(アセチ
ルスルファミル)ブチル基など)、環式アルキル基(例
えば、シクロヘキシル基など)、アリル基(CH2=C
H−CH2−)、アラルキルノ、((例えば、ベンジル
基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチ
ルメチル基なと)、置換アラルキル基(側光ば、カルボ
キシベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジ
ル基など)を包含する。
R1 and R2 are hydrogen atoms or alkyl groups (for example,
Methyl group, ethyl group, n-propyl group, 1so-propyl group, n-butyl group, 5eC-butyl group, 1so-butyl group, t-butyl group, n-amyl group, t-amyl group, n
-hexyl group, n-octyl group, t-octyl group, etc.)
and further other alkyl groups, such as substituted alkyl groups (e.g., 2-hydroxyethyl group, 3-hydroxypropyl group, 4-hydroxybutyl group, 2-acetoxyethyl group), (, carboxymethyl group, 2-carboxy Ethyl group, 3-carboxypropyl group, 2-sulfoethyl group, 3-sulfopropyl group, 4-sulfobutyl group, 3
-sulfatepropyl group, 4-sulfatebutyl group, N-(methylsulfonyl)-rubamylmethyl group, 3
-(acetylsulfamyl)propyl group, 4-(acetylsulfamyl)butyl group, etc.), cyclic alkyl group (e.g. cyclohexyl group, etc.), allyl group (CH2=C
H-CH2-), aralkyl group ((e.g., benzyl group, phenethyl group, α-naphthylmethyl group, β-naphthylmethyl group), substituted aralkyl group (sidelight, carboxybenzyl group, sulfobenzyl group, hydroxyl group), benzyl group, etc.).

R3およびH4は、水素原子、ハロゲン原子(塩素原子
、臭素原子、沃素原子など)、ヒドロキシ基、カルボキ
シル基、アルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基
、ブチル基など)、置換もしくは未置換のアリール基(
フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、カルボ
キシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、トリル基、キ
シリル基など)又はアシルオキシ基(アセチルオキシ基
、プロピオニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基など)を
示す。
R3 and H4 are hydrogen atoms, halogen atoms (chlorine atoms, bromine atoms, iodine atoms, etc.), hydroxy groups, carboxyl groups, alkyl groups (methyl groups, ethyl groups, propyl groups, butyl groups, etc.), substituted or unsubstituted Aryl group (
phenyl group, α-naphthyl group, β-naphthyl group, carboxyphenyl group, hydroxyphenyl group, tolyl group, xylyl group, etc.) or acyloxy group (acetyloxy group, propionyloxy group, benzoyloxy group, etc.).

R5およびR6は水素原子又はハロゲン原子(塩素原子
、臭素原子、沃素原子)を示す。
R5 and R6 represent a hydrogen atom or a halogen atom (chlorine atom, bromine atom, iodine atom).

X は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン
、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、P
−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、
エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンなどの陰イ
オンを表わし、X はR1および(または)R2自体が
θ     e 陰イオン基、例えば−3O3,03O3、−Coo  
、SO2NH−1−3O2−ない。mおよびnはO又は
lを示し、立は0.1または2を示す。
X is chloride ion, bromide ion, iodide ion, perchlorate ion, benzenesulfonate ion, P
-toluenesulfonate ion, methylsulfate ion,
represents an anion such as ethyl sulfate ion, propyl sulfate ion, etc., and X represents an anion group such as -3O3,03O3, -Coo
, SO2NH-1-3O2-. m and n represent O or l, and erect represents 0.1 or 2.

一般式[IVコ バ ZlおよびZ2は、置換または未置換の含窒素複素環、
例えば、チアゾール系列の核(例えばチアゾール、4−
メチルチアゾール、4−フェニルチアゾール、5−メチ
ルチアゾール、5−フェニルチアゾール、4,5−ジメ
チルチアゾール、4,5−ジフェニルチアゾール、4−
(2−チェニル)−チアゾールなど)、ベンツチアゾー
ル系列の核(例えばベンゾチアゾール、5−クロロベン
ゾチアゾール、5−メチルベンゾチアゾール、6−メチ
ルベンゾチアゾール、5,6−シメチルベンゾチアゾー
ル、5−ブロモベンゾチアゾール、5−フェニルベンゾ
チアゾール、5−メトキシベンゾチアゾール、6−メト
キシベンゾチアゾール、5,6−シメトキシベンゾチア
ゾール、5.6−シオキシメチレンベンゾチアゾール、
5−ヒドロキシベンゾチアゾール、6−ヒドロキシベン
ゾチアゾール、4,5,6.7−チトラヒドロベンゾチ
アゾールなど)、ナフトチアゾール系列の核(例えばナ
ツト [2,1−d]チアゾール、ナンド[1,2−d
]チアゾール、5−メトキシナフト[1,2−d]チア
ゾール、5−エトキシナフト [1,2−d]チアゾー
ル、8−メトキシナフト [2,1−d’]チアゾール
、7−メドキシナフ)[2,1−dlチアゾールなど)
、チオナフテン[7,6−d]チアゾール系列の核(例
えば7−メドキシチオナフテン[7,6−d]チアゾー
ル)、オキサゾール系列の核(例えば4−メチルオキサ
ゾール、5−メチルオキサゾール、4−フェニルオキサ
ゾール、4.5−ジフェニルオキサゾール、4−エチル
オキサゾール、4.5−ジメチルオキサゾール、5−フ
ェニルオキサゾール)1ベンゾオキサゾ一ル系列の核(
例えばベンゾオキサゾール、5−クロロベンゾオキサゾ
ール、5−メチルベンゾオキサゾール、5−フェニルベ
ンゾオキサゾール、6−メチルベンゾオキサゾール、5
.6−シメチルベンゾオキサゾール、5−メI・キシベ
ンゾオキサゾール、6−メドキシベンゾオキサゾール、
5−ヒドロキシベンゾオキサゾール、6−ヒドロキシベ
ンゾオキサゾールなど)、ナフトオキサゾール系列の核
(例えばナフト[2,1−d]オキサゾール、ナフト 
[l、2−d]オギサゾールなど)、セレナゾール系列
の核(例えば4−メチルセレナゾール、4−フェニルセ
レナゾールなど)、ベンゾセレナゾール系列の核(例え
ばベンゾセレナゾール、5−クロロベンゾセレナゾール
、5−メチルベンゾセレナゾール、5,6−ジメチルへ
ンゾセレナゾール、5−メトキシベンゾセレナゾール、
5−メチル−6−メトキシベンゾセレナゾール、5.6
−シオキシメチレンベンゾセレナゾール、5−ヒドロキ
シベンゾセレナゾール、4゜5.6.7−チトラヒドロ
ベンゾセレナゾールなど)、ナフトオキゾール系列の核
(例えばナツト [2,1−d]セレナゾール、ナツト
[1,2−d]セレナゾール)、チアゾリン系列の核(
例えばチアゾリン、4−メチルチアゾリン、4−ヒドロ
キシメチル−4−メチルチアゾリン)、4.4−ビス−
ヒドロキシメチルチアゾリンなど)、オキサゾリン系列
の核(例えばオキサゾリン)、セレナゾリン系列の核(
例えばセレナゾリン)、2−キノリン系列の核(例えば
キノリン、6−メチルキノリン、6−クロロキノリン、
6−メドキシギノリン、6−ニトキシキノリン、6−ヒ
ドロキシキノリン)、4−キノリン系列の核(例えばキ
ノリン、6−メドキシキノリン、7−メチルキノリン、
8−メチルキノリン、1−イソキノリン系列の核(例え
ばイソキノリン、3,4−ジヒドロイソキノリン)、3
−インキノリン系列の核(例えばイソキノリン)、3.
3−ジアルキルインドレニン系列の核(例えば3,3−
ジメチルインドレニン、3,3−ジメチル−5−クロロ
インドレニン、3,3.5−)ジメチルインドレニン、
3,3.7−1−ジメチルインドレニン)、ヒリジン系
列の核(例えばピリジン、5−メチルピリジン)、ベン
ゾイミダゾール系列の核(例えばl−エチル−5,6〜
ジクロロベンゾイミダゾール、1−ヒドロキシエチル−
5,6−ジクロロベンゾイミダゾール、l−エチル−5
−クロロベンゾイミダゾール、1−エチル−5,6−ジ
ブロモベンゾイミダゾール、l−エチル−5−フェニル
ベンゾイミダゾール、1−エチル−5−フルオロベンゾ
イミダゾール、1−エチル−5−シアノベンゾイミダゾ
ール、■−(β−アセトキシエチル)−5−シアノベン
ゾイミダゾール、1−エチル−5−クロロ−6−シアノ
ベンゾイミダゾール、1−エチル−5−フルオロ−6−
シアノベンゾイミダゾール、l−エチル−5−アセチル
ベンゾイミタソール、1−エチル−5−カルボキシベン
ゾイミダゾール、ニーエチル−5−エトキシカルボニル
ベンゾイミダゾール、1−エチル−5−スルファミルベ
ンゾイミダゾール、■−エチルー5−N−エチルスルフ
ァミルベンゾイミダゾール、l−エチル−5,6−ジフ
ルオロベンゾイミダゾール、1−エチル−5,6−ジク
ロロベンゾイミダゾール、1−エチル−5−エチルスル
ホニルベンゾイミダゾール、1−エチル−5−メチルス
ルホニルベンゾイミダゾール、■−エチルー5−トリフ
ルオロメチルベンゾイミダゾール、■−エチルー5−ト
リフルオロメチルスルホニルベンゾイミダゾール、1−
エチル−5−トリフルオロメチルスルフィニルベンゾイ
ミダゾールなど)を完成するに必要な非金属原子群を表
わす。
General formula [IV Koba Zl and Z2 are substituted or unsubstituted nitrogen-containing heterocycles,
For example, thiazole series nuclei (e.g. thiazole, 4-
Methylthiazole, 4-phenylthiazole, 5-methylthiazole, 5-phenylthiazole, 4,5-dimethylthiazole, 4,5-diphenylthiazole, 4-
(2-chenyl)-thiazole, etc.), benzthiazole series nuclei (e.g. benzothiazole, 5-chlorobenzothiazole, 5-methylbenzothiazole, 6-methylbenzothiazole, 5,6-dimethylbenzothiazole, 5-bromo Benzothiazole, 5-phenylbenzothiazole, 5-methoxybenzothiazole, 6-methoxybenzothiazole, 5,6-simethoxybenzothiazole, 5,6-cyoxymethylenebenzothiazole,
5-hydroxybenzothiazole, 6-hydroxybenzothiazole, 4,5,6.7-titrahydrobenzothiazole, etc.), naphthothiazole series nuclei (e.g. natu[2,1-d]thiazole, nand[1,2- d
]thiazole, 5-methoxynaphtho[1,2-d]thiazole, 5-ethoxynaphtho[1,2-d]thiazole, 8-methoxynaphtho[2,1-d']thiazole, 7-medoxynaf) [2, 1-dl thiazole, etc.)
, thionaphthene[7,6-d]thiazole series nuclei (e.g. 7-medoxythionaphthene[7,6-d]thiazole), oxazole series nuclei (e.g. 4-methyloxazole, 5-methyloxazole, 4-phenyl Oxazole, 4.5-diphenyloxazole, 4-ethyloxazole, 4.5-dimethyloxazole, 5-phenyloxazole) 1-benzoxazole series nucleus (
For example, benzoxazole, 5-chlorobenzoxazole, 5-methylbenzoxazole, 5-phenylbenzoxazole, 6-methylbenzoxazole, 5
.. 6-dimethylbenzoxazole, 5-methoxybenzoxazole, 6-medoxybenzoxazole,
5-hydroxybenzoxazole, 6-hydroxybenzoxazole, etc.), naphthoxazole series nuclei (e.g. naphtho[2,1-d]oxazole, naphtho
[l,2-d]oxisazole, etc.), selenazole series nuclei (e.g. 4-methylselenazole, 4-phenylselenazole, etc.), benzoselenazole series nuclei (e.g. benzoselenazole, 5-chlorobenzoselenazole, 5-methylbenzoselenazole, 5,6-dimethylbenzoselenazole, 5-methoxybenzoselenazole,
5-Methyl-6-methoxybenzoselenazole, 5.6
-cyoxymethylenebenzoselenazole, 5-hydroxybenzoselenazole, 4°5.6.7-titrahydrobenzoselenazole, etc.), naphthoxole series nuclei (e.g., natto[2,1-d]selenazole, natto[1 , 2-d] selenazole), thiazoline series nuclei (
For example, thiazoline, 4-methylthiazoline, 4-hydroxymethyl-4-methylthiazoline), 4,4-bis-
hydroxymethylthiazoline), oxazoline series nuclei (e.g. oxazoline), selenazoline series nuclei (e.g.
(e.g. selenazoline), 2-quinoline series nuclei (e.g. quinoline, 6-methylquinoline, 6-chloroquinoline,
6-medoxyginoline, 6-nitoxyquinoline, 6-hydroxyquinoline), 4-quinoline series nuclei (e.g. quinoline, 6-medoxyquinoline, 7-methylquinoline,
8-methylquinoline, 1-isoquinoline series nuclei (e.g. isoquinoline, 3,4-dihydroisoquinoline), 3
- nuclei of the inquinoline series (e.g. isoquinoline); 3.
Nuclei of the 3-dialkylindolenine series (e.g. 3,3-
Dimethylindolenine, 3,3-dimethyl-5-chloroindolenine, 3,3.5-)dimethylindolenine,
3,3,7-1-dimethylindolenine), hyridine series nuclei (e.g. pyridine, 5-methylpyridine), benzimidazole series nuclei (e.g. l-ethyl-5,6-
Dichlorobenzimidazole, 1-hydroxyethyl-
5,6-dichlorobenzimidazole, l-ethyl-5
-chlorobenzimidazole, 1-ethyl-5,6-dibromobenzimidazole, l-ethyl-5-phenylbenzimidazole, 1-ethyl-5-fluorobenzimidazole, 1-ethyl-5-cyanobenzimidazole, ■-( β-acetoxyethyl)-5-cyanobenzimidazole, 1-ethyl-5-chloro-6-cyanobenzimidazole, 1-ethyl-5-fluoro-6-
Cyanobenzimidazole, l-ethyl-5-acetylbenzimitazole, 1-ethyl-5-carboxybenzimidazole, ethyl-5-ethoxycarbonylbenzimidazole, 1-ethyl-5-sulfamylbenzimidazole, ■-ethyl-benzimidazole 5-N-ethylsulfamylbenzimidazole, l-ethyl-5,6-difluorobenzimidazole, 1-ethyl-5,6-dichlorobenzimidazole, 1-ethyl-5-ethylsulfonylbenzimidazole, 1-ethyl- 5-methylsulfonylbenzimidazole, ■-ethyl-5-trifluoromethylbenzimidazole, ■-ethyl-5-trifluoromethylsulfonylbenzimidazole, 1-
ethyl-5-trifluoromethylsulfinylbenzimidazole, etc.).

z3は、5員又は6員環を形成する2価の炭化水素基(
例えば、−CH2−CH2−、−CH2−CH2−CH
2−、−CH=CH−。
z3 is a divalent hydrocarbon group forming a 5- or 6-membered ring (
For example, -CH2-CH2-, -CH2-CH2-CH
2-, -CH=CH-.

−CH=CH−CH2−)を示し、これらの5員又は6
員環は、ベンゼン環、ナフタレン環などと縮合され九い
てもよい。
-CH=CH-CH2-), and these 5 or 6 members
The membered ring may be fused with a benzene ring, a naphthalene ring, etc.

R1およびR2は、水素原子又はアルキル基(例えば、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、1so−プロピ
ル基、n−ブチル基、5eC−ブチル基、1so−ブチ
ル基、t−ブチル基、n−7ミル基、t−7ミル基、n
−ヘキシル基、n−オクチル基、t−オクチル基など)
を示し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキル基
(例えば、2−とドロキシエチル基、3−ヒドロキシプ
ロピル基、4−ヒドロキシブチル基、2−アセトキシエ
チル基、カルボキシメチル基、2−カルボキシエチル基
、3−カルボキシプロピル基、2−スルホエチル基、3
−スルホプロピル基、4−スルホブチル基、3−スルフ
ェートプロピル基、4−スルフェートブチル基、N−(
メチルスルホニル)−カルバミルメチル基、3−(アセ
チルスルファミル)プロピル基、4−(アセチルスルフ
ァミル)ブチル基など)、環式アルキル基(例えば、シ
クロヘキシル基など)、アリル基(CH2=CH−CH
2−)、アラルキル基(例えば、ベンジル基、フェネチ
ル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基な
ど)、置換アラルキル基(例えば、カルボキシベンジル
基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基など)を
包含する。
R1 and R2 are hydrogen atoms or alkyl groups (for example,
Methyl group, ethyl group, n-propyl group, 1so-propyl group, n-butyl group, 5eC-butyl group, 1so-butyl group, t-butyl group, n-7 mil group, t-7 mil group, n
-hexyl group, n-octyl group, t-octyl group, etc.)
and further includes other alkyl groups, such as substituted alkyl groups (e.g., 2- and droxyethyl groups, 3-hydroxypropyl groups, 4-hydroxybutyl groups, 2-acetoxyethyl groups, carboxymethyl groups, 2-carboxyethyl groups, 3-carboxypropyl group, 2-sulfoethyl group, 3
-Sulfopropyl group, 4-sulfobutyl group, 3-sulfatepropyl group, 4-sulfatebutyl group, N-(
methylsulfonyl)-carbamylmethyl group, 3-(acetylsulfamyl)propyl group, 4-(acetylsulfamyl)butyl group, etc.), cyclic alkyl group (e.g., cyclohexyl group, etc.), allyl group (CH2= CH-CH
2-), aralkyl groups (e.g., benzyl group, phenethyl group, α-naphthylmethyl group, β-naphthylmethyl group, etc.), substituted aralkyl groups (e.g., carboxybenzyl group, sulfobenzyl group, hydroxybenzyl group, etc.). do.

Aは、酸素原子、硫黄原子、置換もしくは未置換のイミ
ド基(イミド、メチルイミド、エチルイミド、プロピル
イミド、ブチルイミド、ベンジルイミドなど)又は2価
の有機残基を示す。2価の有機残基としては、例えば OR4 などを挙げることができる。但し、R3,R4およびR
5は水素原子又はアルキル基(前述のR1とR2の例で
挙げたものと同様のもの)を示す。l、mおよびnはl
であり、Pおよびqは0,1又は2である。
A represents an oxygen atom, a sulfur atom, a substituted or unsubstituted imide group (imide, methylimide, ethylimide, propylimide, butylimide, benzylimide, etc.), or a divalent organic residue. Examples of divalent organic residues include OR4. However, R3, R4 and R
5 represents a hydrogen atom or an alkyl group (the same as those listed in the examples of R1 and R2 above). l, m and n are l
and P and q are 0, 1 or 2.

前記一般式[エコ 、  [IT] 、  [III]
および[IV]で示されるシアニンメチン化合物の具体
例を下記に示す。
The general formula [Eco, [IT], [III]
Specific examples of the cyanine methine compounds represented by and [IV] are shown below.

前記一般式[I]  、  [II]  、  [II
I]で示される化合物の具体例 化耐公丞     」し」L」1」L 1(J  し2t’15              
 シ2r15前記一般式[IV]で示される化合物の具
体例前記一般式[I]、[II]および[m]に示すシ
アニンメチン化合物は、例えば活性メチル基を有するN
複素環四級11xと、トリエトキシプロペン、ペンタジ
ェンシアニル、イリホロン、等とを苛性アルカリピリジ
ン、ピペリジン、トリアルキルアミン、無水酢酸等の縮
合剤の使用によリ一工程又は二工程の反応により合成す
ることができる。
The general formula [I], [II], [II
Specific examples of compounds represented by I]
C2r15 Specific examples of compounds represented by the above general formula [IV] The cyanine methine compounds shown by the above general formulas [I], [II] and [m] are, for example, N
Heterocyclic quaternary 11x and triethoxypropene, pentadiocyanyl, iriphorone, etc. are reacted in one or two steps using a condensing agent such as caustic alkali pyridine, piperidine, trialkylamine, acetic anhydride, etc. Can be synthesized.

また、前記一般式[IV]に示すシアニンメチン化合物
は、インダン−2−オン、シクロヘキサノン、シクロペ
ンタノン、シクaヘキセン−オン、シクロペンタジェン
−オンあるいは1゜2.3.4−テトラヒドロナフタレ
ン−2−オンなどの環状ケトン化合物とジシアノメタン
、バルビッール酸あるいはその誘導体又はローゲニンあ
るいはその誘導体との脱水縮合反応させて得た化合物を
通常のシアニン化学の分野で使用ネれているベンゾチア
ゾリウム塩、ベンゾオキサシリウム塩、キノリウム塩、
ナフトチアゾリウム塩と反応させることによて容易に得
ることができる。
Further, the cyanine methine compound represented by the general formula [IV] is indan-2-one, cyclohexanone, cyclopentanone, cyclohexen-one, cyclopentadien-one or 1°2.3.4-tetrahydronaphthalene-2 Benzothiazolium salts, which are commonly used in the field of cyanine chemistry, are obtained by dehydration condensation reaction of cyclic ketone compounds such as -one with dicyanomethane, barbylic acid or its derivatives, or logenine or its derivatives; benzoxacillium salt, quinolium salt,
It can be easily obtained by reaction with naphthothiazolium salt.

前記のような少なくとも感熱材料および光吸収材料を積
層または混合含有する情報記録体を形成することにより
、記録光を効率よく吸収し熱エネルギーに変換され、混
合ポリマーからなる感熱材料を相分離状態になる温度以
上に効果的に加熱することができる。更に加熱相分離状
態から冷却する事により相分離状態を固定化することが
でき、又、固定化した相分離の状態を再び分離温度以上
に加熱し冷却すると元の相溶状態に戻すことができる。
By forming an information recording body containing at least a heat-sensitive material and a light-absorbing material in a layered manner or a mixture as described above, recording light is efficiently absorbed and converted into heat energy, and the heat-sensitive material made of a mixed polymer is brought into a phase-separated state. It is possible to effectively heat above the temperature. Furthermore, the phase separation state can be fixed by cooling from the heated phase separation state, and the fixed phase separation state can be returned to the original compatible state by heating above the separation temperature and cooling again. .

以上の説明に明らかな様に本発明の情報記録体は、従来
のサーモクロミック物質や、ポリマーマトリックス中に
低分子物質の如く物質の変化を伴わず、安定なポリマー
の組み合わせを用いるため、記録、消去の繰り返し回数
を著しく伸長可能である。又、微妙な温度差の制御を必
要とせず、相分離以上の加熱と冷却時間の制御により容
易に記録装置を構成することができる。さらには小型で
しかも低コストである半導体レーザを用いる719によ
り高感度でかつ、高密度な記録が可能となった。
As is clear from the above description, the information recording medium of the present invention uses a combination of stable polymers without material change, such as conventional thermochromic substances or low-molecular substances in a polymer matrix. The number of times the erasure can be repeated can be significantly increased. Furthermore, it is not necessary to control delicate temperature differences, and a recording device can be easily configured by controlling heating and cooling times that exceed phase separation. Furthermore, the 719, which uses a small and low-cost semiconductor laser, enables highly sensitive and high-density recording.

また、記録した情報を表示する場合、可視領域に吸収を
有さない前記の光吸収材料を用いる事により、未記録部
分が透明で、かつコントラスト比の大きい表示が可能で
あり、また、光学系を通して投影表示あるいは、検知し
て再生する事も可能である。例えば、可視領域に対する
未記録部の透過率が50%以上、特には75%以上の情
報記録媒体を形成することができる。
In addition, when displaying recorded information, by using the above-mentioned light-absorbing material that does not absorb in the visible region, it is possible to make the unrecorded part transparent and display with a high contrast ratio. It is also possible to project and display or detect and reproduce the image. For example, it is possible to form an information recording medium in which the transmittance of the unrecorded portion to the visible region is 50% or more, particularly 75% or more.

第1図は本発明を構成する情報記録体の一態様の断面図
である。
FIG. 1 is a sectional view of one embodiment of an information recording medium constituting the present invention.

この情報記録体(1)は、例えば円板状、シート状又は
ベルト状のガラス又はプラスチックなどの基材2」−に
前述の感熱材料3と記録光源に吸収を有する材料4の混
合物をv1層して形成される。膜厚は0.01 gm−
1000jLm、好ましくは1ルm〜200pLmが適
当である。
This information recording body (1) is made of a base material 2 such as glass or plastic in the shape of a disk, sheet, or belt, and a layer of a mixture of the above-mentioned heat-sensitive material 3 and a material 4 having an absorption property for a recording light source. It is formed by Film thickness is 0.01 gm-
1000 jLm, preferably 1 lm to 200 pLm is suitable.

また、別の態様として情報記録体(2)は基材2上に記
録光源に吸収を有する材料4、感熱材料3を順次積層し
て形成される。さらには情報記録体(3)の態様の様に
、基材2上に感熱材料3、記録光源に吸収を有する材料
4を順次積層してもよい。情報記録体(2)および(3
)の感熱材料3の膜厚は0.01〜11000k、好ま
しくはIgm〜200pmが適当である。
In another embodiment, the information recording body (2) is formed by sequentially laminating a material 4 that absorbs a recording light source and a heat-sensitive material 3 on a base material 2. Furthermore, as in the embodiment of the information recording medium (3), a heat-sensitive material 3 and a material 4 absorbing the recording light source may be sequentially laminated on the base material 2. Information recording bodies (2) and (3)
) The appropriate film thickness of the heat-sensitive material 3 is 0.01 to 11000K, preferably Igm to 200pm.

また、別の態様として情報記録体(2)は基材2上に記
録光源に吸収を有する材料4、感熱材料3を順次積層し
て形成される。さらには情報記録体(3)の態様のよう
に、基材2上に感熱材料3、記録光源に吸収を有する材
料4を順次積層してもよい。情報記録体(2)および(
3)の感熱材料3の膜厚は0.01〜110007t、
好ましくは17zm〜2007pmが適当である。また
記録光源に吸収を有する材料4の膜厚は、記録光源光を
充分吸収し、光エネルギーを熱エネルギーに変換できる
膜厚でよいが、好ましくは0.01 用〜10p程度が
適当である。
In another embodiment, the information recording body (2) is formed by sequentially laminating a material 4 that absorbs a recording light source and a heat-sensitive material 3 on a base material 2. Furthermore, as in the embodiment of the information recording medium (3), a heat-sensitive material 3 and a material 4 absorbing the recording light source may be sequentially laminated on the base material 2. Information record body (2) and (
The film thickness of the heat-sensitive material 3 in 3) is 0.01 to 110007t,
Preferably, 17 zm to 2007 pm is appropriate. The film thickness of the material 4 that absorbs the recording light source may be a film thickness that can sufficiently absorb the recording light source light and convert optical energy into thermal energy, but preferably about 0.01 μm to 10 μm.

感熱材料3は前述のように低温度領域で相溶状態にあり
高温度領域で相分離する共重合ポリマー及び、ポリマー
ブレンド系が用いられる。
As described above, the heat-sensitive material 3 includes a copolymer and a polymer blend system that are compatible in a low temperature range and undergo phase separation in a high temperature range.

例えば、共重合体ポリマーとしてはビニリデンサイアナ
イドまたはフッ化ビニリデンと他のビニル化合物、ビニ
リデン化合物あるいはジエン類との共重合あるいは、交
互共重合により得られるものである。他のビニル化合物
、ビニリデン化合物、ジエン類としてはスチレン、ジク
ロロスチレン、アクリル酸及びそのエステル、メタクリ
ル酸及びそのエステル、ビニルアルコール及びそのエス
テル、塩化ビニル、Jfl化ビニリデン、ブタジェン、
クロロブタジェン、インブチレン、無水マレイン酸、ア
クリロニトリル、メチルビニルケトン、ビニルイソブチ
ルエーテルなどが挙げられ、エステル化合物については
重合後、その一部あるいは全部について加水分解等の化
学変性を行なうことも可能である。
For example, the copolymer is obtained by copolymerization or alternating copolymerization of vinylidene cyanide or vinylidene fluoride with other vinyl compounds, vinylidene compounds, or dienes. Other vinyl compounds, vinylidene compounds and dienes include styrene, dichlorostyrene, acrylic acid and its esters, methacrylic acid and its esters, vinyl alcohol and its esters, vinyl chloride, vinylidene chloride, butadiene,
Examples include chlorobutadiene, imbutylene, maleic anhydride, acrylonitrile, methyl vinyl ketone, vinyl isobutyl ether, etc. After polymerization, it is also possible to chemically modify part or all of the ester compound such as hydrolysis. be.

また、ポリマーブレンド系として、ポリエステル、ポリ
アミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリ
スチレン、シリコン樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニリ
デン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−7クリロ
ニトリル共重合体、ポリカプロラクトン、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、ポリカーボネート塩素化ゴム、ポリ
フッ化ビニリデン、ポリサイアナイドビニリデン、フッ
素系樹脂及び前述の共重合体ポリマー等が挙げられ、選
択的に2種類以上のポリマーを混合させて用いることが
できる。これらのポリマーの組み合わせはブレンド比に
も依るが100〜200℃に加熱する事により、相分離
を引き起し、程度の差はあるものの、加熱されない場所
に比べて光散乱が観察され不透明化する。
In addition, as polymer blend systems, polyester, polyamide, polyacrylate, polymethacrylate, polystyrene, silicone resin, polyvinyl chloride, vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-7-crylonitrile copolymer, polycaprolactone, ethylene- Examples include vinyl acetate copolymer, polycarbonate chlorinated rubber, polyvinylidene fluoride, polycyanide vinylidene, fluororesin, and the above-mentioned copolymers, and two or more types of polymers may be selectively mixed and used. I can do it. When these combinations of polymers are heated to 100-200℃, depending on the blend ratio, phase separation occurs, and although there are differences in degree, light scattering is observed and the area becomes opaque compared to areas that are not heated. .

特に、ポリマーを塗布するためにはポリマーが有機溶媒
に可溶にしたほうがよい。例えば、特開昭59−135
257に示されるようなフッ化ビニリデンとへキサフル
オロアセトンの共重合体またはフッ化ビニリデンとトリ
フルオロエチレンの共重合体など有機溶媒に可溶なフッ
化ビニリデン系共重合体などが好適できる。
In particular, in order to apply the polymer, it is better to make the polymer soluble in an organic solvent. For example, JP-A-59-135
Vinylidene fluoride-based copolymers soluble in organic solvents, such as a copolymer of vinylidene fluoride and hexafluoroacetone as shown in No. 257 or a copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene, are suitable.

前記記録光源に吸収を有する材料としては、使用する光
源の波長によって適宜選択する必要があるが、例えば半
導体レーザーを用いる場合、近赤外、特に700nm以
上の長波長光に吸収を有する材料が好適である。
The material that absorbs the recording light source must be selected appropriately depending on the wavelength of the light source used. For example, when using a semiconductor laser, a material that absorbs near infrared light, particularly long wavelength light of 700 nm or more, is suitable. It is.

この情報記録体(1)、(2)および(3)は、感熱材
料3を全面透明状態として、そこに情報を不透明状態と
して記録する方法、感熱材料3を全面不透明状態として
、そこに情報を透明状態として記録する方法がある。
These information recording bodies (1), (2), and (3) are a method of recording information in an opaque state with the heat-sensitive material 3 completely transparent; There is a way to record it as a transparent state.

以下、図面に従い本発明の一旦体例を説明する。Hereinafter, an example of the present invention will be explained with reference to the drawings.

第2図は本発明を適用した記録、消去、および表示装置
の主要部の概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic diagram of the main parts of a recording, erasing, and display device to which the present invention is applied.

10は縦型の装芒外装箱、20はその外装箱の正面板面
に大きく開口形成した表示画像覗き窓で、一般にガラス
板等の透明板3が張設される。また、40は前記の情報
記録体で、外装箱内の上部と下部とに並行に横設した駆
動プーリ(又はローラ)50と従動プーリ(tたはロー
ラ)60との間に張設した無端ベルト型をしており、以
下この情報記録体はベルトと称す。このベルト40は駆
動プーリの回転により矢示方向に回転駆動され、ベルト
40の張り部外面が表示画像覗き窓20部を矢印方向へ
移動通過する。そして、70・80はベルトゆるみ側の
中央領域裏面に少し間隔をあけて上下に接触させて配設
した一対のテンションローラ、9oは消去部で、シート
状に形成された画像は消去の必要に応じて消去部90に
おいて消去される。画像消去にはシート上を加熱した後
、冷却速度を調整することにより、消去することができ
る。
10 is a vertical awn packaging box; 20 is a display image viewing window formed with a large opening on the front surface of the box; generally a transparent plate 3, such as a glass plate, is attached thereto. Further, 40 is the aforementioned information recording body, which is an endless tape stretched between a driving pulley (or roller) 50 and a driven pulley (t or roller) 60, which are installed horizontally in the upper and lower parts of the outer box. It is belt-shaped, and hereinafter this information recording body will be referred to as a belt. This belt 40 is rotationally driven in the direction of the arrow by the rotation of the drive pulley, and the outer surface of the stretched portion of the belt 40 moves and passes through the display image viewing window 20 in the direction of the arrow. 70 and 80 are a pair of tension rollers that are placed vertically in contact with each other with a slight interval on the back side of the center area on the slack side of the belt, and 9o is an erasing section where images formed in a sheet form need to be erased. Accordingly, the data is erased in the erasing section 90. The image can be erased by heating the sheet and then adjusting the cooling rate.

消去にもちいられる加熱手段は、ヒータや光源等を使用
し、加熱冷却をコントロールする。
The heating means used for erasing uses a heater, a light source, etc., and controls heating and cooling.

また消去手段として、100の光学装置を用いて、加熱
し、冷却速度調節する消去部90′を用いても部分消去
することも可能である。
It is also possible to partially erase the image by using an erasing section 90' that heats and adjusts the cooling rate using an optical device of 100 as an erasing means.

100は前記テンションローラ70・80間のベルト張
り部外面に半導体レーザ等の光源を用いた光像露光する
光学装置である。
Reference numeral 100 denotes an optical device that exposes the outer surface of the belt tensioned portion between the tension rollers 70 and 80 to a light image using a light source such as a semiconductor laser.

前記光学袋Hiooは本体のものは光ビームスキャニン
グ式のもので、電子具1算機等から出力される時系列電
気画素信号に対応した変調制御された光ビームLを発生
し、そのビームLをベルト幅方向に振らせてこれを主走
査とし、ベルトの面移動を副走査としてベルト面を光像
露光するものである。
The main body of the optical bag Hioo is a light beam scanning type, which generates a modulation-controlled light beam L corresponding to a time-series electric pixel signal output from an electronic calculator, etc. The belt is swung in the width direction as a main scan, and the surface movement of the belt is used as a sub-scan to expose the belt surface to a light image.

前記構成によりベル)40は、その回動過程において光
学装置100を通過することにより、ベルト上の情報記
録体が加熱され、透明状態から不透明状態に変化し、表
示すべき情報が可視化される。次いで白濁状態の記録部
が画像覗き窓20の範囲内まで移動して一旦停止するこ
とで窓20部に画像表示がなされる。所定の一定時間経
過後、又はベルト再回動を指令する釦操作でベルト40
は再回動し、ベルト面の白濁部分が消去部90により消
去され、このベルトは次の画像表示に繰返し使用される
With the above-mentioned configuration, when the bell 40 passes through the optical device 100 during its rotation process, the information recording medium on the belt is heated and changes from a transparent state to an opaque state, thereby making the information to be displayed visible. Next, the cloudy recording section moves to within the range of the image viewing window 20 and once stops, so that an image is displayed on the window 20. After a predetermined period of time has elapsed, or by operating a button that commands the belt to rotate again, the belt 40
rotates again, the cloudy part on the belt surface is erased by the erasing section 90, and this belt is used repeatedly for the next image display.

その他、本発明を適用した別の具体例として情報の記録
、消去可能な光ディスクに用いる事ができる。
In addition, as another specific example to which the present invention is applied, it can be used for an optical disc on which information can be recorded and erased.

光デイスク技術で用いる情報記録体は、基体」−に設け
た薄い情報記録層に形成された光学的に検出可能な小さ
な(例えば約1ル)ピットをらせん状又は円形のトラッ
ク形態にして高密度情報を記録することができる。この
様なディスクに情報を書き込むには情報記録層の表面に
集束したレーザを走査し、このレーザ光線が照射された
表面のみがピットを形成し、このピットをらせん状又は
円形トラックの形態で形成する。情報記録層はレーザ・
エネルギーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成
できる。例えばヒートモード記録方式では、情報記録層
に照射されたレーザφエネルギーを吸収し、熱的エネル
ギーに変換され、情報記録層を透明状態から不透明状態
に変化させピットを形成できる。さらに不透明部分をレ
ーザ光1発熱体などによって加熱し、除冷することによ
って、再び透明状態に戻すことができる。ピット形成す
ることで、光学的に検出可能な、透過率差1反射率差、
屈折率差を生ずる。
Information recording bodies used in optical disk technology are high-density optically detectable small pits (e.g., approximately 1 µm) formed in a thin information recording layer provided on a substrate in the form of spiral or circular tracks. Information can be recorded. To write information on such a disk, a focused laser is scanned over the surface of the information recording layer, and only the surface irradiated with this laser beam forms pits, and these pits are formed in the form of a spiral or circular track. do. The information recording layer is laser
It can absorb energy and form optically detectable pits. For example, in the heat mode recording method, laser φ energy irradiated onto the information recording layer is absorbed and converted into thermal energy, changing the information recording layer from a transparent state to an opaque state and forming pits. Further, the opaque portion can be returned to a transparent state by heating the opaque portion with a laser beam 1 heating element or the like and slowly cooling it. By forming pits, optically detectable transmittance difference 1 reflectance difference,
Creates a refractive index difference.

この光ディスクに記録された情報は、レーザをトラック
に沿って走査し、ピットが形成された部分とピットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出yれる。例えば、レーザがトラックに沿って走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクターによってモニターされる。ピットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
ピットが形成されいる時はレーザ光線は下層の反射面に
よって充分に反射されフォトディテクターの出力は大き
くなる。
Information recorded on this optical disk is detected by scanning a laser along a track and reading optical changes in areas where pits are formed and areas where pits are not formed. For example, a laser is scanned along a track and the energy reflected by the disk is monitored by a photodetector. When no pits are formed, the output of the photodetector decreases, while when pits are formed, the laser beam is sufficiently reflected by the underlying reflective surface and the output of the photodetector increases.

次に本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれ
によってなんら限定されるものではない。
Next, the present invention will be explained by examples, but the present invention is not limited thereto in any way.

実施例1 感熱材料としてフッ化ビニリデンとへキサフルオロアセ
トンからなるフッ化ビニリデン系共重合体樹脂50重量
部とポリメチルメタクリレート樹脂50重量部をメチル
エチルケトン溶液に溶解し、さらに光吸収材料、前記の
化合物No、(18)を25重量部を加え混合した。こ
の混合した液をポリエチレンテレフタレートベルト上に
塗布して乾燥膜厚が701Lになるように情報記録体を
作成した。
Example 1 50 parts by weight of a vinylidene fluoride copolymer resin consisting of vinylidene fluoride and hexafluoroacetone as a heat-sensitive material and 50 parts by weight of a polymethyl methacrylate resin were dissolved in a methyl ethyl ketone solution, and then a light absorbing material and the above compound were dissolved. 25 parts by weight of No. (18) were added and mixed. This mixed liquid was applied onto a polyethylene terephthalate belt to prepare an information recording medium with a dry film thickness of 701 L.

こうして作成した情報記録体を第1図に示す表示装置に
装着し懸架駆動して画像表示を繰り返し行なった。光学
的手段として発振波長780nmの半導体レーザを用い
た。
The information recording body thus prepared was mounted on the display device shown in FIG. 1, and the display device was suspended and driven to repeatedly display images. A semiconductor laser with an oscillation wavelength of 780 nm was used as an optical means.

記録部(不透明状態)と未記録部(透明状態)のコント
ラスト比が十分なものが得られ、画像認識ができた。さ
らに、記録部と未記録部それぞれの可視領域(400〜
700nm)での透過率を測定すると、第1表に示すよ
うな結果が得られた。
A sufficient contrast ratio between the recorded area (opaque state) and the unrecorded area (transparent state) was obtained, and image recognition was possible. Furthermore, the visible area (400~
When the transmittance at 700 nm) was measured, the results shown in Table 1 were obtained.

第    1    表 透過率(%) 未記録部        85 記録部         12 さらに、画像表示を繰り返し1000回以上行なっても
良好な画像表示を行なうことができた。
Table 1 Transmittance (%) Unrecorded area 85 Recorded area 12 Further, even when image display was repeated 1000 times or more, good image display could be performed.

比較例1 実施例1で作成した時に用いた光吸収材料前記化合物N
o、(18)を除いた以外は実施例1と全く同様の方法
で比較用情報記録体を作成した。
Comparative Example 1 Light-absorbing material used in Example 1 Compound N
A comparative information recording body was prepared in exactly the same manner as in Example 1 except that o and (18) were omitted.

この情報記録体を実施例1と同様に繰り返し画像表示を
行なったが、全く不透明状態が認められなかった。また
未記録部の透過率は92%であった。
Image display was repeatedly performed on this information recording body in the same manner as in Example 1, but no opaque state was observed. The transmittance of the unrecorded area was 92%.

実施例1と比較例1の透過率を比較しても、透過率変化
がほとんどなく光吸収材料化合物No、(18)を混合
しても何ら支障なく画像表示が可能であることが認めら
れた。
Even when comparing the transmittance of Example 1 and Comparative Example 1, it was found that there was almost no change in the transmittance and it was possible to display images without any problem even if light absorbing material compound No. (18) was mixed. .

実施例2〜12 実施例1の化合物をNo、(18)を 前述の化合物No、(1)、(11)、(17)。Examples 2-12 Compound No. of Example 1, No. (18) The aforementioned compound No., (1), (11), (17).

(23)、(2B)、(37)、(44)。(23), (2B), (37), (44).

(50)、(60)、(67)のそれぞれの化合物にか
えて実施例1と同様の方法でポリエチレンテレフタレー
ト基板上に乾燥膜厚が70#Lになるように塗布し、情
報記録体を作成し、それぞれの化合物を実施例2〜12
とした。
Instead of each of the compounds (50), (60), and (67), they were coated on a polyethylene terephthalate substrate in the same manner as in Example 1 so that the dry film thickness was 70 #L to prepare an information recording body. and each compound was prepared in Examples 2 to 12.
And so.

こうして作成した実施例2〜12の情報記録体を実施例
1と同様の方法で画像表示を行ない、すべて画像表示を
認めることができた。さらに実施例1と同様の方法で透
過率を測定し、第2表に示すような結果が得られた。
Images of the information recording bodies of Examples 2 to 12 thus prepared were displayed in the same manner as in Example 1, and all images could be displayed. Further, the transmittance was measured in the same manner as in Example 1, and the results shown in Table 2 were obtained.

第2表 実施例 化合物     透過率(%)No、    
未記録部    記録部737    87、   2
3 12    67        87  、    
  28実施例13 前記のフッ化ビニリデンとヘキサフルオロアセトンから
なるフッ化ビニリデン系共重合体樹脂50重量部とポリ
メチルメタクリレート樹脂50重量部のメチルエチルケ
トン溶液に前記の化合物No、(30)の化合物を10
重量部を加え、混合した。この混合した液を直径20c
mの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し乾燥膜厚が2
500人になるように情報記録体を作成した。
Table 2 Examples Compound Transmittance (%) No.
Unrecorded section Recorded section 737 87, 2
3 12 67 87,
28 Example 13 Into a methyl ethyl ketone solution of 50 parts by weight of the vinylidene fluoride copolymer resin made of vinylidene fluoride and hexafluoroacetone and 50 parts by weight of polymethyl methacrylate resin, 10% of the compound No. (30) was added.
Parts by weight were added and mixed. This mixed liquid was heated to a diameter of 20 cm.
Coated on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a dry film thickness of 2.
An information record was created to reach 500 people.

こうして作成した情報記録体をターンテーブル上に取り
付はターンテーブルを回転させながら、スポットサイズ
1.5ミクロンに集束した半導体レーザ(発振波長78
0nm)を情報記録層面にトラック状で走査して記録を
行なった。
The information recording medium created in this way was mounted on a turntable, and while rotating the turntable, a semiconductor laser (oscillation wavelength 78
0 nm) was scanned in a track shape on the surface of the information recording layer to perform recording.

この記録された情報記録体の表面を顕微鏡で観察したと
ころ、鮮明な不透明状態(ビット)が認められた。また
この情報記録体に低出力の半導体レーザ光を入射し、反
射光の検知を行なったところ、十分なS/N比を有する
波形が得られた。
When the surface of this recorded information recording medium was observed under a microscope, clear opaque states (bits) were observed. Furthermore, when a low-output semiconductor laser beam was incident on this information recording medium and the reflected light was detected, a waveform with a sufficient S/N ratio was obtained.

また、記録された情報記録体に低速回転で集束した半導
体レーザ光の照射を行ない、顕微鏡観察を行なったとこ
ろ、不透明状態(ビット)が消去され均一な透明状態が
確認でき、ピットが消去されていることがわかった。
In addition, when the recorded information recording medium was irradiated with a focused semiconductor laser beam rotating at a low speed and observed under a microscope, the opaque state (bits) was erased and a uniform transparent state was confirmed, and the pits were erased. I found out that there is.

実施例14 実施例13の化合物No、(30)を前記の化合物No
、(20)の化合物にかえて実施例13と同様の方法で
直径20cmの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚2500人になるように情報記録体を作成した
Example 14 Compound No. of Example 13, (30) was replaced with the above compound No.
, instead of the compound (20), it was applied on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm in the same manner as in Example 13,
An information recording medium was created to have a dry film thickness of 2,500 people.

この情報記録体に実施例13と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なS/N比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態(ピット)が形成されてい
た。さらに低速回転で集速した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態(ピット
)が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。
When information was recorded on this information recording medium in the same manner as in Example 13 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, after writing the information, observation under a microscope revealed that clear opaque states (pits) had been formed. Further, after irradiation with semiconductor laser light focused at low speed rotation, microscopic observation revealed that the opaque state (pits) had disappeared and a uniform transparent state was confirmed, indicating that the pits had been eliminated.

実施例15 実施例13の化合物No、(30)を前記の化合物No
、(24)の化合物にかえて実施例13と同様の方法で
直径20cmの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚2500人になるように情報記録体を作成した
Example 15 Compound No. of Example 13, (30) was replaced with the above compound No.
, instead of the compound (24), it was applied on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm in the same manner as in Example 13,
An information recording medium was created to have a dry film thickness of 2,500 people.

この情報記録体に実施例13と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なS/N比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態(ピット)が形成されてい
た。さらに低速回転で集球した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態(ピット
)が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかつた。
When information was recorded on this information recording medium in the same manner as in Example 13 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, after writing the information, observation under a microscope revealed that clear opaque states (pits) had been formed. Furthermore, after irradiation with semiconductor laser light focused at low speed rotation, microscopic observation revealed that the opaque state (pits) had disappeared and a uniformly transparent state had been confirmed, indicating that the pits had been eliminated.

実施例16 実施例13の化合物No、(30)を前記の化合物No
、(35)の化合物にかえて実施例13と同様の方法で
直径20cmの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚2500人になるように情報記録体を作成した
Example 16 Compound No. of Example 13, (30) was replaced with the above compound No.
, instead of the compound (35), it was applied on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm in the same manner as in Example 13,
An information recording medium was created to have a dry film thickness of 2,500 people.

この情報記録体に実施例13と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なS/N比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態(ピット)が形成されてい
た。さらに低速回転で集球した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態(ピット
)が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。
When information was recorded on this information recording medium in the same manner as in Example 13 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, after writing the information, observation under a microscope revealed that clear opaque states (pits) had been formed. Furthermore, after irradiation with semiconductor laser light focused at low speed rotation, microscopic observation revealed that the opaque state (pits) had disappeared, and a uniformly transparent state was confirmed, indicating that the pits had been eliminated.

実施例17 実施例13の化合物No、(30)を前記の化合物No
、、(39)の化合物にかえて実施例13と同様の方法
で直径20cmの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し
、乾燥膜厚2500人になるように情報記録体を作成し
た。
Example 17 Compound No. of Example 13, (30) was replaced with the above compound No.
, , (39) was used in the same manner as in Example 13 to prepare an information recording medium by coating it on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm to give a dry film thickness of 2,500 mm.

この情報記録体に実施例13と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なS/N比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態(ピット)が形成されてい
た。さらに低速回転で集球した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態(ピット
)が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。
When information was recorded on this information recording medium in the same manner as in Example 13 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, after writing the information, observation under a microscope revealed that clear opaque states (pits) had been formed. Furthermore, after irradiation with semiconductor laser light focused at low speed rotation, microscopic observation revealed that the opaque state (pits) had disappeared, and a uniformly transparent state was confirmed, indicating that the pits had been eliminated.

実施例18 実施例13の化合物No、(30)を前記の化合物No
、 (46’)の化合物にかえて実施例13と同様の方
法で直径20cmの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布
し、乾仔膜厚2500久になるように情報記録体を作成
した。
Example 18 Compound No. of Example 13, (30) was replaced with the above compound No.
, (46') was used in the same manner as in Example 13 to prepare an information recording medium by coating it on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm so that the dry film thickness was 2,500 mm.

この情報記録体に実施例13と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なS/N比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態(ピット)が形成されてい
た。さらに低速回転で集球した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態(ピット
)が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。
When information was recorded on this information recording medium in the same manner as in Example 13 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, after writing the information, observation under a microscope revealed that clear opaque states (pits) had been formed. Furthermore, after irradiation with semiconductor laser light focused at low speed rotation, microscopic observation revealed that the opaque state (pits) had disappeared, and a uniformly transparent state was confirmed, indicating that the pits had been eliminated.

実施例19 実施例13の化合物No、(30)を前記の化合物No
、(48)の化合物にかえて実施例13と同様の方法で
直径20cmの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚2500人になるように情報記録体を作成した
Example 19 Compound No. of Example 13, (30) was replaced with the above compound No.
, instead of the compound (48), it was applied on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm in the same manner as in Example 13,
An information recording medium was created to have a dry film thickness of 2,500 people.

この情報記録体に実施例13と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なS/N比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態(ピット)が形成されてい
た。さらに低速回転で実速した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態(ピット
)が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。
When information was recorded on this information recording medium in the same manner as in Example 13 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, after writing the information, observation under a microscope revealed that clear opaque states (pits) had been formed. Further, after irradiation with a semiconductor laser beam that rotated at a real speed at a low speed, microscopic observation was performed, and it was found that the opaque state (pits) had disappeared and a uniform transparent state had been confirmed, indicating that the pits had been eliminated.

実施例20 実施例13の化合物No、(30)を前記の化合物No
、(51)の化合物にかえて実施例13と同様の方法で
直径20cmの円板状アルミ蒸着ガラス板」二に塗布し
、乾燥膜厚2500人になるように情報記録体を作成し
た。
Example 20 Compound No. of Example 13, (30) was replaced with the above compound No.
, (51) was used in the same manner as in Example 13 to prepare an information recording medium by coating a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm to a dry film thickness of 2,500 mm.

この情報記録体に実施例13と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なS/N比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態(ピット)が形成されてい
た。さらに低速回転で実速した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態(ピット
)が消去され、均一な透明状yハ1が確認でき、ピッI
・が消去されていることがわかった。
When information was recorded on this information recording medium in the same manner as in Example 13 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, after writing the information, observation under a microscope revealed that clear opaque states (pits) had been formed. Furthermore, after irradiating with a semiconductor laser beam that rotated at a real speed at a low speed, microscopic observation was performed, and the opaque state (pits) was erased, and a uniform transparent state was confirmed.
・I found out that it has been deleted.

実施例21 実施例13の化合物No、(30)を前記の化合物No
、(54)の化合物にかえて実施例13と同様の方法で
直径20cmの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚2500人になるように情報記録体を作成した
Example 21 Compound No. of Example 13, (30) was replaced with the above compound No.
, instead of the compound (54), it was applied on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm in the same manner as in Example 13,
An information recording medium was created to have a dry film thickness of 2,500 people.

この情報記録体に実施例13と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なS/N比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態(ピット)が形成されてい
た。さらに低速回転で実速した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態(ピット
)が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。
When information was recorded on this information recording medium in the same manner as in Example 13 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, after writing the information, observation under a microscope revealed that clear opaque states (pits) had been formed. Further, after irradiation with a semiconductor laser beam that rotated at a real speed at a low speed, microscopic observation was performed, and it was found that the opaque state (pits) had disappeared and a uniform transparent state had been confirmed, indicating that the pits had been eliminated.

実施例22 実施例13の化合物No、(30)を前記の化合物No
、(55)の化合物にかえて実施例13と同様の方法で
直径20cmの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚2500人になるように情報記録体を作成した
Example 22 Compound No. of Example 13, (30) was replaced with the above compound No.
, instead of the compound (55), it was applied on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm in the same manner as in Example 13,
An information recording medium was created to have a dry film thickness of 2,500 people.

この情報記録体に実施例13と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なS/N比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態(ピット)が形成されてい
た。さらに低速回転で実速した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態(ピット
)が消去され、均一な透明状IEが確認でき、ピットが
消去されていることがわかった。
When information was recorded on this information recording medium in the same manner as in Example 13 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, after writing the information, observation under a microscope revealed that clear opaque states (pits) had been formed. Further, after irradiation with a semiconductor laser beam that rotated at a low speed and at a real speed, microscopic observation was performed, and it was found that the opaque state (pits) was erased and a uniform transparent IE was confirmed, indicating that the pits were erased.

実施例23 実施例13の化合物No、(30)を前記の化合物No
、(66)の化合物にかえて実施例13と同様の方法で
直径20cmの円板状アルミ蒸着ガラス板上に塗布し、
乾燥膜厚2500人になるように情報記録体を作成した
Example 23 Compound No. of Example 13, (30) was replaced with the above compound No.
, instead of the compound (66), it was applied on a disc-shaped aluminum vapor-deposited glass plate with a diameter of 20 cm in the same manner as in Example 13,
An information recording medium was created to have a dry film thickness of 2,500 people.

この情報記録体に実施例13と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なS/N比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態(ピット)が形成されてい
た。さらに低速回転で実速した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態(ピット
)が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。
When information was recorded on this information recording medium in the same manner as in Example 13 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, after writing the information, observation under a microscope revealed that clear opaque states (pits) had been formed. Further, after irradiation with a semiconductor laser beam that rotated at a real speed at a low speed, microscopic observation was performed, and it was found that the opaque state (pits) had disappeared and a uniform transparent state had been confirmed, indicating that the pits had been eliminated.

実施例24 直径20cmの円板状ガラス板上に前記の化合物No、
(21)の化合物をジクロルエタンに溶解した液を乾燥
膜厚が500人になるように塗布し、さらにその上に前
記のフッ化ビニリデンとへキサフルオロアセトンからな
るフッ化ビニリデン系共重合体樹脂50重量部とポリメ
チルメタクリレート樹脂50重量部を酢酸エチルに溶解
した液を乾燥膜厚が5JLになるように塗布し、情報記
録体を作成した。
Example 24 The above compound No.
A solution obtained by dissolving the compound (21) in dichloroethane is applied to a dry film thickness of 500 g, and then the vinylidene fluoride copolymer resin consisting of vinylidene fluoride and hexafluoroacetone is applied on top of the solution to give a dry film thickness of 50 g. A solution obtained by dissolving 50 parts by weight of polymethyl methacrylate resin in ethyl acetate was applied to give a dry film thickness of 5 JL to prepare an information recording body.

この情報記録体を実施例13と同様の方法で情報を記録
させてから再生したところ十分なS/N比を有する波形
が認められた。また、情報を書き込み後、顕微鏡で観察
したところ鮮明な不透明状態(ピット)が形成されてい
た。さらに低速回転で集球した半導体レーザ光を照射し
た後、顕微鏡観察を行なったところ不透明状態(ピット
)が消去され、均一な透明状態が確認でき、ピットが消
去されていることがわかった。
When information was recorded on this information recording medium in the same manner as in Example 13 and then reproduced, a waveform with a sufficient S/N ratio was observed. Further, after writing the information, observation under a microscope revealed that clear opaque states (pits) had been formed. Furthermore, after irradiation with semiconductor laser light focused at low speed rotation, microscopic observation revealed that the opaque state (pits) had disappeared, and a uniformly transparent state was confirmed, indicating that the pits had been eliminated.

実施例25 直径20cmの円板状ガラス板上に前記のフッ化ビニリ
デンとへキサフルオロアセトンからなるフッ化ビニリデ
ン系共重合体樹脂50重量部とポリメチルメタクリレー
ト樹脂50重量部をメチルエチルケトンに溶解した液を
乾燥膜厚が800人になるように塗布し、さらにその上
に前記の化合物No、(16)の化合物をジクロルエタ
ンに溶解した液を乾燥膜厚が1000人になるように塗
布し、情報記録体を作成した。
Example 25 A solution prepared by dissolving 50 parts by weight of the vinylidene fluoride copolymer resin consisting of vinylidene fluoride and hexafluoroacetone and 50 parts by weight of polymethyl methacrylate resin in methyl ethyl ketone was placed on a disc-shaped glass plate with a diameter of 20 cm. was applied to a dry film thickness of 800 mm, and on top of that, a solution prepared by dissolving the compound No. (16) in dichloroethane was applied to a dry film thickness of 1000 mm, and the information was recorded. Created a body.

この情報記録体に半導体レーザ光を円板状ガフ ラス板面より照射し、記録する以外は実施例13と同様
の方法で情報を記録させてから再生したところ十分なS
/N比を有する波形が認められた。また情報を書き込み
後、顕微鏡で観察したところ鮮明な不透明状態(ピット
)が形成されていた。さらに低速回転で集球した半導体
レーザ光を照射した後、顕微鏡観察を行なったところ不
透明状態(ピット)が消去され、均一な透明状態が確認
できピットが消去されていることがわかった。
When information was recorded and reproduced in the same manner as in Example 13, except that this information recording medium was irradiated with semiconductor laser light from the disk-shaped gaffra plate surface and recorded, sufficient S.
A waveform having a /N ratio was observed. After writing the information, observation under a microscope revealed that clear opaque states (pits) had been formed. Furthermore, after irradiation with semiconductor laser light focused at low speed rotation, microscopic observation revealed that the opaque state (pits) had disappeared and a uniformly transparent state had been confirmed, indicating that the pits had been eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明を構成する情報記録体の一態様の断面図
である。 第2図は本発明の情報の記録、再生、表示装ガの一例の
ごとく概略の縦断側面図である。 ■ −一一一情報記録体。 2−一一一基材。 3−一一一感熱材料 4−一一一記録光源吸収材料。
FIG. 1 is a sectional view of one embodiment of an information recording medium constituting the present invention. FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional side view of an example of the information recording, reproducing and display device of the present invention. ■ -111 information record body. 2-111 base material. 3-111 Heat-sensitive material 4-111 Recording light source absorbing material.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)情報記録体とこの情報記録体へ光学的手段を用い
て記録を行なう情報の記録、消去および記録装置におい
て、前記情報記録体が、特定温度への加熱および冷却に
より均一な透明状態あるいは白濁状態となる感熱材料と
少なくとも1つのシアニンメチン化合物からなる光吸収
材料を積層または混合含有してなり、この情報記録体は
特定範囲を特定温度に加熱することにより情報を表示ま
たは読み出し得るものであることを特徴とする情報の記
録、消去可能な情報記録体。
(1) An information recording medium and an information recording, erasing, and recording apparatus that records information on the information recording medium using optical means, in which the information recording medium is heated to a specific temperature and cooled to a uniform transparent state or This information recording medium is made by laminating or mixing a heat-sensitive material that becomes cloudy and a light-absorbing material made of at least one cyanine methine compound, and can display or read information by heating a specific range to a specific temperature. An information recordable and erasable information recording body characterized by:
(2)前記少なくとも1つのシアニンメチン有する化合
物が下記一般式[ I ]、[II]、[III]又は[IV]で
表わされる化合物である特許請求の範囲第1項記載の情
報の記録、消去可能な情報記録体。 一般式[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式[II] ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式[III] ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Z_1およびZ_2は置換又は未置換の含窒素
複素環を完成するに必要な原子群を示す。 Z_3およびZ_4は置換又は未置換の5員若しくは6
員環を形成する2価の炭化水素基を示す。 R_1よびR_2は、水素原子又は置換もしくは未置換
のアルキル基を示す。R_3およびR_4は水素原子、
ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アルキ
ル基、置換もしくは未置換のアリール基又はアシルオキ
シ基を示す。R_5およびR_6は、水素原子又はハロ
ゲン原子を示す。 X^■は、酸アニオンを示す。mおよびnは、0又は1
である、lは、0、1または2を示す。)一般式[IV] ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Z_1およびZ_2は置換若しくは未置換の含
窒素複素環を完成するに必要な原子群を示す。Z_3は
、5員又は6員環を形成する2価の炭化水素基を示す。 R_1およびR_2は、水素原子又は置換もしくは未置
換のアルキル基を示す。 Aは、酸素原子、硫黄原子、置換もしくは未置換のイミ
ド基又は2価の有機残基を示す。l、mおよびnは0又
は1を示し、pおよびqは0、1又は2を示す。)
(2) Information can be recorded and erased according to claim 1, wherein the compound having at least one cyanine methine is a compound represented by the following general formula [I], [II], [III] or [IV]. An information record. General formula [I] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ General formula [II] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ General formula [III] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (In the formula, Z_1 and Z_2 represents an atomic group necessary to complete a substituted or unsubstituted nitrogen-containing heterocycle. Z_3 and Z_4 are substituted or unsubstituted 5- or 6-membered
Indicates a divalent hydrocarbon group forming a membered ring. R_1 and R_2 represent a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group. R_3 and R_4 are hydrogen atoms,
Indicates a halogen atom, hydroxy group, carboxyl group, alkyl group, substituted or unsubstituted aryl group, or acyloxy group. R_5 and R_6 represent a hydrogen atom or a halogen atom. X^■ represents an acid anion. m and n are 0 or 1
, l represents 0, 1 or 2. ) General formula [IV] ▲ Numerical formulas, chemical formulas, tables, etc. Represents a divalent hydrocarbon group forming a 6-membered ring. R_1 and R_2 represent a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group. A represents an oxygen atom, a sulfur atom, a substituted or unsubstituted imide group, or Represents a divalent organic residue. l, m and n represent 0 or 1, p and q represent 0, 1 or 2.)
(3)前記光学的手段が半導体レーザを備えてなること
を特徴とした前記特許請求の範囲第1項記載の情報の記
録消去可能な情報記録体。
(3) An information recording medium capable of recording and erasing information as set forth in claim 1, wherein the optical means comprises a semiconductor laser.
(4)前記少なくとも1つのシアニンメチン化合物が実
質的に可視域に吸収を有さない化合物からなる特許請求
の範囲第3項記載の情報の記録、消去可能な情報記録体
(4) The information recording body capable of recording and erasing information according to claim 3, wherein the at least one cyanine methine compound is a compound having substantially no absorption in the visible range.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1849836A3 (en) * 2006-03-09 2007-12-26 FUJIFILM Corporation Compound having polymethine-chain structure, image forming material, planographic printing plate precursor, and image forming method using the same, method of making planographic printing plate, and planographic printing method

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