JPS62123737A - Dicing equipment - Google Patents

Dicing equipment

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Publication number
JPS62123737A
JPS62123737A JP60262455A JP26245585A JPS62123737A JP S62123737 A JPS62123737 A JP S62123737A JP 60262455 A JP60262455 A JP 60262455A JP 26245585 A JP26245585 A JP 26245585A JP S62123737 A JPS62123737 A JP S62123737A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
water
blade
dicing
wafer
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60262455A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Mimata
巳亦 力
Toru Kawanobe
川野辺 徹
Akira Minato
湊 昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP60262455A priority Critical patent/JPS62123737A/en
Publication of JPS62123737A publication Critical patent/JPS62123737A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To effectively prevent the charge of a high-pressure water flow by using pure water itself for cooling a blade and required concentration carbonic acid water for washing. CONSTITUTION:Pure water is supplied from the same water tank 19 to both the nozzle 12 for cooling a blade 11 and the high-pressure injection nozzle 13 for washing. The pure water is directly supplied to the nozzle 12 for cooling from the water tank 19. On the other hand, the pure water from the water tank 19 is introduced in a mixing tank 20 where carbon dioxide is introduced from a cylinder 21 and is mixed with the pure water and required concentration carbonic acid water is made for the high-pressure injection nozzle. By pressurizing the carbonic acid water with a pump 22, a so called high-pressure jet water flow can be injected on a wafer 16 from the nozzle 13. In this way, charging due to the friction of the washing water with the nozzle or with air, etc. can sufficiently be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、グイソング装置の性能向上に適用して有効な
技術に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a technique that is effective when applied to improving the performance of a Guisong device.

〔背景技術〕[Background technology]

半導体装置の製造工程である、いわゆるウニハエ程が終
了すると、ウェハから個々の半導体ペレットに分離する
ためにダイシングを行う。
When the so-called unifly process, which is a semiconductor device manufacturing process, is completed, dicing is performed to separate the wafer into individual semiconductor pellets.

上記ダイシング工程は、回転可能なダイシング用のブレ
ードとダイシング後のウェハを洗浄するための高圧°水
の噴射ノズルとを備えたダイソング装置を用いて行うこ
とができる。上記ダイシング用のブレードには、耐食性
金属からなる円板の円周部に、たとえばニッケル(Ni
)をバインダとしてダイヤモンド粒子を固定したものが
ある。
The above-mentioned dicing step can be performed using a die song device equipped with a rotatable dicing blade and a high-pressure water spray nozzle for cleaning the wafer after dicing. The above-mentioned dicing blade has a circular plate made of a corrosion-resistant metal with nickel (Ni
) is used as a binder to fix diamond particles.

ウェハのダイシングは、上記ブレードを回転させ、該ブ
レードに固定されているダイヤモンドでウェハを切削し
て行うものである。その際、ウェハと上記ブレードとの
摩擦により大量の熱が発生するので、冷却水をブレード
に吹き付けながらブレードおよびウェハの冷却を行う。
Wafer dicing is performed by rotating the blade and cutting the wafer with a diamond fixed to the blade. At this time, since a large amount of heat is generated due to friction between the wafer and the blade, the blade and wafer are cooled while spraying cooling water onto the blade.

また、ダイシング後のウェハの洗浄は、いわゆる高圧ジ
ェット水流をウェハ上に噴射することにより行うことが
できる。上記洗浄水として純水を用いると、該純水とノ
ズルとの摩擦または空気との摩擦により上記高圧ジェッ
ト水流は静電気を帯びる性質を有している。そのため、
半導体ペレットの回路素子が静電破壊を起こす問題があ
る。
Further, cleaning of the wafer after dicing can be performed by spraying a so-called high-pressure jet water stream onto the wafer. When pure water is used as the cleaning water, the high-pressure jet water stream has a property of being charged with static electricity due to friction between the pure water and the nozzle or friction with the air. Therefore,
There is a problem that circuit elements of semiconductor pellets may be damaged by electrostatic discharge.

そこで、洗浄に用いる純水に炭酸ガスを溶解させて、該
純水の比抵抗を下げることが有効な手段として採用する
ことができる。
Therefore, it is possible to adopt as an effective means to dissolve carbon dioxide gas in the pure water used for cleaning to lower the specific resistance of the pure water.

ところで、前記グイノング工程においても静電気の発生
が考えられるため、ブレードの冷却水にも炭酸ガスを溶
解させた水、すなわち炭酸水を用いた方が有効と考えら
れる。
By the way, since static electricity is likely to be generated in the Guinong step, it is considered more effective to use water in which carbon dioxide gas is dissolved, that is, carbonated water, also as the cooling water for the blade.

ところが、上記冷却水として炭酸水、特に前記高圧ジェ
ット水流の帯電を防止するに十分な濃度の炭酸水を用い
ると、上記ブレードにおけるバインダのニッケル(N 
i)が炭酸水に徐々にン容解するため、ダイヤモンド粒
子が早期に脱落する事実が明らかになった。その結果、
ブレードの寿命が極端に短くなるという問題のあること
が本発明者により見い出された。
However, when carbonated water, especially carbonated water with a sufficient concentration to prevent the high-pressure jet water flow from being charged, is used as the cooling water, nickel (N) in the binder in the blade is used.
It has become clear that diamond particles fall off early because i) is gradually dissolved in carbonated water. the result,
The inventor has discovered that there is a problem in that the life of the blade is extremely shortened.

なお、ダイシング技術については、特開昭59−134
849号明細書に記載されている。
Regarding the dicing technology, please refer to Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-134.
It is described in the specification of No. 849.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、洗浄工程における回路素子の静電破壊
を有効に防止し、かつダイシング用ブレードの寿命を延
ばすことができる技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique that can effectively prevent electrostatic damage to circuit elements during a cleaning process and extend the life of a dicing blade.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、ダイシング用ブレードの冷却水の供給手段と
、ウェハ洗浄用の高圧水供給手段とを備えたダイシング
装置について、ウェハ洗浄用の高圧水には静電破壊を防
止するために十分な4度の炭酸ガスを溶解させ、上記ブ
レードの冷却水には無溶解または上記高圧水の濃度より
低い炭酸ガスを溶解させることにより、洗浄用の高圧水
の比抵抗を下げることができるため高圧水流の帯電を有
効に防止でき、かつブレードの冷却水の炭酸濃度をゼロ
または低い値にすることができるためブレードにおける
ダイヤモンドを固定しているニッケル等のバインダ金属
の溶解を防止できる。したがって、上記目的が達成され
る。
In other words, for a dicing device equipped with a means for supplying cooling water for the dicing blade and a means for supplying high-pressure water for wafer cleaning, the high-pressure water for wafer cleaning must be heated at a temperature of 4 degrees, which is sufficient to prevent electrostatic damage. By dissolving carbon dioxide gas and dissolving it in the cooling water for the blades, the specific resistance of the high-pressure water for cleaning can be lowered by dissolving carbon dioxide gas that is not dissolved in the cooling water for the blades or has a concentration lower than that of the high-pressure water. This can be effectively prevented and the carbon dioxide concentration of the blade cooling water can be reduced to zero or a low value, thereby preventing the binder metal such as nickel that fixes the diamond in the blade from dissolving. Therefore, the above objective is achieved.

なお、上記バインダ金属が冷却水に溶解する炭酸ガスの
存在により、急速に溶解してし1く事実は、本発明者に
よる鋭意研究の結果初めて明らかにされたものである。
The fact that the binder metal rapidly dissolves due to the presence of carbon dioxide dissolved in the cooling water was first clarified as a result of intensive research by the present inventor.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明による一実施例であるダイシング装置の
一部を示す概略説明図、第2図は本実施例のダイシング
装置を示す概略平面図である。また、第3図は上記ダイ
シング装置のダイシング用ブレードの拡大部分正面図で
ある。
FIG. 1 is a schematic explanatory view showing a part of a dicing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic plan view showing the dicing apparatus of this embodiment. Moreover, FIG. 3 is an enlarged partial front view of the dicing blade of the dicing apparatus.

本実施例のダイシング装置は、本体1に複数の動作部等
を存するステージ2とXYテーブル3とが固定されてい
るものである。
In the dicing apparatus of this embodiment, a stage 2 and an XY table 3, each having a plurality of operating parts, are fixed to a main body 1.

上記ステージ2には、ウェハローダ4、予備位置合わせ
部5、位置合わせ部6、ダイシング部7、洗浄部8およ
びウェハアンローダ9の動作部等がそれぞれ設けられて
いる。また、XYテーブル3には、スピンドルモーフ1
0が固定されており、該モータlOの先端にはブレード
11が回転可能に取付けられている。そして、ダイシン
グ部7の近傍には、上記ブレード11の冷却用ノズル1
2が設置されている。さらに、前記洗浄部8には高圧噴
射ノズル13を先端に備えたアーム14が、支軸15に
回動可能に取付けられている。なお、同図において一部
切り欠いた円形はウェハ16を示す。
The stage 2 is provided with a wafer loader 4, a preliminary positioning section 5, a positioning section 6, a dicing section 7, a cleaning section 8, an operating section of a wafer unloader 9, and the like. In addition, spindle morph 1 is placed on XY table 3.
0 is fixed, and a blade 11 is rotatably attached to the tip of the motor IO. In the vicinity of the dicing section 7, a cooling nozzle 1 for the blade 11 is provided.
2 is installed. Furthermore, an arm 14 having a high-pressure injection nozzle 13 at its tip is rotatably attached to a support shaft 15 in the washing section 8 . In addition, in the figure, a partially cut-out circle indicates the wafer 16.

本実施例のダイシング装置では、次のような手順で作業
が行われる。まず、図中右端に位置するローダ14から
搬送治具(図示せず)でウェハ16を予備位置決め部5
へ移動させ、次いで位置決め部6に移動させウェハチャ
ックテーブル17の上で正確な位置合わせを行う。次い
で、上記チャックテーブル17をダイシング部7に移動
させ、その上のウェハ16をブレード2でダイシングす
る。この段階においては、分離された半導体ペレットが
貼着テープに保持されているか、または半導体ベレット
ごとにブレイク可能な程度にウェハが切削された状態に
ある。
In the dicing apparatus of this embodiment, work is performed in the following steps. First, the wafer 16 is transferred from the loader 14 located at the right end in the figure to the preliminary positioning section 5 using a transfer jig (not shown).
The wafer is then moved to the positioning section 6 for accurate positioning on the wafer chuck table 17. Next, the chuck table 17 is moved to the dicing section 7, and the wafer 16 thereon is diced with the blade 2. At this stage, the separated semiconductor pellets are held by an adhesive tape, or the wafer is cut to the extent that each semiconductor pellet can be broken.

ダイシング終了後のウェハ16は再び位置決め部6に戻
され、次の洗浄部日へ移動され、洗浄後は乾燥工程(図
示せず)を経てアンローダ9へ収納される。
After dicing, the wafer 16 is returned to the positioning section 6 and moved to the next cleaning section, and after cleaning, it is stored in the unloader 9 through a drying process (not shown).

上記ダイシング装置の一部を第1図にさらに詳細に示す
。本図には、前記第2図に示した装置におけるダイシン
グ部7と洗浄部8との構造的関係の概略が示しである。
A portion of the dicing apparatus described above is shown in more detail in FIG. This figure schematically shows the structural relationship between the dicing section 7 and the cleaning section 8 in the apparatus shown in FIG. 2.

すなわち、ダイシング部7には左右方向に移動可能なウ
ェハチャックテーブル17が設置され、該テーブル17
にはウェハ16が位置決め固定されている。上記ウェハ
16を切削可能な高さに前記ブレード11が位置され、
該ウェハ16の切削位置のブレード11に水を吹き付け
ることができる位置に前記冷却用ノズル12が配置され
ている。
That is, a wafer chuck table 17 that is movable in the left and right direction is installed in the dicing section 7.
A wafer 16 is positioned and fixed. The blade 11 is positioned at a height capable of cutting the wafer 16,
The cooling nozzle 12 is arranged at a position where water can be sprayed onto the blade 11 at the cutting position of the wafer 16.

一方、洗浄部8には、回転軸に支持されたスピンナテー
ブル18が設置されており、該テーブル18を回転させ
ながらその上に載置されたウェハ16の上に、その上方
に位置する噴射ノズル13から高圧ジェット水流を噴射
させて、該ウェハ16の洗浄を行う。
On the other hand, a spinner table 18 supported by a rotating shaft is installed in the cleaning section 8, and while rotating the table 18, a jet nozzle positioned above the wafer 16 is placed on the wafer 16 placed on the spinner table 18. The wafer 16 is cleaned by injecting a high-pressure jet water stream from the wafer 13 .

前記ブレード11の冷却用ノズル12と洗浄用の高圧噴
射ノズル13の両ノズルには、同一の水槽19から純水
が供給される。冷却用ノズル12へは、上記水槽19か
ら直接純水を供給する。一方の高圧噴射用ノズルへは、
上記水槽19からの純水を混合槽20に導入し、該混合
槽20の中でボンベ21から導入した炭酸ガスと混合し
て所定濃度の炭酸水にする。この炭酸水をポンプ22で
加圧することにより、上記噴射ノズル13から、いわゆ
る高圧ジェット水流としてウェハ16上に噴射すること
ができるものである。なお、23は逆流防止弁であり、
混合槽からの液が水槽またはノズル12に流入しないた
めに設けられているものである。
Pure water is supplied from the same water tank 19 to both the cooling nozzle 12 and the high-pressure cleaning nozzle 13 of the blade 11. Pure water is directly supplied to the cooling nozzle 12 from the water tank 19 . To one high pressure injection nozzle,
Pure water from the water tank 19 is introduced into a mixing tank 20, and mixed with carbon dioxide gas introduced from a cylinder 21 in the mixing tank 20 to produce carbonated water of a predetermined concentration. By pressurizing this carbonated water with the pump 22, it can be sprayed onto the wafer 16 from the spray nozzle 13 as a so-called high-pressure jet water stream. In addition, 23 is a check valve,
This is provided to prevent liquid from the mixing tank from flowing into the water tank or the nozzle 12.

次に本実施例の作用を説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.

前記の如く、本実施例のダイシング装置においては、ブ
レード11の冷却水としては純水をそのまま使用し、洗
浄水としては所定濃度の炭酸水を使用する。ここで所定
濃度とは、上記洗浄水を高圧噴射しても、該洗浄水とノ
ズルまたは空気等との摩擦による帯電を十分に防止する
ことができる濃度である。
As described above, in the dicing apparatus of this embodiment, pure water is used as is as the cooling water for the blade 11, and carbonated water of a predetermined concentration is used as the cleaning water. Here, the predetermined concentration is a concentration that can sufficiently prevent charging due to friction between the cleaning water and the nozzle, air, etc. even when the cleaning water is injected at high pressure.

したがって、ウェハ16の洗浄は高圧ジェット水流によ
る回路素子の静電破壊を生じさせることなく行うことが
できる。
Therefore, the wafer 16 can be cleaned without electrostatic damage to circuit elements caused by the high-pressure water jet.

一方、ウェハチャックテーブルが十分にアースされてい
れば、ブレードの冷却水としては純水を使用することが
できる。それは、上記洗浄水の場合と異なり、高圧噴射
を必要としないため冷却水自体が帯電することがないた
めである。
On the other hand, if the wafer chuck table is sufficiently grounded, pure water can be used as cooling water for the blade. This is because, unlike the case of the above-mentioned cleaning water, the cooling water itself does not become electrically charged because high-pressure injection is not required.

また、冷却水に炭酸ガスが溶解されていると、第3図に
示すようにブレード11の高強度金属からなる円板11
aにダイヤモンド粒子11bを固定するためのバインダ
であるニッケル(Ni)11Cが該冷却水に溶解すると
いう問題がある。しかし、本実施例の装置においては、
冷却水には炭酸ガスが存在しないため上記問題はない。
Furthermore, if carbon dioxide gas is dissolved in the cooling water, the disk 11 of the blade 11 made of high-strength metal as shown in FIG.
There is a problem in that nickel (Ni) 11C, which is a binder for fixing the diamond particles 11b to a, dissolves in the cooling water. However, in the device of this embodiment,
Since there is no carbon dioxide gas in the cooling water, the above problem does not occur.

したがって、ニッケルllcが徐々に消耗し、ダイヤモ
ンドllbが欠落していくことによる上記ブレード11
の寿命短縮を防止することができる。
Therefore, the blade 11 due to the gradual consumption of nickel llc and the loss of diamond llb.
It is possible to prevent shortening of the lifespan.

以上説明した如く、本実施例のダイシング装置は、ウェ
ハ洗浄時にウェハ11に形成されている回路素子の静電
破壊を防止しつつ、ダイシングに使用するブレードの長
寿命化が達成できるものである。したがって、上記装置
を使用することにより、ブレード1枚当たりのウェハ処
理枚数を大巾に増加することができ、かつ歩留りをも向
上できることにより、半導体ベレットひいては該ペレッ
トを搭載する半導体装置のコスト低減を達成することが
できる。
As described above, the dicing apparatus of this embodiment can prevent electrostatic damage to circuit elements formed on the wafer 11 during wafer cleaning, and can extend the life of the blade used for dicing. Therefore, by using the above-mentioned apparatus, the number of wafers processed per blade can be greatly increased, and the yield can also be improved, thereby reducing the cost of semiconductor pellets and, by extension, the semiconductor devices on which the pellets are mounted. can be achieved.

〔効果〕〔effect〕

fil、ダイシング用ブレードの冷却水の供給手段とウ
ェハ洗浄用の高圧水供給手段とを備えたダイシング装置
について、ウェハ洗浄用の高圧水には静電破壊を防止す
るために十分な7店度の炭酸ガスを溶解させ、上記ブレ
ードの冷却水には無溶解または上記高圧水の濃度より低
い炭酸ガスをン容解させることにより、洗浄工程におけ
る高圧水の比抵抗を下げることができるので高圧水流の
帯電をを効に防止でき、かつブレードの冷却水の炭酸濃
度をゼロまたは低い値にすることができるので、ブレー
ドにおけるダイヤモンドを固定しているニッケル等の炭
酸水に溶解するバインダ金属の消耗を防止できる。
fil, for a dicing device equipped with a means for supplying cooling water for the dicing blade and a means for supplying high-pressure water for cleaning wafers, the high-pressure water for cleaning wafers is supplied with a sufficient amount of 7 degrees to prevent electrostatic damage. By dissolving carbon dioxide and dissolving carbon dioxide that is not dissolved in the cooling water for the blades or has a concentration lower than that of the high-pressure water, the specific resistance of the high-pressure water in the cleaning process can be lowered. Since it can effectively prevent static electricity and reduce the carbon dioxide concentration of the blade cooling water to zero or a low value, it prevents the consumption of binder metals such as nickel that dissolve in carbonated water that fix diamonds in the blade. can.

(2)前記(1)により、洗浄工程においてはウェハに
形成されている回路素子の静電破壊を有効に防止でき、
かつダイシング用ブレードの寿命を延長することができ
る。
(2) According to (1) above, electrostatic damage to circuit elements formed on the wafer can be effectively prevented during the cleaning process;
Moreover, the life of the dicing blade can be extended.

(3)、前記(2)により、半導体ペレットの歩留り向
上が達成され、かつダイシング用ブレード1枚当たりの
半導体ペレットの処理枚数を増加することができるので
、半導体ペレットの大巾なコスト低減が達成できる。
(3) With (2) above, it is possible to improve the yield of semiconductor pellets and increase the number of semiconductor pellets processed per dicing blade, resulting in a significant cost reduction of semiconductor pellets. can.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.

たとえば、前記実施例ではブレードの冷却水には炭酸ガ
スを一切溶解せしめないものについて説明したが、必ず
しもこれに限るものでなく、ブレードのニッケル金属に
影響を与えないか、または顕著な形容が生じない程度の
低濃度の炭酸水を用いてもよいことはいうまでもない。
For example, in the above embodiments, the cooling water for the blades was explained as having no carbon dioxide dissolved therein, but this is not necessarily the case, and the cooling water does not have any effect on the nickel metal of the blades, or may have a noticeable appearance. It goes without saying that carbonated water with a very low concentration may be used.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明による一実施例であるダイシング装置の
一部を示す概略説明図、 第2回は本実施例のダイシング装置を示す概略平面図、 第3図は上記ダイシング装置のダイシング用ブレードの
拡大部分正面図である。 1・・・本体、2・・・ステージ、3・・・XYテーブ
ル、4・・・ウェハローダ、5・・・予備位置合わせ部
、6・・・位1合わせ部、7・・・ダイシング部、8・
・・洗浄部、9・・・ウェハアンローダ、10・・・モ
ータ、11・・・ブレード、lla・・・円板、llb
・・・ダイヤモンド粒子、IIC・・・ニッケル(Ni
)、12・・・冷却用ノズル、13・・・高圧噴射ノズ
ル、■4・・・アーム、15・・・支軸、16・・・ウ
ェハ、17・・・チャックテーブル、1日・・・スピン
ナテーブル、19・・・水槽、20・・・混合槽、21
・・・炭酸ガスのボンへ、22・・・ポンプ、23・・
・逆流防止弁。 第  1  図 6:′7
[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] Fig. 1 is a schematic explanatory diagram showing a part of a dicing apparatus according to an embodiment of the present invention; Fig. 2 is a schematic plan view showing a dicing apparatus according to the present embodiment; It is an enlarged partial front view of the dicing blade of the said dicing apparatus. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Main body, 2... Stage, 3... XY table, 4... Wafer loader, 5... Preliminary positioning section, 6... Place 1 alignment section, 7... Dicing section, 8・
...Cleaning section, 9...Wafer unloader, 10...Motor, 11...Blade, lla...Disc, llb
...diamond particles, IIC...nickel (Ni
), 12... Cooling nozzle, 13... High pressure injection nozzle, ■4... Arm, 15... Support shaft, 16... Wafer, 17... Chuck table, 1 day... Spinner table, 19... Water tank, 20... Mixing tank, 21
...To the carbon dioxide gas bong, 22...Pump, 23...
・Return prevention valve. 1st Figure 6:'7

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、ダイシング用ブレードの冷却水の供給手段と、ウェ
ハ洗浄に用いる高圧水の供給手段とを備えたダイシング
装置であって、上記高圧水に炭酸ガスを供給する手段を
設けてなるダイシング装置。 2、ブレードの冷却水は、純水または噴出高圧水中の濃
度より低い炭酸ガスを含むことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のダイシング装置。
[Scope of Claims] 1. A dicing apparatus comprising means for supplying cooling water for a dicing blade and means for supplying high-pressure water used for wafer cleaning, the apparatus comprising means for supplying carbon dioxide gas to the high-pressure water. dicing equipment. 2. The dicing apparatus according to claim 1, wherein the blade cooling water contains carbon dioxide at a lower concentration than pure water or jetted high-pressure water.
JP60262455A 1985-11-25 1985-11-25 Dicing equipment Pending JPS62123737A (en)

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