JPS62116071A - Intensity modulation adjusting device for semiconductor laser in laser beam printer - Google Patents

Intensity modulation adjusting device for semiconductor laser in laser beam printer

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JPS62116071A
JPS62116071A JP60256133A JP25613385A JPS62116071A JP S62116071 A JPS62116071 A JP S62116071A JP 60256133 A JP60256133 A JP 60256133A JP 25613385 A JP25613385 A JP 25613385A JP S62116071 A JPS62116071 A JP S62116071A
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semiconductor laser
laser
control
drive current
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Kiyoshi Negishi
清 根岸
Chikamasa Ikeda
池田 親優
Manabu Imoto
井本 学
Hideo Aida
相田 英夫
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Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To automatically adjust the printing density by providing a means to control the driving electric current of a laser to the value corresponding to a prescribed initial value and a modulating intensity value setting means of the laser, and controlling the light emitting strength based upon the adding result of the modulating intensity and the initial value. CONSTITUTION:Except during the scanning printing, by a control means 101, the detecting light emitting strength value of a laser 100 is compared with the initial value set before hand, and the driving electric current value of the laser 100 is controlled to an initial driving electric current value corresponding to the initial value. By a setting means 102, the modulating intensity value for adjusting the light emitting strength is set, by an arithmetic means 103, the set modulating intensity value is added to the above-mentioned initial value and the driving electric current control value is calculated. A control means 104 controls the light emitting strength of the laser 100 based upon the calculated riving electric current control value. Thus, the reference value of an auto power control (APC) circuit can be kept as it is in addition, the density of the optional printing can be set.

Description

【発明の詳細な説明】 a、技術分野 この発明は、レーザビームプリンタにおける半導体レー
ザの強度変調調整装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION a. Technical Field The present invention relates to an intensity modulation adjustment device for a semiconductor laser in a laser beam printer.

b、従来技術及びその問題点 近時、図形、文字等の画像情報に基づいて変調したレー
ザビームを帯電させた感光体上に露光走査して静電潜像
を形成し、現像(顕像)、転写。
b. Prior art and its problems Recently, a laser beam modulated based on image information such as figures, characters, etc. is exposed and scanned onto a charged photoreceptor to form an electrostatic latent image, which is then developed (developed). , transcription.

定着などの複写工程を経て画像情報のハードコピーを得
るようにした所謂レーザビームプリンタ(以下、rLB
PJと略称する)力智f及しつつあり、特に半導体レー
ザを利用した小型で低価格なLBPの実用化が盛んであ
る。
A so-called laser beam printer (rLB) obtains a hard copy of image information through a copying process such as fixing.
(abbreviated as PJ) is becoming more and more popular, and the practical use of compact and low-cost LBPs using semiconductor lasers is particularly popular.

ところで、この半導体レーザ(レーザダイオード)を利
用したLBPにおいては、ハードコピーの印字濃度(画
像濃度)を変えたい場合、従来は概ね次のようにしてい
た6 すなわち、LBPにおける半導体レーザ駆動装置には、
半導体レーザの発光強度を検出して、その検出発光強度
値を基準値(基準電圧)と比較し、その比較結果に基づ
いて発光強度が基準値に対応する発光強度となるように
半導体レーザの駆動電流値をフィードバック制御するオ
ート・パワー・コントロール(APC)回路が備えられ
ており、このAPC回路における基準値を設定ダイヤル
(ボリューム)を操作することによって半導体レーザの
発光強度を可変して濃度調整を行なうか。
By the way, in LBP using this semiconductor laser (laser diode), if you want to change the print density (image density) of a hard copy, the conventional method is generally as follows.6 In other words, the semiconductor laser drive device in LBP ,
Detects the emission intensity of the semiconductor laser, compares the detected emission intensity value with a reference value (reference voltage), and drives the semiconductor laser so that the emission intensity corresponds to the reference value based on the comparison result. It is equipped with an auto power control (APC) circuit that feedback controls the current value, and by operating the dial (volume) that sets the reference value in this APC circuit, the emission intensity of the semiconductor laser can be varied and the concentration can be adjusted. Shall we go?

露光後の現像工程における現像バイアスを調整ダイヤル
を操作することによって行なうかしていた。
The development bias in the post-exposure development process was controlled by operating an adjustment dial.

しかしながら、このような従来の調整仕様では、次のよ
うな問題点があった。
However, such conventional adjustment specifications have the following problems.

すなわち、APC回路における比較基準値をユーザが任
意に変えることは、APC回路の設計上乃至動作上好ま
しくないばかりか、現像バイアス調整仕様を含めてハー
ドコピーの濃度を1頁毎に変えたいような場合、1頁分
のハードコピーの印字を完了した後で次頁の印字開始前
に濃度設定せざるを得す、サイクルタイムが長くなる問
題があった。
In other words, it is not only undesirable for the user to arbitrarily change the comparison reference value in the APC circuit from the standpoint of the design and operation of the APC circuit. However, after completing printing of one page of hard copy, the density must be set before starting printing of the next page, resulting in a longer cycle time.

尚、印字スピードを可変したい場合、半導体レーザの発
光強度も可変する必要があり、この場合も上記濃度可変
の場合と同様な問題があった。
Note that when it is desired to vary the printing speed, it is also necessary to vary the emission intensity of the semiconductor laser, and this case also has the same problem as the case of varying the density.

C0目的 この発明は、上記のような背景に鑑みてなさなされたも
のであり、前述のようなレーザビームプリンタにおいて
、第1図に示す如く、レーザビーム走査印字中以外の時
に、半導体レーザ100の検出発光強度値を予め設定し
た初期値と比較して半導体レーザ100の駆動電流値を
その初期値に対応する初期駆動電流値に制御する第1の
制御手段101と、半導体レーザ100の発光強度調整
用の変調強度値を設定する設定手段102と、この設定
手段102によって設定した変調強度値を前述の初期値
に加算して駆動電流制御値を演算する演算手段103と
、レーザビームによって演算した駆動電流制御値に基づ
いて半導体レーザ100の発光強度を制御する第2の制
御手段104とを設けて構成した半導体レーザの強度変
調調整装置を提供することにより、前述した従来問題の
解決を図るものである。
C0 Purpose This invention has been made in view of the above background, and in the laser beam printer as described above, as shown in FIG. A first control means 101 that compares a detected emission intensity value with a preset initial value and controls the drive current value of the semiconductor laser 100 to an initial drive current value corresponding to the initial value; and a first control means 101 that controls the emission intensity of the semiconductor laser 100. a setting means 102 for setting a modulation intensity value for a drive current control value, a calculation means 103 for calculating a drive current control value by adding the modulation intensity value set by this setting means 102 to the above-mentioned initial value, and a drive current control value calculated by a laser beam. The above-described conventional problems are solved by providing an intensity modulation adjustment device for a semiconductor laser that includes a second control means 104 that controls the emission intensity of the semiconductor laser 100 based on a current control value. be.

d、実施例の構成 以下、この発明の実施例を図面の第2図以降を参照しな
がら説明する。
d. Structure of the Embodiment Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2 and subsequent drawings.

第2図は、この発明の一実施例を示すブロック構成図で
ある。
FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

同図中、1はレーザビームプリンタ(LBP)のコント
ロールユニットであり、制御部2、強度変調用制御部3
、比較器4、D/A変換器5、バッファ(電圧フォロア
)6、ビンフォトダイオードPD、抵抗R□、初期値(
基準値)設定用の可変電源VE、抵抗R21強度変調用
でPNP型のトランジスタT rl、半導体レーザ(レ
ーザダイオード)LD、及び印字変調用でNPN型のト
ランジスタTr2等によって構成されている。
In the figure, 1 is a control unit of a laser beam printer (LBP), including a control section 2 and an intensity modulation control section 3.
, comparator 4, D/A converter 5, buffer (voltage follower) 6, bin photodiode PD, resistor R□, initial value (
It is composed of a variable power supply VE for setting a reference value), a resistor R21, a PNP type transistor Trl for intensity modulation, a semiconductor laser (laser diode) LD, and an NPN type transistor Tr2 for print modulation.

制御部2は、マイクロコンピュータ等によってシステム
構成され、LBPIの全体の制御を司っている。
The control unit 2 has a system configuration including a microcomputer and the like, and is in charge of overall control of the LBPI.

強度変調用制御部3は、中央処理装置(CP U)30
、プログラムメモリ(ROM)31、データ:AモIJ
 (RAM)32. 及び入出力装! (Ilo)33
等からなるマイクロコンピュータからなり、ROM31
に予め格納した後述するプログラムをCPU30が適時
実行することによって、第1図に示すこの発明に係る第
1の制御手段101、設定手段102、演算手段103
、及び第2の制御手段104に関連する各種機能を果す
The intensity modulation control unit 3 includes a central processing unit (CPU) 30
, program memory (ROM) 31, data: Amo IJ
(RAM)32. And input/output equipment! (Ilo)33
It consists of a microcomputer consisting of 31 ROMs, etc.
When the CPU 30 timely executes a program to be described later that is stored in advance in
, and performs various functions related to the second control means 104.

尚、上記設定手段102としての機能に関しては、厳密
には制御部2及び後述する外部機器7並びにキーボード
8も構成要素となっており、又第1、第2の制御手段1
01,104としての機能も比較器4まわりの入力系及
びD/A変換器5以降の出力系も構成要素となっている
Regarding the function of the setting means 102, strictly speaking, the control unit 2, an external device 7 and a keyboard 8, which will be described later, are also constituent elements, and the first and second control means 1
01 and 104, the input system around the comparator 4 and the output system after the D/A converter 5 are also constituent elements.

そして、この強度変調用制御部3と前述の制御部2との
間で、後述するイネーブル信号Sユ、変調強度値読込ス
タート信号S2.同期信号S1.変調強度値データS4
、比較サンプリング信号S、など信号の授受が行なわれ
る。
Then, between this intensity modulation control section 3 and the above-mentioned control section 2, an enable signal S, which will be described later, a modulation intensity value reading start signal S2. Synchronization signal S1. Modulation intensity value data S4
, comparison sampling signal S, and other signals are exchanged.

比較器4は、その非反転入力端子■に入力される可変電
源VEによって予め設定(例えばメーカが工場出荷時に
設定する)された初期値(初期電圧値)Vrefと、半
導体レーザLDに内蔵されたピンフォトダイオードPD
によって検出した半導体レーザLDの発光強度に応じた
電流Imを抵抗R工で電圧値に変換した検出発光強度値
Vxとを比較してVref)Vxの時に11 H#でV
ref<VXの時に′″L′の比較信号S0を出力する
ようになっている。
The comparator 4 has an initial value (initial voltage value) Vref set in advance (for example, set by the manufacturer at the time of factory shipment) by the variable power supply VE input to its non-inverting input terminal pin photodiode PD
The current Im corresponding to the emission intensity of the semiconductor laser LD detected by is compared with the detected emission intensity value Vx which is converted into a voltage value using a resistor R.
When ref<VX, a comparison signal S0 of ``L'' is output.

そして、この比較器4の比較信号S0は、強度変調用制
御部3におけるl1033に入力される。
The comparison signal S0 of this comparator 4 is input to l1033 in the intensity modulation control section 3.

尚、初期値Vrefの設定時は、行成り所要値に設定す
るのではなく、可成り低い値から漸増させて設定するも
のとする。
Incidentally, when setting the initial value Vref, it is assumed that the initial value Vref is not set to a required value, but is gradually increased from a fairly low value.

次に、D/A変換器5は、強度変調用制御部3における
l1033から出力される後述する駆動電流制御値sy
を駆動電流制御電圧値vyにデジタル/アナログ変換す
る。
Next, the D/A converter 5 receives a drive current control value sy, which will be described later, output from l1033 in the intensity modulation control unit 3.
is converted into a drive current control voltage value vy from digital to analog.

抵抗R2、トランジスタTr、のエミッタ、コレクタ、
半導体レーザLDは、+ V c cとアースとの間に
上記の順番に直列接続され、トランジスタTr1のベー
スにはバッファ6を介した駆動電流制御電圧値Vyが印
加される。
Resistor R2, emitter and collector of transistor Tr,
The semiconductor laser LD is connected in series between +Vcc and ground in the above order, and a drive current control voltage value Vy is applied to the base of the transistor Tr1 via the buffer 6.

そして、半導体レーザLDにはトランジスタTr2のコ
レクターエミッタ間が並列に接続されており、このトラ
ンジスタTr2のベースには制御部2から出力される変
調信号MDが印加される。
The semiconductor laser LD is connected in parallel between the collector and emitter of a transistor Tr2, and the modulation signal MD output from the control section 2 is applied to the base of the transistor Tr2.

従って、半導体LDには、トランジスタTrzのオフ時
に、駆動電流制御電圧値vyに応じた駆動電流ILDが
流れてそれに応じたレーザビームが出力され、トランジ
スタTr2のオン時にはそのレーザビームの出力は停止
される。
Therefore, when the transistor Trz is off, a drive current ILD corresponding to the drive current control voltage value vy flows through the semiconductor LD, and a corresponding laser beam is output.When the transistor Tr2 is on, the output of the laser beam is stopped. Ru.

次に、外部機器7は、LBPIにおける制御部2へ印字
画像データやこの発明に係る変調強度値データなどの各
種データを転送する。
Next, the external device 7 transfers various data such as print image data and modulation intensity value data according to the present invention to the control unit 2 in the LBPI.

そして、キーボード8は、変調強度値等を設定するため
のものであり、LBP使用者がLBPIによって得られ
るハードコピーの所要頁の濃度、全頁の濃度、1頁毎の
濃度等を設定する時に操作する。
The keyboard 8 is used to set modulation intensity values, etc., and is used when the LBP user sets the density of the required page, the density of all pages, the density of each page, etc. of the hard copy obtained by LBPI. Manipulate.

e、実施例の作用 以下、上記の如く構成した実施例の作用を第3図乃至第
6図を参照しながら説明する。
e. Effects of the Embodiment The effects of the embodiment configured as described above will be explained below with reference to FIGS. 3 to 6.

尚、LBPIにおける比較器4の比較基準に供する初期
値Vrefは、可変電源VEによって所要の値に予め設
定されているものとする。
It is assumed that the initial value Vref used as a comparison standard for the comparator 4 in LBPI is set in advance to a required value by the variable power supply VE.

先ず、LBP使用者はキーボード8を操作して、これか
らLBPIを利用して印字しようとするドキュメントの
ハードコピーの印字濃度を決めるべく、変調強度値(本
実施例では例えば6ビツトデータ長のデータ)を設定す
る。
First, the LBP user operates the keyboard 8 to input a modulation intensity value (for example, 6-bit data length data in this embodiment) in order to determine the print density of the hard copy of the document that will be printed using LBPI. Set.

この設定仕様としては、例えばハードコピーの全頁に亘
って統一濃度とする設定仕様、所要頁のみを他の頁と濃
度を異ならせる設定仕様等があり、LBP使用者は必要
に応じた設定仕様で設定する。
Examples of this setting specification include, for example, a setting specification in which all pages of the hard copy have a uniform density, a setting specification in which only the required page has a different density from other pages, etc. LBP users can set the setting specification according to their needs. Set with .

そして、キーボード操作によって設定された変調強度値
データは、外部機器7乃至LBP、の制御部2における
所要のデータ格納エリアに転送格納される。
The modulation intensity value data set by the keyboard operation is transferred and stored in a required data storage area in the control unit 2 of the external device 7 to the LBP.

尚、外部機器7乃至制御部2のデータ格納エリアに予め
標準の変調強度値を書き込んでおいて。
Incidentally, a standard modulation intensity value is written in advance in the data storage area of the external device 7 or the control unit 2.

LBP使用者が特にキーボード操作を行なわない時は、
その標準値が使われるようにしても良い。
When LBP users do not particularly perform keyboard operations,
The standard value may be used.

次に、LBPIが起動すると、強度変調用制御部3にお
けるCPU30は、所要の初期化処理を行なった後、第
3図の初めのステップから順に処理を進めてゆく。
Next, when the LBPI is activated, the CPU 30 in the intensity modulation control section 3 performs necessary initialization processing, and then proceeds with the processing in order from the first step in FIG.

先ず、D/A変換器Sへの出力用レジスタCに「0」を
書き込んだ後、該レジスタCの「o」を駆動電流制御値
SyとしてD/A変換器5へ出力する。
First, "0" is written in the register C for output to the D/A converter S, and then "o" in the register C is output to the D/A converter 5 as the drive current control value Sy.

これによって、D/A変換器5、バッファ6の作用によ
りトランジスタTr1は予め定めた微弱な駆動電流IL
Dを流す。但し、この時1例えば制御部2からはトラン
ジスタTr、をオンにする変調信号MDを出力している
ため、半導体レーザLDは発光しない。
As a result, due to the action of the D/A converter 5 and the buffer 6, the transistor Tr1 receives a predetermined weak drive current IL.
Play D. However, at this time, for example, the control unit 2 is outputting a modulation signal MD that turns on the transistor Tr, so the semiconductor laser LD does not emit light.

次に、CPU30は、制御部2からのイネーブル信号S
1がハイレベル1H′に立ち上がっているか否かをチェ
ックし、S工がローレベル′″L′ならハイレベル′″
H′に立ち上がるまで待ち、Slが例えば第6図(イ)
に示す時点t□でハイレベル1H′に立ち上がると、次
ステツプに処理を進める。
Next, the CPU 30 receives an enable signal S from the control unit 2.
1 has risen to high level 1H' or not, and if S is at low level ``L'', it is set to high level''
Wait until Sl rises to H', for example, as shown in Figure 6 (a).
When the signal rises to the high level 1H' at time t□ shown in FIG. 2, the process proceeds to the next step.

次ステツプでは、制御部2からの変調強度値読込スター
ト信号S2がハイレベル1H′に立ち上がっているか否
かをチェックし、S、がローレベル″″L′ならハイレ
ベル%H′に立ち上がるまで待ち、S2が例えば第6図
(ロ)に示す時点t2でハイレベル1H′に立ち上がる
と1次ステップの入力サブルーチンの実行処理に移る。
In the next step, it is checked whether the modulation intensity value reading start signal S2 from the control unit 2 has risen to a high level 1H', and if S is a low level ""L', wait until it rises to a high level %H'. , S2 rises to a high level 1H' at time t2 shown in FIG. 6(b), for example, and the process moves to execution of the input subroutine of the first step.

この入力サブルーチンは、例えば第4図に示すようにプ
ログラムされており、該入力サブルーチンがコールされ
ると、先ず同期信号形成用レジスタDにデータ長値「n
」 (本実施例ではn=6)が書き込まれる。
This input subroutine is programmed, for example, as shown in FIG. 4, and when the input subroutine is called, the data length value "n
” (n=6 in this embodiment) is written.

そして、l1033における同期信号S、出力用ポート
をローレベル″L′からハイレベル1■]1に立ち上げ
た一定時間後、ハイレベル1H′からローレベル1L′
に立ち下げて、1発分の同期信号S、を形成して制御部
2へ出力し、その同期信号S、の立ち下りに同期して制
御部2から、これから印字しようとするドキュメントの
ハードコピーにおける第1頁の濃度を決める変調強度値
データにおけるレジスタDの値が示すビットデータ(最
初は1〜6ビツトのうちの6ビツト目のデータ)をアキ
ュムレータAceに読み込む。
After a certain period of time after the synchronization signal S in l1033 and the output port are raised from low level "L' to high level 1"1, from high level 1H' to low level 1L'
, a single sync signal S is generated and output to the control unit 2, and in synchronization with the fall of the sync signal S, the control unit 2 outputs a hard copy of the document to be printed. The bit data (initially, the data of the 6th bit among the 1st to 6th bits) indicated by the value of the register D in the modulation intensity value data that determines the density of the first page is read into the accumulator Ace.

そして、次ステツプにてアキュムレータAceが11′
か否かをチェックし、′1′なら変調強度値格納用のレ
ジスタ已におけるレジスタDの値が示すビットを″1“
にセットし、%0“なら同じくレジスタBにおけるレジ
スタDの値が示すビットを10#にリセットした後、レ
ジスタDの値を一エデクリメントしてから、該レジスタ
Dの値がOとなったか否かをチェックし、未だOになっ
ていなければ再びl1033における同期信号S、出力
用レポートをローレベル1L′からハイレベル1H′立
ち上げる処理ステップに戻で該処理ステップ以下の各処
理を繰り返す。
Then, in the next step, the accumulator Ace becomes 11'.
If it is '1', set the bit indicated by the value of register D in the register for storing the modulation intensity value to '1'.
%0", reset the bit indicated by the value of register D in register B to 10#, increment the value of register D by one, and then check whether the value of register D has become O. If it is not yet O, the process returns to step 11033 in which the synchronizing signal S and the output report are raised from low level 1L' to high level 1H', and each process subsequent to this process step is repeated.

そして、上記繰り返し処理をレジスタDの値が0となる
まで行なうことによって、制御部2から第1頁の濃度決
定用の変調強度値54(6ビツトデータ)をレジスタB
に移し込んで、本人カサブルーチンの処理を終了し、第
3図のメインルーチンにリターンする。
By repeating the above process until the value of register D becomes 0, the modulation intensity value 54 (6-bit data) for determining the density of the first page is transferred from the control section 2 to register B.
, the process of the principal's subroutine is completed, and the process returns to the main routine of FIG.

尚、上記入力サブルーチンの処理の様子は第6図(ハ)
(ニ)に示してあり、本図ではrOllooo」なる第
1頁の変調強度値データS4がレジスタ已に書き込まれ
る。
The process of the above input subroutine is shown in Figure 6 (c).
The modulation intensity value data S4 of the first page, which is shown in FIG.

第3図に戻って、CPU30は、入力サブルーチンの実
行処理を終了すると、次ステツプで変調強度値読込スタ
ー1−信号S2がローレベル1L“に立ち下ったか否か
をチェックシし、第6図(ロ)に示す時点り、にてS2
がローレベル″L#に立ち下った時にのみ、次ステツプ
に進む。
Returning to FIG. 3, when the CPU 30 completes the execution process of the input subroutine, in the next step it checks whether the modulation intensity value reading star 1 signal S2 has fallen to the low level 1L", and as shown in FIG. At the point shown in (b), S2
Proceeds to the next step only when falls to the low level "L#".

その次ステツプでは、今度は制御部2からの比較サンプ
リング信号S、がハイレベル1H′に立ち上がったか否
かをチェックし、SSが第6図(ホ)に示す時点t4で
ハイレベル′IH′に立ち上がった時にのみ、次ステツ
プの比較サブルーチンの実行処理に移る。
In the next step, it is checked whether the comparison sampling signal S from the control section 2 has risen to the high level 1H', and the signal SS has risen to the high level 'IH' at time t4 shown in FIG. 6(E). Only when it starts up does it move on to the next step of executing the comparison subroutine.

尚、制御部2は5例えば強度変調用制御部3への比較サ
ンプリング信号S、をハイレベル′″H′に立ち上げた
時点t、にて、トランジスタTr、におけるベースへの
変調信号MDをローレベル11 L 71にして該トラ
ンジスタTr2をオフにし。
The control unit 2 lowers the modulation signal MD to the base of the transistor Tr at the time t when the comparison sampling signal S to the intensity modulation control unit 3 is raised to a high level ``H''. The level is set to 11 L 71 and the transistor Tr2 is turned off.

それによって半導体レーザLDを前述した微弱な駆動電
流Iし◎によって駆動して発光させる。
As a result, the semiconductor laser LD is driven by the aforementioned weak drive current I to emit light.

比較サブルーチンは、例えば第5図に示すようにプログ
ラムされており、該比較サブルーチンがコールされると
、先ず比較器4の比較信号s0がハイレベル1H“か否
かをチェックする。
The comparison subroutine is programmed, for example, as shown in FIG. 5, and when the comparison subroutine is called, it is first checked whether the comparison signal s0 of the comparator 4 is at a high level 1H".

前述したように、この比較時には半導体レーザLDは微
弱な駆動電流ILDによって発光しているため、ピンフ
ォトダイオードPDには、その発光に応じた電流Imが
流れている。
As described above, at the time of this comparison, the semiconductor laser LD emits light using the weak drive current ILD, so a current Im corresponding to the light emission flows through the pin photodiode PD.

そのため、比較器4の反転入力端子Oには、当該微弱な
駆動電流ILDによって駆動される半導体レーザLDの
発光強度に応じた電流Imに基づく発光強度値Vx(電
圧値)が入力されて、非反転入力端子■に入力されてい
る初期値Vrefと比較される。
Therefore, the light emission intensity value Vx (voltage value) based on the current Im corresponding to the light emission intensity of the semiconductor laser LD driven by the weak drive current ILD is input to the inverting input terminal O of the comparator 4. It is compared with the initial value Vref input to the inverting input terminal ■.

そして、この初期状態ではV ref ) V xとな
るように回路設計しであるため、比較信号S0はハイレ
ベル1H“となっている。
In this initial state, the circuit is designed so that V ref ) V x, so the comparison signal S0 is at a high level 1H".

したがって、この時には、Soのレベルチェックの結果
、CPU30はレジスタCの値(この初期時には「0」
)を+1インクリメントする処理を行なった後、その結
果を駆動電流制御値syとしてD/A変換器5に出力す
る処理を行なってからメインルーチンへリターンする。
Therefore, at this time, as a result of the level check of So, the CPU 30 determines the value of register C (at this initial stage, it is "0").
) is incremented by +1, the result is output to the D/A converter 5 as the drive current control value sy, and then the process returns to the main routine.

そして、メインルーチンの方では、制御部2からの比較
サンプリング信号S5が例えば第6図(ホ)に示す時点
t、でローレベル″′L“に立ち下るまで、繰り返し上
記比較サブルーチンをコール実行させるようになってい
る。
Then, in the main routine, the above comparison subroutine is repeatedly called and executed until the comparison sampling signal S5 from the control unit 2 falls to the low level "'L" at the time t shown in FIG. 6(E), for example. It looks like this.

そのため、レジスタCの値が+1ずつインクメントされ
ていくと共に、それに連れて、駆動電流制御電圧値vy
の電圧レベルが上昇して、半導体レーザLDの発光°強
度が増していく。
Therefore, as the value of register C is incremented by +1, the drive current control voltage value vy
As the voltage level increases, the emission intensity of the semiconductor laser LD increases.

そして、半導体レーザLDの発光強度が増して、発光強
度値Vxが増加し、遂にはV ref < v xとな
って比較信号S0がローレベル′L′となる。
Then, the emission intensity of the semiconductor laser LD increases, the emission intensity value Vx increases, and finally V ref < v x and the comparison signal S0 becomes low level 'L'.

すると、CPU30は前述の比較サブルーチンにおいて
、レジスタCの値を今度は一1デクリメントして、その
結果を駆動電流制御値syとして逐次D/A変換器5に
出力するようになり、この制御速度に対して1.−1.
の時間が充分に確保されていれば、VxはV x = 
V refに収斂して、レジスタCの値は初期値Vre
fに対応する値に収まり、駆動電流ILDは初期値V 
refに対応する初期駆動電流値になる。
Then, in the comparison subroutine described above, the CPU 30 decrements the value of the register C by 1, and outputs the result as the drive current control value sy to the D/A converter 5 sequentially. Against 1. -1.
If enough time is secured, Vx is V x =
V ref and the value of register C is the initial value V ref
The drive current ILD falls within the value corresponding to f, and the drive current ILD is the initial value V
The initial drive current value corresponds to ref.

このように、制御部2からの比較サンプリング信号S、
がハイレベル1H′となっている時点t4から時点t、
までの期間、即ちレーザビーム走査印字以外の時には、
半導体レーザLDの検出発光強度値Vxを予め定めた初
期値Vrefと比較して半導体レーザLDの駆動電流I
LDを初期値V refに対応する初期駆動電流値に制
御する所謂オート・パワー・コントロール(A P C
)がなされる(第1の制御手段に対応する。) 第3図に戻って、比較サンプリング信号S、が第6図(
ホ)の時点t、でハイレベル1H#からローレベル1L
′に立ち下ると、CPU30は先ずレジスタCの値(こ
こでは初期値V refに対応する値)をアキュムレー
タAccに格納した後、そのアキュムレータA c c
の値にレジスタ已に格納されているハードコピーの第1
頁の濃度を決める変調強度値データS、h(ro 11
000J )が加算される(演算手段に対応する)。
In this way, the comparison sampling signal S from the control unit 2,
from time t4 when is at high level 1H' to time t,
In other words, during the period other than laser beam scanning printing,
The drive current I of the semiconductor laser LD is determined by comparing the detected emission intensity value Vx of the semiconductor laser LD with a predetermined initial value Vref.
The so-called auto power control (APC) controls the LD to an initial drive current value corresponding to the initial value Vref.
) is performed (corresponding to the first control means). Returning to FIG. 3, the comparison sampling signal S is determined as shown in FIG. 6 (
From high level 1H# to low level 1L at time t of e)
', the CPU 30 first stores the value of the register C (here, the value corresponding to the initial value V ref ) in the accumulator Acc, and then stores the value of the register C in the accumulator Acc.
The value of the first hardcopy stored in the register
Modulation intensity value data S, h (ro 11
000J) is added (corresponding to the calculation means).

そして、CPU30は、その加算されたアキュムレータ
Accの値を駆動電流制御値syとしてり、/ A変換
器5に出力するため、それに基づく駆動電流制御電圧値
vyによって、半導体レーザLDの駆動電流ILDが制
御され、それによって半導体レーザLDからは第6図(
ト)に示す初期駆動電流値に対応する発光強度り。に第
1頁の変調強度値S4(ro 11000J )Lニ一
対応する増分ΔL1を加算した発光強度L1のレーザビ
ームが出力されるようになる。
Then, the CPU 30 sets the added value of the accumulator Acc as the drive current control value sy, and outputs it to the /A converter 5. Therefore, the drive current ILD of the semiconductor laser LD is determined by the drive current control voltage value vy based on the added value of the accumulator Acc. 6 (Fig. 6).
The luminescence intensity corresponding to the initial drive current value shown in (g). A laser beam having an emission intensity L1 obtained by adding the modulation intensity value S4 (ro 11000J)L of the first page and the corresponding increment ΔL1 is output.

そして、第6図(ホ)に示すように、時点L5で比較サ
ンプリング信号S、がハイレベル″H′からローレベル
′″L“に立ち下った後の一定時間後、制御部2は同図
(へ)に示す如く図示しない印字制御機構を制御して印
字走査(トランジスタTr2を変調信号MDでオン・オ
フ制御することを含む)を開始するため、それによって
得られるハードコピーの印字濃度は、初期値Vrefと
第1W+71変調強度値S、(rolloooJ ’)
I、:よって決まる濃度となる。
Then, as shown in FIG. 6(E), after a certain period of time after the comparison sampling signal S falls from the high level "H' to the low level "L" at time L5, the control unit 2 As shown in (f), the printing control mechanism (not shown) is controlled to start printing scanning (including controlling the transistor Tr2 on and off using the modulation signal MD), so the printing density of the resulting hard copy is as follows: Initial value Vref and 1st W+71st modulation intensity value S, (rollooJ')
I: Therefore, the concentration is determined.

すなわち、第1頁に関するレーザビームの走査印字中は
、初期値Vrefに第1頁の印字開始前に制御部2から
読み込んだ第1頁の変調強度値S4(1’011000
J)を加算した値に応じた駆動電流制御電圧値vyに基
づいて、半導体レーザLDの発光強度を制御する所謂オ
ープンループコントロールがなされる(第2の制御手段
に対応する)。
That is, during laser beam scanning printing for the first page, the modulation intensity value S4 (1'011000) of the first page read from the control unit 2 before starting printing of the first page is set to the initial value Vref.
So-called open loop control is performed to control the emission intensity of the semiconductor laser LD based on the drive current control voltage value vy corresponding to the sum of J) (corresponding to the second control means).

尚、前述したレーザビーム走査以外の時に行なわれるオ
ート・パワー・コントロールでは、半導体レーザLDの
温度変化による出力変化を補償する図示しない回路が機
能するようになっているが、上記オープンループコント
ロール時にはその回路が機能しないので、半導体レーザ
LDの温度が印字中(例とえば、10秒程度の間)に変
化しないように、半導体レーザLDに充分な放熱効果の
ある放熱板を設けるなどの定温対策を施しておくと良い
Note that in the auto power control that is performed at times other than the laser beam scanning described above, a circuit (not shown) that compensates for output changes due to temperature changes in the semiconductor laser LD functions, but during the open loop control described above, Since the circuit will not function, take measures to keep the temperature constant, such as installing a heat sink with sufficient heat dissipation on the semiconductor laser LD, so that the temperature of the semiconductor laser LD does not change during printing (for example, for about 10 seconds). It is good to give it.

第3図に戻って。Return to Figure 3.

CPU30は、第1頁の印字濃度決定用の演算値を出力
した後、制御部2からのイネーブル信号S1がハイレベ
ル1H′からローレベル1L#に立ち下ったか否かをチ
ェックし、立ち下ったいれば、レジスタCに「o」を書
き込んで、そのレジスタCの値をD/A変換器5に出力
してからメインルーチンの最初のステップに戻る。
After outputting the calculated value for determining the print density of the first page, the CPU 30 checks whether the enable signal S1 from the control unit 2 has fallen from the high level 1H' to the low level 1L#, and then If so, write "o" into register C, output the value of register C to D/A converter 5, and then return to the first step of the main routine.

そして、この時、制御部2の方はTr2をオンにする変
調信号MDを出力して、半導体レーザLDの発光を停止
する。
At this time, the control section 2 outputs a modulation signal MD that turns on the Tr2, and stops the semiconductor laser LD from emitting light.

一方、イネーブル信号S工が第6図(イ)に示すように
ローレベル1L′に立ち下っていなければ、CPU30
は、次ステツプにて再度、変調強度値読込スタート信号
S2がハイレベル′H′に立ち上がったか否かをチェッ
クし、立ち上がっていなければ立ち上がるまで待つ。
On the other hand, if the enable signal S has not fallen to the low level 1L' as shown in FIG.
In the next step, it is checked again whether the modulation intensity value reading start signal S2 has risen to the high level 'H', and if it has not risen, it waits until it rises.

そして、S2が第6図(ロ)の時点1sでハイレベル″
′H′に立ち上がると、前述した入力サブルーチンのス
テップからAce→D/Aまでのステップと全く同様な
次ステツプの入力サブルーチンから該ステップを含む8
ステツプを逐次実行処理することによって、変調強度値
読込スタート信号S2がハイレベル1H#どなっている
時点t6から時点L7の間、即ち第1頁の印字中に制御
部2から第2頁の変調強度値データS4(rlooo。
Then, S2 is at a high level at 1 s in Figure 6 (b).
When it rises to 'H', the input subroutine of the next step, which is exactly the same as the steps from the input subroutine described above to Ace→D/A, starts from the input subroutine including the step 8.
By sequentially executing the steps, the modulation intensity value reading start signal S2 is at a high level of 1H# from time t6 to time L7, that is, during printing of the first page, the control unit 2 reads the modulation of the second page. Intensity value data S4 (rlooo.

0」)か読み込まれ、第6図(ホ)の時点t、で比較サ
ンプリング信号S、がローレベル′L′からハイレベル
1H′に立ち上がった時点から半導体レーザLDの発光
量を第6図(ト)に示す如くし、からし。に戻すように
制御され、第6図(ホ)の時点し9でS、がローレベル
′L′に立ち下がった時点から半導体レーザLDの発光
量が第6図(ト)に示す如<L、=L、+ΔL2(ΔL
2:第2:の変調強度値S4(rlooooOJ )に
対応する増分)になるように制御される。
From the time point t in FIG. 6(E) when the comparison sampling signal S rises from the low level 'L' to the high level 1H', the light emission amount of the semiconductor laser LD is measured as shown in FIG. Mustard as shown in (g). From the time when S falls to the low level 'L' at time 9 in FIG. 6(E), the amount of light emitted from the semiconductor laser LD becomes less than L as shown in FIG. 6(G). , =L, +ΔL2(ΔL
2: an increment corresponding to the second modulation intensity value S4 (rlooooOJ)).

尚、第1頁の印字は、第6図(へ)に示す如く。The printing on the first page is as shown in FIG.

時点t7と時点t、の間の任意の時点で終了する。The process ends at any point between time t7 and time t.

そして、前述の8ステツプ目のA c c −+ D 
/ Aなる処理を終了した後、再びイネーブル信号S1
がローレベル′L′に立ち下がったか否かをチェックす
る処理に戻って、以後S□がローレベル″L#に立ち下
がるまで該処理以下の処理を繰り返す。
Then, the above-mentioned 8th step A c c − + D
/ After completing the process A, the enable signal S1 is activated again.
Returning to the process of checking whether or not S has fallen to the low level 'L', the subsequent processes are repeated until S□ falls to the low level 'L#'.

尚、第6図(ニ)には、第2頁印字中の時点t1゜から
時点telの間に、第3頁の変調強度値データS4(「
001111」)が制御部2から読み込まれる様子を示
しである。
In addition, in FIG. 6(d), the modulation intensity value data S4 ("
001111'') is read from the control unit 2.

そして、上記実施例によれば、従来のように比較基準値
(初期値Vref)を変えなくとも、ハードコピーの濃
度設定が出来るばかりか、1頁毎の濃度を変えたい場合
にも予め纒めて各頁の濃度を設定しておくか、或は印字
中に次頁の濃度設定が出来るので、APC回路の設計乃
至動作上、非常に好ましいばかりか、ハードコピー作成
のサイクルタイムが長くならずに済む。
According to the above embodiment, it is not only possible to set the density of a hard copy without changing the comparison reference value (initial value Vref) as in the conventional case, but also to set the density in advance when you want to change the density of each page. Since the density of each page can be set in advance, or the density of the next page can be set during printing, this is not only very desirable in terms of APC circuit design and operation, but also does not lengthen the cycle time for hard copy creation. It ends up being

勿論1頁毎の印字スピードを変えたい場合は、その印字
スピードの可変量に応じて変調強度値データS4を可変
することによって、印字スピードの変化に関係なくハー
ドコピーの濃度を一定に保ことも出来る。
Of course, if you want to change the printing speed for each page, you can keep the density of the hard copy constant regardless of the change in printing speed by changing the modulation intensity value data S4 according to the amount of change in printing speed. I can do it.

尚、上記実施例では、キーボード8によって変調強度値
を設定するようにした場合に就で述べたが、これに限る
ものではなく、外部機器7に更に他の電子機器を接続し
た場合には、その電子機器から変調強度値データを設定
出力するようにしても良い。
In the above embodiment, the modulation intensity value is set using the keyboard 8. However, the present invention is not limited to this, and if another electronic device is connected to the external device 7, Modulation intensity value data may be set and output from the electronic device.

尚、最後に半導体LDの光量制御中と変調強度値の具体
的な数値例を示す。
Finally, a specific numerical example of the modulation intensity value during the light amount control of the semiconductor LD will be shown.

例えば、光量制御中をOmW〜4mWとすると。For example, if the light amount is controlled to be OmW to 4mW.

8ビツトD/Aの場合2565tepであり、1bit
当り15.625μWの分解能となる。
In the case of 8-bit D/A, it is 2565 tep, and 1 bit
The resolution is 15.625 μW per unit.

そこで、強度変調中を1mWとすれば、変調強度値デー
タは実施例の如<6bitで良い(15゜625μWX
64=1mW)。
Therefore, if the intensity during intensity modulation is 1 mW, the modulation intensity value data may be <6 bits as in the example (15°625μWX
64=1mW).

具体的には、初期値V refに基づ<APC制御時ニ
、駆動電流制flE値S yがrlooooooOJと
なって半導体レーザLDが2mWで駆動されるようにし
ておけば1例えば1頁目を2mW、2頁目を2.3mW
、3頁目を2.7mWで制御したい時には、初期時にr
oooooOJ 、1頁印字中にroloollJ 、
2頁印字中4:、ll011o1」なる変調強度値S4
を制御部2から読みだすようにすれば良い。
Specifically, if the drive current control flE value S y becomes rloooooooOJ and the semiconductor laser LD is driven at 2 mW based on the initial value V ref <during APC control, for example, the first page 2mW, second page 2.3mW
, when you want to control the third page at 2.7mW, r
ooooooOJ, roloollJ while printing 1 page,
2nd page printing 4:, ll011o1'' modulation intensity value S4
may be read out from the control unit 2.

f、効果 以上述べたように、この発明によるレーザビームプリン
タにおける半導体レーザの強度変調調整装置によれば、
APC回路における基準値を変えなくても済むばかりか
、任意にハードコピーの濃度設定出来るようにすること
が可能であるため、APC回路の設計乃至動作上、非常
に好ましいばかりか、ハードコピー作成のサイクルタイ
ムが不必要に長くならずに済む。
f. Effects As described above, according to the intensity modulation adjustment device for a semiconductor laser in a laser beam printer according to the present invention,
Not only does it not require changing the reference value in the APC circuit, but it is also possible to set the density of the hard copy arbitrarily, which is not only very desirable in terms of the design and operation of the APC circuit, but also makes it easier to create the hard copy. Cycle time does not become unnecessarily long.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の構成を示すブロック図第2図はこの
発明の一実施例を示すブロック構成図 第3図は第2図のCPU30が実行するプログラムのフ
ロー図 第4図は第3図の入力サブルーチンのプログラムのフロ
ー図 第5図は第3図の比較サブルーチンのプログラムのフロ
ー図 第6図は第3図の動作説明に供するタイミング図である
。 1・・・・・・レーザビームプリンタ (LBP)2・
・・・・・制御部   3・・・・・・強度変調用制御
部4・・・・・・比較器   5・・・・・・D/A変
換器6・・・・・・バッファ   7・・・・・・外部
機器8・・・・・キーボード 30・・・・・・中央処理装置(CPU)31・・・・
・・プログラムメモリ(ROM)32・・・・・・デー
タメモリ (RAM)33・・・・・・入出力装置(I
lo)R1,R2・・・・・・抵抗 Tr、、Tr2・・・・・・トランジスタLD・・・・
・・半導体レーザ PD・・・・・・ビンフォトダイオード特許出願人  
 旭光学工業株式会社 代表者 松本 撤 同代理人    弁理士 伊 丹 辰 男第1図 手  続  補  正  書 昭和61年 7月23日
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the invention. FIG. 3 is a flow diagram of a program executed by the CPU 30 in FIG. 2. FIG. 5 is a flow diagram of a program for the input subroutine of FIG. 3. FIG. 6 is a timing diagram for explaining the operation of FIG. 3. 1... Laser beam printer (LBP) 2.
... Control section 3 ... Intensity modulation control section 4 ... Comparator 5 ... D/A converter 6 ... Buffer 7. ... External device 8 ... Keyboard 30 ... Central processing unit (CPU) 31 ...
...Program memory (ROM) 32...Data memory (RAM) 33...Input/output device (I
lo) R1, R2... Resistor Tr, Tr2... Transistor LD...
・・Semiconductor laser PD・・・・・・Bin photodiode patent applicant
Asahi Optical Co., Ltd. Representative Matsumoto Withdrawal Agent Patent Attorney Tatsuo Itami Figure 1 Proceedings Amendment Written July 23, 1986

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 図形、文字等の画像情報に基づいて変調した半導体
レーザのレーザビームを走査して前記画像情報のハード
コピーを得るようにしたレーザビームにおいて、 前記レーザビーム走査印字中以外の時に、前記半導体レ
ーザの検出発光強度値を予め設定した初期値と比較して
前記半導体レーザの駆動電流値を前記初期値に対応する
初期駆動電流値に制御する第1の制御手段と、 前記半導体レーザの発光強度調整用の発光強度値を設定
する設定手段と、 この設定手段によって設定した変調強度値を前記初期値
に加算して駆動電流制御値を演算する演算手段と、 前記レーザビーム走査印字中に、前記演算手段によって
演算した駆動電流制御値に基づいて前記半導体レーザの
発光強度を制御する第2の制御手段と、 を設けて構成したことを特徴とするレーザビームプリン
タにおける半導体レーザの強度変調調整装置。
[Scope of Claims] 1. In a laser beam that scans a laser beam of a semiconductor laser modulated based on image information such as figures and characters to obtain a hard copy of the image information, except during the laser beam scanning printing. a first control means that compares the detected emission intensity value of the semiconductor laser with a preset initial value and controls the drive current value of the semiconductor laser to an initial drive current value corresponding to the initial value; a setting means for setting a light emission intensity value for adjusting the light emission intensity of the semiconductor laser; a calculation means for calculating a drive current control value by adding the modulation intensity value set by the setting means to the initial value; and the laser beam scanning. a second control means for controlling the emission intensity of the semiconductor laser based on the drive current control value calculated by the calculation means during printing; Intensity modulation adjustment device.
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