JPS619692A - Image display unit - Google Patents

Image display unit

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JPS619692A
JPS619692A JP12986284A JP12986284A JPS619692A JP S619692 A JPS619692 A JP S619692A JP 12986284 A JP12986284 A JP 12986284A JP 12986284 A JP12986284 A JP 12986284A JP S619692 A JPS619692 A JP S619692A
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JP
Japan
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light
electrode
photoelectric conversion
conversion film
image display
Prior art date
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Application number
JP12986284A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
悦矢 武田
隆夫 近村
慎司 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS619692A publication Critical patent/JPS619692A/en
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  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は画像表示装置、特に高速度動作が可能で、高コ
ントラストが得られる画像表示装置に関するものである
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an image display device, and particularly to an image display device capable of high-speed operation and high contrast.

従来例の構成とその間頌点 最近の情報化社会の進展につれて、画像表示装置への要
望も高まり大画面化、高性能化、平板化が種々試みられ
ている。中でも、液晶を用いたライトバルブは大画面表
示が可能であること、輝度が高くとれること、高解像度
化が得られること等の理由から、活発な研究開発が行な
、′ われでいる。従来の液晶ライトバルブの書き込み方式に
は熱書き込み、光書き込み、電気信号による書き込みが
ある。熱書き込み方式は1例えばスメクテイツク液晶を
YAGレーザにより走査して、加熱急冷による液晶層が
透明状態から光を散乱する状態に記憶されたものを投写
用キセノンランプからの光を透過せしめることによって
画像表示を行なう方法である。熱書込み方式では熱応答
特性が悪いため高速の書き込みが出来ないという欠点が
ある。光書き込み方式としては、光導電層と液晶を一体
化に構成した反射型ライトバルブがある。この方式は、
CdS等の光導電層に入射光を与え、光の強弱に応じた
電圧変化を液晶層の電圧配分に変換し、投写光の偏光角
を変化させて画像を得るというものである。この方式で
は、光導電層と液晶層の間に光遮断層を設けているもの
の、光導電層は投写光の影響を受は充分なコントラスト
が得られない。また液晶を用いているため、書き込み及
び消去速度は未だ不充分である。一方、電気光学効果を
有する強誘電体材料にマトリックス電極を設は電気的な
スイッチングにより画像表示を行なう方法も試みられて
いるが(特開昭56−65177号)、この方法によれ
ば構造が複雑になり大画面、高密度な画像表示を行なう
場合には、作成上の歩留りが低下するという問題や、電
極間の容量が大きいこと、及び強誘電体材料の偏光に高
電圧を必要とするなど駆動上の困難が存在する。
2. Description of the Related Art Conventional Structures and Points of Interest With the recent development of the information society, the demand for image display devices has increased, and various attempts have been made to increase the screen size, improve performance, and make them flat. Among these, light valves using liquid crystals have been actively researched and developed because they enable large screen display, high brightness, and high resolution. Conventional writing methods for liquid crystal light valves include thermal writing, optical writing, and writing using electrical signals. Thermal writing method is 1. For example, a smectic liquid crystal is scanned with a YAG laser, and the liquid crystal layer is heated and rapidly cooled to change from a transparent state to a light-scattering state. The image is then displayed by transmitting light from a projection xenon lamp. This is a method of doing this. The thermal writing method has a drawback in that high-speed writing is not possible due to poor thermal response characteristics. As an optical writing method, there is a reflective light valve in which a photoconductive layer and a liquid crystal are integrated. This method is
An image is obtained by applying incident light to a photoconductive layer such as CdS, converting voltage changes depending on the intensity of the light into voltage distribution of a liquid crystal layer, and changing the polarization angle of the projected light. In this method, although a light blocking layer is provided between the photoconductive layer and the liquid crystal layer, sufficient contrast cannot be obtained because the photoconductive layer is affected by the projection light. Furthermore, since liquid crystal is used, writing and erasing speeds are still insufficient. On the other hand, a method has been attempted in which a matrix electrode is provided in a ferroelectric material having an electro-optical effect and image display is performed by electrical switching (Japanese Patent Application Laid-open No. 1983-65177), but this method reduces the structure. When displaying complex, large-screen, high-density images, there are problems such as lower production yields, large capacitance between electrodes, and the need for high voltage to polarize the ferroelectric material. There are some driving difficulties.

発明の目的 本発明はこのような従来の問題に鑑み、高速でコントラ
ストが良く、かつ構造が簡単な画像表示装置を提供する
ことを目的とする。
OBJECTS OF THE INVENTION In view of these conventional problems, it is an object of the present invention to provide an image display device that is high-speed, has good contrast, and has a simple structure.

発明の構成 このため、本発明は電気光学効果を有する透光性強誘電
体層と、前記強誘電体層−上に形成された光電変換膜と
、前記光電変換膜上に形成された第1の電極と、前記強
誘電体層上における前記第1の電極と分離した位置に形
成された第2の電極と、前記第1及び第2の電極間に電
圧を印加する回路と、前記光電変換膜上を画像情報に応
じた強弱変化を有する第1の光で走査する手段と、前記
發誘電体層における前記光電変換膜とは反対側の面に被
変調用の第2の光を入射させ、前記強誘電体層を透過後
、その膜から出射又は反射させて画像出力光を得るため
の光学手段とを′備えたことにより、高速でコントラス
トが高く、かつ構造の簡単な画像表示装置を構成するも
のである。
Structure of the Invention Therefore, the present invention provides a transparent ferroelectric layer having an electro-optic effect, a photoelectric conversion film formed on the ferroelectric layer, and a first photoelectric conversion film formed on the photoelectric conversion film. a second electrode formed on the ferroelectric layer at a position separated from the first electrode, a circuit for applying a voltage between the first and second electrodes, and the photoelectric conversion means for scanning a film with a first light having intensity changes according to image information; and a means for making a second light for modulation enter onto a surface of the dielectric layer opposite to the photoelectric conversion film. and optical means for obtaining image output light by transmitting through the ferroelectric layer and then emitting or reflecting from the film, thereby providing an image display device that is fast, has high contrast, and has a simple structure. It consists of

実施例の説明 第1図は本発明の第1の実施例における画像表示装置の
全体構成図を示す。(10)は光源であり、(11)は
偏光子、(ロ)は電気光学効果を有する透光性強誘電体
材料、03)は検光子である。04)、(ロ))はそれ
ぞれ第1の電極、第2の電極、(ホ)は電圧を印e1)
は回転多面鏡で、レーザ光線(20)により表示素子r
t12.1’)の表面を走査するためのものである。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS FIG. 1 shows an overall configuration diagram of an image display device according to a first embodiment of the present invention. (10) is a light source, (11) is a polarizer, (b) is a transparent ferroelectric material having an electro-optic effect, and 03) is an analyzer. 04), (b)) are the first electrode and second electrode, respectively, (e) is the voltage applied e1)
is a rotating polygon mirror, and the display element r is illuminated by a laser beam (20).
t12.1').

第2図は第1図の表示素子(ロ)の詳細な平面図を示し
、第3図は第2面子面図の一基本構成要素の断面図を示
すものである。同一機能を有ず適これらの図において、
同一機能を有する部分には同一番号を付与している。第
1図〜第3図を用いて本発明の動作について説明する。
FIG. 2 shows a detailed plan view of the display element (b) of FIG. 1, and FIG. 3 shows a sectional view of one basic component in the second side view. In these diagrams, those that have the same function,
Parts with the same function are given the same number. The operation of the present invention will be explained using FIGS. 1 to 3.

まず〜光源α0)より発した光は、偏光子01)により
直線屏光され、透光性強誘電体層(ロ)を通過する。層
(ロ)は、第2図、第3図に示すような電極構成におい
て、レーザ強度に応じた電界変化を受けているため、屈
折率変化による光の遅延現象(リタデーションとも呼ぶ
)が生じて楕円偏光となり、検光子(13)の偏光軸と
一致した成分のみが透過するため、通過光に強弱が得ら
れ、画像パターンとなる。光源00)から発した光が、
検光子03)を通過する時の透過率Tは次式であられさ
れる。
First, the light emitted from the light source α0) is linearly polarized by the polarizer 01) and passes through the transparent ferroelectric layer (b). In the electrode configuration shown in Figures 2 and 3, the layer (B) is subjected to electric field changes according to the laser intensity, so a light delay phenomenon (also called retardation) occurs due to changes in the refractive index. The light becomes elliptically polarized, and only the component that coincides with the polarization axis of the analyzer (13) is transmitted, so that the transmitted light has varying strengths and forms an image pattern. The light emitted from light source 00) is
The transmittance T when passing through the analyzer 03) is given by the following formula.

ここで、Aは偏光子(11)、検光子(13)、透光性
強誘電体層(I2)の反射損失と構造によって決まる透
過率、Bは定数、グはカ一定数、Eは電界、tは電界の
かかる有効な素子の厚み、λは波長である。(1)式か
ら明らかなとおり、通過光量は印加電圧の変化と共に変
化させることができる。
Here, A is the transmittance determined by the reflection loss and structure of the polarizer (11), analyzer (13), and transparent ferroelectric layer (I2), B is a constant, G is a constant, and E is the electric field. , t is the effective thickness of the element to which the electric field is applied, and λ is the wavelength. As is clear from equation (1), the amount of passing light can be changed as the applied voltage changes.

第3図において第1の電極(15)と第2の電極(14
)との間にはスイッチQυが挿入され、これを閉じるこ
とにより電源(ホ)の電圧が印加される。暗状態では光
電変換膜は高抵抗であるから、印加された電圧は光電変
換膜(16)の容量と、第1の電極(15)と第2の電
極04)間の容量で分配される。電圧を印加したまま、
レーザ光源(19)より発生したレーザビームに)が回
転多面鏡QI)により反射されて表示素子(尊を第2図
に示すように走査すると、光電変換膜(16)の抵抗は
減少しレーザ入射光の光量に応じて透光性強誘電体層(
12)と光電変換膜(16)との界面に電荷がトラップ
される。したがって入射光に)の走査が終った時点でス
イッチQ1)を開くと入射光に)の照射された所は第1
の電極(15)と第2の電極(14)間の電圧は増加し
、第2の光(10)が通過することになる。また、この
走査光に)による電圧分布の変化に一定の時定数をもた
せるため第4図のように抵抗α7)を接続しても良い。
In FIG. 3, the first electrode (15) and the second electrode (14)
) is inserted between the two, and by closing this, the voltage of the power supply (e) is applied. Since the photoelectric conversion film has a high resistance in the dark state, the applied voltage is distributed by the capacitance of the photoelectric conversion film (16) and the capacitance between the first electrode (15) and the second electrode 04). While applying voltage,
When the laser beam (generated from the laser light source (19)) is reflected by the rotating polygon mirror (QI) and scans the display element (as shown in Figure 2), the resistance of the photoelectric conversion film (16) decreases and the laser beam enters. Translucent ferroelectric layer (
12) and the photoelectric conversion film (16). Therefore, when the switch Q1) is opened when the incident light has finished scanning, the area illuminated by the incident light will be the first
The voltage between the electrode (15) and the second electrode (14) will increase and the second light (10) will pass through. Furthermore, a resistor α7) may be connected as shown in FIG. 4 in order to give a constant time constant to the change in voltage distribution caused by the scanning light.

なお、透過光に階調性を与えるためには走査レーザ光の
強度を変化させ、電圧配分を各画素ごとに異なるように
してやれば良い。
Note that in order to impart gradation to the transmitted light, the intensity of the scanning laser beam may be changed and the voltage distribution may be made different for each pixel.

次に、本発明の製造方法について説明する。Next, the manufacturing method of the present invention will be explained.

透光性強電体層(ロ)としては、焼結あるいは単結晶の
例えばLi NbO5、Bias 1Ozo、 Bi1
2 Ge 012 。
The transparent ferroelectric layer (b) may be sintered or single crystal, for example, LiNbO5, Bias 1Ozo, Bi1
2 Ge 012 .

KH2PO4、NH4H2PO4、GaAs 、 Li
NbO3。
KH2PO4, NH4H2PO4, GaAs, Li
NbO3.

LiTaO3、P L Z T を用いる。また、透光
性基板上に、上記材料をスパッタリング法等により薄膜
で形成してもよい。その上にMo 、、 T a 、 
W。
LiTaO3 and P L Z T are used. Alternatively, the above material may be formed as a thin film on a transparent substrate by sputtering or the like. On top of that, Mo,, Ta,
W.

Ti、 Cr、 AJ等の金属電極(1→を第2図で示
すようなパターンにおいて形成することにより第2の電
極が得られる。第2〜4図において、前記第2の電極0
→と交叉する第1の電極(15)を形成すべき層(ロ)
上の位置には■−■族、n−v族1■族あるいは■族よ
りなる光電変換膜(16)を蒸着法等により0.5〜1
00μmの厚さで形成する。光電変換膜06)の暗比抵
抗は充分に高くする必要があり、これを充たす膜06)
の材料としてはZn5e−Zn I−X CdxTeの
異種接合、 a−8i:I(、5eAs2Se3 、 
AS2S3等の無機材料、フタロシアニン。
A second electrode is obtained by forming a metal electrode (1→) of Ti, Cr, AJ, etc. in a pattern as shown in FIG. 2. In FIGS.
Layer (b) to form the first electrode (15) that intersects with →
At the upper position, a photoelectric conversion film (16) consisting of the ■-■ group, n-v group 1■ group, or
It is formed with a thickness of 00 μm. The dark specific resistance of the photoelectric conversion film 06) needs to be sufficiently high, and the film 06) that satisfies this need
The materials include Zn5e-Zn I-X CdxTe heterojunction, a-8i:I(, 5eAs2Se3,
Inorganic materials such as AS2S3, phthalocyanine.

PVK、  ピラゾリン等の有機材料は上記条件を満足
するに特に適したものといえる。かくして形成された光
電変換膜(16)の上にはレーザ光(20)を透過する
第1の電極(15)として、Au 、 Pt 、、In
2O3。
Organic materials such as PVK and pyrazoline are particularly suitable for satisfying the above conditions. On the photoelectric conversion film (16) thus formed, a first electrode (15) that transmits the laser beam (20) is made of Au, Pt, In.
2O3.

SnO2等を蒸着等により形成し、本発明が得z扛Sノ
の画、像装置が完成する。
By forming SnO2 or the like by vapor deposition or the like, an image device according to the present invention is completed.

なお、光電変換膜(16)が裏側から来る光(10)に
よる悪影響を受けなくするためには、第5図(a)。
In addition, in order to prevent the photoelectric conversion film (16) from being adversely affected by the light (10) coming from the back side, as shown in FIG. 5(a).

(1))に示すような遮光層に)又は(ハ)が形成され
る。
) or (c) is formed on the light shielding layer as shown in (1)).

前者Hは強誘電体層(12)の対応部分において遮光し
、後者(財)は膜(16)の直前で遮光するものである
The former H blocks light at the corresponding portion of the ferroelectric layer (12), and the latter (goods) blocks light just before the film (16).

第6図は本発明の第2の実施例を示すもので、強誘電体
材料(I2)の電気光学効果が縦方向の性質を示す。例
えばポッケルス効果のような場合であり、この場合の動
作も、第1図〜第5図に示した場合と全く同じように考
えることが出来る。
FIG. 6 shows a second embodiment of the present invention, in which the electro-optic effect of the ferroelectric material (I2) exhibits a longitudinal property. For example, this is a case such as the Pockels effect, and the operation in this case can be considered in exactly the same way as the cases shown in FIGS. 1 to 5.

但し、第6図において固有の構成は投射光が反射タイプ
、即ち入射光(10)が反射光(+ob)として帰るよ
うになることと、第2の電極(+4a)が透光性強誘電
体層(12)を介して電極(15)の反対側に配置する
ことであり、本発明の基本的効果について全く同様にし
て得ることができる。
However, the unique configuration in FIG. 6 is that the projected light is a reflective type, that is, the incident light (10) returns as reflected light (+ob), and the second electrode (+4a) is made of a transparent ferroelectric material. By disposing the layer (12) on the opposite side of the electrode (15), the basic effect of the present invention can be obtained in exactly the same manner.

第7図は他の実施例で、第3図の場合に比較して、第2
の光電変換膜(ハ)及びその光電変換膜上に電極(ハ)
を設けた点で相違する。この場合、光電変換膜の絶縁耐
圧が第3図の場合の約Vでで良いことになり光電変換膜
の選択幅が広がる。
FIG. 7 shows another embodiment, and compared to the case of FIG.
photoelectric conversion film (c) and an electrode (c) on the photoelectric conversion film
The difference is that it has been set up. In this case, the dielectric strength voltage of the photoelectric conversion film can be reduced to about V as in the case of FIG. 3, and the range of selection of the photoelectric conversion film is widened.

第1の走査光に)と第2の走査光(zob)が同期して
いる場合でも良いし別々の動作、例えば第1の走査光に
)によってn番目のフィールド画面、第2の(zob)
によって(11+1)番目のフィールド画面というよう
な動作も可能である。第8図は光α0)の進入経路に対
して斜めの電界を得る場合であり、透過型の光シヤツタ
ーとなる。第8図(a)は強誘電体層(ロ))をはさん
で、光電変換膜(16)と、ずれた位置に電極に)が形
成されている。
The first scanning light (to the first scanning light) and the second scanning light (zob) may be synchronized or may be operated separately, for example, by the first scanning light) and the second scanning light (zob).
An operation such as the (11+1)th field screen is also possible. FIG. 8 shows a case where an electric field oblique to the entrance path of the light α0) is obtained, resulting in a transmission type optical shutter. In FIG. 8(a), a photoelectric conversion film (16) and an electrode (at a shifted position) are formed with a ferroelectric layer (b) in between.

ン8図(b)は、第8図(a)の電極e仲と強誘電体層
(12)の間に第2の光電変換膜(ロ)を設けた場合を
示す。
FIG. 8(b) shows a case where a second photoelectric conversion film (b) is provided between the electrode e in FIG. 8(a) and the ferroelectric layer (12).

第1図より第8図において第1の光電変換膜06)と強
誘電体層(ロ)との間、及び第2の光電変換膜(ハ)、
(ハ)と強誘電体層(ロ)との間に電極を設けても動作
は同様である。
In FIGS. 1 to 8, between the first photoelectric conversion film 06) and the ferroelectric layer (b), and the second photoelectric conversion film (c),
The operation is the same even if an electrode is provided between (c) and the ferroelectric layer (b).

なお、本発明の実施例において充電変換膜(16)への
入射光(財)をレーザ光としたが、本発明はこれに限定
されるものではなく、例えば発光ダイオードあるいはブ
ラウン管等の二次元状の入射光像であってもよいことは
言うまでもない。
In the embodiments of the present invention, the light incident on the charge conversion film (16) is a laser beam, but the present invention is not limited to this, and for example, a two-dimensional light such as a light emitting diode or a cathode ray tube is used. It goes without saying that the incident light image may also be an image of the incident light.

また、第1図における光源00)がレーザ光である場合
も本発明の原理を適用可能である。
Further, the principles of the present invention can also be applied when the light source 00) in FIG. 1 is a laser beam.

発明の効果 以上のように、本発明は透光性強誘電体材料と、光電変
換膜とを組合わせた画像表示装置であるが、画素に対応
する第1電極を分離することにより蓄積動作が可能で、
高コントラストとなり、光電変換膜の光電スイッチング
作用を利用し高い電圧を強誘電体材料に印加することが
できるため高速な動作スピードを得ることができる優れ
た画像表示装置を実現できるものである0
Effects of the Invention As described above, the present invention is an image display device that combines a transparent ferroelectric material and a photoelectric conversion film, but the storage operation is improved by separating the first electrodes corresponding to pixels. possible,
It is possible to realize an excellent image display device that has high contrast and can obtain high operating speed because high voltage can be applied to the ferroelectric material using the photoelectric switching effect of the photoelectric conversion film.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例における画像表示装置の
全体的構成を示す斜視図、第2図は本発明の第1の実施
例の平面図、第3図はその断面図、第4図、第5図、第
6図、第7図、第8図は本発明の他の実施例をそれぞれ
示す断面図である。 00)・・・・・−・・・・・・・・光源(11)・・
・・・・・・−・・・・・偏光子(ロ))・・・・・・
・・・・・・・・・電気光学効果を有する透光性強誘電
体層 03)・・・・・・・・・・・・・・・検光子θ4)・
・・・・・・・・・・・・・・第2の電極(15)・・
・・・−・・・・・・・・第1の電極06)・・−・・
・・・・・・・・・光電変換膜(ホ)・・−・−・・・
・・・・・電圧印加手段(1g)・・・・・・・・・・
・・・・・レーザ等の入射光源特許出願人  松下電器
産業株式会社 代  理  人   新  実  健  部(外1名) 第 1 図 1ρ 第2図 第3図 第5 (L) 第4図 第6図 第8 (’2−) 第7図 図 (ト9
1 is a perspective view showing the overall configuration of an image display device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a sectional view thereof. 4, FIG. 5, FIG. 6, FIG. 7, and FIG. 8 are sectional views showing other embodiments of the present invention, respectively. 00)・・・・・・・・・・・・・・・Light source (11)・・
・・・・・・-・・・・・・Polarizer (b))・・・・・・
......Transparent ferroelectric layer 03) having electro-optic effect Analyzer θ4)
・・・・・・・・・・・・Second electrode (15)...
・・・-・・・・・・・First electrode 06)・・・・・・・
......Photoelectric conversion film (e)...
・・・・・・Voltage application means (1g)・・・・・・・・・
...Incident light source patent applicant for laser etc. Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Agent Kenbu Niimi (1 other person) 1 Figure 1ρ Figure 2 Figure 3 Figure 5 (L) Figure 4 Figure 6 Figure 8 ('2-) Figure 7 (G9

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)電気光学効果を有する透光性強誘電体層と、前記
強誘電体層上に形成された光電変換膜と、前記光電変換
膜上に形成された第1の電極と、前記強誘電体層上にお
ける前記第1の電極と分離した位置に形成された第2の
電極と、前記第1及び第2の電極間に電圧を印加する回
路と、前記光電変換膜上を画像情報に応じた強弱変化を
有する第1の光で走査する手段と、前記強誘電体層にお
ける前記光電変換膜とは反対側の面に被変調用の第2の
光を入射させ、前記強誘電体層を透過後、その膜から出
射又は反射させて画像出力光を得るための光学手段とを
備えたことを特徴とする画像表示装置。
(1) A light-transmitting ferroelectric layer having an electro-optical effect, a photoelectric conversion film formed on the ferroelectric layer, a first electrode formed on the photoelectric conversion film, and the ferroelectric a second electrode formed on the body layer at a position separated from the first electrode; a circuit for applying a voltage between the first and second electrodes; a means for scanning with a first light having intensity changes; and a second light for modulation is incident on the surface of the ferroelectric layer opposite to the photoelectric conversion film; 1. An image display device comprising: an optical means for obtaining image output light by emitting or reflecting light from the film after passing through the film.
(2)前記第2の電極と、前記強誘電体層との間に第2
の光電変換膜を介在させてなる特許請求の範囲第(1)
項記載の画像表示装置。
(2) A second electrode is provided between the second electrode and the ferroelectric layer.
Claim No. (1) in which a photoelectric conversion film of
The image display device described in Section 1.
(3)前記第1の電極として各画素に対応して分離形成
された複数の電極を用いることを特徴とする特許請求の
範囲第(1)項又は第(2)項記載の画像表示装置。
(3) The image display device according to claim (1) or (2), wherein a plurality of electrodes formed separately corresponding to each pixel are used as the first electrode.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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