JPS6196533U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6196533U JPS6196533U JP18058784U JP18058784U JPS6196533U JP S6196533 U JPS6196533 U JP S6196533U JP 18058784 U JP18058784 U JP 18058784U JP 18058784 U JP18058784 U JP 18058784U JP S6196533 U JPS6196533 U JP S6196533U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- inner tube
- reaction
- wafer
- arm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 1
Description
第1図は本考案に係るCVD装置の側断面図、
第2図はこの−′線における断面図、第3図
は従来のCVD装置の断面図、第4図は従来のC
VD装置の側断面図、である。 図において、1は反応管、3はウエハ、4はバ
スケツト、5は給気口、7はキヤツプ、8はアー
ム、9は上蓋、である。
第2図はこの−′線における断面図、第3図
は従来のCVD装置の断面図、第4図は従来のC
VD装置の側断面図、である。 図において、1は反応管、3はウエハ、4はバ
スケツト、5は給気口、7はキヤツプ、8はアー
ム、9は上蓋、である。
Claims (1)
- 気相反応を行う反応管が内管と外管とからなる
二重管構造をとり、前記内管の一部がウエハを搭
載するためのアームとして機能するよう、前記内
管が少なくとも二分割されて構成されていること
を特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18058784U JPS6196533U (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18058784U JPS6196533U (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6196533U true JPS6196533U (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=30738140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18058784U Pending JPS6196533U (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6196533U (ja) |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP18058784U patent/JPS6196533U/ja active Pending