JPS619085A - 画像情報変換方法 - Google Patents
画像情報変換方法Info
- Publication number
- JPS619085A JPS619085A JP59129861A JP12986184A JPS619085A JP S619085 A JPS619085 A JP S619085A JP 59129861 A JP59129861 A JP 59129861A JP 12986184 A JP12986184 A JP 12986184A JP S619085 A JPS619085 A JP S619085A
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- JP
- Japan
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- layer
- light
- image information
- voltage
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は画像情報即ちＸ線、可視光、紫外光等の電磁放
射線の空間的強度分布を１時系列の情報の読み取シに応
用することができる。
射線の空間的強度分布を１時系列の情報の読み取シに応
用することができる。
従来の構成とその問題点
Ｘ線、可視光等の画像情報は、銀塩感光材料。
電子写真法等によ少記録されているが、近年画像の伝送
、処理等の要求から画像情報を時系列の光信号、電気信
号に変換する必要性が大きくなっている。そこでＣＯＤ
、ＢＢＩＩ ＭＯＳ。
、処理等の要求から画像情報を時系列の光信号、電気信
号に変換する必要性が大きくなっている。そこでＣＯＤ
、ＢＢＩＩ ＭＯＳ。
１次元イメージセンサ等によって画像情報ヲ時系列の電
気信号に一度変換し２画像の伝送、処理を行ない、再び
可視像へ変換しているのが現状である。これらの素子は
スイッチングのための高精度の配線バターニングが必要
であシ、大面積で高解像度を有する画像に対して不利で
ある。
気信号に一度変換し２画像の伝送、処理を行ない、再び
可視像へ変換しているのが現状である。これらの素子は
スイッチングのための高精度の配線バターニングが必要
であシ、大面積で高解像度を有する画像に対して不利で
ある。
一方、米国特許第４２６８’ｉ’５０号では光導電層と
絶縁層の２層構造のもの２特開昭５８−１８４８７８号
では２層の光導電層からなる画像記録素子を用いて、画
像情報を光導電層で発生させ。
絶縁層の２層構造のもの２特開昭５８−１８４８７８号
では２層の光導電層からなる画像記録素子を用いて、画
像情報を光導電層で発生させ。
レーザ光で走査することにょ電流れる電流を画像情報の
時系列でとシ出す方法が開示しである。
時系列でとシ出す方法が開示しである。
これらに用いる走査レーザ光の波長は、光導電層で吸収
さｎる必要があシ、その選択の範囲は狭い。
さｎる必要があシ、その選択の範囲は狭い。
また、十分な信号量を得るためには、読み出し光の露光
量が十分でなけｎばならない。露光量は光の強さと時間
との積であシ、高速で同一露光量を得るためには読み出
し光の強さを太きくしなければならない。さらに、光導
電現象を用いて読み出す場合、キャリアの移動度等の原
因による光導電の応答速度で読み出し速度が規定される
。
量が十分でなけｎばならない。露光量は光の強さと時間
との積であシ、高速で同一露光量を得るためには読み出
し光の強さを太きくしなければならない。さらに、光導
電現象を用いて読み出す場合、キャリアの移動度等の原
因による光導電の応答速度で読み出し速度が規定される
。
発明の目的 ｔ
ｉ本発明の目的は、走査のための配線を不要とした簡単
な構成の画像読み取９方法を提供することである。光導
電層の選択により、可視光はもとよシＸ線、赤外線、紫
外線の不可視の画像情報を記録−でき、読み出すための
レーザの波長の選択幅の広い本発明は空間的画像情報を
時系列の光情報または電気信号に高速変換できる方法を
提供するこ、と金目的とする。
ｉ本発明の目的は、走査のための配線を不要とした簡単
な構成の画像読み取９方法を提供することである。光導
電層の選択により、可視光はもとよシＸ線、赤外線、紫
外線の不可視の画像情報を記録−でき、読み出すための
レーザの波長の選択幅の広い本発明は空間的画像情報を
時系列の光情報または電気信号に高速変換できる方法を
提供するこ、と金目的とする。
本発明は上記の目的を達するにあたり、光導電効果を有
する画像入力層、及び電気光学効果を有する光変調層を
近接・平行し又は単一層として形成すると共に、これら
の層に同時に電圧を印加するための一対の電極を設けて
なる感光素子を用い。
する画像入力層、及び電気光学効果を有する光変調層を
近接・平行し又は単一層として形成すると共に、これら
の層に同時に電圧を印加するための一対の電極を設けて
なる感光素子を用い。
前記画像入力層に画像情報をもつ電磁放射波を照射して
画像情報に対応した電荷パターンを記録し、前記光変調
層への印加電圧をこのパターンに従って分配する工程と
。
画像情報に対応した電荷パターンを記録し、前記光変調
層への印加電圧をこのパターンに従って分配する工程と
。
前記光変調層を読出し用光束により走査し。
前記電圧分配に従って変調さｔたその反射光又は透過光
を取出して光の時系列信号に変換する工程と からなる画像情報変換方法を構成するものである。
を取出して光の時系列信号に変換する工程と からなる画像情報変換方法を構成するものである。
実施例の説明
第１図は本発明の第１の実施例を示すものである。この
実施例は、可視光の画像パターンをレーザ光の時系列信
号に変換する方法である。
実施例は、可視光の画像パターンをレーザ光の時系列信
号に変換する方法である。
本実施例で用いた感光素子（Ｉ５１は、電気光学効果を
もつ光変調層として液晶層（７）、光導電体による画像
入力層としてＣｄＳ層（３）ヲ用いている。これらの層
＋３） ＋ （７） １にはさむ配置で電圧を印加する
ための電極＋２］ 、 ［８］は透明電極である。（１
）は電柵（２）の外側から画像パターンを光導電層に導
くファイ／＜オプテイクス、（４）は光電導体層（３）
の内側における画像パターンの先駆止層であシ、さらに
その内側において、（５）はレーザ光反射層、（６）は
液晶配向フィルムである。透明電□□□（８）はガラス
基板（９）に支持されている。
もつ光変調層として液晶層（７）、光導電体による画像
入力層としてＣｄＳ層（３）ヲ用いている。これらの層
＋３） ＋ （７） １にはさむ配置で電圧を印加する
ための電極＋２］ 、 ［８］は透明電極である。（１
）は電柵（２）の外側から画像パターンを光導電層に導
くファイ／＜オプテイクス、（４）は光電導体層（３）
の内側における画像パターンの先駆止層であシ、さらに
その内側において、（５）はレーザ光反射層、（６）は
液晶配向フィルムである。透明電□□□（８）はガラス
基板（９）に支持されている。
上記第１図の構成において、右側から画像情報をもつ光
の強弱パターンａ＠を照射すると、この光パターンはフ
ァイバーオプテイクス（１）と透明電極（２）を通って
光導電膜（３）で電荷パターンに変換される。入射光ｆ
１０１は先駆止層（４）に阻止され。
の強弱パターンａ＠を照射すると、この光パターンはフ
ァイバーオプテイクス（１）と透明電極（２）を通って
光導電膜（３）で電荷パターンに変換される。入射光ｆ
１０１は先駆止層（４）に阻止され。
それ以上左側に侵入しない。ここで透明電極（２）。
（８）間に一定の電圧を印加していると、光導電膜（３
）の電荷パターンに応じて液晶（力に分配されている電
圧が変化し、対応する液晶の配向パターンが形成される
。
）の電荷パターンに応じて液晶（力に分配されている電
圧が変化し、対応する液晶の配向パターンが形成される
。
この状態でレーザ光ｔｌＤを回転多面鏡ａ２１で反射さ
せ、グラントムソンレンズａ３を通して感光素子の左側
から入射させ、液晶層（７）を走査させる。
せ、グラントムソンレンズａ３を通して感光素子の左側
から入射させ、液晶層（７）を走査させる。
レーザ光σＤはガラス（９）及び透明電極（８）ｔ−透
過して液晶層（７）に達し、この液晶層（力は、電圧分
配の変化に応じてレーザ光の偏光角を変化させる。
過して液晶層（７）に達し、この液晶層（力は、電圧分
配の変化に応じてレーザ光の偏光角を変化させる。
液晶を通過したしτザ光は偏光角の変化した変調光であ
シ、これは誘電体ミラー（５）によって反射され、再び
ガラス（９）から戻ジグラントムソンレンズａ３で仄射
する。このようにして感光素子右側から入射した画像パ
ターン、即ち空間的に分布した信号は、レーザ出力ビー
ムにおいて走査パターンに対応する時系列信号″に増幅
及び変換され、この光信号を光ファイバー（′図示せず
）に入力すると画像信号を伝送することが可能となる。
シ、これは誘電体ミラー（５）によって反射され、再び
ガラス（９）から戻ジグラントムソンレンズａ３で仄射
する。このようにして感光素子右側から入射した画像パ
ターン、即ち空間的に分布した信号は、レーザ出力ビー
ムにおいて走査パターンに対応する時系列信号″に増幅
及び変換され、この光信号を光ファイバー（′図示せず
）に入力すると画像信号を伝送することが可能となる。
第２図は第２の実施例？示すものである。この実施例は
感光素子としてＢｉ１□ＳｉＯ，ｏ（以下ＢＳＯと略す
） （２２）を用いている。このＢ５０（２りは光導電
効果とポッケルス効果ｖｌ−あわせもつ材料であ）、シ
たがって画像入力層と光変調層を兼ねるものである。Ｂ
ＳＯにおいては青色光は吸収され光導電性を示すが、赤
色光は透過する。
感光素子としてＢｉ１□ＳｉＯ，ｏ（以下ＢＳＯと略す
） （２２）を用いている。このＢ５０（２りは光導電
効果とポッケルス効果ｖｌ−あわせもつ材料であ）、シ
たがって画像入力層と光変調層を兼ねるものである。Ｂ
ＳＯにおいては青色光は吸収され光導電性を示すが、赤
色光は透過する。
このＢ５０（２２１は絶縁層（ハ）により実質的に包囲
さｔておシ、この絶縁層（ハ）を介して両側に取付けら
れた透明電１（２ｉ−ａ５１間には一定電圧が印加され
る。この状部において電極（ハ）側より紫外から青色の
画像パターンｉ２αを照射すると光導電効果のため入射
光量に応じて絶縁層［有］とＢ５０Ｃ）２１との電圧分
配が空間的に変化する。（至）は光入射路ぞ において紫外及び青色を通過し赤色を反射させ
１゜□［ る干渉フィルタである。ポッケルス効果は印加電圧によ
り屈折率の異方性が出てくる一次！ｉＥ気光学効果であ
るから、偏光子［株］で直線偏光された赤色光（２１１
が通過すると印加電圧によって偏光成分が変化するわけ
である。これにより変化成分だけが検光子＠を通過し、
さらにレンズ＠全通ってホトセンサー例に入射し、赤色
光強度が電気信号強度に変換される。この入射赤色を走
査スルことにょシ、空間的光の強弱パターン□のを時系
列の電気信号に変換できることは明らかである。
さｔておシ、この絶縁層（ハ）を介して両側に取付けら
れた透明電１（２ｉ−ａ５１間には一定電圧が印加され
る。この状部において電極（ハ）側より紫外から青色の
画像パターンｉ２αを照射すると光導電効果のため入射
光量に応じて絶縁層［有］とＢ５０Ｃ）２１との電圧分
配が空間的に変化する。（至）は光入射路ぞ において紫外及び青色を通過し赤色を反射させ
１゜□［ る干渉フィルタである。ポッケルス効果は印加電圧によ
り屈折率の異方性が出てくる一次！ｉＥ気光学効果であ
るから、偏光子［株］で直線偏光された赤色光（２１１
が通過すると印加電圧によって偏光成分が変化するわけ
である。これにより変化成分だけが検光子＠を通過し、
さらにレンズ＠全通ってホトセンサー例に入射し、赤色
光強度が電気信号強度に変換される。この入射赤色を走
査スルことにょシ、空間的光の強弱パターン□のを時系
列の電気信号に変換できることは明らかである。
第３図（ａ）は光変調層として、その電気光学効果がカ
ー効果（＝次電気光学効果）に従うＰＬＺＴを用いた場
合の実施例の断面図である。
ー効果（＝次電気光学効果）に従うＰＬＺＴを用いた場
合の実施例の断面図である。
ＰＬＺＴ焼結体Ｃ４２上に反応性スパッタ法にょシ、画
像入力層として非晶質水素化シリコン層（Ａ１１１に形
成し、その上に透明電極（４３ｆｔ形成する。
像入力層として非晶質水素化シリコン層（Ａ１１１に形
成し、その上に透明電極（４３ｆｔ形成する。
もう一方の電極としてＣｒ 電極（４４ＪをＰＬＺＴ焼
結体焼結体直上形成する。第３図（ｂ）はその平面図で
ある。この素子に光の強弱パターン（４ｔ）を透明電極
０３側から蒸射すると光のあった非晶質水素化シリコン
（４１）の部分における抵抗は減少し、ＰＬＺＴに電圧
の大部分が印加され、光のあたらない部分は非晶質水素
化シリコン（４υとＰＬＺＴ（４２１に電圧が分配され
る。したがって光のパターン（１１に応じてＰＬ、Ｚ’
ｌ”にかかる電界が変化し、カー効果をもつＰＩ、Ｚ’
ｌ’にレーザ先任りを走査するとその偏光成分は変化し
、レーザ光の強弱パターンに変換される。こ扛は第２図
と同様にホトセンサーで電気信号に変換することもでき
る。第３図（ｂ）は１次元読み取シセンサとしての応用
であるか、これを複数個並べることにより２次兄の読み
取シも可能である。第４図は、第２の光導電層（４１ａ
）を設けたときの実施例で、光導電体層の絶縁耐圧が約
１／２と低減でき、光導電体の選択１福が広がる。
結体焼結体直上形成する。第３図（ｂ）はその平面図で
ある。この素子に光の強弱パターン（４ｔ）を透明電極
０３側から蒸射すると光のあった非晶質水素化シリコン
（４１）の部分における抵抗は減少し、ＰＬＺＴに電圧
の大部分が印加され、光のあたらない部分は非晶質水素
化シリコン（４υとＰＬＺＴ（４２１に電圧が分配され
る。したがって光のパターン（１１に応じてＰＬ、Ｚ’
ｌ”にかかる電界が変化し、カー効果をもつＰＩ、Ｚ’
ｌ’にレーザ先任りを走査するとその偏光成分は変化し
、レーザ光の強弱パターンに変換される。こ扛は第２図
と同様にホトセンサーで電気信号に変換することもでき
る。第３図（ｂ）は１次元読み取シセンサとしての応用
であるか、これを複数個並べることにより２次兄の読み
取シも可能である。第４図は、第２の光導電層（４１ａ
）を設けたときの実施例で、光導電体層の絶縁耐圧が約
１／２と低減でき、光導電体の選択１福が広がる。
発明の効果
本発明によれば、複雑な電極パターンを作ることなしに
、空間的な画像パターンを時系列の光信号または電気信
号に変換できるので大型画像の時系列信号化に特に有利
である６また。光導を現象及び応答の速いＩＥ気先学効
果を用いるため高速の変換が可能である。さらに、光増
幅が原理的に可能であるので、変換後の光信号。
、空間的な画像パターンを時系列の光信号または電気信
号に変換できるので大型画像の時系列信号化に特に有利
である６また。光導を現象及び応答の速いＩＥ気先学効
果を用いるため高速の変換が可能である。さらに、光増
幅が原理的に可能であるので、変換後の光信号。
電気信号の取扱いが容易となる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図。
第２図は第２の実施例？示す断面図、第３図は第３の実
施例を示す図、第４図は第３の実施例の変形例を示す断
面図である。 （１）’−−−−−ファイバーオプチツクヌ（２）、（
８）、（２４）、１２５＋ −ｍ−透明電極 ｆ３１ 、 （４１１−−一画像入力層ｆ４） −−−
−一光阻止層 （５） −−−−−レーザ光反射層 （６） −−−−一液晶配向フィルム （力＋ （４２１，−一光変調層 （９Ｊ −−−−−ガラス基板 １１０） −１２０１，＋４０１ −ｍ−画像人力−電磁放射波 （ｉｌｌ、 ２１１−−−ｍ１５ Ｌｌ＠’ｊｔ、＊
、 。 （１２１−−−−一回転多面鏡 （１３１−−−−−グラントムソンレンズ■−−−−−
画像人力゛及び光変調層 ＋２３１−−−−一絶縁層 ＋２６１−−−−一偏光子 弼一一一−−干渉フィルタ （至）−一一一−ホト七ンサ 特許出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 新 実 健 部（外１名）
施例を示す図、第４図は第３の実施例の変形例を示す断
面図である。 （１）’−−−−−ファイバーオプチツクヌ（２）、（
８）、（２４）、１２５＋ −ｍ−透明電極 ｆ３１ 、 （４１１−−一画像入力層ｆ４） −−−
−一光阻止層 （５） −−−−−レーザ光反射層 （６） −−−−一液晶配向フィルム （力＋ （４２１，−一光変調層 （９Ｊ −−−−−ガラス基板 １１０） −１２０１，＋４０１ −ｍ−画像人力−電磁放射波 （ｉｌｌ、 ２１１−−−ｍ１５ Ｌｌ＠’ｊｔ、＊
、 。 （１２１−−−−一回転多面鏡 （１３１−−−−−グラントムソンレンズ■−−−−−
画像人力゛及び光変調層 ＋２３１−−−−一絶縁層 ＋２６１−−−−一偏光子 弼一一一−−干渉フィルタ （至）−一一一−ホト七ンサ 特許出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 新 実 健 部（外１名）
Claims (3)
- （１）光導電効果を有する画像入力層、及び電気光学効
果を有する光変調層を近接・平行して形成すると共に、
これらの層に同時に電圧を印加するための一対の電極を
設けてなる感光素子を用い、 前記画像入力層に画像情報をもつ電磁放射波を照射して
画像情報に対応した電荷パターンを記録し、前記光変調
層への印加電圧をこのパターンに従つて分配する工程と
、 前記光変調層を読出し用光束により走査し、前記電圧分
配に従つて変調されたその反射光又は透過光を取出して
光の時系列信号に変換する工程と からなることを特徴とする画像情報変換方法。 - （２）前記方法がさらに、前記光の時系列信号を光電変
換装置により電気信号に変換する工程を含むことを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載の画像情報変換方
法。 - （３）前記画像入力層及び光変調層が光導電性及び電気
光学効果を併せもつた一つの層と、この層を実質的に包
囲する絶縁体層とから構成された単一構造であることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項又は第（２）項記
載の画像情報変換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129861A JPS619085A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 画像情報変換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129861A JPS619085A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 画像情報変換方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619085A true JPS619085A (ja) | 1986-01-16 |
Family
ID=15020082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59129861A Pending JPS619085A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 画像情報変換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619085A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0396898A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Ngk Insulators Ltd | Ｘ線画像検知器 |
| US5025209A (en) * | 1988-06-30 | 1991-06-18 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Apparatus for detecting surface potential distribution |
-
1984
- 1984-06-23 JP JP59129861A patent/JPS619085A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5025209A (en) * | 1988-06-30 | 1991-06-18 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Apparatus for detecting surface potential distribution |
| JPH0396898A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Ngk Insulators Ltd | Ｘ線画像検知器 |
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