JPS6181174A - Switching circuit - Google Patents

Switching circuit

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JPS6181174A
JPS6181174A JP20304984A JP20304984A JPS6181174A JP S6181174 A JPS6181174 A JP S6181174A JP 20304984 A JP20304984 A JP 20304984A JP 20304984 A JP20304984 A JP 20304984A JP S6181174 A JPS6181174 A JP S6181174A
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capacitor
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effect transistor
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Kazuyuki Ito
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/33538Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only of the forward type

Abstract

PURPOSE:To reduce the switching loss by connecting a series circuit of a parallel connection unit of a diode and an inductance element and a capacitor between the drain and the source of a field effect transistor. CONSTITUTION:A switching power source is composed of a field effect transistor (FET)Q1, and a DC voltage V0 is output from output terminals 1, 2 through rectifying and smoothing circuits D1-D2, C1, L1 from the winding N2 of the transformer T1. In this case, a diode D2 provided between the drain and the source of the FETQ1, the diode D3 of the capacitor C2, and an inductance element L2 are provided in parallel. Thus, when the FETQ1 is turned from ON to OFF, since the diode D3 and the capacitor C2 become a low impedance circuit, the rise of the voltage Vds between the drain and the source is smoothed. When the FETQ1 is turned from OFF to ON, the discharge of the capacitor C2 is prevented by the element L2 to reduce the ON time loss.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、金属酸化膜半導体(以下にO8と称する)5
の電界効果トランジスタを用いたスイッチング回路に間
する0本発明に係るスイッチング回路はメインスイッチ
を電界効果トランジスタによって構成したスイッチング
電源等に適用される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a metal oxide film semiconductor (hereinafter referred to as O8) 5
The switching circuit according to the present invention is applied to a switching power supply or the like in which a main switch is formed of a field effect transistor.

従来技術とその問題点 従来、スイッチング電源においては、変換用変圧器に接
続されるメインのスイッチ素子として、バイポーラ型パ
ワートランジスタを使用したものが一般的であったが、
最近、バイポーラ型トランジスタに代えて、 MO9型
電界効果トランジスタをスイッチ素子として使用したス
イッチング電源が注目されている。電界効果トランジス
タを使用したスイッチング電源は、バイポーラ型トラン
ジスタを使用した場合に比較して、スイッチングの高速
化、小型化及び高効率化の点で優れているからである。
Conventional technology and its problems Conventionally, switching power supplies have generally used bipolar power transistors as the main switching elements connected to the conversion transformer.
Recently, switching power supplies that use MO9 field effect transistors as switching elements instead of bipolar transistors have been attracting attention. This is because switching power supplies using field effect transistors are superior in terms of faster switching, smaller size, and higher efficiency than those using bipolar transistors.

第4図は電界効果トランジスタを使用したスイッチング
電源の従来例を示し、電界効果トランジスタQ1のドレ
インDとソースSとの間に、商用交流電源を整流平滑化
するなどして得られた直流電圧Winを印加する一方、
ゲートGに図示しない信号源からパルスPlを供給して
オン、オフ駆動し、電界効果トランジスタQlのドレイ
ンD側(またはソースS側)に接続された変圧器Tzの
巻線Nlから巻線Nz側に、前記オン、オフ動作に伴う
スイッチング出力を取り出し、更にこのスイッチグ出力
を、ダイオードD1.D2、チョークコイルL1及びコ
ンデンサC1等で構成される整流平滑回路によって直流
に変換し、出力端子1.2より直流電圧Voを出力する
Figure 4 shows a conventional example of a switching power supply using field effect transistors, in which a DC voltage Win obtained by rectifying and smoothing a commercial AC power supply is applied between the drain D and source S of the field effect transistor Q1. While applying
A pulse Pl is supplied to the gate G from a signal source (not shown) to turn it on and off, and the transformer Tz is connected to the drain D side (or source S side) of the field effect transistor Ql, and is connected to the winding Nl to the winding Nz side. Then, the switching output associated with the on/off operation is taken out, and this switching output is further connected to the diode D1. D2, a rectifying and smoothing circuit composed of a choke coil L1, a capacitor C1, etc. converts the voltage into direct current, and outputs a direct current voltage Vo from an output terminal 1.2.

電界効果トランジスタQlのドレインDとソースSとの
間には、ダイオードD3及び抵抗R1の並列回路と、コ
ンデンサC2との直列回路を接続してあり、これらの回
路によって、電界効果トランジスタQzのスイッチング
動作に伴う損失を減少させるようにしである。即ち、電
界効果トランジスタQlの損失としては、オンからオフ
に移行する時のオフ時損失、オフからオンに移行する時
のオン時損失及び飽和動作時の損失の3種の損失がある
。これらの損失のうち、オン時損失及びオフ時損失は、
電界効果トランジスタQ1のドレイン、ソース間電圧V
dgと、ドレイン電流Idsとの位相座に倹存する。そ
こで、この従来例では、電界効果トランジスタQ1のド
レインDとソースSとの間にダイオードD3及び抵抗R
tの並列回路とコンデンサC2との直列回路を接続し、
ドレイン、ソース間電圧Vdsとドレイン電11rds
との位相差を小さくして両者のクロスポイント時間を小
さくし、損失を減少させるようにしである。
A parallel circuit of a diode D3 and a resistor R1, and a series circuit of a capacitor C2 are connected between the drain D and source S of the field effect transistor Ql, and these circuits control the switching operation of the field effect transistor Qz. This is to reduce the losses associated with this. That is, there are three types of losses in the field effect transistor Ql: OFF loss when transitioning from ON to OFF, ON loss when transitioning from OFF to ON, and loss during saturated operation. Among these losses, on-state loss and off-state loss are as follows:
Drain-source voltage V of field effect transistor Q1
dg and the drain current Ids. Therefore, in this conventional example, a diode D3 and a resistor R are connected between the drain D and the source S of the field effect transistor Q1.
Connect the parallel circuit of t and the series circuit of capacitor C2,
Drain-source voltage Vds and drain voltage 11rds
This is to reduce the phase difference between the two and the cross point time of the two, thereby reducing the loss.

上記の従来回路において、電界効果トランジスタQzが
オンからオフに移行する場合は、ドレイン、ソース間電
圧Vdsが上昇し、ドレイン電流Idsが減少しようと
する。ここで、電界効果トランジスタQ1のドレインD
とソースSとの間にダイオードD3とコンデンサC2と
の直列回路を接続しであるので、直流電源ラインに流れ
ていた電流■1がダイオードD3及びコンデンサC2で
成る回路に吸い込まれてコンデンサC2を充電するため
、ドレイン電流Idgの減衰が促進される。しかも、ダ
イオードD3及びコンデンサC2は低インピーダンス回
路となるので、ドレイン、ソース間電圧Vdsの立上が
りが緩やかになる。このため、ドレイン、ソース間電圧
Vdsとドレイン電流Idsとの間のクロスポイント時
間が短縮され、オフ時損失が減少する。
In the conventional circuit described above, when the field effect transistor Qz shifts from on to off, the drain-source voltage Vds increases and the drain current Ids tends to decrease. Here, the drain D of the field effect transistor Q1
Since a series circuit of a diode D3 and a capacitor C2 is connected between the source S and the source S, the current ■1 flowing in the DC power supply line is sucked into the circuit consisting of the diode D3 and the capacitor C2, and charges the capacitor C2. Therefore, the attenuation of the drain current Idg is promoted. Moreover, since the diode D3 and the capacitor C2 form a low impedance circuit, the drain-source voltage Vds rises slowly. Therefore, the cross point time between the drain-source voltage Vds and the drain current Ids is shortened, and the off-state loss is reduced.

電界効果トランジスタQ1がオンからオフに移行する際
にコンデンサC2に蓄積された電荷は、電界効果トラン
ジスタQ1がオフからオンに移行する際に抵抗R1を通
して放電される。
The charge accumulated in capacitor C2 when field effect transistor Q1 transitions from on to off is discharged through resistor R1 when field effect transistor Q1 transitions from off to on.

従来技術の問題点 しかしながら、上述した従来のスイッチング回路には次
のような欠点がある。
Problems with the Prior Art However, the conventional switching circuit described above has the following drawbacks.

(イ)電界効果トランジスタQlのオン時損失改善のた
めに挿入されたコンデンサC2の充電電荷を、オフ時に
抵抗FLlを通して放電する構成であるため、抵抗R1
による損失を避けることができない。
(a) Since the configuration is such that the charge of the capacitor C2 inserted to improve the loss when the field effect transistor Ql is on is discharged through the resistor FLl when the field effect transistor Ql is off, the resistor R1
losses due to this cannot be avoided.

(ロ)抵抗R1の値を小さくすれば、コンデンサC2の
容量を大きくできるので、オフ時損失を低減させること
ができる。ところが、抵抗R1の値を小さくすると放電
電流が大きくなり、抵抗Rzの発熱が増大するため、電
力容量の大きい大型の抵抗器を使用しなければならず、
回路構成の大型化、実装密度の低下、コストアップ等を
招く。
(b) By reducing the value of the resistor R1, the capacitance of the capacitor C2 can be increased, so that the off-state loss can be reduced. However, if the value of resistor R1 is decreased, the discharge current increases and the heat generated by resistor Rz increases, so a large resistor with a large power capacity must be used.
This results in an increase in the size of the circuit configuration, a decrease in packaging density, and an increase in cost.

(ハ)抵抗R1の値を大きくすると、抵抗l÷の小型化
は可能であるが、放電時定数Ri 、C2が大きくなる
ため、コンデンサC2の容量を小さくしなければならず
、オフ時損失が低減できなくなる。
(c) By increasing the value of the resistor R1, it is possible to reduce the size of the resistor l÷, but since the discharge time constant Ri and C2 increase, the capacitance of the capacitor C2 must be reduced, and the off-state loss decreases. cannot be reduced.

(ニ)上述の諸欠点はスイッチング岡波数を上げて小型
化しようとする程、m″Iiになる。このため、スイッ
チング電源の高周波化、それによる小型化の障害となる
(d) The above-mentioned drawbacks become m″Ii as the switching wave number is increased and miniaturization is attempted. This becomes an obstacle to increasing the frequency of the switching power supply and thereby miniaturizing it.

本発明の目的 本発明は上述する従来からの問題点を解決し、高速スイ
ッチング特性を損なうことなく、また、回路の大型化、
コストアップ、発熱増大等を招くことなく、スイッチン
グ損失を低減できるようにしたスイッチング回路を提供
することを目的とする。
OBJECTS OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned conventional problems and solves the problems without impairing high-speed switching characteristics.
It is an object of the present invention to provide a switching circuit that can reduce switching loss without increasing costs or increasing heat generation.

本発明の構成 上記目的を達成するため1本発明は、ドレインとソース
との間に直流が印加されている電界効果トランジスタの
ゲートにパルスを供給してこれをォ/、オフさせるスイ
ッチング回路において、前記電界効果トランジスタのド
レインとソースとの間に、ダイオード及びインダクタン
ス素子の並列回路とコンデンサとの直列回路を接続した
ことを特徴とする。
Structure of the Invention In order to achieve the above object, the present invention provides a switching circuit that turns on/off a field effect transistor by supplying a pulse to the gate of a field effect transistor to which a direct current is applied between the drain and the source. The present invention is characterized in that a parallel circuit of a diode and an inductance element, and a series circuit of a capacitor are connected between the drain and source of the field effect transistor.

実施例 第1図は本発明に係るスイッチング回路の電気回路接続
図である1図において、第4図と同一の参照符号は同一
性ある構成部分を示している。従来と異なる点は、ダイ
オードD3に対してインダクタンス素子L2を並列に接
続したことである。
Embodiment FIG. 1 is an electrical circuit connection diagram of a switching circuit according to the present invention. In FIG. 1, the same reference numerals as in FIG. 4 indicate the same components. The difference from the conventional method is that an inductance element L2 is connected in parallel to the diode D3.

このインダクタンス素子L2の回路定数値は、スイッチ
ング周波数を考慮し、ドレイン、ソース間電圧Vdsが
飽和電圧値に到達する迄の間、コンデ/すC2の放電電
流が流れるのを阻止し得る値に設定する。
The circuit constant value of this inductance element L2 is set to a value that can prevent the discharge current of the capacitor C2 from flowing until the drain-source voltage Vds reaches the saturation voltage value, taking into account the switching frequency. do.

次に、この実施例に示すスイッチング回路の回路動作に
ついて、第2図及び第3図を参照して説明する。まず、
電界効果トランジスタQlがオンからオフに移行する場
合は、第4図に示した従来のものと同じ回路作用となる
。即ち、第2図にも示すように、直流電源ラインに流れ
ていた電流11がダイオードD3及びコンデンサC2で
成る回路に吸い込まれて、コンデンサC2を充電するた
め、ドレイン電流Idsの減衰が促進される。しかも、
ダイオードD3及びコンデンサC2は低インピーダンス
回路となるので、ドレイン、ソース間電圧Vdsの立上
がりが緩やかになる。このため、ドレイン、ソース間電
圧Vdaとドレイン電流Idsとの間のクロスポイント
時間T1が短縮され、オフ時損失が減少する。
Next, the circuit operation of the switching circuit shown in this embodiment will be explained with reference to FIGS. 2 and 3. first,
When the field effect transistor Ql shifts from on to off, the circuit operates in the same way as the conventional one shown in FIG. That is, as shown in FIG. 2, the current 11 flowing in the DC power supply line is sucked into the circuit consisting of the diode D3 and the capacitor C2 and charges the capacitor C2, thereby promoting the attenuation of the drain current Ids. . Moreover,
Since the diode D3 and the capacitor C2 form a low impedance circuit, the drain-source voltage Vds rises slowly. Therefore, the cross point time T1 between the drain-source voltage Vda and the drain current Ids is shortened, and the off-state loss is reduced.

次に電界効果トランジスタQ1がオフからオンに移行す
る場合には、ドレイ/、ソース間電圧Vdsが低下し、
ドレイン電流Idaが増加しようとする。ここで、ドレ
イン、ソース間電圧Vdsが飽和電圧値に到達する迄の
間、コンデンサC2に蓄積された電荷の放電がインダク
タンス素子L2によって阻止される。このため、第3図
に示すように、電界効果トランジスタQ1のドレイン、
ソース1ltI電圧Vdsとドレイン電流rdsとのり
aスポイント時間T2が短くなるように刊御され、オン
時損失が減少する。
Next, when the field effect transistor Q1 shifts from off to on, the drain/source voltage Vds decreases,
Drain current Ida tends to increase. Here, the inductance element L2 prevents the charge accumulated in the capacitor C2 from discharging until the drain-source voltage Vds reaches the saturation voltage value. Therefore, as shown in FIG. 3, the drain of the field effect transistor Q1,
The difference between the source 1ltI voltage Vds and the drain current rds is controlled so that the a point time T2 is shortened, and the on-time loss is reduced.

しかも、インダクタンス素子L2は低抵抗値となるから
、抵抗を用いた従来回路に比べて損失が小さくなる。
Furthermore, since the inductance element L2 has a low resistance value, the loss is reduced compared to a conventional circuit using a resistor.

また、コンデンサC2の容量faを増大させても、イン
ダクタンス素子L2による放電電流阻止作用が影響を受
けない、従って、コンデンサC2として容量の大きいも
のを使用することが可能になり、ダイオードD3を通し
てコンデンサC2に流れ込む充電fIl流を増大させ、
オフ時損失を減少させることができる。
Furthermore, even if the capacitance fa of the capacitor C2 is increased, the discharge current blocking effect by the inductance element L2 is not affected. Therefore, it is possible to use a capacitor with a large capacitance as the capacitor C2, and the capacitor C2 is connected to the capacitor C2 through the diode D3. increasing the charging fIl flow into the
Off-state loss can be reduced.

更に、スイッチング周波数を上げて高速化しても、上述
の損失改善効果や高速スイッチング特性が損なわれない
、却ってインダクタンス素子L2に要求されるインダク
タンス値を小さくすることができる等の利点が得られる
。このため、スイッチング電源の高周波化、それによる
小型化が容易になる。
Furthermore, even if the switching frequency is increased to increase the speed, the above-described loss improvement effect and high-speed switching characteristics are not impaired, and the inductance value required for the inductance element L2 can be reduced. Therefore, it becomes easy to increase the frequency of the switching power supply and thereby reduce its size.

未発11の効果 以上述べたように、本発明は、ドレインとソースとの間
に直流が印加される電界効果トランジスタのゲートにパ
ルスを供給してこれをオン、オフさせるスイッチング回
路において、前記電界効果トランジスタのドレインとソ
ースとの間に。
11 Effects of Unexploded As described above, the present invention provides a switching circuit that turns on and off a field effect transistor to which a direct current is applied between the drain and the source by supplying a pulse to the gate of the field effect transistor. between the drain and source of the effect transistor.

ダイオード及びインダクタンス素子の並列接続でなる回
路とコンデンサとの直列回路を接続したことを特徴とす
るから、高速スイッチング特性を損なうことなく、また
1回路の大型化、コストアップ、発熱増大等を招くこと
なく、スイッチング損失を低減できるようにしたスイッ
チング回路を提供することができる。
Since it is characterized by connecting a circuit consisting of a parallel connection of a diode and an inductance element to a series circuit of a capacitor, it does not impair high-speed switching characteristics, and does not cause an increase in the size of one circuit, cost increase, or increase in heat generation. Therefore, it is possible to provide a switching circuit that can reduce switching loss.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

:JJ1図は本発明に係るスイッチング回路を適用した
スイッチング電源の電気回路図、第2図は電界効果トラ
ンジスタがオンからオフに移行する場合のドレイン、ソ
ース間電圧とドレイン電流との関係を、時間スケールを
拡大して示す図、第3図は電界効果トランジスタがオフ
からオンに移行すル場合のドレイン、ソース間電圧トド
レイン電流との関係を時間スケールを拡大して示す図、
第4図は従来のスイッチング回路の電気回路図である。 Qr・・・電界効果トランジスタ D3・・・ダイオード L2・・φインダクタンス素子 C2・・φコンデンサ 第1図 第2図    第3図
: Figure JJ1 is an electrical circuit diagram of a switching power supply to which the switching circuit according to the present invention is applied, and Figure 2 shows the relationship between the drain-source voltage and drain current when a field effect transistor transitions from on to off. Figure 3 is an enlarged diagram showing the relationship between drain and source voltage and drain current when a field effect transistor transitions from OFF to ON on an enlarged time scale.
FIG. 4 is an electrical circuit diagram of a conventional switching circuit. Qr...Field effect transistor D3...Diode L2...φ inductance element C2...φ capacitor Figure 1 Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ドレインとソースとの間に直流が印加される電界
効果トランジスタのゲートにパルスを供給してこれをオ
ン、オフさせるスイッチング回路において、前記電界効
果トランジスタのドレインとソースとの間に、ダイオー
ド及びインダクタンス素子の並列接続でなる回路とコン
デンサとの直列回路を接続したことを特徴とするスイッ
チング回路。
(1) In a switching circuit that supplies a pulse to the gate of a field effect transistor to which a direct current is applied between the drain and source to turn it on and off, a diode is connected between the drain and source of the field effect transistor. A switching circuit characterized in that a circuit consisting of a parallel connection of an inductance element and a series circuit of a capacitor are connected.
JP59203049A 1984-09-27 1984-09-27 Switching circuit Expired - Lifetime JPH0681497B2 (en)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58386U (en) * 1981-06-26 1983-01-05 株式会社日立製作所 ZIF connector
JPS58386A (en) * 1981-06-25 1983-01-05 Toyota Motor Corp Production of joint by electron beam welding

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