JPS6176690A - エツチング・プロセスの終点を検出する方法と装置 - Google Patents
エツチング・プロセスの終点を検出する方法と装置Info
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- JPS6176690A JPS6176690A JP8735085A JP8735085A JPS6176690A JP S6176690 A JPS6176690 A JP S6176690A JP 8735085 A JP8735085 A JP 8735085A JP 8735085 A JP8735085 A JP 8735085A JP S6176690 A JPS6176690 A JP S6176690A
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- etch
- monitor
- etch monitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は予め定めた制限に従ってエツチング作業が完
了した時をオンラインで判定する装置に関する。
了した時をオンラインで判定する装置に関する。
従来の技術 びその間 、
半導体装置、レティクル等を製造する際、半導体材料、
金属等の上に予定の幅を持つ線又は形状をエツチングす
ることは従来周知である。この方法は、フォトレジスト
の形をしたマスクを、エッチしようとするサンプルの上
に配置することを必要とするのが普通である。フォトレ
ジストを適当に露光して処理して、エツチングを行なう
べき又は行なうべきでない領域だけに、フォトレジスト
が残る様にする。この後、フォトレジストが除去された
領域又は除去されなかった領域で、標準的な方法のエツ
チングが行なわれる。従来のこういう方法は、エッチの
幅が予定の寸法に達した時を高い精度で決定すること、
特に処理作業自体の間に(オンラインで)決定すること
が困難であるという問題があった。多くのエツチング方
法では、アンダカットが起ることによって、この問題は
尚更複雑になり、エッチする線幅を正確に決定する問題
が難しくなる。
金属等の上に予定の幅を持つ線又は形状をエツチングす
ることは従来周知である。この方法は、フォトレジスト
の形をしたマスクを、エッチしようとするサンプルの上
に配置することを必要とするのが普通である。フォトレ
ジストを適当に露光して処理して、エツチングを行なう
べき又は行なうべきでない領域だけに、フォトレジスト
が残る様にする。この後、フォトレジストが除去された
領域又は除去されなかった領域で、標準的な方法のエツ
チングが行なわれる。従来のこういう方法は、エッチの
幅が予定の寸法に達した時を高い精度で決定すること、
特に処理作業自体の間に(オンラインで)決定すること
が困難であるという問題があった。多くのエツチング方
法では、アンダカットが起ることによって、この問題は
尚更複雑になり、エッチする線幅を正確に決定する問題
が難しくなる。
従来、この問題は、「勘によるJ (Seat 0f
the pants )作業によって解決されていた。
the pants )作業によって解決されていた。
即ち、予定の条件の下にエツチングを行ない、所望の寸
法が正確に得られるまで、定期的にサンプルを顕微鏡の
下で検査していた。この後の装置は、正確な寸法を得る
のに前に使われたのと同じ処理工程を使って作られる。
法が正確に得られるまで、定期的にサンプルを顕微鏡の
下で検査していた。この後の装置は、正確な寸法を得る
のに前に使われたのと同じ処理工程を使って作られる。
こういう種類の方法は誤差があることが理解されよう。
集積回路等の寸法がLSIからVLSIに向って1ミク
ロン未満に進むにつれて、所要精度の要求が尚丈高まる
と共に、レティクル、スライス、半導体装置等を製造す
る各々の段階に尚更厳しい制御が要求される。特に、金
属のエツチングに精密な制御が出来ないと、線幅及びス
ペースの寸法が大きすぎたり小さすぎたりすることがあ
る。
ロン未満に進むにつれて、所要精度の要求が尚丈高まる
と共に、レティクル、スライス、半導体装置等を製造す
る各々の段階に尚更厳しい制御が要求される。特に、金
属のエツチングに精密な制御が出来ないと、線幅及びス
ペースの寸法が大きすぎたり小さすぎたりすることがあ
る。
従来、半導体装置を処理する場合の終点検出装置が用い
られている。然し、こういう方法は、エッチの幅ではな
く、エッチの深さを測定する為に用いられており、ここ
で述べた問題を解決するには実質的に価値がない。
られている。然し、こういう方法は、エッチの幅ではな
く、エッチの深さを測定する為に用いられており、ここ
で述べた問題を解決するには実質的に価値がない。
4題点を解決する為の手段及びその作用この発明では、
線幅及び間隔がエッチング・プロセスの間に変化する時
に、それらをリアルタイムで監視することが出来る様に
する、光の回折に基づく終点検出装置を提供する。こう
いう技術により、処理作業の間、線幅自体を測定するこ
とによって、エッチ手順の終点がオンラインで決定され
る。線幅が普通は最も関心のある1個のパラメータであ
る。更に、オンラインでエッチング・プロセスを変更す
ることにより、線幅をリアルタイムで調節することが出
来る。従って、こういう種類の方法は、線幅の変化に対
する感度を高くすることが出来、約0.02ミクロクン
の精度又はそれ以上の精度にすることが出来る。更に、
ここで説明する装置は本質的に簡単であって、正確な光
学系の整合や、或いは現存のエツチング装置に対する大
樹りな修正を必要としない。
線幅及び間隔がエッチング・プロセスの間に変化する時
に、それらをリアルタイムで監視することが出来る様に
する、光の回折に基づく終点検出装置を提供する。こう
いう技術により、処理作業の間、線幅自体を測定するこ
とによって、エッチ手順の終点がオンラインで決定され
る。線幅が普通は最も関心のある1個のパラメータであ
る。更に、オンラインでエッチング・プロセスを変更す
ることにより、線幅をリアルタイムで調節することが出
来る。従って、こういう種類の方法は、線幅の変化に対
する感度を高くすることが出来、約0.02ミクロクン
の精度又はそれ以上の精度にすることが出来る。更に、
ここで説明する装置は本質的に簡単であって、正確な光
学系の整合や、或いは現存のエツチング装置に対する大
樹りな修正を必要としない。
簡単に云うと、この発明では、レーザから出る様な強力
な光の細いビームを「エッチ・モニタ」パターン上に入
射させる。この「エッチ・モニタ」パターンは、エッチ
しようとする基板上の、最終製品に使われない領域で、
露光してレジストを現像しである。このパターンは平行
線格子であることが好ましいが、フレネル帯又は1本の
線の様なこの他の図案も使うことが出来る。等方性のエ
ツチングでは、線は最初は細いスリットの様に見え、そ
の後、金属の様な材料がアンダカット作用によって除去
されるにつれて、−S広くなる。方向性エツチングでは
、イオン・ミルの入射角の様な鍬械のパラメータを調節
することによって、同じ制御が達成される。この装置は
透過又は反射の何れによる回折パターンを用いても作用
する。
な光の細いビームを「エッチ・モニタ」パターン上に入
射させる。この「エッチ・モニタ」パターンは、エッチ
しようとする基板上の、最終製品に使われない領域で、
露光してレジストを現像しである。このパターンは平行
線格子であることが好ましいが、フレネル帯又は1本の
線の様なこの他の図案も使うことが出来る。等方性のエ
ツチングでは、線は最初は細いスリットの様に見え、そ
の後、金属の様な材料がアンダカット作用によって除去
されるにつれて、−S広くなる。方向性エツチングでは
、イオン・ミルの入射角の様な鍬械のパラメータを調節
することによって、同じ制御が達成される。この装置は
透過又は反射の何れによる回折パターンを用いても作用
する。
実際には、製造される装置をエッチする時、好ましくは
レーザからの、予定の周波数を持つ光ビームを「エッチ
・モニタ」に透過させ又はそれから反射させる。「エッ
チ・モニタ」が同時にエッチされ、周知の形式の回折パ
ターンを発生する。
レーザからの、予定の周波数を持つ光ビームを「エッチ
・モニタ」に透過させ又はそれから反射させる。「エッ
チ・モニタ」が同時にエッチされ、周知の形式の回折パ
ターンを発生する。
回折パターンの少なくとも2つの相異なる次数のビーム
の強度を測定し、2つの相異なる次数の信号を比較して
その比を求める。(回折パターンの各部分の強度はスリ
ットの幅と共に増加するが、比例はしない。)この比信
号を予め作成した比信号の表にある値と比較する。エッ
チするスリットの同一の最終的な幅に対して、同じ次数
の比を比較する。比信号と表の間の比較が成立すると、
エッチング・プロセスを打切る。こうしてここで説明す
る光学系を用いて達成し得る程度の精度を持つエッチ作
業がオンラインで実施される。約0.02ミクロン並び
に場合によってはそれよりも更によい精度が上に述べた
方法によって達成出来る。
の強度を測定し、2つの相異なる次数の信号を比較して
その比を求める。(回折パターンの各部分の強度はスリ
ットの幅と共に増加するが、比例はしない。)この比信
号を予め作成した比信号の表にある値と比較する。エッ
チするスリットの同一の最終的な幅に対して、同じ次数
の比を比較する。比信号と表の間の比較が成立すると、
エッチング・プロセスを打切る。こうしてここで説明す
る光学系を用いて達成し得る程度の精度を持つエッチ作
業がオンラインで実施される。約0.02ミクロン並び
に場合によってはそれよりも更によい精度が上に述べた
方法によって達成出来る。
実施例
第1図には、硝子基板1の一部分が示されている。その
内、普通は使われない部分の上に、クロム又はアルミニ
ウムの様な金属の層3が設けられ、層3の上にフォトレ
ジスト・パターン5が形成される。フォトレジスト・パ
ターン5は、第2図に示す様に、予定の幅を持つ一連の
スペース又はスリットが出来る様になっている。適当な
エツチングの間、スリットの幅が5μmから9μmまで
開くにつれて、基板1上の金属3内には漸進的な段階で
第2図に示す様なパターンが得られる。この時間の間、
第2図に示す様な「エッチ・モニタ」のスリットを介し
てレーザ・ビームを投射し、第3図に示す透過形回折パ
ターンを発生する。
内、普通は使われない部分の上に、クロム又はアルミニ
ウムの様な金属の層3が設けられ、層3の上にフォトレ
ジスト・パターン5が形成される。フォトレジスト・パ
ターン5は、第2図に示す様に、予定の幅を持つ一連の
スペース又はスリットが出来る様になっている。適当な
エツチングの間、スリットの幅が5μmから9μmまで
開くにつれて、基板1上の金属3内には漸進的な段階で
第2図に示す様なパターンが得られる。この時間の間、
第2図に示す様な「エッチ・モニタ」のスリットを介し
てレーザ・ビームを投射し、第3図に示す透過形回折パ
ターンを発生する。
具体的に云うと、第2図に示すスリットは、第1図の金
属3を電子ビームによってパターンを定めることによっ
て形成された′。これは例えばクロム硝子のレティクル
又はスライスであってよい。
属3を電子ビームによってパターンを定めることによっ
て形成された′。これは例えばクロム硝子のレティクル
又はスライスであってよい。
この例のスリット幅は、第1図に示す様なりロムのフォ
トマスク上の等方性エツチングの通行を模擬(シミュレ
ート)する為に、5乃至9ミクロンにわたる。ヘリウム
・ネオン・レーザ (632,8行m>を用いて、フォトセルにより透過様
式の回折強度を測定した。このフォトセルは0次(1次
ビーム)に対して600mvに較正してあり、有意の読
取値は3mvよりもはっきりとよい。この構成により、
31600、″即ち0.005よりもよい強度比を決定
することが出来た。第4図の測定曲線(1数対O次の比
)の勾配から、これは9ミクロンの線に対しては0.0
5ミクロンの感度に対応し、4ミクロンの線に対しては
0.02ミクロン感度に対応する(第4図)。幅の広い
線に対してはレーザの波長を長くし、幅の狭い線に対し
てはレーザの波長を短くすることにより、高い感度が達
成される。回折パターンの他の次数の間の比を利用する
ことも可能である。
トマスク上の等方性エツチングの通行を模擬(シミュレ
ート)する為に、5乃至9ミクロンにわたる。ヘリウム
・ネオン・レーザ (632,8行m>を用いて、フォトセルにより透過様
式の回折強度を測定した。このフォトセルは0次(1次
ビーム)に対して600mvに較正してあり、有意の読
取値は3mvよりもはっきりとよい。この構成により、
31600、″即ち0.005よりもよい強度比を決定
することが出来た。第4図の測定曲線(1数対O次の比
)の勾配から、これは9ミクロンの線に対しては0.0
5ミクロンの感度に対応し、4ミクロンの線に対しては
0.02ミクロン感度に対応する(第4図)。幅の広い
線に対してはレーザの波長を長くし、幅の狭い線に対し
てはレーザの波長を短くすることにより、高い感度が達
成される。回折パターンの他の次数の間の比を利用する
ことも可能である。
第4図には、0次回折パターン信号に対する1次回折パ
ターン信号の強度比と、0次回折パターン信号に対する
4次回折パターン信号の強度比を示すグラフが示されて
いる。こういう比関数が予め決定されていて、例えばエ
ツチング作業を打切るという様な制御機能を実施する為
に、オンラインで予定のスリット幅の寸法が達成された
時を判定する為に、後で装置の動作に関連して使われる
。
ターン信号の強度比と、0次回折パターン信号に対する
4次回折パターン信号の強度比を示すグラフが示されて
いる。こういう比関数が予め決定されていて、例えばエ
ツチング作業を打切るという様な制御機能を実施する為
に、オンラインで予定のスリット幅の寸法が達成された
時を判定する為に、後で装置の動作に関連して使われる
。
第5図には、この発明の典型的な形の装置が略図で示さ
れている。第5図に示す装置はエツチングの環境(図に
示してない)内に封入されている。
れている。第5図に示す装置はエツチングの環境(図に
示してない)内に封入されている。
この環境とは、プラズマ、RIE、イオンニル、RIB
E、ウェットケミカル等のエツチング反応室である。こ
の環境は、スライス保持体13上に配置されたマスク、
レティクル又はスライス11の内、領域1oでマスク、
レティクル又はスライスの所期のエツチング作用を行な
うと共に、他の目的には使われていないレティクル又は
スライスの領域をエッチして、上に述べた様に「エッチ
・モニタ」パターン9を作る。透過モードでは、レーザ
・ビーム15が鏡17で反射され、第2図に示したパタ
ーンの1行の形をした「エッチ・モニタ」を通過し、第
3図に示す様な形式の回折パターンを作る。光検出器1
9.21.23が、第3図に示す様に回折パターンの予
定の次数を検出する様に位置ぎめされている。例えば、
光検出器21は回折パターンの0次部分を検出する様に
位置きめすることが出来、これに対して光検出器19.
23は0次の両側にある回折パターンの1次部分を検出
する様に位置ぎめされている。光検出器を上に述べた様
に他の任意の次数を検出する様に位置きめすることが出
来ることは明らかである。
E、ウェットケミカル等のエツチング反応室である。こ
の環境は、スライス保持体13上に配置されたマスク、
レティクル又はスライス11の内、領域1oでマスク、
レティクル又はスライスの所期のエツチング作用を行な
うと共に、他の目的には使われていないレティクル又は
スライスの領域をエッチして、上に述べた様に「エッチ
・モニタ」パターン9を作る。透過モードでは、レーザ
・ビーム15が鏡17で反射され、第2図に示したパタ
ーンの1行の形をした「エッチ・モニタ」を通過し、第
3図に示す様な形式の回折パターンを作る。光検出器1
9.21.23が、第3図に示す様に回折パターンの予
定の次数を検出する様に位置ぎめされている。例えば、
光検出器21は回折パターンの0次部分を検出する様に
位置きめすることが出来、これに対して光検出器19.
23は0次の両側にある回折パターンの1次部分を検出
する様に位置ぎめされている。光検出器を上に述べた様
に他の任意の次数を検出する様に位置きめすることが出
来ることは明らかである。
この代りとして、第5図に示す様に、反射モードを利用
することも出来る。この場合も、「エッチ・モニタ」パ
ターン25が示されている。このパターンは「エッチ・
モニタ」パターン9と同じであるが、レーザ・ビーム2
7がレティクル又はスライス11の上方に位置ぎめされ
ていて、そのビームが反射されて光検出器29.31に
行く点が異なる。光検出器29.31は回折パターンの
予定の次数を拾うか又は検出する様に位置ぎめされてい
る。例えば、光検出器29は4次を検出する様に位置ぎ
めされ、これに対して光検出器31は5次を検出する様
に位置ぎめされる。反射モードでは、し〜ザ自体からの
レーザ・ビームが0次の通路内に直接的にある為、回折
パターンの0次は光検出器によって直接的に検出するこ
とが出来ない。然し、レーザ・ビーム27の一部分を検
出器に反射するプリズム、透過鏡等を使って、0次ビー
ムの強度を決定することにより、回折パターンの0次の
強度を決定することが出来る。第5図について上に述べ
た様な測定が行なわれる時、予定のパターン及び予定の
エツチング手順に従って、レティクル又はスライス11
のエツチングが同時に行なわれていることを承知された
い。
することも出来る。この場合も、「エッチ・モニタ」パ
ターン25が示されている。このパターンは「エッチ・
モニタ」パターン9と同じであるが、レーザ・ビーム2
7がレティクル又はスライス11の上方に位置ぎめされ
ていて、そのビームが反射されて光検出器29.31に
行く点が異なる。光検出器29.31は回折パターンの
予定の次数を拾うか又は検出する様に位置ぎめされてい
る。例えば、光検出器29は4次を検出する様に位置ぎ
めされ、これに対して光検出器31は5次を検出する様
に位置ぎめされる。反射モードでは、し〜ザ自体からの
レーザ・ビームが0次の通路内に直接的にある為、回折
パターンの0次は光検出器によって直接的に検出するこ
とが出来ない。然し、レーザ・ビーム27の一部分を検
出器に反射するプリズム、透過鏡等を使って、0次ビー
ムの強度を決定することにより、回折パターンの0次の
強度を決定することが出来る。第5図について上に述べ
た様な測定が行なわれる時、予定のパターン及び予定の
エツチング手順に従って、レティクル又はスライス11
のエツチングが同時に行なわれていることを承知された
い。
第6図には、第5図に示す環境内で行なわれるエッチン
グ・プロセスを制御するという様な制御礪能を行なう為
に、第5図の光検出器によって検出された信号を利用す
る装置の概略図が示されている。第6図には、第5図と
同じ検出器19゜21.23が示されており、光検出器
19.23から受取った信号を平均化回路41で平均す
る。
グ・プロセスを制御するという様な制御礪能を行なう為
に、第5図の光検出器によって検出された信号を利用す
る装置の概略図が示されている。第6図には、第5図と
同じ検出器19゜21.23が示されており、光検出器
19.23から受取った信号を平均化回路41で平均す
る。
検出器19.23の内の1つだけを利用することにより
、平均化回路41を省略してもよいことを承知されたい
。平均化回路41からの平均信号と光検出器21からの
信号との比を比回路43で作り、1次信号及びO次信号
の間の比を発生する。
、平均化回路41を省略してもよいことを承知されたい
。平均化回路41からの平均信号と光検出器21からの
信号との比を比回路43で作り、1次信号及びO次信号
の間の比を発生する。
次にこの比信号が例えば第4図に示した上側の曲線の様
な前以って較正した信号と比較される。比回路43から
の信号の比が、閾値比較回路45で測定した同値信号よ
り大きい限り、今の場合のエツチング作業の様な動作装
置が、オン・システムを表わすボックス47によって「
オン」に保たれる。閾値回路が予定の閾値に達したか或
いはそれを越えたことを表示すると、打切り回路49に
対して信号が発せられて、今の場合のエツチング作業の
様な動作を「オフ」に転する。この装置はエッチング・
プロセス又は他のどんなプロセスを考えているにしても
、それをオンラインで監視して制御することが理解され
よう。第7図を見れば判る様に、ミクロン数で表わした
スリット幅の関数としてのミクロン数で表わした検出可
能な線幅の変化をオンライン動作で厳密に制御すること
が出来る。
な前以って較正した信号と比較される。比回路43から
の信号の比が、閾値比較回路45で測定した同値信号よ
り大きい限り、今の場合のエツチング作業の様な動作装
置が、オン・システムを表わすボックス47によって「
オン」に保たれる。閾値回路が予定の閾値に達したか或
いはそれを越えたことを表示すると、打切り回路49に
対して信号が発せられて、今の場合のエツチング作業の
様な動作を「オフ」に転する。この装置はエッチング・
プロセス又は他のどんなプロセスを考えているにしても
、それをオンラインで監視して制御することが理解され
よう。第7図を見れば判る様に、ミクロン数で表わした
スリット幅の関数としてのミクロン数で表わした検出可
能な線幅の変化をオンライン動作で厳密に制御すること
が出来る。
この発明を特定の好ましい見施例について・説明したが
、当業者にはいろいろな変更が直ぐに考えられよう。従
って、特許請求の範囲は、この様な全ての変更を包括す
る様に、従来技術から考えて可能な限り広く解釈された
い。
、当業者にはいろいろな変更が直ぐに考えられよう。従
って、特許請求の範囲は、この様な全ての変更を包括す
る様に、従来技術から考えて可能な限り広く解釈された
い。
第1図は基板の使われていない領域にある「エッチ・モ
ニタ」パターンを形成することを示す略図、第2図は金
属のエツチングによって第1図の基板上に形成された一
連のスリット幅を示す線図、第3図は第2図の一連のス
リットの各々を通った透過光によって得られる透過形回
折パターンを示す写真、第4図は回折パターンのスリッ
ト幅の関数としての、0次に対する1次の強度比、及び
0次に対する4次の強度比を示すグラフ、第5図はこの
発明に従ってオンラインでスリット幅を決定する測定装
置の略図、第6図は第5図の光検出器から受取った信号
からオンラインでエツチングを制御する装置のブロック
図、第7図はスリット幅の関数として検出可能な線幅の
変化を示すグラフである。 主な符号の説明 9:「エッチ・モニタ」パターン 11ニスライス 19.21.23:光検出器 43:北回路 45:閾値回路
ニタ」パターンを形成することを示す略図、第2図は金
属のエツチングによって第1図の基板上に形成された一
連のスリット幅を示す線図、第3図は第2図の一連のス
リットの各々を通った透過光によって得られる透過形回
折パターンを示す写真、第4図は回折パターンのスリッ
ト幅の関数としての、0次に対する1次の強度比、及び
0次に対する4次の強度比を示すグラフ、第5図はこの
発明に従ってオンラインでスリット幅を決定する測定装
置の略図、第6図は第5図の光検出器から受取った信号
からオンラインでエツチングを制御する装置のブロック
図、第7図はスリット幅の関数として検出可能な線幅の
変化を示すグラフである。 主な符号の説明 9:「エッチ・モニタ」パターン 11ニスライス 19.21.23:光検出器 43:北回路 45:閾値回路
Claims (32)
- (1)エッチするサンプルを用意し、エッチ・モニタを
用意し、前記サンプル及び前記エッチ・モニタを同時に
エッチし、前記エッチ・モニタからオンラインで回折パ
ターンを作り、該パターンの少なくとも2つの予定の相
異なる次数の光の強度の比を表わす信号を発生し、該信
号を予定の基準と比較し、前記信号及び前記予定の基準
が予定の関係を持つ時に機能を働かせる工程から成るエ
ッチングプロセスの終点を検出するための方法。 - (2)特許請求の範囲第1項に記載した方法に於て、前
記サンプル及び前記エッチ・モニタが一体構造の上に配
置されている方法。 - (3)特許請求の範囲第1項に記載した方法に於て、前
記エッチ・モニタがエッチすべき層及びその上の予定の
レジスト・パターンを含んでいる方法。 - (4)特許請求の範囲第2項に記載した方法に於て、前
記エッチ・モニタがエッチすべき層及びその上の予定の
レジスト・パターンを含んでいる方法。 - (5)特許請求の範囲第1項に記載した方法に於て、略
単色光の光ビームを前記エッチ・モニタに通すことによ
り、前記回折パターンが発生される方法。 - (6)特許請求の範囲第2項に記載した方法に於て、略
単色光の光ビームをエッチ・モニタに通すことにより、
前記回折パターンが発生される方法。 - (7)特許請求の範囲第3項に記載した方法に於て、略
単色光の光ビームをエッチ・モニタに通すことにより、
前記回折パターンが発生される方法。 - (8)特許請求の範囲第4項に記載した方法に於て、略
単色光の光ビームをエッチ・モニタに通すことにより、
前記回折パターンが発生される方法。 - (9)特許請求の範囲第5項に記載した方法に於て、前
記回折パターンが連続的に発生される方法。 - (10)特許請求の範囲第6項に記載した方法に於て、
前記回折パターンが連続的に発生される方法。 - (11)特許請求の範囲第7項に記載した方法に於て、
前記回折パターンが連続的に発生される方法。 - (12)特許請求の範囲第8項に記載した方法に於て、
前記回折パターンが連続的に発生される方法。 - (13)特許請求の範囲第1項に記載した方法に於て、
略単色光の光ビームを前記エッチ・モニタから反射する
ことにより、前記回折パターンが発生される方法。 - (14)特許請求の範囲第2項に記載した方法に於て、
略単色光の光ビームを前記エッチ・モニタから反射する
ことにより、前記回折パターンが発生される方法。 - (15)特許請求の範囲第3項に記載した方法に於て、
略単色光の光ビームを前記エッチ・モニタから反射する
ことにより、前記回折パターンが発生される方法。 - (16)特許請求の範囲第4項に記載した方法に於て、
略単色光の光ビームを前記エッチ・モニタから反射する
ことにより、前記回折パターンが発生される方法。 - (17)特許請求の範囲第13項に記載した方法に於て
、前記回折パターンが連続的に発生される方法。 - (18)特許請求の範囲第14項に記載した方法に於て
、前記回折パターンが連続的に発生される方法。 - (19)特許請求の範囲第15項に記載した方法に於て
、前記回折パターンが連続的に発生される方法。 - (20)特許請求の範囲第16項に記載した方法に於て
、前記回折パターンが連続的に発生される方法。 - (21)エッチング・プロセスの終点を検出する装置に
於て、エッチしようとするサンプルと、回折パターンを
発生する為のエッチ・モニタと、前記サンプル及び前記
エッチ・モニタを同時にエッチングするエッチング手段
と、前記モニタに結合されていて、該エッチ・モニタに
関連した回折パターンをオンラインで発生する発生手段
と、前記発生された回折パターンに応答して、前記パタ
ーンの予定の相異なる2つの次数の光の強度の比を表わ
す信号を発生する手段と、前記信号及び予定の基準を比
較する比較手段と、前記信号及び前記基準の間の予定の
関係に応答して予定の機能を実施する機能手段とを有す
る装置。 - (22)特許請求の範囲第21項に記載した装置に於て
、前記サンプル及び前記エッチ・モニタが一体構造の上
に配置されている装置。 - (23)特許請求の範囲第21項に記載した装置に於て
、前記エッチ・モニタがエッチしようとする層及びその
上の予定のレジスト・パターンを含んでいる装置。 - (24)特許請求の範囲第22項に記載した装置に於て
、前記エッチ・モニタがエッチしようとする層及びその
上の予定のレジスト・パターンを含んでいる装置。 - (25)特許請求の範囲第21項に記載した装置に於て
、前記発生手段がレーザである装置。 - (26)特許請求の範囲第22項に記載した装置に於て
、前記発生手段がレーザである装置。 - (27)特許請求の範囲第23項に記載した装置に於て
、前記発生手段がレーザである装置。 - (28)特許請求の範囲第24項に記載した装置に於て
、前記発生手段がレーザである装置。 - (29)エッチング・プロセスの終点を検出する装置に
於いて、エッチしようとするサンプルと、回折パターン
を発生するためのエッチ・モニタ手段と、前記サンプル
及び前記エッチ・モニタを同時にエッチするエッチング
手段と、前記回折パターンの予定の状態に応答して予定
の機能を実施する手段とを有する装置。 - (30)特許請求の範囲第29項に記載した装置に於て
、前記サンプル及び前記エッチ・モニタが一体構造の上
に配置されている装置。 - (31)特許請求の範囲第29項に記載した装置に於て
、前記エッチ・モニタがエッチしようとする層及びその
上の予定のレジスト・パターンを含んでいる装置。 - (32)特許請求の範囲第30項に記載した装置に於て
、前記エッチ・モニタがエッチしようとする層及びその
上の予定のレジスト・パターンを含んでいる装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60348384A | 1984-04-24 | 1984-04-24 | |
US603483 | 1996-02-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6176690A true JPS6176690A (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=24415629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8735085A Pending JPS6176690A (ja) | 1984-04-24 | 1985-04-23 | エツチング・プロセスの終点を検出する方法と装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6176690A (ja) |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP8735085A patent/JPS6176690A/ja active Pending
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