JPS617357A - Bisazide compound - Google Patents
Bisazide compoundInfo
- Publication number
- JPS617357A JPS617357A JP59127894A JP12789484A JPS617357A JP S617357 A JPS617357 A JP S617357A JP 59127894 A JP59127894 A JP 59127894A JP 12789484 A JP12789484 A JP 12789484A JP S617357 A JPS617357 A JP S617357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bis
- cyclohexanone
- bisazide
- integrated circuits
- solubility
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はビスアジド化合物に関し、さらに詳しくは、環
化ゴムなどと組み合わせて、集積回路や大規模集積回路
などの作製に用いられるフォトレジスト用感元剤として
極めて有用な、有機溶剤に対する溶解性を向上させた2
、6−ビス−(p−アジドシンナミリデン)シクロヘキ
サノン誘導体に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a bisazide compound, and more particularly to a sensitizing agent for photoresists used in the production of integrated circuits, large-scale integrated circuits, etc. in combination with cyclized rubber and the like. 2 with improved solubility in organic solvents, which is extremely useful as
, 6-bis-(p-azidocinnamylidene)cyclohexanone derivative.
従来の技術
従来、環化ポリイソプレンやポリブタジェンとビスアジ
ド化合物とから成るゴム系フォトレジストが、半導体工
業において集積回路や大規模集積回路の微細加工用フォ
トレジストとして多用されている。BACKGROUND OF THE INVENTION Conventionally, rubber-based photoresists made of cyclized polyisoprene or polybutadiene and bisazide compounds have been widely used in the semiconductor industry as photoresists for microfabrication of integrated circuits and large-scale integrated circuits.
ところで、近年、半導体工業の急速な進歩に伴い、要求
される画像精度がますます厳しくなpつつあり、また同
時に焼付画像が微細化するに従って、そのフォトマスク
も高価となることから、マスクとウェハとの接触を無く
す方向、すなわち密着露光方式から投影露光方式へと変
化しつつある。By the way, in recent years, with the rapid progress of the semiconductor industry, the required image accuracy has become increasingly strict, and at the same time, as printed images have become finer, photomasks have also become more expensive. There is a trend toward eliminating contact with the camera, that is, from a contact exposure method to a projection exposure method.
したがって、フォトレジストも投影露光方式に対応した
ものが必要とされる。この投影露光方式では、水銀灯の
436nmのg線又は405nmのh線のみで露光する
ために、この波長域において高感度を示すビスアジド化
合物が要求される。Therefore, a photoresist compatible with the projection exposure method is also required. In this projection exposure method, since exposure is performed using only the 436 nm g-line or 405 nm h-line of a mercury lamp, a bisazide compound that exhibits high sensitivity in this wavelength range is required.
このようなビスアジド化合物としては、例えば2.6−
ビス(p−アジドシンナミリデン)シクロヘキサノンや
、2,6−ビス(p−アジドシンナミリデン)−4−メ
チルシクロヘキサノンなどが知られている(米国特許第
3695886号明細書)。しかしながら、これらの化
合物は、ゴム系フォトレジストに通常用いられているキ
シレンやトルエンなどの有機溶剤に対する溶解度が極め
て小さくて、その機能を十分に発揮することができない
という欠点を有しておシ、溶解性の改良が望まれている
。As such a bisazide compound, for example, 2.6-
Bis(p-azidocinnamylidene)cyclohexanone, 2,6-bis(p-azidocinnamylidene)-4-methylcyclohexanone, and the like are known (US Pat. No. 3,695,886). However, these compounds have the disadvantage that they have extremely low solubility in organic solvents such as xylene and toluene that are commonly used in rubber-based photoresists, and cannot fully demonstrate their functions. Improvement in solubility is desired.
本発明者らは、このような事情に鑑み、有機溶剤に対し
て十分な溶解性を有する2、6−ビス(p−アジドシン
ナミリデン)シクロヘキサノン誘導体について鋭意研究
を重ねた結果、該誘導体におけるシクロヘキサノン環の
4−位に、炭素数4以上の直鎖状又は分枝鎖状アルキル
基を導入することにより、その目的を達成しうろことを
見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った
。In view of these circumstances, the present inventors have conducted extensive research on 2,6-bis(p-azidocinnamylidene) cyclohexanone derivatives that have sufficient solubility in organic solvents, and have found that We have discovered that the objective can be achieved by introducing a linear or branched alkyl group having 4 or more carbon atoms into the 4-position of the cyclohexanone ring, and based on this knowledge, we have completed the present invention. It's arrived.
問題点全解決するための手段
すなわち、本発明は、一般式
%式%(1)
(式中のRは炭素数4以上の直鎖状又は分枝鎖状アルキ
ル基である)
で表わされるビスアジド化合物を提供するものでらるO
なお、本発明の化合物に類似したものとして、米国特許
第3695886号明細書に記載された化合物があるが
、これij:2,6−ビス(p−アジドシンナミリデン
)シクロヘキサノン、2.6−ビス(p−アジドシンナ
ミリデン)−4−メチルシクロヘキサノンなどで1、本
発明の化合物とはシクロヘキサノン環の4位の置換基が
メチル基のような低級アルキル基である点で異なる。Means for solving all the problems, that is, the present invention provides a bisazide represented by the general formula % (1) (R in the formula is a linear or branched alkyl group having 4 or more carbon atoms) Furthermore, as a compound similar to the compound of the present invention, there is a compound described in US Pat. No. 3,695,886, but this compound is cyclohexanone), 2.6-bis(p-azidocinnamylidene)-4-methylcyclohexanone, etc. 1. The compounds of the present invention are those in which the substituent at the 4-position of the cyclohexanone ring is a lower alkyl group such as a methyl group. It differs in one respect.
本発明のビスアジド化合物は、前記一般式(1)で表わ
される2、6−ビス(p−アジドシンナミリデン)シク
ロヘキサノン誘導体でアリ、このよウナものとしては、
例えば一般式(1)におけるRがn−ブチル基、te
rt−ブチル基、n−アミル基、tart−アミル基、
n−デシル基などであるものが好ましく挙げられる。こ
れらのビスアジド化合物は有機溶剤に対して良好な溶解
性を有しておυ。The bisazide compound of the present invention is a 2,6-bis(p-azidocinnamylidene)cyclohexanone derivative represented by the general formula (1), and examples of such compounds include:
For example, R in general formula (1) is n-butyl group, te
rt-butyl group, n-amyl group, tart-amyl group,
Preferred examples include n-decyl groups and the like. These bisazide compounds have good solubility in organic solvents.
またその最大吸収波長はいずれも404nmである。Moreover, the maximum absorption wavelength of each is 404 nm.
第1表に、得られた2、6−ビス(p−アジドシンナミ
リデン)シクロヘキサノン誘導体についてm一般式(1
)におけるRの種類と有機溶剤に対する溶解度との関係
の1例を示す。Table 1 shows the m general formula (1
An example of the relationship between the type of R and the solubility in organic solvents in ) is shown below.
この表から分るように、Rが炭素数4以上の直鎖状又は
分枝鎖状アルキル基である、本発明のビスアジド化合物
は、有機溶剤に対する溶解性が良好である。As can be seen from this table, the bisazide compound of the present invention, in which R is a linear or branched alkyl group having 4 or more carbon atoms, has good solubility in organic solvents.
本発明のビスアジド化合物の原料として用いる4−アル
キルシクロへキサノンは通常の方法、例えばp−アルキ
ルフェノールを水添して4−アルキルシクロへキサノー
ルにしたのち、脱水素する方法などによって得られ、ま
た、p−アジドシンナムアルデヒドは、例えばp−アミ
ノベンズアルデヒドをジアゾ化したのち、アジ化すトリ
ウムを反応させてp−アジドシンナアルデヒドヲ得、次
いでこのものとアセトアルデヒドとを縮合させる方法に
よって得られる。The 4-alkylcyclohexanone used as a raw material for the bisazide compound of the present invention can be obtained by a conventional method, for example, by hydrogenating p-alkylphenol to form 4-alkylcyclohexanol and then dehydrogenating it. p-Azidocinnamaldehyde can be obtained, for example, by diazotizing p-aminobenzaldehyde, reacting it with thorium azide to obtain p-azidocinnamaldehyde, and then condensing this with acetaldehyde.
本発明のビスアジド化合物は前記の4−アルキルシクロ
へキサノンとp−アジドシンナミリデンデヒドとを触媒
の存在下、縮合させることによって得られる。好適な縮
合方法の1例について説明すると、メタノールなどの溶
剤に4−アルキルシクロヘキサノンとp−アジドシンナ
ムアルデヒドとを溶解し触媒を加え、10〜50℃の温
度で縮合させて目的のビスアジド化合物を得る。この際
の触媒としては、例えばカセイアルカリ、炭酸アルカリ
、アルカリ金属アルコラードのようなアルカリ触媒が通
常用いられる。The bisazide compound of the present invention can be obtained by condensing the above-mentioned 4-alkylcyclohexanone and p-azidocinnamylidenedehyde in the presence of a catalyst. One example of a suitable condensation method is to dissolve 4-alkylcyclohexanone and p-azidocinnamaldehyde in a solvent such as methanol, add a catalyst, and condense the mixture at a temperature of 10 to 50°C to obtain the desired bisazide compound. . As the catalyst in this case, an alkali catalyst such as a caustic alkali, an alkali carbonate, or an alkali metal alcoholade is usually used.
発明の効果
本発明のビスアジド化合物は有機溶剤に対する溶解性が
良好であり、環化ゴムなどと組み合わせて、集積回路や
大規模集積回路などの作製に用いられるフォトレジスト
用感光剤として極めて有用である。Effects of the Invention The bisazide compound of the present invention has good solubility in organic solvents, and in combination with cyclized rubber, etc., is extremely useful as a photosensitizer for photoresists used in the production of integrated circuits and large-scale integrated circuits. .
実施例 次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。Example Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.
実施例1
4− n−ブチルシクロヘキサノン10?及びp−アジ
ドシンナムアルデヒド22.6 t ’ii 250m
7!のメタノールに溶解し、これに10%水酸化ナトリ
ウム10.Of’lz加え30℃で1晩かきまぜた。析
出物を反応液からろ別し、メタノール及びアセトンで洗
浄、乾燥して橙色の2,6−ビス(p−アジドシンナミ
リデン) −4−n−ブチルシクロへキサノン15.4
fを得た。Example 1 4-n-butylcyclohexanone 10? and p-azidocinnamaldehyde 22.6 t'ii 250m
7! of methanol and add 10% sodium hydroxide to this. Of'lz was added and stirred overnight at 30°C. The precipitate was filtered from the reaction solution, washed with methanol and acetone, and dried to give orange 2,6-bis(p-azidocinnamylidene)-4-n-butylcyclohexanone 15.4
I got f.
このもののm−キシレン、トルエン、ベンゼン及びクロ
ルベンゼンに対する溶解度はそれぞれ2.03重量%、
2.45重量%、3.01重量%、5.07重量%であ
った。また、最大吸収波長λrtaxは404 nmで
あシ、λmaxにおけるモル吸光係数εmaxは7.0
2 X 10”であった。The solubility of this substance in m-xylene, toluene, benzene and chlorobenzene is 2.03% by weight, respectively.
They were 2.45% by weight, 3.01% by weight, and 5.07% by weight. Furthermore, the maximum absorption wavelength λrtax is 404 nm, and the molar absorption coefficient εmax at λmax is 7.0.
It was 2 x 10".
実施例2
4− n−アミルシクロへキサノン1or及びp−アジ
ドシンナムアルデヒド20.6f’z用いる以外は、実
施例1と同様にして、2,6−ビス(p−アジドシンナ
ミリデン)−4−tert−アミルシクロへキサノン1
2.3t’i得た。Example 2 2,6-bis(p-azidocinnamylidene)-4- was prepared in the same manner as in Example 1 except that 4-n-amylcyclohexanone 1or and p-azidocinnamaldehyde 20.6f'z were used. tert-amylcyclohexanone 1
I got 2.3t'i.
このもののm−キシレン、トルエン、ベンゼン及びクロ
ルベンゼンに対する溶解度はそれぞれ2.59,3.6
1. 4.10及び6.20重量%であり。The solubility of this substance in m-xylene, toluene, benzene and chlorobenzene is 2.59 and 3.6, respectively.
1. 4.10 and 6.20% by weight.
λmax 404 nm 、 gmax 7.01 X
10 であった。λmax 404 nm, gmax 7.01X
It was 10.
また、4− n−アミルシクロヘキサノンの代りに4−
tert−アミルシフ5ヘキサノンを用い、同様にして
2,6−ビス(p−アジドシンナミリデン) −4−1
so−アミルシクロヘキサノンを得た。Also, 4-n-amylcyclohexanone can be replaced with 4-n-amylcyclohexanone.
2,6-bis(p-azidocinnamylidene)-4-1 was prepared in the same manner using tert-amyl shift 5-hexanone.
So-amylcyclohexanone was obtained.
コノモののm−キシレン、トルエン、ベンゼン及びクロ
ルベンゼンに対する溶解度はそれぞれ1.75.2.0
1.2.40及び4.17重量%であυ。The solubility of Konomo in m-xylene, toluene, benzene and chlorobenzene is 1.75.2.0, respectively.
1.2.40 and 4.17% by weight.
λmax 404 nm 、’ tmax 6.90
X 10 であった。λmax 404 nm, 'tmax 6.90
It was X10.
実施例3
4− n−デシルシクロへキサノン10?及びp−アジ
ドシンナムアルデヒド14.5S’i用いる以外は、実
施例1と同様にして、2,6−ビス(p−アジドシンナ
ミリデン) −4−n−デシルシクロへキサノン12.
Of’ii(得た。Example 3 4-n-decylcyclohexanone 10? 2,6-bis(p-azidocinnamylidene)-4-n-decylcyclohexanone 12.
Of'ii (obtained.
このもののm−キシレン、トルエン、ベンゼン及ヒクロ
ルベンゼンに対する溶解度はそれぞれ3.68.4.6
3.5,30.7,45重量%であり、λma’x 4
04 nm、gmax 6.96 X 10 であっ
た。The solubility of this substance in m-xylene, toluene, benzene and hychlorobenzene is 3.68.4.6, respectively.
3.5, 30.7, 45% by weight, λmax'x 4
04 nm, gmax 6.96×10.
比較例
シクロヘキサノン、4−メチルシクロヘキサノン、4−
イソプロピルシクロヘキサノン及び4−シクロヘキシル
シクロヘキサノンをそれぞれ用い。Comparative example cyclohexanone, 4-methylcyclohexanone, 4-
Isopropylcyclohexanone and 4-cyclohexylcyclohexanone were used, respectively.
これらとp−アジドシンナムアルデヒドとを実施例1と
同様にして縮合させ、ビスアジド化合物を得た。These and p-azidocinnamaldehyde were condensed in the same manner as in Example 1 to obtain a bisazide compound.
これらのビスアジド化合物の各溶解度、λmax及びε
max k、実施例1〜3で得たビスアジド化合物のデ
ーターとともに第2表に示す。Each solubility, λmax and ε of these bisazide compounds
max k is shown in Table 2 together with the data of the bisazide compounds obtained in Examples 1 to 3.
Claims (1)
ル基である) で表わされるビスアジド化合物。[Claims] 1. A bisazide compound represented by the general formula ▲ Numerical formula, chemical formula, table, etc. ▼ (R in the formula is a linear or branched alkyl group having 4 or more carbon atoms).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59127894A JPS617357A (en) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | Bisazide compound |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59127894A JPS617357A (en) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | Bisazide compound |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS617357A true JPS617357A (en) | 1986-01-14 |
Family
ID=14971287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59127894A Pending JPS617357A (en) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | Bisazide compound |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS617357A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04212648A (en) * | 1990-01-19 | 1992-08-04 | Mercedes Benz Ag | Display device workshop in car |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP59127894A patent/JPS617357A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04212648A (en) * | 1990-01-19 | 1992-08-04 | Mercedes Benz Ag | Display device workshop in car |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4212970A (en) | 2-Halomethyl-5-vinyl-1,3,4-oxadiazole compounds | |
US5344742A (en) | Benzyl-substituted photoactive compounds and photoresist compositions comprising same | |
JP3935267B2 (en) | Novel acid generator for resist | |
JP5081151B2 (en) | Sulfonium salt initiator | |
US4371605A (en) | Photopolymerizable compositions containing N-hydroxyamide and N-hydroxyimide sulfonates | |
US4339522A (en) | Ultra-violet lithographic resist composition and process | |
JPH07333834A (en) | Chemical amplifying positive resist material | |
JPH0326821B2 (en) | ||
US3072485A (en) | Optically sensitized azido polymers for photomechanical resist compositions | |
JPS61240237A (en) | Resist composition for far ultraviolet lithography and use thereof | |
CA2060228A1 (en) | Negative photoresist composition | |
JPH0214353B2 (en) | ||
US3887379A (en) | Photoresist azide sensitizer composition | |
JPS617357A (en) | Bisazide compound | |
KR100300146B1 (en) | Crosslinkable, aqueous base developable photoresist composition and method for use thereof | |
US4728594A (en) | Photosensitive composition with azide or bisazide compound with oxazolone group | |
JP2009134020A (en) | Resist composition and pattern forming method | |
JPS6294841A (en) | Image forming composition | |
JPH06167812A (en) | Photosensitive material composition | |
JPH01263648A (en) | Radiation sensitive composition | |
US4083725A (en) | Photosensitive composition | |
CA1175811A (en) | Diazonium sulfonates and uses thereof | |
SU613590A1 (en) | Derivatives of 4,4-diazidostylbene-2,2-disulfonic acid as photo-cross-linking agents | |
KR100241492B1 (en) | 4-vinyloxyethoxyphenylsulfonium salt and its derivatives for photoacid generator of photoresist | |
JPH06192309A (en) | Sensitizing pigment for photo-polymerization initiation system |