JPS6158196A - Automatic flasher - Google Patents

Automatic flasher

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JPS6158196A
JPS6158196A JP59179905A JP17990584A JPS6158196A JP S6158196 A JPS6158196 A JP S6158196A JP 59179905 A JP59179905 A JP 59179905A JP 17990584 A JP17990584 A JP 17990584A JP S6158196 A JPS6158196 A JP S6158196A
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JP
Japan
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thyristor
current
gate
circuit
load
Prior art date
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Application number
JP59179905A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
谷 善平
清 熊田
福住 一男
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、周囲の明るさに応じて照明機器などの負荷へ
の通電を自動的にオン、オフするための自動点滅器に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an automatic flasher for automatically turning on and off electricity to a load such as a lighting device according to ambient brightness.

〈従来技術〉 一般に、この種の自動点滅器では、周囲照度の微弱な変
動で負荷のオン、オフを繰り返す不安定な状態が生じな
いようにするために、周囲照度が増加するときの点灯か
ら消灯に移るときの照度と、周囲照度が減少するときの
消灯から点灯に移るときの照度との間に差をつけて、所
謂ヒステリシス特性をもたせる必要がある。
<Prior art> In general, in this type of automatic flasher, in order to prevent an unstable state in which the load repeatedly turns on and off due to slight fluctuations in ambient illuminance, the switch is turned off when the ambient illuminance increases. It is necessary to provide a so-called hysteresis characteristic by creating a difference between the illuminance when turning off the lights and the illuminance when changing from turning off to turning on when the ambient illuminance decreases.

従来の自動点滅器には、CdSとバイメタルを使用した
熱動継電器型の普及機と、CdSまたはホトトランジス
タを受光素子に用いた高級践がある。
Conventional automatic flashers include popular models of thermal relay type using CdS and bimetal, and high-end models using CdS or phototransistors as light receiving elements.

第9図は熱動継電器型の自動点滅器の回路jjl成を示
す。ごの回路では、CdSに光が当たっていない状態で
は、サーマルリレー接点T Iは閉したままで、光が当
たってCdSの抵抗値が小さくな −ると、抵抗Rに流
れる電流が大きくなって抵抗Rが発熱し、バイメタルの
動作によりサーマルリレ、−接点T Hが開く。この自
動点数2:÷では、バイメタルの変形が温度に対してヒ
ステリシス特i生をもつことを利用している。
FIG. 9 shows the circuit configuration of a thermal relay type automatic flasher. In this circuit, when the CdS is not exposed to light, the thermal relay contact TI remains closed, and when the CdS is exposed to light and the resistance value of the CdS decreases, the current flowing through the resistor R increases. Resistor R generates heat, and the thermal relay - contact TH opens due to the action of the bimetal. This automatic score 2:÷ utilizes the fact that the deformation of the bimetal has a hysteresis characteristic with respect to temperature.

この熱動継電器型の自動点滅器においては、点灯照度は
20〜80 (! x、消灯照度はその5倍以下で、動
作照度のバラツキが大きいとともに、その経時変化も大
きく、さらに、消費電流が大きく、接点を有するため開
閉寿命が短い等の欠点を有していた。
In this thermal relay type automatic flasher, the lighting intensity is 20 to 80 (! Since they are large and have contacts, they have disadvantages such as a short switching life.

第10図は受光素子にCdSを使用した自動点滅器の回
路構成を示す。
FIG. 10 shows a circuit configuration of an automatic flasher using CdS as a light receiving element.

CdS受光部の照度が点灯照度以下の場合は、CdSが
高抵抗であるため、点■ば低電位で、点■も低電位であ
るので、トランジスタTr21はオンl、、1m 抗R
2sに電流が流れる。そして、点◎の電位は上がり、点
◎の電位も上がるため、トランジスタTr22はオフ状
態にある。このとき、点■の電位はほぼ0■であり、ト
ランジスタT r 23はオフ状態にある。したがって
、抵抗R3oを介して電流がサイリスタTh2.のゲー
トへ流れ込み、サイリスタ”rh2.がターンオンし、
ダイオードブリッジDB21を介してトライアックT2
]がターンオンする。そして、負荷はオン状態になる。
When the illuminance of the CdS light receiving section is lower than the lighting illuminance, since CdS has a high resistance, the point ■ is at a low potential, and the point ■ is also at a low potential, so the transistor Tr21 is turned on.
Current flows for 2s. Then, the potential at the point ◎ rises, and the potential at the point ◎ also rises, so the transistor Tr22 is in an off state. At this time, the potential at point ■ is approximately 0■, and the transistor T r 23 is in an off state. Therefore, the current flows through the resistor R3o to the thyristor Th2. flows into the gate of , thyristor "rh2." turns on,
Triac T2 via diode bridge DB21
] turns on. The load is then turned on.

CdS受光部の照度が消灯照度以上の場合は、CdSの
抵抗値が低下するため、点■の電位は上がり、点■の電
位も上がるため、トランジスタTr21はオフ状態にあ
る。このとき、点◎と点◎は、抵抗Rxb 、  R2
T 、  Rssで抵抗分割された電位となり、この点
■の電位によりトランジスタTr、2がオンする。トラ
ンジスタTr22がオン状態にあると、抵抗R2qに電
流が流れ、点■の電位が上がり、トランジスタ’l”r
23がオン状態になるので、トランジスタTr23は抵
抗R30を流れる電流とともにサイリスタTh21のゲ
ートから電流をコレクタ電流として引き込むため、サイ
リスタTh2+はターンオフする。サイリスタ’rh2
.がターンオフすると、トライアックT21もターンオ
フし、負荷はオフ状態になる。
When the illuminance of the CdS light-receiving section is equal to or higher than the extinguishing illuminance, the resistance value of the CdS decreases, so the potential at point (2) increases, and the potential at point (2) also increases, so that the transistor Tr21 is in an off state. At this time, points ◎ and ◎ are resistances Rxb and R2
The potential is resistance-divided by T and Rss, and the potential at this point turns on the transistor Tr,2. When the transistor Tr22 is in the on state, a current flows through the resistor R2q, the potential at point ■ increases, and the transistor 'l''r
23 is turned on, the transistor Tr23 draws a current from the gate of the thyristor Th21 as a collector current along with the current flowing through the resistor R30, so the thyristor Th2+ is turned off. Thyristor'rh2
.. When the triac T21 is turned off, the triac T21 is also turned off, and the load is turned off.

なお、この回路では、動作照度は抵抗R22で調整する
。また、瞬時光に対する誤動作を防止するために、遅延
要素としてコンデンサCμを備える。
Note that in this circuit, the operating illuminance is adjusted by the resistor R22. In addition, a capacitor Cμ is provided as a delay element in order to prevent malfunction due to instantaneous light.

この第10図に示す自動点滅器では、点灯と消灯のヒス
テリシス特性をもたせるために上述のような複雑な回路
が必要であるとともに、ツェナーダイオードZD、ダイ
オードD、コンデンサCZ2並びに抵抗R2iなどで構
成される定電圧回路が必要であり、部品点数が多く、高
価であるなどの欠点があった。
The automatic flasher shown in Fig. 10 requires the above-mentioned complex circuit to provide hysteresis characteristics for turning on and off, and is also composed of a Zener diode ZD, a diode D, a capacitor CZ2, a resistor R2i, etc. The drawbacks were that it required a constant voltage circuit, had a large number of parts, and was expensive.

〈発明の目的〉 本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目
的は、サイリスタのゲートトリガ特性を利用して回路を
WJ車化した自動点滅器を提供することがある。
<Objective of the Invention> The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object thereof is to provide an automatic flasher in which the circuit is converted into a WJ vehicle by utilizing the gate trigger characteristics of a thyristor.

〈発明の構成〉 本発明では、周囲の照度に応じて負荷への給電を制御す
る自動点滅器において、周囲の照度を検出する回路と、
上記回路の出力信号に応じた電流がゲート電流として与
えられるサイリスタと、このサイリスタの導通、非導通
により負荷への給電を制御する回路とを備えており、導
通状態が繰り返される時のゲートオン電流と非導通状態
から初めてゲートオンにするための電流との差をヒステ
リシス特性として利用したことを特徴とする。
<Configuration of the Invention> In the present invention, an automatic flasher that controls power supply to a load according to the surrounding illuminance includes a circuit that detects the surrounding illuminance;
It is equipped with a thyristor to which a current corresponding to the output signal of the above circuit is applied as a gate current, and a circuit that controls the power supply to the load by turning on and off the thyristor. The feature is that the difference between the current for turning on the gate for the first time from a non-conducting state is used as a hysteresis characteristic.

〈実施例〉 以下、本発明の一実施例について説明する。<Example> An embodiment of the present invention will be described below.

第1図は第1の実施例の回路構成を示す。電源端子2が
ダイオードブリッジDBの入力側端子5に接続され、負
荷端子4がダイオードブリッジDBの入力側端子6に接
続され、共通端子3がサージキラーZNRを介して電源
端子2に接続される。
FIG. 1 shows the circuit configuration of the first embodiment. The power terminal 2 is connected to the input terminal 5 of the diode bridge DB, the load terminal 4 is connected to the input terminal 6 of the diode bridge DB, and the common terminal 3 is connected to the power terminal 2 via the surge killer ZNR.

ダイオードブリッジDBの出力側端子7と8の間には抵
抗R1とコンデンサCIが直列に接続され、また、端子
7にサイリスタThのアノードが接続され、このサイリ
スタThのカソードが0111子8に接続される。さら
に、端子7と8の間に抵抗R2と抵抗R3が直列に接続
され、抵抗R2と抵抗R3との接続点■にトランジスタ
Trのコレクタが接続され、このトランジスタTrのエ
ミッタが端子8に接続される。また、トランジスタTr
のへ一スと端子8との間に抵抗R4とコンデンサc2と
が並列に接続され、さらに、トランジスタTrのヘース
にアモルファス太陽電池SBのアノードが接続され、こ
のアモルファス太陽電池SBのカソードが端子8に接続
されるとともに接地される。
A resistor R1 and a capacitor CI are connected in series between the output terminals 7 and 8 of the diode bridge DB, and the anode of a thyristor Th is connected to the terminal 7, and the cathode of this thyristor Th is connected to the 0111 child 8. Ru. Further, a resistor R2 and a resistor R3 are connected in series between terminals 7 and 8, the collector of a transistor Tr is connected to the connection point (3) between the resistors R2 and R3, and the emitter of this transistor Tr is connected to the terminal 8. Ru. In addition, the transistor Tr
A resistor R4 and a capacitor c2 are connected in parallel between the terminal 8 and the terminal 8, and the anode of the amorphous solar cell SB is connected to the terminal 8. and grounded.

アモルファス太陽電池SBは、受光素子として用いられ
る。
Amorphous solar cell SB is used as a light receiving element.

サイリスタThは、第2図に示すように、アノードA、
ゲートG及びカソードにの3端子を有する半導体素子で
、第3図に示すように、4層のP N P N JM造
をもつ。そして、このサイリスタThでは、オフ状態を
継続するのに必要な最小ゲート電流すなわちオン状態か
らオフ状態へ移行するときのゲート電流と、オフ状態か
らオン状態へ移行するのに必要な最小ゲート電流とに差
がある。これは、サイリスタが完全にオフしてしまうま
でにオン、オフの状態を繰り返し、オン状態時に逆バイ
アス接合J2の接合容量Cj2に電荷がチャージされる
ためである。
As shown in FIG. 2, the thyristor Th has an anode A,
It is a semiconductor device having three terminals, a gate G and a cathode, and has a four-layer P N P N JM structure as shown in FIG. In this thyristor Th, the minimum gate current required to continue the off state, that is, the gate current when transitioning from the on state to the off state, and the minimum gate current required to transition from the off state to the on state. There is a difference. This is because the thyristor repeats on and off states until it is completely turned off, and in the on state, the junction capacitance Cj2 of the reverse bias junction J2 is charged with electric charge.

第4図はアモルファス太陽電池SBのA光源に対する出
力特性の一例を示す。これは受光面積が300龍2のア
モルファス太陽電池の特性であり、1Qffx程度の照
度でもトランジスタをオンさせるのに十分な光起電圧が
得られる。なお、出力電流Isは、照度とともに有効受
光面積に比例する。
FIG. 4 shows an example of the output characteristics of the amorphous solar cell SB with respect to the A light source. This is a characteristic of an amorphous solar cell with a light-receiving area of 300 square meters, and a photovoltaic voltage sufficient to turn on a transistor can be obtained even with an illuminance of about 1 Qffx. Note that the output current Is is proportional to the effective light receiving area as well as the illuminance.

以下、第1図に示す回路+A?成である自動点滅器1の
動作を説明する。
Hereinafter, the circuit shown in FIG. 1 +A? The operation of the automatic flasher 1, which consists of two components, will be explained below.

自ωノ点滅器1の周囲が暗く、アモルファス太陽電池S
Bの受光面の照度が十分に低い場合には、アモルファス
太陽電池SBからトランジスタTrのベースに供給され
る光起電流が少なく、トランジスタTrのコレクタ電流
が減少するため、ダイオードブリッジDBで全波整流さ
れた交流が抵抗R2を介してサイリスタThのゲートに
流れ込む。
The area around the automatic ω blinker 1 is dark, and the amorphous solar cell S
When the illuminance of the light-receiving surface of B is sufficiently low, the photovoltaic current supplied from the amorphous solar cell SB to the base of the transistor Tr is small, and the collector current of the transistor Tr decreases, so full-wave rectification is performed by the diode bridge DB. The generated alternating current flows into the gate of the thyristor Th via the resistor R2.

そして、このゲート電流がサイリスタThをター・ンオ
ンさせるのに必要な最小ゲート電流以上になると、サイ
リスタThはターンオンし、負荷端子4に接続された負
荷(図示せず)に給電される。
When this gate current exceeds the minimum gate current required to turn on the thyristor Th, the thyristor Th is turned on and power is supplied to a load (not shown) connected to the load terminal 4.

一方、自動点滅器1の周囲が明るく、アモルファス太陽
電池SBの受光面の照度が十分に高い場合には、アモル
ファス太陽電池SBからトランジスタTrのベースに供
給される光起電流が多くなり、トランジスタTrのコレ
クタ電流が増大し、抵抗R2から流れ込む電流とともに
、サイリスタThのゲートから電流を引き出す。そして
、サイリスタThのゲート電流がサイリスタThをター
ンオフさせるのに必要なゲート電流以下になると、サイ
リスタThはターンオフし、負荷端子4に接続された負
荷への給電は停止される。
On the other hand, when the surroundings of the automatic flasher 1 are bright and the illuminance on the light receiving surface of the amorphous solar cell SB is sufficiently high, the photovoltaic current supplied from the amorphous solar cell SB to the base of the transistor Tr increases, and the The collector current increases, drawing current from the gate of thyristor Th along with the current flowing from resistor R2. Then, when the gate current of the thyristor Th becomes less than the gate current required to turn off the thyristor Th, the thyristor Th is turned off and power supply to the load connected to the load terminal 4 is stopped.

このように、サイリスタThがターンオンするときのゲ
ート電流と、サイリスタThがターンオフするときのゲ
ート電流との差により、負荷への給電をオンするときの
照度と給電をオフするときの照度とに差をつけて、ヒス
テリシス特性をもたせることができる。
In this way, the difference between the gate current when the thyristor Th turns on and the gate current when the thyristor Th turns off causes a difference in the illumination intensity when turning on the power supply to the load and the illuminance when turning off the power supply. can be added to provide hysteresis characteristics.

次に上述の第1図の回路について定量的に分析する。Next, the circuit shown in FIG. 1 described above will be quantitatively analyzed.

いま、点■の電圧をVG−に、点■の電圧を■△−ヒ。Now, the voltage at point ■ is VG-, and the voltage at point ■ is ■△-hi.

サイリスタThのゲートオン電流をI g (ON) 
The gate-on current of thyristor Th is I g (ON)
.

サイリスタThのゲートオフ電流を−1g (OF’F
 ) 。
The gate off current of thyristor Th is -1g (OF'F
).

サイリスタThのゲートへ流れ込む電流をLg。Lg is the current flowing into the gate of thyristor Th.

トランジスタTrのコレクタ電流をIc’、l−ランリ
スクTrの電流増幅率をhPE、アモルファス太陽電池
SBの光起電流をIsとする。そして、ダイオードブリ
ッジD’Bのダイオード11固の順電圧をVD、サイリ
スタThのゲート、カソード間電圧をvG−に、電源電
圧及び周波数をAClooV。
It is assumed that the collector current of the transistor Tr is Ic', the current amplification factor of the l-run risk Tr is hPE, and the photovoltaic current of the amorphous solar cell SB is Is. Then, the forward voltage of the diode 11 of the diode bridge D'B is set to VD, the voltage between the gate and cathode of the thyristor Th is set to vG-, and the power supply voltage and frequency are set to AClooV.

60Hzとすると、点0層■間には最大値が100X 
FT−2VD−VG−にである第5図に示す波形の電圧
が印加される。そして、抵抗R2を経て点■に流れ込む
電流□尺2は、第6図に示す波形になる。したがって、
点■からサイリスタThのゲートへ流れ込む電流Lgは
、 そして、ゲート電流6gの最大値Lg(MAX)は、ま
た、光起電流Isは照度L(NX)に比例する、ため、
Is=、yLである。但し、ルは定数〔μA/βX〕で
ある。したがって、 R3 と表わすことができる。
If it is 60Hz, the maximum value between point 0 layer ■ is 100X
A voltage having a waveform shown in FIG. 5 is applied to FT-2VD-VG-. Then, the current □ scale 2 flowing through the resistor R2 to the point ■ has the waveform shown in FIG. therefore,
The current Lg flowing from the point ■ to the gate of the thyristor Th is, and the maximum value Lg (MAX) of the gate current 6g is: Since the photovoltaic current Is is proportional to the illuminance L (NX),
Is=,yL. However, le is a constant [μA/βX]. Therefore, it can be expressed as R3.

(i)負荷がオフからオンする場合 Lg(MAX)≧Ig  (ON)の条件を満たした場
合に負荷はオンする。したがって、負荷がオンする時の
照度L (ON)は、■式より、(11)負荷がオンか
らオフする場合 第5図に示す点■、■間の電圧がOVであるΔtの期間
中常にI g (OFF )だけの電流をサイリスタT
hのゲートより引き出すと、サイリスタThはターンオ
フする。この場合、■式の右辺の第1項は0であるので
、ゲート電流の最小値t g (MIN )は、 Lg(旧N)≦−1g (OFF >の条件を満たすと
負荷はオフする。したがって、負荷がオフする時の照度
L (OFF )は、■式より、上述の0式と0式で示
される照度の差によりヒステリシス特性をもたせること
ができる。抵抗R2゜R3及びI g (ON) 、 
 I g (OFF )などのサイリスタThのゲート
条件により、動作照度及びヒステリシス特性を調整でき
る。
(i) When the load turns on from off: When the condition Lg(MAX)≧Ig(ON) is satisfied, the load turns on. Therefore, the illuminance L (ON) when the load is turned on is determined from formula (11) when the load changes from on to off during the period of Δt when the voltage between points ■ and ■ shown in Figure 5 is OV. The current of I g (OFF) is passed through the thyristor T.
When it is pulled out from the gate of h, thyristor Th is turned off. In this case, since the first term on the right side of equation (2) is 0, the load is turned off when the minimum value t g (MIN) of the gate current satisfies the condition Lg (old N)≦−1g (OFF). Therefore, the illuminance L (OFF) when the load is turned off can be given a hysteresis characteristic by the difference in illuminance shown by the above equations 0 and 0 from equation (2).Resistance R2゜R3 and I g (ON ),
The operating illuminance and hysteresis characteristics can be adjusted by controlling the gate conditions of the thyristor Th, such as I g (OFF).

第1図の回路において、抵抗R4とコンデンサC2は、
瞬時光に対して誤動作を防止するための遅延回路であり
、時定数T=R<XC2により遅延時間を定める。また
、抵抗R1とコンデンサC1は、電圧上昇率d v /
 d tが大きい即ち急激に立上がる順電圧の印加によ
るサイリスタThの誤動作と破壊を防止するために緩衝
効果を果たすスナバ回路である。
In the circuit of FIG. 1, resistor R4 and capacitor C2 are:
This is a delay circuit to prevent malfunction with respect to instantaneous light, and the delay time is determined by the time constant T=R<XC2. In addition, the resistor R1 and capacitor C1 have a voltage increase rate d v /
This snubber circuit has a buffering effect to prevent malfunction and destruction of the thyristor Th due to the application of a forward voltage with a large dt, that is, a rapidly rising forward voltage.

第7図は第2の実施例の回路構成を示す。サイリスタT
hのゲートトリガ回路、遅延回路及びアモルファス太陽
電池SBからなる回路は、上述の第1図の回路と同様で
ある。異なるところは、負荷端子4と電源端子2との間
にトライアックTが接続され、このトライアックTのゲ
ートがダイオードブリッジDBの入力側端子5に接続さ
れる。
FIG. 7 shows the circuit configuration of the second embodiment. Thyristor T
The circuit consisting of the gate trigger circuit, delay circuit, and amorphous solar cell SB of h is the same as the circuit of FIG. 1 described above. The difference is that a triac T is connected between the load terminal 4 and the power supply terminal 2, and the gate of this triac T is connected to the input terminal 5 of the diode bridge DB.

さらに、トライアックTのゲートと電源端子2との間に
抵抗R13が接続され、ダイオードブリッジDBの入力
側端子6が抵抗Rt2を介して負荷端子4に接続される
。さらに、負荷端子4と電源端子2との間に抵抗Rnと
コンデンサC1lが直列に接・続される。
Further, a resistor R13 is connected between the gate of the triac T and the power supply terminal 2, and an input terminal 6 of the diode bridge DB is connected to the load terminal 4 via a resistor Rt2. Further, a resistor Rn and a capacitor C1l are connected in series between the load terminal 4 and the power supply terminal 2.

この回路では、サイリスタThのゲートトリガの動作は
上述の第1図の回路と同様である。この回路では、サイ
リスタThはトライアックTのスイッチングに用い、ト
ライアックTで比較的大きい電流を流すことにより、負
荷の容量にかかわらず、動作照度及びヒステリシス特性
は一定である。
In this circuit, the gate trigger operation of the thyristor Th is similar to the circuit shown in FIG. 1 described above. In this circuit, the thyristor Th is used for switching the triac T, and by allowing a relatively large current to flow through the triac T, the operating illuminance and hysteresis characteristics are constant regardless of the capacity of the load.

以下この第7図の回路の動作について定量的に分析する
The operation of the circuit shown in FIG. 7 will be quantitatively analyzed below.

(i)負荷がオフからオンする場合 上述の第1の実施例と同様に、 の条件を満たしたときにサイリスタThはターンオンす
る。サイリスタThがターンオンすると、抵抗R13に
電流が流れ、トライアックTをターンオンする。そして
、負荷がオンする。負荷がオン状態にあるときのトライ
アックTとサイリスタThの動作状態は、第8図に示す
ように、オン、オフを繰り返している。
(i) When the load turns on from OFF As in the first embodiment described above, the thyristor Th turns on when the following conditions are satisfied. When the thyristor Th turns on, current flows through the resistor R13, turning on the triac T. Then the load is turned on. When the load is in the on state, the triac T and the thyristor Th are in the operating state of repeating on and off, as shown in FIG.

(ii )負荷がオンからオフする場合第8図において
、トライアックTがオフの状態で且つサイリスタThが
ターンオンできなくなった時に、負荷はオンからオフす
る。したがって、の条件を満たした時に負荷はオフする
(ii) When the load changes from on to off In FIG. 8, the load changes from on to off when triac T is off and thyristor Th cannot be turned on. Therefore, the load is turned off when the condition is satisfied.

■式におけるαは、正の値であり、L (OFF )=
L(ON)  +αとなり、ヒステリシスの幅を示して
いる。このαが生じる原因は、サイリスタが完全にオフ
してしまうまでにオン、オフの状態を繰り返しており、
オン状態時に逆バイアス接合J2の接合容量Cjzに電
荷がチャージされているためである(第3図参照)。し
たがって、負荷をオフする時の方が負荷をオンする時よ
り、トランジスタTrのコレクタ電流1cは大きい電流
が必要である。このαの値は、サイリスタThのゲート
条件によって定まる。そして、抵抗R14とR15゜I
g(ON)並びに接合容量などのサイリスタThのゲー
ト条件によって、動作照度及びヒステリシス特性を調整
できる。
■α in the formula is a positive value, and L (OFF) =
L(ON) +α, which indicates the width of hysteresis. The cause of this α is that the thyristor repeats on and off states until it is completely turned off.
This is because the junction capacitance Cjz of the reverse bias junction J2 is charged with electric charge in the on state (see FIG. 3). Therefore, the collector current 1c of the transistor Tr needs to be larger when the load is turned off than when the load is turned on. The value of α is determined by the gate conditions of the thyristor Th. And resistors R14 and R15゜I
The operating illuminance and hysteresis characteristics can be adjusted by controlling the gate conditions of the thyristor Th, such as g(ON) and junction capacitance.

第7図の回路において、抵抗R+eとコンデンサCI2
は、瞬時光に対して誤動作を防止するための遅延回路で
あり、時定数T = R113X C12により遅延時
間を定める。また、抵抗R11とコンデンサC11は、
電圧上昇率dv/dtが大きい電圧の印加によるトライ
アックTの誤動作と破壊を防止するためのスナバ回路で
ある。サージキラーZNRは、負荷のオン、オフ時のサ
ージを吸収する。
In the circuit of Fig. 7, resistor R+e and capacitor CI2
is a delay circuit for preventing malfunction with respect to instantaneous light, and the delay time is determined by the time constant T=R113XC12. Moreover, the resistor R11 and the capacitor C11 are
This is a snubber circuit for preventing malfunction and destruction of the triac T due to the application of a voltage with a large voltage increase rate dv/dt. Surge killer ZNR absorbs surges when the load is turned on and off.

〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明においては、サイリスタの
ターンオンとターンオフに要するゲート電流に差がある
ことを利用して負荷のオン、オフにヒステリシス特性を
もたせるようにしたから、従来のヒステリシス特性を得
るための回路や定電圧回路などが不要となり、部品点数
が大幅に減少して低価格化と小型化を実現することがで
きる。
<Effects of the Invention> As explained above, in the present invention, the difference in gate current required for turn-on and turn-off of a thyristor is utilized to provide hysteresis characteristics when the load is turned on and off. This eliminates the need for a circuit for obtaining hysteresis characteristics, a constant voltage circuit, etc., greatly reducing the number of parts and making it possible to achieve lower costs and smaller size.

また、回路定数の調整とサイリスタの仕様に応じて、例
えば、負荷の点灯照度が5〜20〔nX)。
Also, depending on the adjustment of the circuit constants and the specifications of the thyristor, for example, the lighting illuminance of the load is 5 to 20 [nX].

消灯照度は点灯照度の2.5倍以下とその動作照   
 ′度のばらつきが少なく、また、消費電流は3.(m
A)以下で、開閉寿命が4000回以上など、高性能化
も同時に実現できる。
The illuminance when the lights are turned off is 2.5 times or less than the illuminance when the lights are turned on.
There is little variation in temperature, and the current consumption is 3. (m
A) With the following, high performance can be achieved at the same time, such as an opening/closing life of 4,000 times or more.

なお、本発明に係る自動点滅器は、各種の照明機器の他
、自動ブラインド、自動カーテンあるいは自動ファンな
どのホームエレクトロニクスへの応用が可能である。
Note that the automatic flasher according to the present invention can be applied to home electronics such as automatic blinds, automatic curtains, or automatic fans in addition to various lighting devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図、は本発明の第1の実施例の回路図、第2図はサ
イリスタThの記号を示す図、第3図はサイリスタTh
の概略構成を示す図、第4図はアモルファス太陽電池S
Bの出力特性を示すグラフ、第5図は点■、■間の電圧
の波形図、第6図は点■に流れる電流の波形図、第7図
は本発明の第2の実施例の回路図、第8図は電源電圧と
トライアックTの電圧の波形図、第9図と第10図は自
動点滅器の従来例を示す回路図である。 SB・−・アモルファス太陽電池 T r−)ランリスク Th・・−サイリスタ DB−ダイオードブリッジ T−トライアック
FIG. 1 is a circuit diagram of the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the symbol of thyristor Th, and FIG. 3 is a diagram showing the symbol of thyristor Th.
Figure 4 shows the schematic configuration of the amorphous solar cell S.
Graph showing the output characteristics of B. Figure 5 is a waveform diagram of the voltage between points ■ and ■. Figure 6 is a waveform diagram of the current flowing to point ■. Figure 7 is a circuit of the second embodiment of the present invention. 8 are waveform diagrams of the power supply voltage and the voltage of the triac T, and FIGS. 9 and 10 are circuit diagrams showing conventional examples of automatic flashers. SB - Amorphous solar cell T r-) Run risk Th... - Thyristor DB - Diode bridge T - Triac

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)周囲の照度に応じて負荷への給電を制御する自動
点滅器において、周囲の照度を検出する回路と、上記回
路の出力信号に応じた電流がゲート電流として与えられ
るサイリスタと、このサイリスタの導通、非導通により
負荷への給電を制御する回路とを備えており、導通状態
が繰り返される時のゲートオン電流と非導通状態から初
めてゲートオンにするための電流との差をヒステリシス
特性として利用したことを特徴とする自動点滅器。
(1) In an automatic flasher that controls power supply to a load according to the ambient illuminance, a circuit that detects the ambient illuminance, a thyristor to which a current according to the output signal of the circuit is given as a gate current, and this thyristor It is equipped with a circuit that controls the power supply to the load depending on the conduction and non-conduction of the gate, and uses the difference between the gate-on current when the conduction state is repeated and the current that turns the gate on for the first time from the non-conduction state as a hysteresis characteristic. An automatic flasher characterized by:
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6399426U (en) * 1986-12-19 1988-06-28
US5298255A (en) * 1988-10-28 1994-03-29 Terumo Kabushiki Kaisha Antithrombic medical material, artificial internal organ, and method for production of antithrombic medical material

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