JPS6138885B2 - - Google Patents
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- JPS6138885B2 JPS6138885B2 JP8267979A JP8267979A JPS6138885B2 JP S6138885 B2 JPS6138885 B2 JP S6138885B2 JP 8267979 A JP8267979 A JP 8267979A JP 8267979 A JP8267979 A JP 8267979A JP S6138885 B2 JPS6138885 B2 JP S6138885B2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J3/00—Continuous tuning
- H03J3/02—Details
- H03J3/16—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
- H03J3/18—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance
- H03J3/185—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance with varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイオードのオン／オフを利用するス
イツチ回路に関し、特に高周波回路の切換に際し
電気的に大きなアイソレーシヨン（絶縁）と小さ
なインサーシヨンロス（挿入損失）とをもつスイ
ツチ回路に関する。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a switch circuit that uses diode on/off, and in particular has large electrical isolation and small insertion loss when switching high frequency circuits. Regarding switch circuits.
従来の共振回路を持つスイツチ回路の等価回路
を第１図ａ及びｂに示す。第１図においてａはス
イツチ回路オフの状態（ダイオードはオン）、ｂ
はスイツチ回路オンの状態（ダイオードはオフ）
の等価回路図である。１は信号入力端子、２は出
力端子、３はダイオードのインダクタンス、４は
ダイオードの順方向抵抗、５は外部共振回路のキ
ヤパシタンス、６は外部共振回路のインダクタン
ス、７はダイオードの逆方向抵抗、８はダイオー
ドのキヤパシタンスである。又点線内が１つのダ
イオード内部に含まれている。ａの状態では３の
インダクタンスと５のキヤパシタンスが直列共振
を起しその周波数で良好なアイソレーシヨンが提
供される。ｂの状態では、６のインダクタンスと
８のキヤパシタンスが並列共振を起しその周波数
で小さなインサーシヨンロスが提供される。しか
し５のキヤパシタンスを決定するためのダイオー
ドのインダクタンス成分３はダイオードの実装の
しかたや各製品ごとにばらつきをもつている。こ
の為共振周波数が変化する欠点があつた。又多素
子を１パツケージ化する時回路中にダイオードと
並列にインダクタンス６を入れる事は困難であ
り、インダクタンスが外部付になることにより端
子数を増加させる欠点がある。さらに第１図ｃに
示すごとく、ダイオードを線路にシリーズに挿入
するときは（つまりスイツチの一端が接地されな
い）、インダクタンス６を分布定数で実現するこ
とは困難であるという欠点を有している。 Equivalent circuits of a conventional switch circuit having a resonant circuit are shown in FIGS. 1a and 1b. In Figure 1, a is the switch circuit off state (the diode is on), b
is the switch circuit on state (diode is off)
FIG. 1 is the signal input terminal, 2 is the output terminal, 3 is the inductance of the diode, 4 is the forward resistance of the diode, 5 is the capacitance of the external resonant circuit, 6 is the inductance of the external resonant circuit, 7 is the reverse resistance of the diode, 8 is the diode capacitance. Also, the area within the dotted line is included inside one diode. In state a, the inductance of 3 and the capacitance of 5 cause series resonance, providing good isolation at that frequency. In state b, the inductance of 6 and the capacitance of 8 create parallel resonance, providing a small insertion loss at that frequency. However, the inductance component 3 of the diode for determining the capacitance 5 varies depending on the mounting method of the diode and each product. For this reason, there was a drawback that the resonant frequency changed. Furthermore, when multiple elements are packaged into one package, it is difficult to insert the inductance 6 in parallel with the diode in the circuit, and there is a drawback that the number of terminals increases because the inductance is provided externally. Furthermore, as shown in FIG. 1c, when diodes are inserted in series in the line (that is, one end of the switch is not grounded), it is difficult to realize the inductance 6 with a distributed constant.
従つて本発明は従来の技術の上記欠点を改善す
るもので、その目的はアイソレーシヨン特性を安
定に向上させたダイオードスイツチ回路を提供す
ることにあり、その基本思想はLC共振回路によ
りダイオードのリアクタンス成分を除去するので
はなくLC直列共振回路を主伝送路に結合させ、
その共振回路のＣ成分がダイオードを１つの成分
とする、ラムダ結線によつて形成される事によ
り、ダイオードのオン、オフにより共振周波数が
異なるのを利用する事にある。 Therefore, the present invention aims to improve the above-mentioned drawbacks of the conventional technology, and its purpose is to provide a diode switch circuit with stably improved isolation characteristics.The basic idea is to provide a diode switch circuit with stable isolation characteristics. Rather than removing the reactance component, the LC series resonant circuit is coupled to the main transmission line,
The purpose of this method is to utilize the fact that the C component of the resonant circuit is formed by a lambda connection in which the diode is one component, so that the resonant frequency differs depending on whether the diode is on or off.
本発明によるダイオードスイツチ回路のひとつ
の特徴は、入出力端子の間に挿入されるダイオー
ドと、該ダイオードの入力端及び出力端に接続さ
れダイオードと共にラムダ結線を構成する１対の
キヤパシタンスと、該キヤパシタンスの結合点と
接地点との間に挿入されるインダクタンスとを有
し、ダイオードがオフのときには当該ダイオード
により提供されるキヤパシタンスと前記１対のキ
ヤパシタンスとのラムダ結線及び前記インダクタ
ンスとによる直列LC共振回路は共振周波数が入
力信号周波数の近傍となるように構成され、ダイ
オードがオンのときには前記１対のキヤパシタン
スと前記インダクタンスとによる直列LC共振回
路は共振周波数が入力信号周波数から十分離れる
ように構成されることに在する。以下図面により
詳細に説明する。 One feature of the diode switch circuit according to the present invention is that it includes a diode inserted between input and output terminals, a pair of capacitances connected to the input and output terminals of the diode and forming a lambda connection together with the diode, and and an inductance inserted between a coupling point of the diode and a ground point, and a series LC resonant circuit comprising a lambda connection between the capacitance provided by the diode and the pair of capacitances and the inductance when the diode is off, and the inductance. is configured such that the resonant frequency is close to the input signal frequency, and when the diode is on, the series LC resonant circuit consisting of the pair of capacitances and the inductance is configured such that the resonant frequency is sufficiently far from the input signal frequency. In particular. This will be explained in detail below with reference to the drawings.
第２図は本発明によるスイツチ回路の第１の実
施例で、１０は入力端、１１は出力端、１２はダ
イオード、１３と１４はパツケージの外壁の誘電
体と導体により構成されるキヤパシタンス、１５
は分布定数又は集中定数のインダクタンスであ
る。又点線内がパツケージ内部で１６，１７，１
８はパツケージの各端子を示している。第３図は
円筒型又は矩形のパツケージの断面図である。１
９はパツケージのキヤパシタンス用の誘電体を兼
用しているパツケージ上半分のセラミツク、２０
はパツケージの底板のセラミツクである。 FIG. 2 shows a first embodiment of a switch circuit according to the present invention, in which 10 is an input terminal, 11 is an output terminal, 12 is a diode, 13 and 14 are capacitances constituted by a dielectric and a conductor on the outer wall of the package, and 15
is the distributed or lumped inductance. Also, the dotted lines are 16, 17, 1 inside the package.
8 indicates each terminal of the package. FIG. 3 is a cross-sectional view of a cylindrical or rectangular package. 1
9 is the ceramic of the upper half of the package which also serves as a dielectric for the capacitance of the package; 20
is the ceramic bottom plate of the package cage.
第２図のスイツチ回路のオフ状態ではダイオー
ド１２はキヤパシタンス２１となり等価回路は第
４図ａとなる。この時２１はダイオードのキヤパ
シタンスであり、他は第２図と同様である。２
１，１３，１４のキヤパシタンスはラムダ結線
（第５図ａ）をしており、これをＹ結線（第５図
ｂ）に変換するとＺo＝番号ｎの素子のインピー
ダンスとして
Ｚa＝Ｚ１３Ｚ２１／Ｚ１３＋Ｚ１４＋Ｚ＝Ｃ１４／Ｃ１４Ｃ１３＋Ｃ１４Ｃ２１＋Ｃ２１Ｃ１３×
−１／ω
Ｚb＝Ｚ１４Ｚ２１／Ｚ１３＋Ｚ１４＋Ｚ２１＝Ｃ１３／Ｃ１４Ｃ１３＋Ｃ１４Ｃ２１＋Ｃ２１Ｃ１
３×−１／ω
Ｚc＝Ｚ１３Ｚ１４／Ｚ１３＋Ｚ１４＋Ｚ２１＝Ｃ２１／Ｃ１４Ｃ１３＋Ｃ１４Ｃ２１＋Ｃ２１Ｃ１
３×−１／ω
但しＣo＝番号ｎの素子のキヤパシタンス
ω＝角周波数
となる。これより第４図ａの共振周波数は
Ｚc＋Z15＝Ｃ２１／Ｃ１４Ｃ１３＋Ｃ１４Ｃ２１＋Ｃ２１Ｃ１３×−１／ω＋Z15＝０ ……(1)
が成り立つ時のωより明らかになる。この周波数
帯近傍でアイソレーシヨンが向上する。 In the OFF state of the switch circuit shown in FIG. 2, the diode 12 becomes the capacitance 21, and the equivalent circuit becomes the one shown in FIG. 4a. At this time, 21 is the capacitance of the diode, and the others are the same as in FIG. 2
The capacitances of 1, 13, and 14 are in a lambda connection (Figure 5a), and when this is converted to a Y connection (Figure 5b), Z o = impedance of the element with number n, Z a = Z 13 Z 21 /Z 13 +Z 14 +Z=C 14 /C 14 C 13 +C 14 C 21 +C 21 C 13 ×
-1/ω Z b =Z 14 Z 21 /Z 13 +Z 14 +Z 21 =C 13 /C 14 C 13 +C 14 C 21 +C 21 C 1
3 ×-1/ω Z c =Z 13 Z 14 /Z 13 +Z 14 +Z 21 =C 21 /C 14 C 13 +C 14 C 21 +C 21 C 1
3 ×-1/ω where Co = capacitance of the element numbered n and ω = angular frequency. From this, the resonance frequency of Fig. 4a is clear from ω when Z c + Z 15 = C 21 / C 14 C 13 + C 14 C 21 + C 21 C 13 ×-1/ω + Z 15 = 0 ...(1) holds. become. Isolation is improved near this frequency band.
又第２図のスイツチ回路がオン状態では等価回
路は第４図ｂの様になる。この時２２はダイオー
ドの順方向抵抗であり、値は１Ω程度にできる。
他は第２図と同様である。オフ状態と同様の計算
により共振周波数は
Ｚc＋Z15＝Ｚ１３Ｚ１４／Ｚ１３＋Ｚ１４＋Ｚ２２＋Z15〓Ｚ１３Ｚ１４／Ｚ１３＋Ｚ１４＋Z15＝−１／ω×１
／Ｃ１３＋Ｃ１４＋Z15＝０……(2)
〓Z13≫Z22 Z14≫Z22〓０
より求められる各周波数ωより明らかになる。こ
の周波数近傍ではインサーシヨンロスは劣化す
る。 When the switch circuit shown in FIG. 2 is in the on state, the equivalent circuit becomes as shown in FIG. 4b. At this time, 22 is the forward resistance of the diode, and its value can be approximately 1Ω.
The rest is the same as in FIG. 2. Using the same calculation as in the off state, the resonance frequency is Z c +Z 15 =Z 13 Z 14 /Z 13 +Z 14 +Z 22 +Z 15 〓Z 13 Z 14 /Z 13 +Z 14 +Z 15 = -1/ω×1
/C 13 +C 14 +Z 15 =0...(2) 〓Z 13 ≫Z 22 Z 14 ≫Z 22 〓0 It becomes clear from each frequency ω obtained from. Insertion loss deteriorates near this frequency.
前記(1)、(2)式から明らかな様に第２図のスイツ
チ回路のオン、オフ状態における共振周波数は異
なる。従つて適切なパツケージのキヤパシタンス
C13C14、分布定数又は集中定数のインダクタンス
１５を選ぶことにより希望する周波数でインサー
シヨンロスの劣化なしにアイソレーシヨンの向上
を図れるのが利点である。又この実施例では
C13C14がパツケージ上部に設置された電極１６と
パツケージのフレーム１７及び１８の間にセラミ
ツク１９を介在したキヤパシタンスとなつてお
り、より小型化できる利点がある。 As is clear from equations (1) and (2) above, the resonant frequencies of the switch circuit shown in FIG. 2 in the on and off states are different. Therefore, the appropriate package capacitance
By selecting C 13 C 14 , distributed constant or lumped constant inductance 15, it is advantageous that isolation can be improved at a desired frequency without deterioration of insertion loss. Also, in this example
C 13 C 14 serves as a capacitance with a ceramic 19 interposed between the electrode 16 installed on the upper part of the package and the frames 17 and 18 of the package, which has the advantage of being more compact.
C13＝C14＝0.7PF
C21＝0.16PF
R22＝0.5Ω
Z15＝50tan（0.103×10-9ω）
とした時の共振回路の有無によるアイソレーシヨ
ン（オフ）、インサーシヨンロス（オン）の実測
値を第６図に示す。（×）印は共振回路無（・）
印は共振回路有の場合で第６図より明らかな様に
0.6GHz〜1GHzにて共振回路無に対してインサー
シヨンの劣化なしにアイソレーシヨンを向上させ
る事が出来る。第６図の特性では、動作周波数
0.9GHz近傍でインサーシヨンロス（挿入損失）
が小さく、かつアイソレーシヨンが大きいという
好ましい特性が得られる。 C 13 = C 14 = 0.7PF C 21 = 0.16PF R 22 = 0.5Ω Z 15 = 50tan (0.103×10 -9 ω) Isolation (off) and insertion loss ( Fig. 6 shows the actual measured values of the on). (×) indicates no resonant circuit (・)
The mark indicates the case with a resonant circuit, as is clear from Figure 6.
Isolation can be improved from 0.6GHz to 1GHz without deterioration of insertion compared to no resonant circuit. In the characteristics shown in Figure 6, the operating frequency
Insertion loss near 0.9GHz
The desirable characteristics are that the resistance is small and the isolation is large.
第１の実施例は１３，１４のキヤパシタンスに
パツケージにより構成されるキヤパシタンスを使
つているが、上部電極１６やそれに変わる物がな
い場合、又は適切なキヤパシタンスのとれない場
合は集中定数のキヤパシタンスを主伝送線と１５
のリアクタンスにわたす方法と、ギヤツプキヤパ
シタンスを主伝送線と１５のリアクタンス間に作
る方法もあり、前記第１の実施例と同様の効果を
持つ。 The first embodiment uses a capacitance formed by a package for the capacitances 13 and 14, but if there is no upper electrode 16 or anything to replace it, or if an appropriate capacitance cannot be obtained, a lumped constant capacitance is mainly used. transmission line and 15
There is also a method of creating a gap capacitance between the main transmission line and the reactance of 15, which has the same effect as the first embodiment.
上記実施例にさらにシヤントダイオード２３を
加えると回路図は第７図の様になる。スイツチ回
路は２３がオンでかつ１２がオフのときにオフ状
態、２３がオフでかつ１２がオンのときオン状態
となる。第２図の実施例のごとく第７図の点線内
部をパツケージ化しても、１３，１４のキヤパシ
タンスを外付けにしてもよい。 If a shunt diode 23 is further added to the above embodiment, the circuit diagram becomes as shown in FIG. The switch circuit is in an off state when 23 is on and 12 is off, and is in an on state when 23 is off and 12 is on. The inside of the dotted line in FIG. 7 may be packaged as in the embodiment shown in FIG. 2, or the capacitances 13 and 14 may be externally attached.
第８図に２３のダイオードを１２のダイオード
と等しい物の場合で他は第６図と等しい条件の計
算結果を示す。（・）印は共振回路有（×）印は
共振回路無の場合である第８図より明らかな様に
0.6GHzから1.4GHzにおいてインサーシヨンロス
の劣化なしにアイソレーシヨンの向上を図れる。 FIG. 8 shows calculation results for the case where 23 diodes are equivalent to 12 diodes, and other conditions are the same as in FIG. 6. (・) mark indicates that there is a resonant circuit. (×) mark indicates that there is no resonant circuit.As is clear from Figure 8.
Isolation can be improved from 0.6GHz to 1.4GHz without deteriorating insertion loss.
次に、以上のダイオードスイツチ回路を１単位
とし、ｎ単位（ｎ≧２）を使い、それぞれ出力端
又は入力端を１つの端子に接続する事により１ポ
ートに対してｎ個のポートへの切替の可能なスイ
ツチ回路が出来る。あるｋ番目（１≦ｋ≦ｎ）の
ポートをオフ状態とし他をオン状態とすれば、オ
フ状態とオン状態の共振周波数は１単位と比べほ
とんど変化することはない。これよりｎ個の分岐
ポートと１つの入力端子を持つ切替回路にも応用
することが出来る。その１例として第９図に第７
図の実施例を１単位とし、ｎ＝２の場合の回路図
を示す。２４，２５は２個の分岐ポート、２６は
１つの入力端子、２７はブロツクコンデンサー、
２８と２９は共振回路のキヤパシタンス、３０と
３１はダイオード、３２は共振回路のインダクタ
ンス、３３はバイアス端子である。２６と２４の
間をオン、２５と２６の間をオフとするには３０
のダイオードをオフ、３１のダイオードをオンと
し、その逆の場合は３０をオン、３１をオフとす
れば良い。第１０図に第９図の点線内を１パツケ
ージ化して実験した結果を示す。（×）印は共振
回路なし（・）印は共振回路有である。第１０図
から明らかな様に周波数0.6GHz〜1.0GHzにわた
つて、共振回路なしの場合よりインサーシヨンの
劣化なしにアイソレーシヨンを向上できる。又
0.6G付近で共振回路の有無にかかわらずインサ
ーシヨンロスが増大しているのは実験の際入出力
端２４，２５，２６に50Ωの整合用インピーダン
スを付加した為である。 Next, take the above diode switch circuit as one unit, use n units (n≧2), and connect each output end or input end to one terminal to switch one port to n ports. A switch circuit capable of this can be created. If a certain k-th (1≦k≦n) port is turned off and the others are turned on, the resonant frequencies in the off state and on state hardly change compared to one unit. From this, it can also be applied to a switching circuit having n branch ports and one input terminal. As an example, Figure 9 shows the
A circuit diagram is shown in which the embodiment shown in the figure is taken as one unit and n=2. 24 and 25 are two branch ports, 26 is one input terminal, 27 is a block capacitor,
28 and 29 are capacitances of the resonant circuit, 30 and 31 are diodes, 32 is an inductance of the resonant circuit, and 33 is a bias terminal. 30 to turn on between 26 and 24 and turn off between 25 and 26
The diode 31 is turned off and the diode 31 is turned on.In the opposite case, the diode 30 is turned on and the diode 31 is turned off. FIG. 10 shows the results of an experiment in which the area within the dotted line in FIG. 9 was made into one package. (x) indicates no resonant circuit (.) indicates resonant circuit exists. As is clear from FIG. 10, isolation can be improved over the frequency range of 0.6 GHz to 1.0 GHz, without deterioration of the insertion compared to the case without a resonant circuit. or
The reason why the insertion loss increases around 0.6G regardless of the presence or absence of a resonant circuit is that 50Ω matching impedance was added to the input/output terminals 24, 25, and 26 during the experiment.
本発明はダイオードのオン、オフ状態において
それぞれ異なる共振周波数を持ち、これによりイ
ンサーシヨンロスなしにアイソレーシヨンの向上
を図れる利点があり、種々の周波数帯でのダイオ
ードスイツチ回路として使用できる。 The present invention has the advantage that the diode has different resonance frequencies in the on and off states, thereby improving isolation without insertion loss, and can be used as a diode switch circuit in various frequency bands.
第１図ａ，ｂ及びｃは従来のスイツチ回路の
例、第２図は本発明によるスイツチ回路の実施例
の回路図、第３図は１パツケージ化用パツケージ
の断面図、第４図ａ及びｂは第２図のスイツチ回
路の等価回路図、第５図ａ及びｂはラムダ結線と
Ｙ結線の基本図、第６図は第２図のスイツチ回路
の特性の計算結果を示す図、第７図は本発明によ
るスイツチ回路の別の実施例、第８図は第７図の
スイツチ回路の特性の計算結果を示す図、第９図
は本発明によるスイツチ回路の更に別の実施例、
及び第１０図は第９図のスイツチ回路の特性の実
験結果を示す図である。
１；信号入力端、２；信号出力端、３；ダイオ
ードインダクタンス、４；ダイオード順方向抵
抗、５；共振回路のキヤパシタンス、６；共振回
路のインダクタンス、７；ダイオード逆方向抵
抗、８；ダイオードキヤパシタンス、９；シリー
ズダイオード、１０；入力端、１１；出力端、１
２；ダイオード、１３，１４；パツケージのキヤ
パシタンス（共振回路のキヤパシタンス）、１
５；共振回路のインダクタンス、１６，１７，１
８；パツケージの各端子、１９；パツケージの上
部セラミツク、２０；パツケージの底板のセラミ
ツク、２１；ダイオードの等価キヤパシタンス、
２２；ダイオードの順方向抵抗、２３；シヤント
ダイオード、２４，２５；分岐ポート、２６；入
力ポート、２７；ブロツクコンデンサー、２８，
２９；共振回路のキヤパシタンス、３０，３１；
ダイオード、３２；共振回路のインダクタンス、
３３；バイアス端子。
1a, b, and c are examples of conventional switch circuits; FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the switch circuit according to the present invention; FIG. 3 is a cross-sectional view of a package for forming a single package; b is an equivalent circuit diagram of the switch circuit in Fig. 2, Fig. 5 a and b are basic diagrams of lambda connection and Y connection, Fig. 6 is a diagram showing the calculation results of the characteristics of the switch circuit in Fig. 2, and Fig. The figure shows another embodiment of the switch circuit according to the present invention, FIG. 8 is a diagram showing calculation results of the characteristics of the switch circuit of FIG. 7, and FIG. 9 shows still another embodiment of the switch circuit according to the present invention.
10 is a diagram showing the experimental results of the characteristics of the switch circuit shown in FIG. 9. 1: Signal input terminal, 2: Signal output terminal, 3: Diode inductance, 4: Diode forward resistance, 5: Resonant circuit capacitance, 6: Resonant circuit inductance, 7: Diode reverse resistance, 8: Diode capacitance resistance, 9; series diode, 10; input end, 11; output end, 1
2; Diode, 13, 14; Package capacitance (resonant circuit capacitance), 1
5; Inductance of resonant circuit, 16, 17, 1
8; Each terminal of the package, 19; Ceramic on the top of the package, 20; Ceramic on the bottom plate of the package, 21; Equivalent capacitance of the diode,
22; forward resistance of diode, 23; shunt diode, 24, 25; branch port, 26; input port, 27; block capacitor, 28,
29; Capacitance of resonant circuit, 30, 31;
Diode, 32; inductance of resonant circuit,
33; Bias terminal.
Claims (1)
該ダイオードの入力端及び出力端に接続されダイ
オードと共にラムダ結線を構成する１対のキヤパ
シタンスと、該キヤパシタンスの結合点と接地点
との間に挿入されるインダクタンスとを有し、ダ
イオードがオフのときには当該ダイオードにより
提供されるキヤパシタンスと前記１対のキヤパシ
タンスとのラムダ結線及び前記インダクタンスと
による直列LC共振回路は共振周波数が入力信号
周波数の近傍となるように構成され、ダイオード
がオンのときには前記１対のキヤパシタンスと前
記インダクタンスとによる直列LC共振回路は共
振周波数が入力信号周波数から十分離れるように
構成されることを特徴とする共振回路をふくむダ
イオードスイツチ回路。 ２ 前記１対のキヤパシタンスが、ダイオードを
収容するパツケージの外壁を構成する誘電体と導
体とにより提供されるごとき特許請求の範囲第１
項の発明。 ３ ダイオードの入力端と接地点との間にシヤン
トダイオードが挿入される特許請求の範囲第１項
の発明。[Claims] 1. A diode inserted between input and output terminals;
It has a pair of capacitances connected to the input and output ends of the diode and forming a lambda connection with the diode, and an inductance inserted between the connection point of the capacitance and the ground point, and when the diode is off, A series LC resonant circuit consisting of a lambda connection between the capacitance provided by the diode and the pair of capacitances and the inductance is configured such that the resonance frequency is near the input signal frequency, and when the diode is on, the pair of capacitances A diode switch circuit including a resonant circuit, characterized in that the series LC resonant circuit formed by the capacitance and the inductance is configured such that the resonant frequency is sufficiently separated from the input signal frequency. 2. Claim 1, wherein the pair of capacitances is provided by a dielectric and a conductor forming an outer wall of a package housing the diode.
Invention of Section. 3. The invention according to claim 1, in which a shunt diode is inserted between the input end of the diode and the ground point.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8267979A JPS567526A (en) | 1979-07-02 | 1979-07-02 | Diode switch circuit including resonant circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8267979A JPS567526A (en) | 1979-07-02 | 1979-07-02 | Diode switch circuit including resonant circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS567526A JPS567526A (en) | 1981-01-26 |
| JPS6138885B2 true JPS6138885B2 (en) | 1986-09-01 |
Family
ID=13781097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8267979A Granted JPS567526A (en) | 1979-07-02 | 1979-07-02 | Diode switch circuit including resonant circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS567526A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147532U (en) * | 1988-04-01 | 1989-10-12 | ||
| DE3937934A1 (en) * | 1989-11-15 | 1991-05-16 | Thomson Brandt Gmbh | CIRCUIT ARRANGEMENT FOR SWITCHING OF RF SIGNALS |
| JP3094920B2 (en) * | 1996-10-11 | 2000-10-03 | 日本電気株式会社 | Semiconductor switch |
-
1979
- 1979-07-02 JP JP8267979A patent/JPS567526A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS567526A (en) | 1981-01-26 |
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