JPS6135337A - Pattern inspecting method - Google Patents

Pattern inspecting method

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JPS6135337A
JPS6135337A JP15661084A JP15661084A JPS6135337A JP S6135337 A JPS6135337 A JP S6135337A JP 15661084 A JP15661084 A JP 15661084A JP 15661084 A JP15661084 A JP 15661084A JP S6135337 A JPS6135337 A JP S6135337A
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analog
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正五 松井
Kenichi Kobayashi
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Abstract

PURPOSE:To perform pattern design inspection speedily and properly by converting design data on an IC into a binary picture signal and converting the duty factor of the picture signal into an analog picture signal. CONSTITUTION:The range of 100 by 100mum of the chip of an IC is regarded as one screen and pattern design data is read out of a magnetic tape. Then, a picture signal converter decides a picture element area of, for example, 0.1 by 0.1mum to display picture elements 31 in a pattern as ''1'' and picture elements 31 outside the pattern as ''0'' and perform conversion into a binary picture signal as shown in a figure (b). Then, the duty factor of the picture signal is set substantially to ''1'' as shown in a figure (c) to perform conversion into an analog picture. Then, plural analog picture signals are superposed. Therefore, the analog signals are collated mutually, so the collation inspection of the pattern shape and design reference value of the IC becomes possible and the inspection of the IC is performed speedily.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体集積回路装置をはじめとする電気的固体
装置のパターン設計の適否を充分な精度をもって極めて
迅速に検査することが可能なパターン検査方法に関する
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention provides a pattern inspection method capable of extremely quickly inspecting the suitability of pattern design of electrical solid-state devices such as semiconductor integrated circuit devices with sufficient accuracy. Regarding.

〔技術の背景〕[Technology background]

マイクロエレクトロニクスは現代産業進展の基盤となり
、また社会生活に大きな影響を与えている。このマイク
ロエレクトロニクスの主役は半導体集積回路装置(以下
ICと略称する)であっ毛その集積度の増大と特性の向
上が強力に推進されており、応用分野も急速に拡大しつ
つある。
Microelectronics has become the basis of modern industrial progress and has a great impact on social life. The main character of microelectronics is a semiconductor integrated circuit device (hereinafter abbreviated as IC), and efforts are being made to increase its degree of integration and improve its characteristics, and its application fields are rapidly expanding.

システムの回路部分をどの様にIC化していくかという
問題は、それがシステムのハードウェアの性能・価格の
最も基本的な部分を決定し、またそのフィードバックと
してシステム全体の仕様に対しても大き々影響力をもつ
もので従来からシステム設計上の重大関心事である。最
近システム側の要求の高度化に伴なってICのカスタム
化が一般化しつつあり、これに対処するためにその設計
から実用化までの開発に要す石期間及び費用の低減がま
すます重要となっている。
The issue of how to integrate the circuitry of a system into ICs determines the most basic aspects of the performance and price of the system's hardware, and as a feedback, it also has a large impact on the specifications of the entire system. This has long been an important concern in system design. Recently, as system requirements have become more sophisticated, customization of ICs has become commonplace, and in order to cope with this, it has become increasingly important to reduce the time and cost required for development from design to practical application. It has become.

〔従来技術と問題点〕[Conventional technology and problems]

ICの設計にあたっては、使用者側の要求する電気的機
能、を源、入出力バイアス条件、使用環境条件、要求信
頼度及び取引条件等に基づいて設計目標値を設定し、設
計基準に準拠し設計目標値と製造プロセスに即してその
設計が行なわれる。
When designing an IC, design target values are set based on the electrical functions required by the user, input/output bias conditions, operating environment conditions, required reliability, transaction conditions, etc., and the design standards are followed. The design is performed according to the design target values and manufacturing process.

設計基準は半導体デバイスの基本的機能、信頼度及び外
形の標準化等を実現するために設定されており、例えば
、接合幅、接合面積、素子間分離間隔、配線幅、リード
ピッチ及びリード数等を規定する。
Design standards are set to standardize the basic functions, reliability, and external shape of semiconductor devices. stipulate.

ICの設計中最も大きい比重を占めるものはパターニン
グである。各層のパターン設計データは例えば第1図に
示す如く、パターン平面上に設定した直交するX、Y2
軸に関する基準とする頂点の座標(Xr 、Yl ) 
1辺の長さくX、、Y、)及び辺X1がX軸となす角θ
の180°に対する比を約分1−だ分子及び分母〔例え
ば30°/180°−1/6のとき(1,6J)を組合
わせて、XI 、Yl、XI、Yl、(1,6)の如く
デジタル表示されて、例えば磁気テープに記録される。
Patterning plays a major role in IC design. The pattern design data for each layer is, for example, as shown in FIG.
Coordinates of the vertex as a reference regarding the axis (Xr, Yl)
The length of one side is X,,Y,) and the angle θ that side X1 makes with the X axis
The ratio of 180° to 180° is approximately 1-.Numerator and denominator [For example, when 30°/180°-1/6 (1,6J) is combined, XI, Yl, XI, Yl, (1,6) It is digitally displayed and recorded, for example, on magnetic tape.

この設計データに従ってレチクルマスク等を製作するに
は、例えは電子ビーム露光装置或いはその他のパターン
発生装置が用いられる。このマスクを用(・て設計され
たICが試作されてその評価が行なわれるが、その結果
設計の改善が必要となる場合がしばしばある。
To manufacture a reticle mask or the like according to this design data, an electron beam exposure device or other pattern generating device is used, for example. ICs designed using this mask are prototyped and evaluated, but as a result the design often needs to be improved.

設計されたパターンの検討はまた製作したレチクルマス
クをフィルムに拡大して、他層又は設計変更前のバター
二)と重ね合わせた相互関係から判断することが多く行
なわれている。しかしながらこの方法はレチクルマスク
の製作を待って漸〈実施できるものであって、設計デー
タの良否判断或いは確認に長い待時間が必要となる。
Designed patterns are often examined by enlarging the fabricated reticle mask onto a film and superimposing it on other layers or on the butter before the design change. However, this method can be implemented only after the reticle mask has been manufactured, and a long waiting time is required to judge or confirm the quality of the design data.

この現状を改善することを目的として、先に例示した如
きデジタル設計データを比較検討する方法も既に試みら
れている。この方法においては例えば設計変更前後のデ
ジタル表示タを記録順に順次比較して、相互間に差異が
あるデータのみを摘出する。この摘出されたデータ部外
を映像信号にKlすることも可能であるが、例えば変更
したパターンに隣接する変更されないパターンのデータ
は摘出さ第1ず役目変更後の両パターンの相対的配置が
設計基準に抵触するか否かの検討などは不可能である。
In order to improve this current situation, a method of comparing and examining digital design data as exemplified above has already been attempted. In this method, for example, digital displays before and after a design change are sequentially compared in the order in which they were recorded, and only data that differs between them is extracted. It is also possible to add the outside of this extracted data part to the video signal, but for example, the data of the unchanged pattern adjacent to the changed pattern is extracted and the relative arrangement of both patterns after the role change is designed. It is impossible to consider whether or not it violates the standards.

また最小線幅の検討なども原理的には■り能であるが、
そのステップ数が非常に多くなりこれを実用化すること
は困難である。
In addition, it is possible to consider the minimum line width in principle, but
The number of steps involved is extremely large, making it difficult to put this into practical use.

更に例えは不純物導入領域とこれに接触する電極のため
に杷縁層に形成するコンタクトホールなと、前後のプロ
セス間のパターンの位置が整合しうことは最小線幅の検
討以上に困難である。
Furthermore, for example, when contact holes are formed in the edge layer for the impurity-introduced region and the electrode that contacts it, matching the pattern position between the previous and subsequent processes is more difficult than considering the minimum line width. .

ICの集積規模の拡大、カスタム化等による重置に限ら
れず、例えば磁気バブル装置、圧電、電歪装置、膜集積
回路装置等他の固体装置についても程度の差はあるもの
の同様に重要である。
This is not limited to overlapping ICs due to expansion of IC integration scale or customization, but is equally important to other solid-state devices such as magnetic bubble devices, piezoelectric, electrostrictive devices, and membrane integrated circuit devices, although there are differences in degree. .

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上述した問題点に対処して、電気的固体装置の
パターンの設計検査を迅速かつ適確に実施することがで
きるパターン検査方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to address the above-mentioned problems and provide a pattern inspection method that can quickly and accurately inspect the design of patterns of electrical solid-state devices.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

本発明の前記目的は、 1、電気的固体装置のパターンの複数の設計データを2
値画像信号に変換した後、該画像信号のデユーティファ
クタを実質的に1としてアナログ画像信号に変換して、
複数の該アナログ画像信号を重ね合わせて該複数のアナ
ログ画像信号相互間の照合を行う本発明によるパターン
検査方法。
The objects of the present invention are as follows: 1. A plurality of design data of patterns of electrical solid-state devices;
After converting into a value image signal, converting the image signal into an analog image signal with a duty factor of substantially 1,
A pattern inspection method according to the present invention, in which a plurality of analog image signals are superimposed and the plurality of analog image signals are compared with each other.

および、 2、電気的固体装置のパターンの単一もしくは複数の設
計データを2値画像信号に変換した後、該画像信号のデ
ユーティファクタを実質的に1としてアナログ画像信号
に変換して、単一の該アナログ画像信号もしくは重ね合
わせた複数の該アナログ画像信号と設計基準データとの
照合を行う本発明によるパターン検査方法。
and 2. After converting the single or multiple design data of the pattern of the electrical solid state device into a binary image signal, converting the image signal into an analog image signal with a duty factor of substantially 1, and converting the image signal into an analog image signal. A pattern inspection method according to the present invention, which compares one analog image signal or a plurality of superimposed analog image signals with design reference data.

により達成される。This is achieved by

すなわち本発明によれば、必要かつ充分に微細な画素領
域31を第2図ta+に示す如く想定し、例えばパター
ン内の該画素領域31は1′1′″、パターン外の該画
素領域3Iは10″の1ビツトで表示して、設計データ
を該画素領域31を走査Tる2値画像信号に同図(bl
に示す如く変換し、かつ同図(C1に示す如く該画像信
号のデューティファクタを実質的に1としアナログ信号
に変換して信号処理速度を高速化する。
That is, according to the present invention, a necessary and sufficiently fine pixel area 31 is assumed as shown in FIG. The design data is displayed in 1 bit of 10'' and converted into a binary image signal that scans the pixel area 31 (bl
The signal processing speed is increased by converting the image signal into an analog signal by setting the duty factor of the image signal to substantially 1 as shown in the figure (C1).

この様に変換した画像信号を複数個重ね合わせて画像表
示し該画像信号和1間の照合を行うことによって、例え
ば設計変更前後のパターンの比較確認など、或いはこの
様に変換した単一の該画像信号もしくは重ね合わせた複
数のプロセスが相前後する該画像信号と設計基準データ
との照合を行うことによって、その設計パターンの設計
基準への合否の判定などを、容易に高速度で実施するこ
とができる。
By superimposing and displaying a plurality of image signals converted in this way and comparing the sum of the image signals, you can, for example, compare and confirm patterns before and after a design change, or use a single image signal converted in this way. By comparing the image signal or the image signal of multiple superimposed processes one after another with the design standard data, it is easy to determine whether the design pattern passes or fails the design standard, etc., at high speed. I can do it.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下本発明を実施例により具体的に説明する。 The present invention will be specifically explained below using examples.

第3図は本発明によるパターン設計検査装置の例を示す
ブロック図である。本装置は2つの部分に大別され、そ
の第1は例えば磁気テープ等に記録されたデジタル設計
データを画像信号に変換する画像信号変換部lであって
、同等のものが複数台設けられる。第2の部分は変換さ
れた画像信号を比較する信月比較器及びモニタ並びに印
刷装置を含む中央処理部2である〇 第2図の画像信号変換部1において、11は磁気テープ
装置、12は磁気テープのデータを一旦記憶するRAM
、13は設計データを画像信号に、変換する画像信号変
換器、14は変換された画像信号を一旦記憶するRAM
、 15は画像信号送出回路、16は以上の画像信号変
換部を制御する制御装置である。
FIG. 3 is a block diagram showing an example of a pattern design inspection apparatus according to the present invention. This apparatus is roughly divided into two parts, the first of which is an image signal converter l that converts digital design data recorded on, for example, a magnetic tape into an image signal, and a plurality of equivalent parts are provided. The second part is a central processing unit 2 that includes a comparator for comparing converted image signals, a monitor, and a printing device. In the image signal converting unit 1 shown in FIG. 2, 11 is a magnetic tape device, 12 is a RAM that temporarily stores data on magnetic tape
, 13 is an image signal converter that converts the design data into an image signal, and 14 is a RAM that temporarily stores the converted image signal.
, 15 is an image signal sending circuit, and 16 is a control device for controlling the above image signal conversion section.

また中央処理部2においては、21は画像信号比較器、
22は座標軸整合回路、23は入出力インターフェイス
、24は摘出したデータ等を記憶するRJtM、 25
はROM、26はシステムを制御するMPU、27A、
、27Bは各画像信号の、27Cは信号比較器の画像信
号のモニタ、28は印刷装置、29は制御盤である。
Further, in the central processing unit 2, 21 is an image signal comparator;
22 is a coordinate axis matching circuit, 23 is an input/output interface, 24 is an RJtM that stores extracted data, etc., 25
is a ROM, 26 is an MPU that controls the system, 27A,
, 27B is a monitor for each image signal, 27C is a monitor for the image signal of a signal comparator, 28 is a printing device, and 29 is a control panel.

本実施例においては、チップの例えば100μm×10
0μ鱒の範囲を1画面として、前記例の如く表示された
パターン設計データを磁気テープから読出して、画像信
号変換器13において、前記画素領域を例えば01μ餌
×01μwIJニジパターン内の画素を′″1″、1″
、パターン外0#とじて1ビツトで表示する2値画像信
号に変換する。この2値画像信号をデーーティファクタ
lOOチで送出すればアナログ画像処理の手段を用いる
ことができる。
In this example, the chip is, for example, 100 μm×10
The pattern design data displayed as in the above example is read out from the magnetic tape, with the range of 0 μ trout as one screen, and the image signal converter 13 converts the pixel area into, for example, 01 μ bait x 01 μw IJ pixels within the rainbow pattern. 1″, 1″
, 0# outside the pattern is excluded and converted into a binary image signal to be displayed with 1 bit. If this binary image signal is sent out with a data factor of 100, analog image processing means can be used.

例えば設計変更を行なった後に変更内容の確認を行なう
場合に、第4図(alに模式的に示す変更前の設計デー
タを一方の画像信号変換部lに入力し、同図(blに模
式的に示す変更後の設計データを他方の画像信号変換部
1に入力する。この双方の上記の如く変換された信号を
画像信号比較器21で比較して所要のパターン部分をモ
ニター27Cに表示させれば第4図(C)の表示を観察
することができ、またこの相異する部分の座標等がRA
M24に記録される。
For example, when confirming the changes after making a design change, input the design data before the change, schematically shown in FIG. The changed design data shown in is input to the other image signal converter 1.The two signals converted as described above are compared by the image signal comparator 21, and the desired pattern portion is displayed on the monitor 27C. In this case, the display shown in Figure 4(C) can be observed, and the coordinates of these different parts are RA.
Recorded in M24.

また本装置によって、例えば不純物導入領域を画定する
マスクのパターンと、その上に設ける絶縁膜のコンタク
トホールのパターンなど、層の異なる設計パターンの相
対的配置を設計基準値等と比較する照合を行なうことが
できる。なお設計基準値は例えば設計データを記録する
磁気テープの冒頭に記録してシステムに入力することが
できる。
This device also performs a check to compare the relative arrangement of design patterns of different layers, such as a mask pattern defining an impurity introduction region and a contact hole pattern of an insulating film provided above, with design reference values. be able to. Note that the design reference value can be recorded, for example, at the beginning of a magnetic tape on which design data is recorded and input into the system.

第5図(alは3台の画像信号変換部lを用いて電界効
果Yランジスタ素子の設計パターンの検査を行なう例を
示し、ゲート電極パターンA1ソース及びドレイン領域
のイオン注入マスクパターンB及びソース及びドレイン
電極のコンタクトホールパターンCを人力して、アナロ
グ画像処理の手段によってこれらを重畳してパターンD
を得る。パターンが重畳する領域の画像信号は本実施例
においては第5図(blに示ず如き、“0#、“05″
及び”1”の3値によって表現されるが、この画像信号
の各部分の幅を設計基準と比較することによって設計基
準への適否が検査でき、また層間の位置ずれなど検出す
ることができる。
FIG. 5 (al) shows an example in which a design pattern of a field effect Y transistor element is inspected using three image signal converters l; gate electrode pattern A1; ion implantation mask pattern B for source and drain regions; A contact hole pattern C of the drain electrode is created manually, and these are superimposed using analog image processing means to form a pattern D.
get. In this embodiment, the image signals of the area where the patterns are superimposed are "0#,""05" as shown in FIG.
By comparing the width of each portion of this image signal with the design standard, compliance with the design standard can be inspected, and positional deviation between layers can be detected.

本方式では分解能を例えば前記実施例の如く01μ畔X
 O,1μ厘を1ビツトとして01μ凱単位の胱出しが
可能であり、必要ならば更に微細化することも可能であ
って、充分な精度をもって検査を行なうことができる。
In this method, the resolution is, for example, 01μ as in the above embodiment.
It is possible to detect the bladder in units of 0.1 μl, with 0.1 μl as 1 bit, and further miniaturization is possible if necessary, allowing inspection to be performed with sufficient accuracy.

また前記実施列の装置を用いて、例えば約lOmmX 
I Ommの面積を有する大規模集積回路装置のパター
ン設計検査を約20分間で実施することが可能であり、
先に述べたデジタル設計データを直接取扱う検査方法を
仮に実施するとす、flば、パターン密度によって異な
るが概ね6乃至8時間程度の時間を必要とするの(こ比
較して、その効果は極めて大きい。
Also, using the apparatus of the above embodiment, for example, about 10 mm
It is possible to carry out pattern design inspection of a large-scale integrated circuit device having an area of I Omm in about 20 minutes,
If we were to implement the above-mentioned inspection method that directly handles digital design data, it would take approximately 6 to 8 hours, depending on the pattern density (compared to this, its effectiveness is extremely large). .

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明した如く本発明によれば、電気的固体装置のパ
ターン設計に際して、2値画像信号のアナログ画像処理
によって迅速にかつ充分な精度をもって、パターン形状
の比較、設計されたパターンの設計基準値との照合など
の検査を実施することが可能となり、規模の拡大9品種
数の増加が急速に進行しつつある大規模半導体集積回路
装置等の開発期間及び費用等を大幅に減少する効果を有
する。
As explained above, according to the present invention, when designing a pattern for an electrical solid-state device, analog image processing of a binary image signal is used to quickly and accurately compare the pattern shape and the design reference value of the designed pattern. This makes it possible to carry out inspections such as cross-checking, and has the effect of significantly reducing the development period and cost of large-scale semiconductor integrated circuit devices, which are rapidly expanding in scale and number of types.

【図面の簡単な説明】 第1図はパターンの設計データの説明図、第2図は本発
明の画像信号形成を示す図、第3図は本発明の実施例を
示すブロック図、第4図及び第5図(a)は本実施例の
パターン表示の模式図、第5図(blは本実施列の画像
信号の例を示す図である。 図において、■は画像信号変換部、2は中央処理部、1
1は磁気テープ装置、12.14及び24はRJM、l
 3は画像信号変換器、15は画像信号送出回路、16
は信号変換部の制御装置、21は画像信号比較器、22
は整合回路、23は入出力インターフェイス、25はR
OM、26はMPU。 27A、27B及び27Cはモニタ、28は印刷装置、
29は制御盤、31は画素領域を示す。 不生口 に)            (b) 卑 5 図 (oL)
[Brief Description of the Drawings] Fig. 1 is an explanatory diagram of pattern design data, Fig. 2 is a diagram showing image signal formation of the present invention, Fig. 3 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 4 and FIG. 5(a) is a schematic diagram of the pattern display of this embodiment, and FIG. Central processing unit, 1
1 is a magnetic tape device, 12.14 and 24 are RJM, l
3 is an image signal converter, 15 is an image signal sending circuit, 16
21 is an image signal comparator; 22 is a control device for a signal converter;
is a matching circuit, 23 is an input/output interface, 25 is R
OM, 26 is MPU. 27A, 27B and 27C are monitors, 28 is a printing device,
29 is a control panel, and 31 is a pixel area. (b) Base 5 Figure (oL)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、電気的固体装置のパターンの複数の設計データを2
値画像信号に変換した後、該画像信号のデューティファ
クタを実質的に1としてアナログ画像信号に変換して、
複数の該アナログ画像信号を重ね合わせて該複数のアナ
ログ画像信号相互間の照合を行うことを特徴とするパタ
ーン検査方法。 2、電気的固体装置のパターンの単一もしくは複数の設
計データを2値画像信号に変換した後、該画像信号のデ
ューティファクタを実質的に1としてアナログ画像信号
に変換して、単一の該アナログ画像信号もしくは重ね合
わせた複数の該アナログ画像信号と設計基準データとの
照合を行うことを特徴とするパターン検査方法。
[Claims] 1. A plurality of design data of patterns of an electrical solid state device 2.
After converting into a value image signal, converting the image signal into an analog image signal with a duty factor of substantially 1,
A pattern inspection method characterized by superimposing a plurality of analog image signals and comparing the plurality of analog image signals with each other. 2. After converting single or multiple design data of a pattern of an electrical solid-state device into a binary image signal, converting the image signal into an analog image signal with a duty factor of substantially 1, and converting it into a single image signal. A pattern inspection method characterized by comparing an analog image signal or a plurality of superimposed analog image signals with design reference data.
JP15661084A 1984-07-27 1984-07-27 Pattern inspecting method Granted JPS6135337A (en)

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JPH0325824B2 JPH0325824B2 (en) 1991-04-09

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53103698A (en) * 1977-02-22 1978-09-09 Shigeru Miyayama Seal collator
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