JPS6134843A - Ion milling machine - Google Patents

Ion milling machine

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JPS6134843A
JPS6134843A JP15825484A JP15825484A JPS6134843A JP S6134843 A JPS6134843 A JP S6134843A JP 15825484 A JP15825484 A JP 15825484A JP 15825484 A JP15825484 A JP 15825484A JP S6134843 A JPS6134843 A JP S6134843A
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Shigetaka Fujiwara
藤原 重隆
Tadashi Sato
忠 佐藤
Tomoe Kurosawa
黒沢 巴
Masaru Higaki
桧垣 勝
Isao Hashimoto
勲 橋本
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/08Ion sources; Ion guns

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

PURPOSE:To achieve effective reduction of divergence of ion beams and improved machining precision by providing a beam shield at the central portion of a pick-up electrode. CONSTITUTION:Cathodes 15 are made of hair pin-like W filament and a plasma generator 16 serves as anodes which cooperate with the cathodes 15 to produce arc discharging therebetween. A pick-up electrode for picking up ions from plasma generated in the generator 16 in form of ion beams 30 is composed of a plasma electrode 21, accelerating electrode 21 and decelerating electrode 22 each having apertures in such a range that the beams 30 are directed only to a target and a substantially circular beam shield at the center thereof. This is effective to eliminate ion beams at the central portion which act most greatly on beam divergence, reducing mutual repulsion between ions and minimizing divergence of the beams. Therefore, machining precision can be remarkably improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、イオンビームをターゲットに照射してターゲ
ット表面を微細加工するイオンミリング装置に係シ、特
に、広い面積に互って多数個配置したターゲットをイオ
ンビームを用いて加工するのに好適なイオンミリング装
置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to an ion milling device that microfabricates the surface of a target by irradiating the target with an ion beam, and particularly relates to an ion milling device that finely processes the surface of the target by irradiating the target with an ion beam. The present invention relates to an ion milling device suitable for processing a target using an ion beam.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

プラズマ生成室から引き出される200〜5000V程
度のエネルギーを持つ幅広のイオンビームをターゲット
に照射し、ターゲットをスパッタすることでターゲット
表面の微細加工を行うイオンミリング装置は、従来第4
図に示す構成のものが使用されている。このイオンミリ
ング装置の構成は、幅広のイオンビームを引き出すイオ
ン源1と、表面の微細加工に供されるターゲット2と、
ターゲットの保持及び冷却を行うターゲットホルダー3
及び真空容器4、真空ポンプ5、イオンビームを電気的
に中和するための熱電子を供給する中性化用フィラメン
ト6からなっている。
Conventional ion milling equipment, which performs fine processing on the target surface by sputtering the target by irradiating the target with a wide ion beam with an energy of about 200 to 5000 V drawn from a plasma generation chamber, was
The configuration shown in the figure is used. The configuration of this ion milling device includes an ion source 1 that extracts a wide ion beam, a target 2 that is used for surface micromachining,
Target holder 3 that holds and cools the target
It also includes a vacuum container 4, a vacuum pump 5, and a neutralization filament 6 that supplies thermoelectrons for electrically neutralizing the ion beam.

イオンミリング装置の構成を更に詳しく説明する。ガス
導入口9から導入されるアルゴンガス等の中性ガス10
は、アノード8とカン−ドアとの間に直流電圧を印加す
ることによって電離してプラスマドナシ、多数のアパチ
ャー(イオンと一部を引き出すだめの小孔)を設けた引
き出し電極12.13(第5図参照)によってイオンビ
ームとして引き出される。引き出されたイオンビームは
、中性化用フィラメント6によシミ気的に中和するため
の熱電子が供給され、回転しているターゲットホルダー
3に固定したターゲット2に照射される。
The configuration of the ion milling device will be explained in more detail. Neutral gas 10 such as argon gas introduced from gas inlet 9
By applying a DC voltage between the anode 8 and the can-door, a positive pear is ionized and an extraction electrode 12.13 (fifth. (see figure) is extracted as an ion beam. The extracted ion beam is supplied with thermoelectrons for gaseous neutralization by the neutralizing filament 6, and is irradiated onto the target 2 fixed on the rotating target holder 3.

多数のターゲット2を処理するミリング装置では、イオ
ン源の均一なビームを利用するために、ターゲットホル
ダー3に円心円状にターゲット2を配置する。このとき
の前記イオンミリング装置では、ターゲット2の加工に
使用する周辺部のイオンが本来必要としない中心部分を
走るイオンのクーロン反発力によシ曲げられ、ターゲッ
ト2に入射する時点では、外径方向に大きく曲ったビー
ムとなっているため、加工精度を著しく低下させる欠点
がある。しかも、上記の空間電荷効果は、イオン源のビ
ーム径が大きくなる程、顕著になる特性がある(ION
IC81978年11月号、p27゜28参照)。
In a milling device that processes a large number of targets 2, the targets 2 are arranged in a circular pattern on a target holder 3 in order to utilize a uniform beam from an ion source. In the ion milling apparatus at this time, the ions in the peripheral part used for processing the target 2 are bent by the Coulomb repulsion of the ions running in the central part, which is not originally needed, and when they enter the target 2, the outer diameter Since the beam is greatly curved in the direction, it has the disadvantage of significantly reducing processing accuracy. Moreover, the above space charge effect has the characteristic that it becomes more pronounced as the beam diameter of the ion source becomes larger (ION
IC8 November 1978 issue, p.27゜28).

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、従来のイオンミリング装置の前述の欠
点を解消し、空間電荷効果を低下せしめることによって
イオンビームの発散を抑制し、加工精度の良好なイオン
ミリング装置を提供することにあシ、特に多数のターゲ
ットをターゲットホルダーに配した場合でも、いずれの
ターゲットの加工精度も良好なイオンミリング装置を提
供することにある。
An object of the present invention is to provide an ion milling device that eliminates the above-mentioned drawbacks of conventional ion milling devices, suppresses ion beam divergence by reducing the space charge effect, and has good processing accuracy. An object of the present invention is to provide an ion milling device in which even when a large number of targets are arranged on a target holder, the machining accuracy of all targets is good.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

一度に大量のターゲットを加工し、生産速度を向上させ
るには、イオン源を大口径化する必要があるが、前記空
間電荷効果によシ、イオンビームが最も、11用価値の
高い外周部で、著しく発散するため、従来、口径25 
cnr程度が実用されている限度となっていたところを
、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、前記空間電荷効
果の寄与の程度を正確に定社化するのは電離ではあるが
、中央部分のイオンビームがビームの発散に最も大きな
影響を与える点に着目するに至った。そこで更に、その
解決策を研究したところ、円形のビームシールドなどを
用いて、中央部分のイオンビームを除去することによシ
、最も効果的にイオンビームの発散を低減し、加工精度
を向上できるとの知見を得た。
In order to process a large number of targets at once and increase production speed, it is necessary to increase the diameter of the ion source, but due to the space charge effect, the ion beam is , because it diverges significantly, conventionally, caliber 25
cnr was the practical limit, but as a result of intensive research, the present inventors found that although it is ionization that accurately determines the degree of contribution of the space charge effect, the central We focused on the part of the ion beam that has the greatest effect on beam divergence. Therefore, we further researched solutions to this problem and found that removing the ion beam in the center using a circular beam shield can most effectively reduce the divergence of the ion beam and improve processing accuracy. We obtained the following knowledge.

本発明は、苅記目的を達成するために、かかる知見に基
づいて力されたものであって、その特徴とするところは
、前述のイオンミリング装置において、プラズマ発生容
器内或いはプラズマ生成室から引き出し電極によシ引き
出されたイオンビーム中に、はぼ円形の部材を挿入する
点にある。
The present invention was developed based on this knowledge in order to achieve the above object, and is characterized by the fact that in the above-mentioned ion milling apparatus, the The point is to insert a roughly circular member into the ion beam extracted by the electrode.

また、プラズマ発生容器内のプラズマ生成室からイオン
ビームを引き出す引き出し電極の中央部分にほぼ円形の
ビームシールを設けた点、及び1又は、プラズマ発生容
器内のプラズマ生成室の一部或いは全部を中空円筒形に
した点にある。
In addition, a substantially circular beam seal is provided in the center of the extraction electrode that extracts the ion beam from the plasma generation chamber in the plasma generation container, and a part or all of the plasma generation chamber in the plasma generation container is hollow. It is located at a cylindrical point.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明を図示の一実施例を用いて詳細に説明する
Hereinafter, the present invention will be explained in detail using an illustrated embodiment.

第1図及び第2図はかかる実施例を示したもので、前記
第3図中のターゲット2、ターゲットホルダー3、真空
容器4、真空ポンプ5、中性化用フィラメント6は、従
来のイオンミリング装置と同一の構成で使用できるので
説明から省略する。
FIG. 1 and FIG. 2 show such an embodiment, and the target 2, target holder 3, vacuum container 4, vacuum pump 5, and neutralization filament 6 in FIG. Since it can be used with the same configuration as the device, it will be omitted from the explanation.

中性ガス19をアーク放電によって電離させるカソード
15は、ヘアピン状のタングステンフィラメントで作ら
れている。プラズマ発生容器1.6は、カソード15と
の間でアーク放電を行わせるアノード電極を兼ねている
。部分的に二重円筒状をなす円筒を使用したプラズマ発
注容器16は、容器背面に設置した永久磁石17の磁力
線が内部にできるようにステンレス鋼等の非磁性材で作
ると共に、多数のカスプ磁界でプラズマを効率良く生成
するN極とS極を交互に変えたパケット構造である。カ
ソード15とプラズマ発生容器16の間に直流電圧を印
加し、ガス導入口18から導入されるアルゴンガス等の
中性ガス19を、アーク放電によって電離してプラズマ
発生容器16内にプラズマを作る。プラズマ発生容器1
6内に発注れ、ターゲットだけにイオンビーム30が照
射される範囲にアパチャー28を設け、中央部分にほぼ
円形のビームシールド20を設けたプラズマ電極21、
加速電極22、減速電極23から構成されている。
The cathode 15, which ionizes the neutral gas 19 by arc discharge, is made of a hairpin-shaped tungsten filament. The plasma generating container 1.6 also serves as an anode electrode for causing arc discharge between the plasma generating container 1.6 and the cathode 15. The plasma ordering container 16, which uses a partially double-cylindrical cylinder, is made of a non-magnetic material such as stainless steel so that the magnetic field lines of the permanent magnet 17 installed on the back of the container can be formed inside, and it is also made of a non-magnetic material such as stainless steel. This is a packet structure with alternating north and south poles that efficiently generates plasma. A DC voltage is applied between the cathode 15 and the plasma generation container 16, and a neutral gas 19 such as argon gas introduced from the gas inlet 18 is ionized by arc discharge to create plasma in the plasma generation container 16. Plasma generation container 1
6, a plasma electrode 21 with an aperture 28 in the range where only the target is irradiated with the ion beam 30, and a substantially circular beam shield 20 in the center;
It is composed of an acceleration electrode 22 and a deceleration electrode 23.

本実施例による効果は次の通シである。The effects of this embodiment are as follows.

(1)  プラズマ生成室を形成するプラズマ発生容器
16を二重円筒形にすることによって、プラズマ生成室
に導入されるアルゴン等の中性ガスを減らすことができ
るため、中性ガスを電離するアーク電源を小容量化でき
る。
(1) By making the plasma generation vessel 16 that forms the plasma generation chamber double cylindrical, it is possible to reduce the amount of neutral gas such as argon introduced into the plasma generation chamber. The capacity of the power supply can be reduced.

(2)引き出し電極の中央部にビームシールド20を設
けることあるいはプラズマ発生容器16を二重円筒形に
することによって、プラズマ生成室に導入されるアルゴ
ン等の中性ガスを減らすことができるため、真空容器内
を真空にする真アパチャー28の範囲を、ターゲットに
照射する電極の周縁部分のみすることによって、ターゲ
ットホルダーのイオンビームを照射する面積が小さくな
るため、ターゲットにスパッタする不要物の量を減らす
ことができる。
(2) By providing the beam shield 20 in the center of the extraction electrode or by making the plasma generation container 16 double cylindrical, it is possible to reduce the amount of neutral gas such as argon introduced into the plasma generation chamber. By limiting the range of the true aperture 28 that evacuates the vacuum chamber to only the periphery of the electrode that irradiates the target, the area of the target holder that is irradiated with the ion beam becomes smaller, thereby reducing the amount of waste material sputtered onto the target. can be reduced.

(4) アルゴンガス等の中性ガスを電離してできるプ
ラズマからイオンビーム30を引き出す引き  ・出し
電極のアパチャーの範囲を、イオンビームがターゲット
付近に照射されるようにすることによって、ターゲット
ホルダーのイオンビームを照射する面積が小さくなるた
め、ターゲットホルダーの冷却装置を小容量化すること
ができる。
(4) Pulling out the ion beam 30 from the plasma created by ionizing a neutral gas such as argon gas - By adjusting the aperture range of the extraction electrode so that the ion beam is irradiated near the target, the target holder is Since the area irradiated with the ion beam becomes smaller, the capacity of the cooling device for the target holder can be reduced.

(5)N極と8極を交互に設置した永久磁石17でプラ
ズマを閉じ込めているため、ターゲットにもれる磁界が
小さく、磁界によるイオンビームの発散が小さく、ター
ゲットでの加工精度が向上する。
(5) Since the plasma is confined by the permanent magnet 17 with N poles and 8 poles arranged alternately, the magnetic field leaking into the target is small, the divergence of the ion beam due to the magnetic field is small, and the processing accuracy at the target is improved.

なお、第1図のプラズマ発生容器16のすべてを二重円
筒にするとともに、絶縁物を介して、内側円筒部分で、
引き出し′成極を支持することも可能で、特に、引き出
し電極の冷却が容易で、熱による変形が小さい効果があ
る。
In addition, all of the plasma generation container 16 in FIG. 1 is made into a double cylinder, and the inner cylindrical part is
It is also possible to support extraction polarization, and in particular, the extraction electrode is easily cooled and deformation due to heat is small.

また、第3図は他の実施例を示すもので、第1図の永久
磁石17の代わりに、対称軸上での磁界が小さくなるよ
うに、逆方向に電流を流すソレノイドコイル25.26
を設置したもので、第1図の実施例に比較し、構造が簡
単となる効果がある。
In addition, FIG. 3 shows another embodiment, in which, instead of the permanent magnet 17 in FIG. 1, a solenoid coil 25, 26 is used to flow current in the opposite direction so that the magnetic field on the axis of symmetry is small.
This has the effect of simplifying the structure compared to the embodiment shown in FIG.

なお、第4図の従来例の引き出し電極12に替え、本発
明のビームシールド2oを設けたプラズマ電極21を使
用しても、第1図の実施例の効果のうちの(2)から(
4)までの効果がある。このようなほぼ円形部材のビー
ムシールドは、プラズマ発生室中おるいは、引き出され
たイオンビーム中に設けても、同程度の効果がある。
Note that even if the plasma electrode 21 provided with the beam shield 2o of the present invention is used in place of the extraction electrode 12 of the conventional example shown in FIG. 4, the effect (2) of the embodiment shown in FIG.
There are effects up to 4). Such a substantially circular beam shield has the same effect even if it is provided in the plasma generation chamber or in the extracted ion beam.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上詳述したことからも明らかな通シ、本発明によれば
、ビームの発散に最も影響の大きい中央部分のイオンビ
ームを除き得るので、イオン相互の反撥力を低下させ、
ビームの発散を極めて小さくでき、したがって、加工精
度が顕著に向上できるものであり、また特にターゲット
を広い面積に多数配置した場合でも、各ターゲットとも
同様の効果にて加工できる等々、その奏する効果は非常
に大きいものである。
As is clear from the detailed description above, according to the present invention, the ion beam in the central portion, which has the greatest influence on beam divergence, can be removed, thereby reducing the mutual repulsion of ions,
Beam divergence can be made extremely small, and therefore machining accuracy can be significantly improved.In particular, even when a large number of targets are arranged over a wide area, each target can be machined with the same effect. It is very large.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例に係るイオンミリ/グ装置の主
要部を示す断面図、第2図は本発明の実施例に係る引き
出し電極の正面図、第3図は本発明の他の実施例に係る
イオンミリング装置の一部断面図、第4図は従来のイオ
ンミリング装置の構成図、第5図は従来の引き出し電極
の正面図でおる。 1・・・イオン源、2・・・ターゲット、3・・・ター
ゲットホルダー、4・・・真空容器、5・・・真空ポン
プ、6・・・中性化用フィラメント、7,15・・・カ
ソード、8・・・アノード、9.18・・・ガス導入口
、10.19・・・中性ガス、11・・・容器、12.
13・・・引き出し電極、14,25.26・・・ソレ
ノイドコイル、16・・・プラズマ発生容器、17・・
・永久磁石、20・・・ビームシールド、21・・・プ
ラズマ電極、22・・・加速電極、23・・・減速電極
、24・・・接地電極フランジ。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the main parts of an ion milling device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a front view of an extraction electrode according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a partial cross-sectional view of an ion milling device according to an example, FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional ion milling device, and FIG. 5 is a front view of a conventional extraction electrode. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Ion source, 2... Target, 3... Target holder, 4... Vacuum container, 5... Vacuum pump, 6... Neutralization filament, 7, 15... Cathode, 8... Anode, 9.18... Gas inlet, 10.19... Neutral gas, 11... Container, 12.
13... Extraction electrode, 14, 25. 26... Solenoid coil, 16... Plasma generation container, 17...
- Permanent magnet, 20... Beam shield, 21... Plasma electrode, 22... Acceleration electrode, 23... Deceleration electrode, 24... Ground electrode flange.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、プラズマ生成室を構成しているプラズマ発生容器と
、前記プラズマ生成室内に導入した中性ガスをアーク放
電により電離させてプラズマ化するフィラメントと、前
記プラズマ生成室内のイオンをイオンビームとして引き
出す引き出し電極とを備えたイオン源と、 このイオン源に隣接して設けた真空容器と、この真空容
器内にターゲットを保持し、冷却するターゲットホルダ
ーとを有するイオンミリング装置において、 前記イオンビームの中央部を遮蔽する遮蔽体を前記イオ
ン源に設けたことを特徴とするイオンミリング装置。 2、前記遮蔽体は、前記引き出し電極の中央部に形成し
たほぼ円形のビームシールドであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載のイオンミリング装置。 3、前記プラズマ発生容器は、二重円筒状に形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2
項に記載のイオンミリング装置。 4、前記遮蔽体は、二重円筒状に形成した前記プラズマ
発生容器の中央底部であることを特徴とする特許請求の
範囲第4項に記載のイオンミリング装置。
[Scope of Claims] 1. A plasma generation container constituting a plasma generation chamber, a filament that ionizes neutral gas introduced into the plasma generation chamber into plasma by arc discharge, and ions in the plasma generation chamber. An ion milling device that includes an ion source equipped with an extraction electrode that extracts the target as an ion beam, a vacuum container provided adjacent to the ion source, and a target holder that holds and cools a target within the vacuum container. An ion milling apparatus characterized in that the ion source is provided with a shielding body that shields a central portion of the ion beam. 2. The ion milling apparatus according to claim 1, wherein the shield is a substantially circular beam shield formed at the center of the extraction electrode. 3. Claim 1 or 2, wherein the plasma generation container is formed in a double cylindrical shape.
The ion milling device described in section. 4. The ion milling apparatus according to claim 4, wherein the shield is a central bottom portion of the plasma generation container formed in a double cylindrical shape.
JP59158254A 1984-07-27 1984-07-27 Ion milling equipment Expired - Lifetime JPH0624111B2 (en)

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Cited By (1)

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JPS6394545A (en) * 1986-10-08 1988-04-25 Hitachi Ltd Machining device for ion beam

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