JPS6134737Y2 - - Google Patents
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- JPS6134737Y2 JPS6134737Y2 JP1980118762U JP11876280U JPS6134737Y2 JP S6134737 Y2 JPS6134737 Y2 JP S6134737Y2 JP 1980118762 U JP1980118762 U JP 1980118762U JP 11876280 U JP11876280 U JP 11876280U JP S6134737 Y2 JPS6134737 Y2 JP S6134737Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は電子同調チユーナの局部発振周波数安
定化回路に係り、例えばテレビジヨン受像機に使
用されるVHF電子同調チユーナの局部発振回路
内に設けられるスイツチングダイオードに印加さ
れるバイアス電圧を、周囲温度の変動により変化
するように制御する構成としたことにより、周囲
温度の変動による局部発振周波数の変動（ドリフ
ト）を補償すべくなした電子同調チユーナの局部
発振周波数安定化回路を提供することを目的とす
る。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a local oscillation frequency stabilization circuit for an electronically tuned tuner, and for example, a voltage applied to a switching diode provided in the local oscillation circuit of a VHF electronically tuned tuner used in a television receiver. This stabilizes the local oscillation frequency of an electronically tuned tuner to compensate for fluctuations (drifts) in the local oscillation frequency due to fluctuations in ambient temperature by controlling the bias voltage to vary with fluctuations in ambient temperature. The purpose is to provide circuits.
第１図は、一般的な電子同調チユーナの局部発
振回路を示すもので、同図において、１は低チヤ
ンネル用同調コイル、２は高チヤンネル用同調コ
イル、３は低，高両チヤンネルの切換え用のスイ
ツチングダイオードで、該スイツチングダイオー
ド３に端子４から印加するバイアス電圧の極性に
よつて、何れかのチヤンネルに切換え作用が行な
われる。５はバラクタダイオードであり、端子６
から印加する逆方向バイアス電圧を変化して発振
周波数を制御する。１１は発振用トランジスタ
で、該トランジスタ１１には端子１２からバイア
ス電圧が供給される。９，１０は帰還用コンデン
サ、８は発振周波数同調共振回路と発振用トラン
ジスタ１１との結合コンデンサ、７は同調容量の
変化割合を決めるコンデンサである。 Figure 1 shows the local oscillation circuit of a typical electronically tuned tuner. In the figure, 1 is a tuning coil for low channels, 2 is a tuning coil for high channels, and 3 is for switching between low and high channels. Depending on the polarity of the bias voltage applied to the switching diode 3 from the terminal 4, a switching action is performed to either channel. 5 is a varactor diode, and terminal 6
The oscillation frequency is controlled by changing the reverse bias voltage applied from the oscillation frequency. Reference numeral 11 denotes an oscillation transistor, and a bias voltage is supplied to the transistor 11 from a terminal 12. 9 and 10 are feedback capacitors, 8 is a coupling capacitor between the oscillation frequency tuning resonant circuit and the oscillation transistor 11, and 7 is a capacitor that determines the rate of change of the tuning capacitance.
上述のような局部発振回路において、発振周波
数の温度変化によるドリフトは、各端子４，６，
１２から印加する電圧に温度依存性がないとする
と、バラクタダイオード５の接合容量の温度係
数、発振用トランジスタ１１のパラメータの温度
係数及び各コンデンサ７，８，９，１０の容量の
温度係数に起因する。そこで、従来では、各コン
デンサ７，８，９，１０の容量の温度係数を適当
に選定することによつて、局部発振周波数の温度
変動によるドリフトを補償することが行なわれて
いる。 In the local oscillation circuit as described above, the drift of the oscillation frequency due to temperature changes occurs at each terminal 4, 6,
Assuming that the voltage applied from 12 has no temperature dependence, the temperature coefficient is due to the temperature coefficient of the junction capacitance of the varactor diode 5, the temperature coefficient of the parameters of the oscillation transistor 11, and the temperature coefficient of the capacitance of each capacitor 7, 8, 9, and 10. do. Conventionally, therefore, the drift of the local oscillation frequency due to temperature fluctuations has been compensated for by appropriately selecting the temperature coefficient of the capacitance of each capacitor 7, 8, 9, and 10.
ところで、上記温度変動によるドリフトの原因
となる温度係数について見るに、バラクタダイオ
ード５と各コンデンサ７，８，９，１０について
は、低チヤンネルと高チヤンネルとでは殆んど変
化することがないが、発振用トランジスタ１１の
パラメータについては、使用周波数帯の相違によ
つて大いなる差異が存在することが知られてい
る。 By the way, looking at the temperature coefficient that causes the drift due to temperature fluctuations, the varactor diode 5 and each capacitor 7, 8, 9, 10 hardly change between the low channel and the high channel. It is known that there are large differences in the parameters of the oscillation transistor 11 depending on the frequency band used.
したがつて、ある程度の温度変動によるドリフ
トの補償をした後においても、第２図に明示され
るように温度変動による発振周波数のドリフト量
の変化特性は、低チヤンネルと高チヤンネルとで
は変化する場合が多く、例えば低チヤンネルのド
リフト量が高チヤンネルに比べて大きい場合、低
チヤンネルのドリフト量をさらに補償しようとす
ると高チヤンネルでは過補償となり、反対にドリ
フト量が増加してしまう欠点があつた。 Therefore, even after compensating for drift due to temperature fluctuations to a certain extent, the change characteristics of the amount of drift in the oscillation frequency due to temperature fluctuations may change between low channels and high channels, as shown in Figure 2. For example, when the amount of drift in the low channel is larger than that in the high channel, if the amount of drift in the low channel is further compensated, the amount of drift in the high channel will be overcompensated, and the amount of drift will increase.
本考案は上述のような欠点を除去すべくなした
考案であつて、図面につきその詳細を説明する。 The present invention is designed to eliminate the above-mentioned drawbacks, and will be described in detail with reference to the drawings.
第１図に示すような電子同調チユーナの局部発
振回路において、低，高両チヤンネルの切換え用
のスイツチングダイオード３に着目すると、低チ
ヤンネルの受信時に、該スイツチングダイオード
には端子４から負電圧である逆方向バイアス電圧
が印加されてオフ状態となつているが、前記スイ
ツチングダイオード３の逆方向接合容量が高チヤ
ンネル用同調コイル２を通じて同調共振回路の一
部分を構成している。 In the local oscillation circuit of an electronically tuned tuner as shown in Fig. 1, focusing on the switching diode 3 for switching between the low and high channels, when receiving the low channel, the switching diode receives a negative voltage from the terminal 4. A reverse bias voltage is applied to turn it off, but the reverse junction capacitance of the switching diode 3 forms part of a tuned resonant circuit through the high channel tuning coil 2.
いま、スイツチングダイオード３の逆方向接合
容量をＣjとすれば、
Ｃj＝Ｋ／（ＶＯ＋ＶＲ）〓
の関係式が存在する。ここで、Ｋは比例定数、Ｖ
Oはスイツチングダイオード３の接合電位、ＶRは
逆方向バイアス電圧で、前記スイツチングダイオ
ード３のアノードを基準にした時のカソードの電
圧値であり、またγは前記スイツチングダイオー
ド３の接合によつて決まる定数である。すなわ
ち、逆方向接合容量Ｃjは逆方向バイアス電圧ＶR
に依存し、該電圧ＶRが大きい程逆方向接合容量
Ｃjは小さくなる。 Now, if the reverse junction capacitance of the switching diode 3 is C j , the following relational expression exists: C j =K/(V O +V R ). Here, K is the proportionality constant, V
O is the junction potential of the switching diode 3, V R is the reverse bias voltage, which is the voltage value of the cathode when the anode of the switching diode 3 is referenced, and γ is the junction potential of the switching diode 3. It is a constant determined by That is, the reverse junction capacitance C j is the reverse bias voltage V R
The larger the voltage V R is, the smaller the reverse junction capacitance C j becomes.
一般的に、スイツチングダイオード３として
は、その逆方向接合容量は回路構成上小さいこと
が要求されており、実際の使用に際しても、逆方
向バイアス電圧を大きくして接合容量をできる限
り小さくするように計られる。 Generally, the switching diode 3 is required to have a small reverse junction capacitance due to its circuit configuration, and in actual use, the reverse bias voltage is increased to minimize the junction capacitance. It is measured in
本考案は、前述の説明で明らかなようにスイツ
チングダイオード３の逆方向接合容量は、低チヤ
ンネルの受信時のみ局部発振周波数に影響を与え
ること、及び上記のごとく電圧依存性を有するこ
とを利用して、逆方向バイアス電圧ＶRを比較的
小さくとり、前記逆方向接合容量が発振周波数に
与える影響を大きくした上で、前記逆方向バイア
ス電圧ＶRに温度に対する依存性をもたせて、低
チヤンネルのみを独立して温度変動によるドリフ
トの補償をしようとしたものである。 The present invention utilizes the fact that, as is clear from the above explanation, the reverse junction capacitance of the switching diode 3 affects the local oscillation frequency only when receiving a low channel, and that it has voltage dependence as described above. Then, the reverse bias voltage V R is set relatively small, the influence of the reverse junction capacitance on the oscillation frequency is increased, and the reverse bias voltage V R is made to have temperature dependence. This is an attempt to compensate for drift due to temperature fluctuations independently.
さらに、これを具体的に説明すると、温度変動
によるドリフト量が低チヤンネルと高チヤンネル
とで第２図に示すような変化特性を呈する場合、
スイツチングダイオード３に印加する逆方向バイ
アス電圧ＶRに対して第３図に示すような温度変
動に依存するような特性をもたせることにより、
負の容量温度係数を実現することができ、この結
果第４図に示すように高チヤンネルの温度変動に
よるドリフト量を増加させることなく低チヤンネ
ルのドリフト量を独立して減少させることができ
る。 Furthermore, to explain this more specifically, when the amount of drift due to temperature fluctuation exhibits a change characteristic as shown in Fig. 2 between low channels and high channels,
By giving the reverse bias voltage V R applied to the switching diode 3 a characteristic that depends on temperature fluctuations as shown in FIG.
A negative temperature coefficient of capacitance can be achieved, and as a result, as shown in FIG. 4, the amount of drift in low channels can be independently reduced without increasing the amount of drift due to temperature fluctuations in high channels.
なお、本考案の適用される第１図に示す局部発
振回路においては、スイツチングダイオード３に
そのアノード側へ端子４から逆方向バイアス電圧
としての負電圧を印加しているが、これに反して
前記スイツチングダイオード３のカソード側に正
電圧を印加するようにしても、該正電圧からなる
逆方向バイアス電圧に温度依存性をもたせること
により、同様の結果が得られることは容易に理解
され得る。 Note that in the local oscillation circuit shown in FIG. 1 to which the present invention is applied, a negative voltage as a reverse bias voltage is applied to the anode side of the switching diode 3 from the terminal 4; It can be easily understood that even if a positive voltage is applied to the cathode side of the switching diode 3, the same result can be obtained by making the reverse bias voltage made of the positive voltage temperature dependent. .
以上詳述したように、本考案によれば、電子同
調チユーナの局部発振回路内に設けられるスイツ
チングダイオードのバイアス電圧入力端子に、低
チヤンネル選択時にドリフト量を補償する温度依
存性を有する逆方向バイアス電圧を供給し、高チ
ヤンネル選択時に順方向バイアス電圧を供給する
構成となした極めて簡単な構成をもつて、周囲温
度の変動によるドリフト量を、低チヤンネルと高
チヤンネルともそれぞれ独立して補償することが
できるようにしたものであるから、容易に電子同
調チユーナの局部発振周波数を安定化することが
できるという優れた効果を奏するものである。 As described in detail above, according to the present invention, the bias voltage input terminal of the switching diode provided in the local oscillation circuit of an electronically tuned tuner is provided with a temperature-dependent reverse bias voltage that compensates for the amount of drift when selecting a low channel. It has an extremely simple configuration in which a bias voltage is supplied and a forward bias voltage is supplied when a high channel is selected, and the amount of drift due to ambient temperature fluctuations is compensated for both the low channel and the high channel independently. Therefore, it has the excellent effect of easily stabilizing the local oscillation frequency of the electronically tuned tuner.
第１図は本考案の適用されるVHF電子同調チ
ユーナの局部発振回路を示す結線図、第２図は局
部発振周波数の温度変動によるドリフト量の変化
特性の一例を示す特性図、第３図は本考案の局部
発振周波数安定化回路に適用するスイツチングダ
イオードの逆方向バイアス電圧に対する温度依存
性の一例を示す特性図、第４図は本考案の局部発
振周波数安定化回路を適用した場合の、局部発振
周波数の温度変動によるドリフト量の変化特性の
一例を示す特性図である。
１……低チヤンネル用同調コイル、２……高チ
ヤンネル用同調コイル、３……スイツチングダイ
オード、５……バラクタダイオード、１１……発
振用トランジスタ、４，６，１２……端子、７，
８，９，１０……コンデンサ。
Fig. 1 is a wiring diagram showing the local oscillation circuit of a VHF electronically tuned tuner to which the present invention is applied, Fig. 2 is a characteristic diagram showing an example of the variation characteristics of the amount of drift due to temperature fluctuation of the local oscillation frequency, and Fig. 3 is A characteristic diagram showing an example of the temperature dependence of the reverse bias voltage of a switching diode applied to the local oscillation frequency stabilization circuit of the present invention, FIG. FIG. 3 is a characteristic diagram showing an example of a change characteristic of the amount of drift due to temperature fluctuation of the local oscillation frequency. 1...Low channel tuning coil, 2...High channel tuning coil, 3...Switching diode, 5...Varactor diode, 11...Oscillation transistor, 4, 6, 12...Terminal, 7,
8, 9, 10... Capacitor.
Claims (1)
び高チヤンネル用同調コイルと、該高チヤンネル
用同調コイルに直列に接続された低チヤンネル及
び高チヤンネルを切換えるスイツチングダイオー
ドと、該スイツチングダイオードに極性の異なる
バイアス電圧を印加して該スイツチングダイオー
ドをオン及びオフに切換えるバイアス電圧入力端
子と、上記低チヤンネル用同調コイルと高チヤン
ネル用同調コイルとの接続点に接続されバイアス
電圧に応じて発振周波数を可変する回路とを設け
られた電子同調チユーナにおいて、上記バイアス
電圧入力端子に上記低チヤンネル選択時にドリフ
ト量を補償する温度依存性を有する逆方向バイア
ス電圧を供給し、上記高チヤンネル選択時に順方
向バイアス電圧を供給する構成としてなる電子同
調チユーナの局部発振周波数安定化回路。 A low channel tuning coil and a high channel tuning coil connected in parallel, a switching diode for switching the low channel and high channel connected in series to the high channel tuning coil, and a switching diode having a different polarity. A bias voltage input terminal that applies a bias voltage to turn the switching diode on and off is connected to the connection point between the low channel tuning coil and the high channel tuning coil, and the oscillation frequency is varied according to the bias voltage. In the electronically tuned tuner, a reverse bias voltage having a temperature dependence that compensates for the amount of drift is supplied to the bias voltage input terminal when the low channel is selected, and a forward bias voltage is supplied to the bias voltage input terminal when the high channel is selected. A local oscillation frequency stabilizing circuit for an electronically tuned tuner configured to supply
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980118762U JPS6134737Y2 (en) | 1980-08-22 | 1980-08-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980118762U JPS6134737Y2 (en) | 1980-08-22 | 1980-08-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5741308U JPS5741308U (en) | 1982-03-05 |
| JPS6134737Y2 true JPS6134737Y2 (en) | 1986-10-09 |
Family
ID=29479438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980118762U Expired JPS6134737Y2 (en) | 1980-08-22 | 1980-08-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134737Y2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5616834Y2 (en) * | 1975-10-14 | 1981-04-20 |
-
1980
- 1980-08-22 JP JP1980118762U patent/JPS6134737Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5741308U (en) | 1982-03-05 |
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