JPS6131979A - Photodetector - Google Patents
PhotodetectorInfo
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- JPS6131979A JPS6131979A JP15276684A JP15276684A JPS6131979A JP S6131979 A JPS6131979 A JP S6131979A JP 15276684 A JP15276684 A JP 15276684A JP 15276684 A JP15276684 A JP 15276684A JP S6131979 A JPS6131979 A JP S6131979A
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- Japan
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- light
- photodetector
- group
- sensor
- incident
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S3/00—Direction-finders for determining the direction from which infrasonic, sonic, ultrasonic, or electromagnetic waves, or particle emission, not having a directional significance, are being received
- G01S3/78—Direction-finders for determining the direction from which infrasonic, sonic, ultrasonic, or electromagnetic waves, or particle emission, not having a directional significance, are being received using electromagnetic waves other than radio waves
- G01S3/782—Systems for determining direction or deviation from predetermined direction
- G01S3/783—Systems for determining direction or deviation from predetermined direction using amplitude comparison of signals derived from static detectors or detector systems
- G01S3/7835—Systems for determining direction or deviation from predetermined direction using amplitude comparison of signals derived from static detectors or detector systems using coding masks
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光ビームの入射位置を検出する光検知器に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a photodetector that detects the incident position of a light beam.
(従来技術)
従来の光検知器は、第5図に示したように、多数のセン
サd、、d2.d、・・・を平面的に配置して光の入射
したセンサから信号を取り出し、あるいは第6図に示し
たように、半導体膜1a、lbの積層体に背面電極2を
設けた一様分布型センサを用いて光入射点から引き出し
電極までの抵抗分R□tR2による電位分割で光入射位
置を検出するように構成されていた。しかしこのように
して検出した信号をマイクロプロセサで情報処理するよ
うな場合は、ビット化回路3や割算回路4、A/D変換
器5等を必要とし、システムが複雑になり、又高価にな
るという欠点があった。(Prior Art) As shown in FIG. 5, a conventional photodetector includes a large number of sensors d, d2 . d, . It was configured to detect the light incident position by using a type sensor and dividing the potential by a resistance R□tR2 from the light incident point to the extraction electrode. However, when the signals detected in this way are processed by a microprocessor, a bit conversion circuit 3, a division circuit 4, an A/D converter 5, etc. are required, making the system complicated and expensive. There was a drawback.
(発明の目的)
本発明は、上記従来技術の欠点を解消するもので、光の
入射位置を直接離散値として検出し、nビットのディジ
タル信号として取り出すようにした光検知器を提供する
ものである。(Object of the Invention) The present invention solves the drawbacks of the prior art described above, and provides a photodetector that directly detects the incident position of light as a discrete value and extracts it as an n-bit digital signal. be.
(発明の構成)
上記目的を達成するために、指数的重みの異なる第1.
第2.第3.・・・、の受光素子群を平面的若しくは層
状に配置し、平面的配置の場合は光の照射形状が各受光
素子群にまたがるような帯状の光を入射させ、また、層
状配置の場合は入射した光がその入射位置にある各群の
受光素千金てに透過するように透光性の受光素子とする
。これにより、光検知器から直接ディジタル信号を取り
出すことができる。(Structure of the Invention) In order to achieve the above object, first .
Second. Third. . . . The light-receiving element groups are arranged in a plane or in a layered manner, and in the case of a planar arrangement, a band-shaped light is incident so that the irradiation shape of the light spans each light-receiving element group, and in the case of a layered arrangement, The light-transmitting light-receiving element is used so that the incident light is transmitted through all the light-receiving elements in each group located at the incident position. This allows a digital signal to be extracted directly from the photodetector.
以下、図面により実施例を詳細に説明する。Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.
(実施例)
第1図は、本発明の一実施例の光検知器11を示したも
ので、第1のセンサ群Dll第2のセンサ群DZT第3
のセンサ群I’at第4のセンサ群り、が平面的に配置
されており、これら各群はそれぞれセンサD1..D□
3.・・・、D2□tozz・・・、OSl・・・、D
41・・・、からなっていて、第2図のように内部接続
されている。(Embodiment) FIG. 1 shows a photodetector 11 according to an embodiment of the present invention, in which a first sensor group Dll, a second sensor group DZT, a third sensor group
A fourth sensor group I'at is arranged in a plane, and each of these groups includes a sensor D1 . .. D□
3. ..., D2□tozz..., OSl..., D
41..., which are internally connected as shown in Fig. 2.
各群には互いに異なる指数的重みがつけられており、例
えば具体的には、第1のセンサ群D□は2°。Each group is given a different exponential weight, for example, the first sensor group D□ is 2°.
第2のセンサ群D2は21.第3のセンサ群D8は22
゜第4のセンサ群D4は23のように各桁に一定の重み
が付けられている。また、これに入射する光は、センサ
群の配列に直交して各群にまたがるような帯状の照射形
状をもつ光とする。この光検知器を使用するにあたって
各センサ群は、群単位でデータバス12に接続される。The second sensor group D2 is 21. The third sensor group D8 is 22
In the fourth sensor group D4, each digit is given a certain weight, such as 23. Further, the light incident thereon has a band-shaped irradiation shape that is perpendicular to the arrangement of the sensor groups and spans each group. When using this photodetector, each sensor group is connected to the data bus 12 in group units.
第3図は、本発明の光検知器11をディジタルマイクロ
フォンに応用した応用例を示したものであり、13は、
例えばLEDやレーザダイオード等の平行性の良好な光
を出射する光源、14は音圧15により撓みを生じ、か
つ光源13から出射された光を反射する膜である。この
膜14は音圧の強さに応じて撓みの程度が異なり、従っ
てその膜に照射された光の反射後の光路が変る。この反
射光を受光する位置に光検知器が配置される。16はエ
ンコーダマスクであり、その下部に光検知器11が配置
されている。反射光はエンコーダマスク16のスリット
に沿って拡がった帯状の光となり、必ずいずれかの一つ
のスリットに入射するようになっている。FIG. 3 shows an example in which the photodetector 11 of the present invention is applied to a digital microphone.
For example, a light source such as an LED or a laser diode that emits light with good parallelism; 14 is a film that is deflected by the sound pressure 15 and reflects the light emitted from the light source 13; The degree of deflection of this film 14 varies depending on the intensity of sound pressure, and therefore the optical path of light irradiated onto the film changes after reflection. A photodetector is placed at a position to receive this reflected light. 16 is an encoder mask, and the photodetector 11 is arranged under the encoder mask. The reflected light becomes band-shaped light that spreads along the slits of the encoder mask 16, and is always incident on one of the slits.
(図では、理解を容易にするために反射光の拡がりを極
端に広くして示している)。(In the figure, the spread of reflected light is shown to be extremely wide for ease of understanding.)
この応用例かられかるように、音圧に応じて生じた膜1
4の撓みによって反射光の入射位置が定まり、その反射
光を1個又は複数個の特定のセンサが受光することによ
ってそのセンサに対応したディジタル信号が直接取り出
され、膜14の撓み量を実時間でディジタル化した量と
して得ることができる。As can be seen from this application example, the membrane 1 formed in response to sound pressure
The deflection of the film 14 determines the incident position of the reflected light, and when one or more specific sensors receive the reflected light, a digital signal corresponding to that sensor is directly extracted, and the amount of deflection of the film 14 is measured in real time. It can be obtained as a digitized quantity.
なお、センサは、アモルファスシリコン等を用いて容易
に形成することができる。Note that the sensor can be easily formed using amorphous silicon or the like.
第4図は、本発明の他の実施例の光検知器18を示した
もので、本実施例では第1のセンサ群D1゜第2のセン
サ群Dll第3のセンサ群D31第4のセンサ群り、は
層状に配置されている。各センサ群は、第2図に示した
ように内部接続され、眉間は分離されている。q一旦は
光入射位置を示しており、入射した光はその直下にある
全てのセンサを透過するように構成されている。このよ
うに多層構成にしても、アモルファスシリコン等を使用
すれば高々1μm位の厚みに形成することができるので
、光が斜めから入射することがあっても眉間の差はほと
んど問題とはならない。FIG. 4 shows a photodetector 18 according to another embodiment of the present invention. In this embodiment, a first sensor group D1, a second sensor group Dll, a third sensor group D31, a fourth sensor The clusters are arranged in layers. Each sensor group is internally connected as shown in FIG. 2, and the glabella is separated. q indicates the light incident position, and the structure is such that the incident light passes through all the sensors directly below it. Even with such a multilayer structure, if amorphous silicon or the like is used, the thickness can be at most about 1 μm, so even if light may be incident obliquely, the difference between the eyebrows will hardly be a problem.
本実施例の場合も第1図の実施例と同様に、光入射位置
を直接離散値として検出し、nビットのディジタル信号
として取り出すことができる。なお、この場合の入射さ
せる光はスポットでよい。In this embodiment, as in the embodiment shown in FIG. 1, the light incident position can be directly detected as a discrete value and extracted as an n-bit digital signal. Note that the incident light in this case may be a spot.
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、光の入射位置を
検出し、その検出信号を直接ディジタル・信号として取
り出すことができるので、システム構成が非常に簡単に
なり、また価格低減に大きく寄与するものである。(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, the incident position of light can be detected and the detected signal can be directly extracted as a digital signal, so the system configuration can be extremely simplified. This greatly contributes to price reduction.
第1図は、本発明の一実施例の光検知器の構成を示す斜
視゛図、第2図は、同検知器の内部接続を示す図、第3
図は、同検知器の応用例を示す図、第4図は、本発明の
他の実施例の光検知器の構成を示す断面図、第5図及び
第6図は、それぞれ従来例の構成を示す図である。
11.18・・・光検知器、 12・・・データバス、
Dl・・・第1のセンサ群、 D2・・・第2のセンサ
群。
D8・・・第3のセンサ群、 D4・・・第4のセンサ
群、D、1.D工2・・・、D2□102□・・・、D
a□・・・、D4、・・・、センサ。
特許出願人 東北リコー株式会社
50515253 5nFIG. 1 is a perspective view showing the configuration of a photodetector according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing internal connections of the photodetector, and FIG.
4 is a sectional view showing the configuration of a photodetector according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are configurations of conventional examples, respectively. FIG. 11.18...Photodetector, 12...Data bus,
Dl...first sensor group, D2...second sensor group. D8... Third sensor group, D4... Fourth sensor group, D, 1. D-work 2..., D2□102□..., D
a□..., D4,..., sensor. Patent applicant Tohoku Ricoh Co., Ltd. 50515253 5n
Claims (2)
検知器において、指数的重みの異なる第1、第2、第3
、・・・、の受光素子群を平面的に配置し、光の照射形
状が前記第1、第2、第3、・・・、の受光素子群にま
たがるような帯状の光を入射させることにより、その入
射位置を直接離散値として検出し、nビットのディジタ
ル信号として取り出すことを特徴とする光検知器。(1) In a detector that receives a light beam and detects the incident position of the beam, the first, second, and third detectors have different exponential weights.
, . . . are arranged in a planar manner, and a band-shaped light is incident such that the light irradiation shape extends over the first, second, third, . . . light-receiving element groups. A photodetector characterized by directly detecting the incident position as a discrete value and extracting it as an n-bit digital signal.
検知器において、指数的重みの異なる第1、第2、第3
、・・・、の透光性受光素子群を層状に配置し、光の入
射位置を直接離散値として検出してnビットのディジタ
ル信号として取り出すことを特徴とする光検知器。(2) In a detector that receives a light beam and detects the incident position of the beam, the first, second, and third detectors have different exponential weights.
A photodetector characterized in that a group of light-transmissive light-receiving elements of , .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15276684A JPS6131979A (en) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | Photodetector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15276684A JPS6131979A (en) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | Photodetector |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6131979A true JPS6131979A (en) | 1986-02-14 |
Family
ID=15547678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15276684A Pending JPS6131979A (en) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | Photodetector |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6131979A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5432350A (en) * | 1977-08-17 | 1979-03-09 | Takashi Katouda | Irradiation angle measuring device |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15276684A patent/JPS6131979A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5432350A (en) * | 1977-08-17 | 1979-03-09 | Takashi Katouda | Irradiation angle measuring device |
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