JPS6131409Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6131409Y2 JPS6131409Y2 JP1981041470U JP4147081U JPS6131409Y2 JP S6131409 Y2 JPS6131409 Y2 JP S6131409Y2 JP 1981041470 U JP1981041470 U JP 1981041470U JP 4147081 U JP4147081 U JP 4147081U JP S6131409 Y2 JPS6131409 Y2 JP S6131409Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias
- track
- value
- recording
- shallow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Signal Processing Not Specific To The Method Of Recording And Reproducing (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、最初に第１のトラツクに深い交流又
は直流バイアスを用い、次に第２のトラツクに浅
い交流又は直流バイアスを用いて記録し、前記深
いバイアスは再生出力レベル／バイアス電流特性
曲線のピーク出力レベルに対するバイアス値より
も大きい値であり、前記浅いバイアスは前記バイ
アス値よりも小さい値であり記録媒体に前記第１
トラツクと前記第２トラツクが一部で重なるよう
に記録しうる二重記録装置であつて、これによつ
て従来不可能とされた同一記録体に二重の記録再
生することが出来る画期的な考案である。
は直流バイアスを用い、次に第２のトラツクに浅
い交流又は直流バイアスを用いて記録し、前記深
いバイアスは再生出力レベル／バイアス電流特性
曲線のピーク出力レベルに対するバイアス値より
も大きい値であり、前記浅いバイアスは前記バイ
アス値よりも小さい値であり記録媒体に前記第１
トラツクと前記第２トラツクが一部で重なるよう
に記録しうる二重記録装置であつて、これによつ
て従来不可能とされた同一記録体に二重の記録再
生することが出来る画期的な考案である。
第１図および第２図は本考案実施例を示し、１
は記録信号発生源、２はバイアス電源、３はバイ
アス電流可変器であり、記録信号発生源１および
バイアス電流可変器２からのバイアス電流が、磁
気シート４上を移動するヘツド７に供給されてシ
ート４に記録するようになつている。
は記録信号発生源、２はバイアス電源、３はバイ
アス電流可変器であり、記録信号発生源１および
バイアス電流可変器２からのバイアス電流が、磁
気シート４上を移動するヘツド７に供給されてシ
ート４に記録するようになつている。
録音は第２図に示す如く、磁気シート４に渦巻
状トラツク５を記録し、次にトラツク５の一部に
重ねて同じ渦巻状トラツク６を記録する場合に、
第３図に示す如くＹ軸を再生出力レベル、Ｘ軸に
バイアス電流をとつた再生出力レベル／バイアス
電流特性曲線に於て、特性曲線のピーク出力レベ
ル７に対するバイアス値より深いバイアス値８で
まず第１トラツク５を記録し、次に前記バイアス
値８よりも浅いバイアス値９で第２トラツク６を
第１トラツクの一部の上にかぶせて記録する。
状トラツク５を記録し、次にトラツク５の一部に
重ねて同じ渦巻状トラツク６を記録する場合に、
第３図に示す如くＹ軸を再生出力レベル、Ｘ軸に
バイアス電流をとつた再生出力レベル／バイアス
電流特性曲線に於て、特性曲線のピーク出力レベ
ル７に対するバイアス値より深いバイアス値８で
まず第１トラツク５を記録し、次に前記バイアス
値８よりも浅いバイアス値９で第２トラツク６を
第１トラツクの一部の上にかぶせて記録する。
この場合の具体的な実施例は下記の通り
磁気シート 抗磁力300±15エルステツド50キロ
ヘルツに於いて−50DB入力に対し、ピ
ーク出力−20DB、ピークバイアス
12MAを使用 実験１ 第１トラツク５…… バイアス8MA 第２トラツク６…… バイアス5MA 第１、第２トラツク共にがさつき音質悪
し 実験２ 第１トラツク５…… バイアス9MA 第２トラツク６…… バイアス15MA 第１トラツクが切断され分離再生が出来
ず 実験３ 第１トラツク５…… バイアス20MA 第２トラツク６…… バイアス20MA 第１、第２トラツク共に低く、かつ第１
トラツクが切断されて分離再生が出来ず 実験４ 第１トラツク５…… バイアス17MA （録音電流1.5〜2MA） 第２トラツク６…… バイアス８〜10MA 第１トラツク、第２トラツク共に切断さ
れることなく音質よく、分離再生され
る。
ヘルツに於いて−50DB入力に対し、ピ
ーク出力−20DB、ピークバイアス
12MAを使用 実験１ 第１トラツク５…… バイアス8MA 第２トラツク６…… バイアス5MA 第１、第２トラツク共にがさつき音質悪
し 実験２ 第１トラツク５…… バイアス9MA 第２トラツク６…… バイアス15MA 第１トラツクが切断され分離再生が出来
ず 実験３ 第１トラツク５…… バイアス20MA 第２トラツク６…… バイアス20MA 第１、第２トラツク共に低く、かつ第１
トラツクが切断されて分離再生が出来ず 実験４ 第１トラツク５…… バイアス17MA （録音電流1.5〜2MA） 第２トラツク６…… バイアス８〜10MA 第１トラツク、第２トラツク共に切断さ
れることなく音質よく、分離再生され
る。
第３図に示すごとく、第１トラツクの記録電流
の振幅１０の中心値８と、第２トラツクの記録電
流の振幅１１の中心値９との間がその各振幅の半
分を加えた以上離れた場合が最も良い結果を得る
ことが実験により証明された。
の振幅１０の中心値８と、第２トラツクの記録電
流の振幅１１の中心値９との間がその各振幅の半
分を加えた以上離れた場合が最も良い結果を得る
ことが実験により証明された。
第３図の再生出力レベル／バイアス電流特性曲
線は周知のように記録信号の周波数によつて種々
の特性曲線となるが、再生出力レベル／バイアス
電流特性曲線のピーク出力時のバイアス値７はほ
ぼ浅いバイアス値９と深いバイアス値８との間に
ある。
線は周知のように記録信号の周波数によつて種々
の特性曲線となるが、再生出力レベル／バイアス
電流特性曲線のピーク出力時のバイアス値７はほ
ぼ浅いバイアス値９と深いバイアス値８との間に
ある。
バイアスは交流であるが直流バイアスの場合も
含まれる。
含まれる。
本考案は上記の如きものであるから同一記録体
の上に簡単な操作で二重録音出来、媒体のコスト
を半分にし、且つ記録時間を２倍にすることが出
来又、質問と答えをシートを反転して出すことが
出来る画期的な考案である。
の上に簡単な操作で二重録音出来、媒体のコスト
を半分にし、且つ記録時間を２倍にすることが出
来又、質問と答えをシートを反転して出すことが
出来る画期的な考案である。
上記は実施の一例であつてビデオに応用した
り、渦巻トラツク以外に円弧状トラツクを互いに
逆に重ねる等々この他種々の変形が考えられる
が、これらは全て本考案に含まれるものである。
り、渦巻トラツク以外に円弧状トラツクを互いに
逆に重ねる等々この他種々の変形が考えられる
が、これらは全て本考案に含まれるものである。
第１図は本考案実施例の回路図、第２図は本考
案実施例の平面図、第３図は本考案実施例のバイ
アスカーブのグラフ。
案実施例の平面図、第３図は本考案実施例のバイ
アスカーブのグラフ。
Claims (1)
- 最初に第１のトラツクに深い交流又は直流バイ
アスを用い、次に第２のトラツクに浅い交流又は
直流バイアスを用いて記録し、前記深いバイアス
は再生出力レベル／バイアス電流特性曲線のピー
ク出力レベルに対するバイアス値よりも大きい値
であり、前記浅いバイアスは前記バイアス値より
も小さい値であり記録媒体に前記第１トラツクと
前記第２トラツクが一部で重なるように記録しう
る二重記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981041470U JPS6131409Y2 (ja) | 1981-03-26 | 1981-03-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981041470U JPS6131409Y2 (ja) | 1981-03-26 | 1981-03-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56149317U JPS56149317U (ja) | 1981-11-10 |
| JPS6131409Y2 true JPS6131409Y2 (ja) | 1986-09-12 |
Family
ID=29636858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981041470U Expired JPS6131409Y2 (ja) | 1981-03-26 | 1981-03-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6131409Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-03-26 JP JP1981041470U patent/JPS6131409Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56149317U (ja) | 1981-11-10 |
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