JPS6129014A - 化合物超電導線の製造方法 - Google Patents
化合物超電導線の製造方法Info
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- JPS6129014A JPS6129014A JP59148608A JP14860884A JPS6129014A JP S6129014 A JPS6129014 A JP S6129014A JP 59148608 A JP59148608 A JP 59148608A JP 14860884 A JP14860884 A JP 14860884A JP S6129014 A JPS6129014 A JP S6129014A
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- Japan
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- vapor deposition
- vapor
- deposited
- superconducting
- producing compound
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、蒸着法で得られる化合物超電導体を利用した
超電導線の製造方法に関するものである。
超電導線の製造方法に関するものである。
現在までに優れた特性をもつ超電導材料が作・成されて
いる。例えばＡ１５型化合物のＮ ｂ、 Ｇｅは、２３
、２ Ｋの臨界温ｅ％ ３７Ｔの臨界磁場をもつ。
いる。例えばＡ１５型化合物のＮ ｂ、 Ｇｅは、２３
、２ Ｋの臨界温ｅ％ ３７Ｔの臨界磁場をもつ。
Ｂｌ型化合物のＮｂＮやシェブレル型化合物のＰｂＭｏ
＠Ｓ。
＠Ｓ。
も５０Ｔ以上の臨界磁場をもつ。これらの材料はいずれ
も蒸着法で作成されており、かつ蒸着法でしか上記の様
な高い特性は得られない。ここで蒸着法とは、スパッタ
リング法、真空蒸着法、化学気相蒸着法、液相からの急
冷法など、気相または液相から喚状または粒状の析出物
を得る方法を言う。
も蒸着法で作成されており、かつ蒸着法でしか上記の様
な高い特性は得られない。ここで蒸着法とは、スパッタ
リング法、真空蒸着法、化学気相蒸着法、液相からの急
冷法など、気相または液相から喚状または粒状の析出物
を得る方法を言う。
蒸着法で得られる超電導材料の一般的形状を示せば第５
図の様になる。１はステンレス、ノ１ステロイ、銅、ア
ルミナ、サファイアなどの基板であり、２はＮｂ、Ｇｅ
、ＮｂＮなどの超電導化合物の薄模である。基板を数百
度℃から千度℃の範囲で加熱しておき、この上に気相ま
たは液相状態から蒸着することで高い臨界磁場、高い臨
界温変をもつ化合物超電導材料が得られる。
図の様になる。１はステンレス、ノ１ステロイ、銅、ア
ルミナ、サファイアなどの基板であり、２はＮｂ、Ｇｅ
、ＮｂＮなどの超電導化合物の薄模である。基板を数百
度℃から千度℃の範囲で加熱しておき、この上に気相ま
たは液相状態から蒸着することで高い臨界磁場、高い臨
界温変をもつ化合物超電導材料が得られる。
しかしながら実用的な超電導材料であるためには、もう
１つ重大な要件力Ｓある。それは強磁界中においても大
電流を流しうる、即ち十分高い臨界電流密度をもつこと
である。従来法による第５図の様な形状ではたとえ短尺
の試料で高い特性が得られたきしても、数百ｍ ＝ ’
ｊｐｚ Ｋ ｍの長尺の超電導線またはテープを用いる
マグネットでは短尺の試料から期待されるよりもずっと
悪い特性しか示さず、はとんど電流を流すことができな
かった。実用材料はこの様な不安定性をもっていてはな
らない。
１つ重大な要件力Ｓある。それは強磁界中においても大
電流を流しうる、即ち十分高い臨界電流密度をもつこと
である。従来法による第５図の様な形状ではたとえ短尺
の試料で高い特性が得られたきしても、数百ｍ ＝ ’
ｊｐｚ Ｋ ｍの長尺の超電導線またはテープを用いる
マグネットでは短尺の試料から期待されるよりもずっと
悪い特性しか示さず、はとんど電流を流すことができな
かった。実用材料はこの様な不安定性をもっていてはな
らない。
不安定性を回避する手段としてはＭｉ電導体を数十μｍ
径の極細多芯、腺とする方法が最も有効である。現在こ
の極細多芯化はＮｂＴｉ、Ｎｂ！ｌＳｎの実用超電導線
に用いられているが、その製造方法はいずれも熱拡散法
などの平衡反応を利用したものである。この方法以外で
は、極細多芯化が行なわれた例はない。
径の極細多芯、腺とする方法が最も有効である。現在こ
の極細多芯化はＮｂＴｉ、Ｎｂ！ｌＳｎの実用超電導線
に用いられているが、その製造方法はいずれも熱拡散法
などの平衡反応を利用したものである。この方法以外で
は、極細多芯化が行なわれた例はない。
一方、前述したＮｂ１Ｇｅ、Ｎ１）Ｎなどの高い特性を
もつ化合物超電導材料は、蒸着法など非平衡反応でしか
得られず、熱拡散法などの平衡反応によったのでは非常
に低い特性しか得られない。
もつ化合物超電導材料は、蒸着法など非平衡反応でしか
得られず、熱拡散法などの平衡反応によったのでは非常
に低い特性しか得られない。
こうした理由により蒸着法で得られるＮｂ、Ｇｅ。
ＮｂＮ などの超電導材料は優れた特性をもつにもかか
わらず、極細多芯化ができないため、実用的な線または
テープとして存在できなかった。極細多芯化が可能々な
れば実用材となり得るため、従来にない強磁界マグネッ
トが得られる。このためその実用化手段が多方面から望
まれていた。
わらず、極細多芯化ができないため、実用的な線または
テープとして存在できなかった。極細多芯化が可能々な
れば実用材となり得るため、従来にない強磁界マグネッ
トが得られる。このためその実用化手段が多方面から望
まれていた。
本発明はこうした点に鑑み上述した従来の蒸着超電導材
料の実用化上最大の難点であった不安定性を解消するべ
く、極細多芯化された蒸着超電導材料を得るものである
。
料の実用化上最大の難点であった不安定性を解消するべ
く、極細多芯化された蒸着超電導材料を得るものである
。
本発明の方法は次の通りである。まず％第１図に示す様
に基板１の上にＮｂ、Ｇｏ、ＮｂＮなどの化合物超電導
材料を蒸着する。ただし、この時、生成するｌｉ２’は
アモルファス又はｂｅｅ （体心立方晶）構造となる条
件で蒸着する。この条件は物質によって異なるが、Ａ１
５相やＢ１相の超電導を示す結晶構造がで去る基板の湛
塵よりも低温で蒸着すればよい。
に基板１の上にＮｂ、Ｇｏ、ＮｂＮなどの化合物超電導
材料を蒸着する。ただし、この時、生成するｌｉ２’は
アモルファス又はｂｅｅ （体心立方晶）構造となる条
件で蒸着する。この条件は物質によって異なるが、Ａ１
５相やＢ１相の超電導を示す結晶構造がで去る基板の湛
塵よりも低温で蒸着すればよい。
この様にして得られた噂に対して、レーザービー“３を
第１図の様に照射する・′−ザービー″（があたった個
所は高温に加熱されるため、容易にＡ１５相やＢｌ相な
どの超電導を示す結晶構造に変１ヒする。このビームを
蒸着テープに対して、掃引するか、蒸着テープをビーム
に対して移動させれば、レーザービームは通常数μｍか
ら数十μｍであるため、極細多芯化された蒸着テープが
得られる。
第１図の様に照射する・′−ザービー″（があたった個
所は高温に加熱されるため、容易にＡ１５相やＢｌ相な
どの超電導を示す結晶構造に変１ヒする。このビームを
蒸着テープに対して、掃引するか、蒸着テープをビーム
に対して移動させれば、レーザービームは通常数μｍか
ら数十μｍであるため、極細多芯化された蒸着テープが
得られる。
不安定性を解消するため、極細多芯線をツイストするこ
ともあるが、本方法によればビームを基板に対して撮ら
すことによりさらに第２図にホすごとく、極細多芯化と
同時にツイストすることもできる。
ともあるが、本方法によればビームを基板に対して撮ら
すことによりさらに第２図にホすごとく、極細多芯化と
同時にツイストすることもできる。
基板としてはテープ状のものばかりでなく第３図、第４
図の如く線状のものも使用できる。
図の如く線状のものも使用できる。
また、アモルファス、、ｂｅｅ 相の蒸着とその後の
レーザービーム加熱を複数回交互に繰り返すことにより
多層構造の超電導線をつくることもできる。
レーザービーム加熱を複数回交互に繰り返すことにより
多層構造の超電導線をつくることもできる。
以上の様に本発明によれば、高特性の蒸着法超電導材料
の極細多芯化が可能となり、実用化最大の難□点であっ
た不安定性を除くことができる。
の極細多芯化が可能となり、実用化最大の難□点であっ
た不安定性を除くことができる。
第１図、第２１ツ１．第３図、第４図は、本発明による
蒸着超電導材料作成の方法を示す斜視図、第り図は従来
の蒸着法で得られる蒸着超電導体の斜視図である。 １・・・基板、２・・・蒸着超電導嗅、２′・・・アモ
ルファスまたはｂｅｅ相の蒸着嗅、３・・・レーザービ
ーム。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（ばか１名）第５図 ？
蒸着超電導材料作成の方法を示す斜視図、第り図は従来
の蒸着法で得られる蒸着超電導体の斜視図である。 １・・・基板、２・・・蒸着超電導嗅、２′・・・アモ
ルファスまたはｂｅｅ相の蒸着嗅、３・・・レーザービ
ーム。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（ばか１名）第５図 ？
Claims (1)
- 蒸着法により作成したアモルファスまたはｂｃｃ構造の
蒸着膜に対して、レーザー加熱を行ないその一部を超電
導性を有する相へ変態せしめ極細多芯化する化合物超電
導線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59148608A JPS6129014A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 化合物超電導線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59148608A JPS6129014A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 化合物超電導線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129014A true JPS6129014A (ja) | 1986-02-08 |
Family
ID=15456576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59148608A Pending JPS6129014A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 化合物超電導線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129014A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465715A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-13 | Furukawa Electric Co Ltd | Manufacture of superconductor molding |
| EP0436698A1 (en) * | 1989-07-27 | 1991-07-17 | Cornell Res Foundation Inc | SUPERCONDUCTING LINEAR ACCELERATOR CHARGED WITH A SAPPHIRE CRYSTAL. |
-
1984
- 1984-07-19 JP JP59148608A patent/JPS6129014A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465715A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-13 | Furukawa Electric Co Ltd | Manufacture of superconductor molding |
| EP0436698A1 (en) * | 1989-07-27 | 1991-07-17 | Cornell Res Foundation Inc | SUPERCONDUCTING LINEAR ACCELERATOR CHARGED WITH A SAPPHIRE CRYSTAL. |
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