JPS61288478A - Semiconductor laser driving method - Google Patents

Semiconductor laser driving method

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JPS61288478A
JPS61288478A JP13061985A JP13061985A JPS61288478A JP S61288478 A JPS61288478 A JP S61288478A JP 13061985 A JP13061985 A JP 13061985A JP 13061985 A JP13061985 A JP 13061985A JP S61288478 A JPS61288478 A JP S61288478A
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JP
Japan
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laser
laser diode
semiconductor laser
semiconductor
optical output
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Pending
Application number
JP13061985A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhisa Murata
和久 村田
Hiroshi Nakatsu
弘志 中津
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPS61288478A publication Critical patent/JPS61288478A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable to control driving of semiconductor lasers so as to uniform the light output irrespective of the interference between the laser lights, by lighting two or more semiconductor lasers sequentially, and by controlling each semiconductor laser so as to become a given light output. CONSTITUTION:When only the laser diode LD1 is driven, the switches SW1, SW3 are made off, and the switches SW2, SW4 are made on. Thus the transistor Tr1 may be conducted, and the collector current of the transistor Tr1 is flowed into the laser diode LD1, lighting only the laser diode LD1. The laser light from the laser diode LD1 may be received by the photo diode 1, and the laser light output of the laser diode 1 may be set by regulating the resistance value of the variable resistor VR. At this time, since the switch SW2 is conducted, the light current is fed back. Accordingly, the laser diode LD1 can be controlled so as to provide an uniform light output.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、たとえばレーザプリンタや光ディスクの高速
処理などに有利に用いられる半導体レーザ駆動方法に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser driving method that is advantageously used in, for example, laser printers and high-speed processing of optical discs.

背景技術 従来からの半導体レーザ駆動方法は、1個の半導体レー
ザと、半導体レーザがらのレーザ光を受光する1個のP
INホトダイオードとを同一のパラて・半導体レーザが
一定の光出力となるように制御している。このような半
導体レーザ駆動方法では、使用される半導体レーザの数
は1個であり・大きい光出力を得ることができず、した
がってレーザプリンタや光ディスクの高速処理などに適
さない。そこで1つのパッケージ内に2個以上の半導体
レーザを内蔵して、より大きい光出力を得ることが考え
られるが、同時に2個以上の半導体レーザを点灯する場
合、レーザ光が互いに干渉を起こし、光電流のフィード
バックによって、半導体レーザが一定の光出力となるよ
うに制御することが困難となる。
BACKGROUND ART A conventional semiconductor laser driving method uses one semiconductor laser and one P that receives laser light from the semiconductor laser.
The IN photodiode and the same parallax/semiconductor laser are controlled to have a constant optical output. In such a semiconductor laser driving method, only one semiconductor laser is used and a large optical output cannot be obtained, and therefore it is not suitable for laser printers or high-speed processing of optical discs. Therefore, it is conceivable to build two or more semiconductor lasers into one package to obtain a larger optical output, but when two or more semiconductor lasers are turned on at the same time, the laser beams interfere with each other and the light Current feedback makes it difficult to control the semiconductor laser to provide constant optical output.

発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は9、上述の技術的課題を解決し、2個以
上の半導体レーザな用いることができ、かつ半導体レー
ザを一定の光出力となるように駆動することができるよ
うにした半導体レーザ駆動方法に関する。
Problems to be Solved by the Invention The purpose of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems, to be able to use two or more semiconductor lasers, and to drive the semiconductor lasers to have a constant optical output. The present invention relates to a semiconductor laser driving method that makes it possible to drive a semiconductor laser.

問題点を解決するための手段 太DRfll+mToszAシ翫it&嘗/−41b半
導体レーザからのレーザ光を受光する受光素子と、 半導体レーザを順次的に駆動して、各半導体レーザが所
定の光出力となるように制御する手段とを含むことを特
徴とす゛る半導体レーザの駆動方法。
Means for solving the problem: A light-receiving element that receives the laser light from the semiconductor laser, and a light-receiving element that receives the laser light from the semiconductor laser.The semiconductor lasers are sequentially driven so that each semiconductor laser has a predetermined optical output. 1. A method for driving a semiconductor laser, comprising: means for controlling the semiconductor laser so as to control the semiconductor laser.

作  用 本発明に従えば、2個以上の半導体レーザがそれぞれ一
定の光出力となるように駆動することが可能となる。
Function According to the present invention, it is possible to drive two or more semiconductor lasers so that each has a constant optical output.

実施例 図面は、本発明の一実施例の電気回路図である。Example The drawing is an electrical circuit diagram of an embodiment of the present invention.

電11Vcc(たとえば+5V)は、ライン!1と抵抗
R1と、トランジスタTri  と、抵抗R2と、レー
ザダイオードLDIと、ライン!2との直列回路を介し
て接地される。電源VCCはまたライン!1と、抵抗R
3と、トランジスタTr2  と、抵抗R4とレーザダ
イオードLD2とライン12との直列回路を介して接地
される。レーザダイオードLD1.LD2からの各レー
ザ光は、PINホトダイオード1(以下ホトダイオード
と呼ぶ)によって受光される。ホトダイオード1のカソ
ード側は、ラインノ3からライン!2を介して接地され
、その7ノード側は、ラインノ4から可変抵抗器VRを
介してラインJ!5を経て電源Vε[(たとえば−5v
)に接続される。ホトダイオード1と、可変抵抗器VR
とを接続するライン14の途中の接続点2は、切換スイ
ッチSW2を介して電界効果型トランジスタ(F E 
T )3のベースに接続されるとともに、コンデンサC
1を介してライン15に接続される。電界効果型トラン
ジスタ3の°ソー入側は、ラインノロから抵抗R5を介
して電源Vc c IIのライン!1に接続され、また
ドレイン側は、ツェナーダイオード4を介して電源■E
EgAのラインJ!5に接続される。電界効果間トラン
ジスタ3と、抵抗R5との間のフィン!6の接続点7は
、切換スイッチSW1とコンデンサC2との並列回路を
介して接地される。また接続点7とコンデンサC2との
間の接続点18は、トランジスタTRIのベースに接続
される。
Electrical power 11Vcc (for example +5V) is line! 1, resistor R1, transistor Tri, resistor R2, laser diode LDI, and line! It is grounded through a series circuit with 2. Power supply VCC is also a line! 1 and resistance R
3, a transistor Tr2, a resistor R4, a laser diode LD2, and a line 12 in series. Laser diode LD1. Each laser beam from the LD 2 is received by a PIN photodiode 1 (hereinafter referred to as a photodiode). The cathode side of photodiode 1 is line 3 to line! 2, and its 7 node side is connected to line J! from line No. 4 through variable resistor VR. 5, the power supply Vε[(for example -5v
). Photodiode 1 and variable resistor VR
The connection point 2 in the middle of the line 14 connecting the
T ) 3 is connected to the base of capacitor C
1 to line 15. The input side of the field effect transistor 3 is connected to the power supply Vc c II line from the line through the resistor R5! 1, and the drain side is connected to the power supply ■E through the Zener diode 4.
EgA's line J! Connected to 5. Fin between field effect transistor 3 and resistor R5! The connection point 7 of 6 is grounded through a parallel circuit of a changeover switch SW1 and a capacitor C2. Further, the connection point 18 between the connection point 7 and the capacitor C2 is connected to the base of the transistor TRI.

ホトダイオード1と可変抵抗器VRとの間のラィンノ4
の接続点2はまた、切換スイッチSW3を介して電界効
果型トランジスタ8のベースに接続されるとともに、コ
ンデンサC°3を介して電源■εE’(IIのライン!
5に接続される。電界効果型トランジスタ8のソース側
は、ラインノアから抵抗R6を介して電源VCC側のラ
インノ1に接続され、またドレイン側は、ツェナーダイ
オード10を介して、電源■εε側のラインノ5に接続
される。電界効果型トランジスタ8と抵抗R6との間の
ライン77の接続点11は、トランジスタT「2 のベ
ースに接続されるとともに、切換スイッチSW4とコン
デンサC4との並列回路を介して接地される。
Line 4 between photodiode 1 and variable resistor VR
The connection point 2 is also connected to the base of the field effect transistor 8 via the changeover switch SW3, and is also connected to the power supply ■εE' (line ! of II) via the capacitor C°3.
Connected to 5. The source side of the field effect transistor 8 is connected from the line node to line node 1 on the power supply VCC side via a resistor R6, and the drain side is connected to line node 5 on the power source ■εε side via a Zener diode 10. . The connection point 11 of the line 77 between the field effect transistor 8 and the resistor R6 is connected to the base of the transistor T'2, and is also grounded through a parallel circuit of the changeover switch SW4 and the capacitor C4.

以下の一第1表を参照しつつ、本発明に従う半導体レー
ザ駆動方法を説明する。
A semiconductor laser driving method according to the present invention will be explained with reference to Table 1 below.

(以下余白) 第1表 まずレーザダイオードLDIのみをm動するに当たって
は、切換スイッチSWI、SW3をそれぞれ遮断し、切
換スイッチSW2.SW4をそれぞれ導通する。これに
よってトランジスタTriが導通し、トランジスタTr
i  のコレクタ電流がレーザダイオードLDIに流れ
、したがってレーザダイオードLDIのみが点灯する。
(Leaving space below) Table 1 First, when moving only the laser diode LDI, the changeover switches SWI and SW3 are shut off, respectively, and the changeover switches SW2... Each SW4 is made conductive. As a result, the transistor Tri becomes conductive, and the transistor Tr
A collector current of i flows through the laser diode LDI, so only the laser diode LDI lights up.

レーザダイオードLDIからのレーザ光は、ホトダイオ
ード1によって受光され、可変抵抗器VRの抵抗値を調
整して、レーザダイオードLDIのレーザ光の出力を設
定する。このとき切換スイッチSW2が導通しているた
め、光電流がフィードバックされ、これによってレーザ
ダイオードLDIは、一定の光出力となるように制御さ
れる。
The laser light from the laser diode LDI is received by the photodiode 1, and the resistance value of the variable resistor VR is adjusted to set the output of the laser light from the laser diode LDI. At this time, since the changeover switch SW2 is conductive, the photocurrent is fed back, and thereby the laser diode LDI is controlled to have a constant optical output.

次にレーザダイオードLDIの光出力を設定した後、切
換スイッチSWI、SW3をそれぞれ導通し、切換スイ
ッチSW2.SW4をそれぞれ遮断すると、トランジス
タTr2  が導通し、トランジスタTr2  のコレ
クタ電流がレーザダイオードLD2に流れ、レーザダイ
オードLD2のみが点灯する。このときレーザダイオー
ドLDIは点灯しておらず、レーザダイオードLD2の
光出力は可変抵抗器VRによって定められた光出力とな
るように制御される。このとき切換スイッチSW3が導
通しているため、光電流がフィードバックされ、これに
よってレーザダイオードLD2は一定の光出力となるよ
うに制御される。こうして切換スイッチSW1〜SW4
を切換えることによって、各レーザダイオードLDI、
LD2は、可変抵抗器VRの設定値に基づいた一定の光
出力をそれぞれ得ることができる。
Next, after setting the optical output of the laser diode LDI, the changeover switches SWI and SW3 are turned on, respectively, and the changeover switches SW2. When SW4 is cut off, the transistor Tr2 becomes conductive, the collector current of the transistor Tr2 flows to the laser diode LD2, and only the laser diode LD2 lights up. At this time, the laser diode LDI is not lit, and the optical output of the laser diode LD2 is controlled to be the optical output determined by the variable resistor VR. At this time, since the changeover switch SW3 is conductive, the photocurrent is fed back, and thereby the laser diode LD2 is controlled to have a constant optical output. In this way, the changeover switches SW1 to SW4
By switching each laser diode LDI,
The LD2 can each obtain a constant optical output based on the set value of the variable resistor VR.

次にレーザダイオードLD1.LD2を共に点灯して、
大きい光出力を得るにあたっては、切換スイッチSW1
〜SW4を総て遮断状態とすればよい。レーザダイオー
ドLDI、LD2からの各レーザ光は、相互に干渉し合
いホトダイオード1によって受光されるが、切換スイッ
チSW2お上 。
Next, the laser diode LD1. Turn on LD2 together,
To obtain large optical output, selector switch SW1
~ SW4 may all be set to the cut-off state. The laser beams from the laser diodes LDI and LD2 interfere with each other and are received by the photodiode 1, but when the changeover switch SW2 is turned on.

vSW3は連断されているため、レーザダイオードLD
1.LD2に光電流がそれぞれフィードバックされるこ
とがない。したがってレーザダイオードLDI、LD2
は可変抵抗器VRによって設定された一定の光出力で駆
動制御されることとなる。
Since vSW3 is disconnected, the laser diode LD
1. No photocurrent is fed back to the LD2. Therefore, the laser diodes LDI, LD2
is driven and controlled with a constant optical output set by a variable resistor VR.

このようにすれば1つのパッケージ内にレーザダイオー
ドLDIおよびLD2を内蔵させ、1個のホトダイオー
ド1によって受光する構成であっても、各レーザ光が相
互に干渉されるか否かにかかわらず、レーザダイオード
LDI、LD2を一定の光出力で駆動制御することが可
能となる。
In this way, even if the laser diodes LDI and LD2 are built into one package and the light is received by one photodiode 1, the laser beams can be used regardless of whether the laser beams interfere with each other or not. It becomes possible to drive and control the diodes LDI and LD2 with constant optical output.

前記実施例では、2個のレーザダイオードLD1、LD
2を用いて大きい光出力を得ることができるようにした
けれども、これに限定されず、2個以上のレーザダイオ
ードを用いてより大きい光出力を得るような構成であっ
てもよい。この上うな構成にしても、ホトダイオード1
および可変抵抗器VRはそれぞれ1個で足りることとな
り、高コスト化を防ぐことができる。
In the embodiment, two laser diodes LD1, LD
Although a large optical output can be obtained by using two laser diodes, the present invention is not limited to this, and a configuration in which two or more laser diodes are used to obtain a larger optical output may be used. Even with this configuration, the photodiode 1
Since only one variable resistor VR and one variable resistor VR are required, high costs can be prevented.

本発明に従う半導体レーザ駆動方法は、レーザプリンタ
や光ディスクの高速処理などのために用いられるだけで
なく、医療機器など広範囲の技術分野に互って用いられ
ることができる。
The semiconductor laser driving method according to the present invention can be used not only for high-speed processing of laser printers and optical discs, but also for a wide range of technical fields such as medical equipment.

効  果 以上のように本発明によれば、2個以上の半導体レーザ
を順次的に点灯して、各半導体レーザが所定の光出力と
なるように制御するようにしたことによって、レーザ光
の相互の干渉にかかわらず、半導体レーザの光出力が一
定となるように駆動制御することが可能となる。
Effects As described above, according to the present invention, two or more semiconductor lasers are sequentially turned on and controlled so that each semiconductor laser has a predetermined optical output, so that the mutual interaction of laser beams is controlled. It becomes possible to drive and control the semiconductor laser so that its optical output remains constant regardless of interference.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図面は、本発、明の一実施例の電気回路図である。 1・・・PINホトダイオード、3,8・・・電界効果
型トランジスタ、Tri、Tr2・・・トランジスタ、
LDI、LD2・・・レーザダイオード、VR・・・可
変換スイッチ
The drawing is an electrical circuit diagram of an embodiment of the present invention. 1... PIN photodiode, 3, 8... field effect transistor, Tri, Tr2... transistor,
LDI, LD2...Laser diode, VR...Convertible switch

Claims (1)

【特許請求の範囲】 複数の半導体レーザと、 半導体レーザからのレーザ光を受光する受光素子と、 半導体レーザを順次的に駆動して、各半導体レーザが所
定の光出力となるように制御する手段とを含むことを特
徴とする半導体レーザの駆動方法。
[Claims] A plurality of semiconductor lasers, a light receiving element that receives laser light from the semiconductor lasers, and means for sequentially driving the semiconductor lasers so that each semiconductor laser has a predetermined optical output. A method for driving a semiconductor laser, comprising:
JP13061985A 1985-06-14 1985-06-14 Semiconductor laser driving method Pending JPS61288478A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0663709A2 (en) * 1994-01-12 1995-07-19 MILES INC. (an Indiana corporation) A method and apparatus for driving a semi-conductor laser device
JP2001085786A (en) * 1999-07-09 2001-03-30 Sony Corp Laser power-control device, optical head, and optical recording/reproducing device

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