JPS61255176A - Accumulation type image sensor - Google Patents
Accumulation type image sensorInfo
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- JPS61255176A JPS61255176A JP60096067A JP9606785A JPS61255176A JP S61255176 A JPS61255176 A JP S61255176A JP 60096067 A JP60096067 A JP 60096067A JP 9606785 A JP9606785 A JP 9606785A JP S61255176 A JPS61255176 A JP S61255176A
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- photoelectric conversion
- reset
- conversion section
- resetting
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- 238000009825 accumulation Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光電変換部をリセットするためのリセット機
、能を持った蓄積型イメージセンサ−に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an accumulation type image sensor having a reset function for resetting a photoelectric conversion section.
蓄積型イメージセンサ−として、ＭＯＳ型が知られてい
る。これは充電変換部をマトリックス状に配置し、垂直
走査スイッチと水平走査スイッチとを各光電変換部に直
列に接続し、垂直走査シフトレジスタで垂直走査スイッ
チをＯＮにし、そして水平走査シフトレジスタで水平走
査スイッチをＯＮにして、各光電変換部に蓄積されてい
た信号型□荷を読・み出すようにしたものである。A MOS type image sensor is known as an accumulation type image sensor. In this method, charging converters are arranged in a matrix, a vertical scan switch and a horizontal scan switch are connected in series to each photoelectric converter, the vertical scan switch is turned on with a vertical scan shift register, and the horizontal scan switch is turned on with a horizontal scan shift register, and the horizontal scan switch is turned on with a horizontal scan shift register. The scanning switch is turned on to read out the signal type □ charges accumulated in each photoelectric conversion section.
従来の蓄積型イメージセンサ−は、所定の周期で駆動さ
れ、光電変換と読出しとが順次行われるようになってい
る。したがって、信号の読出しにより光電変換部がリセ
ットされるものであるから、リセッ・トに時間がかかる
とともに、任意のタイミングでリセットを行うことがで
きなかった。A conventional storage image sensor is driven at a predetermined cycle, and photoelectric conversion and readout are performed sequentially. Therefore, since the photoelectric conversion section is reset by reading out the signal, it takes time to reset and it is not possible to reset at an arbitrary timing.
本発明は、各光電変換部を任意のタイミングでリセット
することができるようにした蓄積型イメ−ジセンサーを
提供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a storage type image sensor in which each photoelectric conversion section can be reset at any timing.
上記問題点を解決するために、本発明は、各光電変換部
にリセット用スイッチを並列に接続し、このリセット用
スイッチをＯＮにすることにより、各光電変換部に蓄積
されていた信号電荷を吐き出して、これをリセットする
ようにしたものである。In order to solve the above problems, the present invention connects a reset switch in parallel to each photoelectric conversion unit, and turns on the reset switch to release the signal charge accumulated in each photoelectric conversion unit. This is what I did to reset it by spitting it out.
以下、図面を参照して本発明の一実施例について詳細に
説明する。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
光電変換部は、等価的に表されたフォトダイオ □−ド
で構成されており、これらが水平方向と垂直方向に所定
のピッチで配置されている。この実施例では、図面を簡
単にするために、４個のフォトダイオード１０〜１３だ
けが示されている。これらのフォトダイオード１０〜１
３と直列に、水平走査ＭＯＳスイッチ１５〜１８が接続
されている。The photoelectric conversion section is composed of equivalently represented photodiodes, which are arranged at a predetermined pitch in the horizontal and vertical directions. In this example, only four photodiodes 10-13 are shown to simplify the drawing. These photodiodes 10-1
Horizontal scanning MOS switches 15 to 18 are connected in series with 3.
第１行目の水平走査ＭＯＳスイッチ１５．１６のゲート
は、水平走査線２０に接続されている。第２行目の水平
走査ＭＯＳスイッチ１７．１８のゲートは、水平走査線
２１に接続されている。これらの水平走査線２０．２１
は、垂直走査シフトレジスタ２２の出力端子ＤＩ、Ｄ２
にそれぞれ接続されている。The gates of the horizontal scanning MOS switches 15 and 16 in the first row are connected to the horizontal scanning line 20. The gates of the horizontal scanning MOS switches 17 and 18 in the second row are connected to the horizontal scanning line 21. These horizontal scan lines 20.21
are the output terminals DI and D2 of the vertical scanning shift register 22.
are connected to each.
前記フォトダイオード１０〜１３にそれぞれ蓄積された
信号電荷を吐き出して、これらをリセットするために、
これらと並列にリセット用ＭＯＳスイッチ２５〜２８が
それぞれ接続されている。In order to discharge the signal charges accumulated in each of the photodiodes 10 to 13 and reset them,
Reset MOS switches 25 to 28 are connected in parallel with these, respectively.
これらのリセット用ＭＯＳスイッチ２５〜２８のゲート
は、リセットライン３０にそれぞれ接続されている。こ
のリセットライン３０には、コントローラ３１から発生
したリセットパルスが供給される。The gates of these reset MOS switches 25 to 28 are connected to a reset line 30, respectively. A reset pulse generated from a controller 31 is supplied to this reset line 30 .
前記フォトダイオードの列毎に、垂直走査線３３．３４
が設けられており、この垂直走査線３３に水平走査ＭＯ
Ｓスイッチ１５．１７のドレインがそれぞれ接続され、
また垂直走査線３４に水平走査ＭＯＳスイッチ１６．１
８のドイレンがそれぞれ接続されている。この垂直走査
線３３には、垂直走査ＭＯＳスイッチ３６が接続され、
また垂直走査線３４に垂直走査ＭＯＳスイッチ３７が接
続されている。これらの垂直走査ＭＯＳスイッチ３６．
３７のゲートは、水平走査シフトレジスタ３８の出力端
子Ｄ１．Ｄ２にそれぞれ接続されている。For each column of photodiodes, vertical scanning lines 33.34
is provided, and this vertical scanning line 33 is provided with a horizontal scanning MO.
The drains of S switches 15 and 17 are connected respectively,
Also, a horizontal scanning MOS switch 16.1 is connected to the vertical scanning line 34.
Eight drains are connected to each other. A vertical scanning MOS switch 36 is connected to this vertical scanning line 33.
Further, a vertical scanning MOS switch 37 is connected to the vertical scanning line 34. These vertical scan MOS switches 36.
37 is connected to the output terminal D1.37 of the horizontal scanning shift register 38. Each is connected to D2.
次に上記実施例の作用について説明する。コントローラ
３１は、読取り開始信号を受は取ると、リセットライン
３０にリセットパルスを供給して各リセット用ＭＯＳス
イッチ２５〜２８をＯＮにする。これらのリセット用Ｍ
ＯＳスイッチ２５〜２８がＯＮすると、各フォトダイオ
ード１０〜１３のＭＯ３容量に蓄積されていた信号電荷
が吐き出され、これらがリセットされる。Next, the operation of the above embodiment will be explained. When the controller 31 receives the reading start signal, it supplies a reset pulse to the reset line 30 to turn on each of the reset MOS switches 25 to 28. M for resetting these
When the OS switches 25 to 28 are turned on, the signal charges accumulated in the MO3 capacitors of the photodiodes 10 to 13 are discharged, and these are reset.
前記各フォトダイオード１０〜１３がリセットされると
、これらに入射した光が光電変換されて蓄積される。そ
して、最大光量が入射する光電変換部の出力がそのほぼ
飽和値に近くなるように定めた時間だけ電荷蓄積を行っ
た後に、コントローラ３１は、垂直走査シフトレジスタ
２２及び水平走査シフトレジスタ３８にクロックパルス
を送って、各フォトダイオード１０〜１３を順番に走査
する。まず、垂直走査シフトレジスタ２２が第１番目の
出力端子Ｄ１に水平走査パルスを出力し、水平走査ＭＯ
Ｓスイッチ１５．１６のゲートに電圧を印加する。この
状態で、水平走査シフトレジスタ３８は、垂直走査パル
スを各出力端子から順番に出力させて垂直走査ＭＯＳス
イッチ３６．３７を順次ＯＮにする。これにより、まず
フォトダイオード１０に蓄積されている信号電荷が出力
線３９から取り出され、その次にフォトダイオード１１
の蓄積電荷が出力線３９から取り出される。When each of the photodiodes 10 to 13 is reset, the light incident thereon is photoelectrically converted and accumulated. Then, after accumulating charges for a predetermined period of time so that the output of the photoelectric conversion unit on which the maximum amount of light is incident becomes close to its saturation value, the controller 31 sends a clock to the vertical scanning shift register 22 and the horizontal scanning shift register 38. A pulse is sent to scan each photodiode 10-13 in turn. First, the vertical scanning shift register 22 outputs a horizontal scanning pulse to the first output terminal D1, and the horizontal scanning shift register 22 outputs a horizontal scanning pulse to the first output terminal D1.
Apply voltage to the gates of S switches 15 and 16. In this state, the horizontal scanning shift register 38 sequentially outputs vertical scanning pulses from each output terminal and sequentially turns on the vertical scanning MOS switches 36 and 37. As a result, the signal charge accumulated in the photodiode 10 is first taken out from the output line 39, and then the signal charge accumulated in the photodiode 11 is taken out from the output line 39.
The accumulated charge is taken out from the output line 39.
第１行目の信号電荷の取出しが終了すると、垂直走査シ
フトレジスタ２２は、第２番目の出力端子Ｄ２から水平
走査パルスを出力し、この状態で水平走査シフトレジス
タ３８が再び１回走査して、フォトダイオード１２．１
３に蓄積されている信号電荷を出力線３９から取り出す
。When the extraction of the signal charges in the first row is completed, the vertical scanning shift register 22 outputs a horizontal scanning pulse from the second output terminal D2, and in this state, the horizontal scanning shift register 38 scans once again. , photodiode 12.1
The signal charge stored in the signal charger 3 is taken out from the output line 39.
上記実施例は、単色用のものであるが、周知のカラー用
蓄積型イメージセンサ−に対しても本発明を利用するこ
とができるものである。この場合には、色毎にリセット
ラインを設け、色毎に異なったタイミングで光電変換部
をリセットすることも可能である。Although the above embodiment is for a single color image sensor, the present invention can also be applied to a well-known color storage type image sensor. In this case, it is also possible to provide a reset line for each color and reset the photoelectric conversion section at different timings for each color.
上記構成を有する本発明は、各光電変換部にリセット用
スイッチを設けたから、所定のタイミングで、しかも短
時間で各光電変換部をリセットすることができる。In the present invention having the above configuration, since each photoelectric conversion section is provided with a reset switch, each photoelectric conversion section can be reset at a predetermined timing and in a short time.
図面は本発明の一実施例を示す回路図である。
１０〜１３・・フォトダイオード
１５〜１８・・水平走査ＭＯＳスイッチ２０．２１・・
水平走査線
２５〜２８・・リセット用ＭＯＳスイッチ３３．３４・
・垂直走査線
３６．３７・・垂直走査ＭＯＳスイッチ３９・・出力線
。
手続補正書
昭和６０年１２月 ６日The drawing is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. 10-13...Photodiode 15-18...Horizontal scanning MOS switch 20.21...
Horizontal scanning lines 25 to 28...Reset MOS switch 33.34.
- Vertical scanning line 36, 37... Vertical scanning MOS switch 39... Output line. Procedural amendment December 6, 1985
Claims (2)
直走査シフトレジスタと水平走査シフトレジスタとによ
り各光電変換部を走査し、これに蓄積された信号電荷を
読み出す蓄積型イメージセンサーにおいて、 前記光電変換部と並列に、リセット用スイッチを接続し
、このリセット用スイッチをＯＮすることにより、光電
変換部に蓄積されている信号電荷を吐き出すようにした
ことを特徴とする蓄積型イメージセンサー。(1) In an accumulation type image sensor in which a plurality of photoelectric conversion units are arranged in a matrix, each photoelectric conversion unit is scanned by a vertical scanning shift register and a horizontal scanning shift register, and signal charges accumulated therein are read out. A storage type image sensor characterized in that a reset switch is connected in parallel with a photoelectric conversion section, and signal charges accumulated in the photoelectric conversion section are discharged by turning on the reset switch.
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の蓄積型
イメージセンサー。(2) The storage type image sensor according to claim 1, wherein the reset switch is a MOS switch.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096067A JPS61255176A (en) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | Accumulation type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096067A JPS61255176A (en) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | Accumulation type image sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61255176A true JPS61255176A (en) | 1986-11-12 |
Family
ID=14155076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60096067A Pending JPS61255176A (en) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | Accumulation type image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61255176A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442856A (en) * | 1987-08-11 | 1989-02-15 | Nec Corp | Infrared solid-state image sensing element |
| US5399889A (en) * | 1992-05-22 | 1995-03-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor providing output image signal with reduced offset |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP60096067A patent/JPS61255176A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442856A (en) * | 1987-08-11 | 1989-02-15 | Nec Corp | Infrared solid-state image sensing element |
| US5399889A (en) * | 1992-05-22 | 1995-03-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor providing output image signal with reduced offset |
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