JPS61249198A - Sensor unit - Google Patents
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- JPS61249198A JPS61249198A JP60091589A JP9158985A JPS61249198A JP S61249198 A JPS61249198 A JP S61249198A JP 60091589 A JP60091589 A JP 60091589A JP 9158985 A JP9158985 A JP 9158985A JP S61249198 A JPS61249198 A JP S61249198A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、暗視野警報装置と測長装置もしくは速度検出
装置とを具備したセンサー装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a sensor device comprising a dark field warning device and a length measuring device or a speed detecting device.
従来の技術
従来、夜間の警備など暗闇を監視する装置として、赤外
線を利用したいわゆる暗視野警報装置があった。すなわ
ち、発光部から照射された赤外線を遠く離れた受光部が
受け、発光部と受光部の間を何物かがしゃ断すると受光
部でこれを検知するか、あるいは発光部から照射さた赤
外線が何物かに当たって反射してくる赤外線を受光部で
検出して、警報を発するものである。2. Description of the Related Art Conventionally, so-called dark-field alarm devices using infrared rays have been used as devices for monitoring darkness such as night security. In other words, the infrared rays emitted from the light emitting part are received by a light receiving part far away, and if something interrupts the gap between the light emitting part and the light receiving part, the light receiving part detects this, or the infrared rays emitted from the light emitting part are detected. A light receiving unit detects infrared rays that are reflected by an object and issues an alarm.
この暗視野警報装置においては、発光部として一般にG
aAs発光ダイオード等が用いられ、波長1μm前後の
近赤外線が使用されている。また、受光部で赤外線をと
らえる赤外線センサーとして、例えば、PbTi0aな
どの焦電性材料、PbS、InSbなどの赤外光導材料
が用いられているが、これはゲルマニウム、シリコンな
どからなる受光窓の内側に保護され、赤外線はこの受光
窓を透過して赤外線センサーに到達する。In this dark field alarm device, G is generally used as a light emitting part.
An aAs light emitting diode or the like is used, and near-infrared rays with a wavelength of around 1 μm are used. In addition, as an infrared sensor that captures infrared rays at the light receiving part, for example, a pyroelectric material such as PbTi0a, an infrared light guiding material such as PbS, InSb, etc. is used, but this is inside the light receiving window made of germanium, silicon, etc. The infrared rays pass through this light receiving window and reach the infrared sensor.
一方、遠く離れた物体あるいは移動体までの距離を測定
する装置として、マイクロ波を発して物体からの反射波
をとらえ、この反射波の位相から距離を算出するパルス
レーダがある。また、移動体の検知あるいはその移動速
度を検出する装置としては、電磁波や超音波を用いたド
ツプラー効果、すなわち反射波の周波数変化量から速度
を算出するドツプラーレーダがある。On the other hand, as a device for measuring the distance to a distant object or moving object, there is a pulse radar that emits microwaves, captures reflected waves from the object, and calculates the distance from the phase of the reflected waves. Further, as a device for detecting a moving object or its moving speed, there is a Doppler effect using electromagnetic waves or ultrasonic waves, that is, a Doppler radar that calculates the speed from the amount of frequency change of reflected waves.
ところが、近年のレーザ技術のi展、特にエネルギー効
率が高く、数十Wから数十KWまでの大出力が得られる
炭酸ガスレーザの開発に伴って、波長1O16μmの遠
赤外線を用いたパルスレーダおよびドツプラーレーダが
考案されている。However, in recent years in the field of laser technology, especially with the development of carbon dioxide lasers that are highly energy efficient and can produce large outputs from several tens of W to several tens of kilowatts, pulse radar and Doppler radar that use far infrared rays with a wavelength of 1016 μm have been developed. has been devised.
発明が解決しようとする問題点
°暗視野警報装置に、パルスレーダが有する測長機能も
しくはドツプラーレーダが有する速度検出機能が備われ
ば、非常に有効である。ところが、これらの機能を付加
することによって装置の開口部が複数段けられ、装置が
大型化すれば、その設置場所や設置方法に制限を受ける
という問題を生じ、さらに装置の移動が困難になるとい
う問題も生じる。Problems to be Solved by the Invention It would be very effective if the dark field alarm device was equipped with the length measurement function of a pulse radar or the speed detection function of a Doppler radar. However, by adding these functions, the device has multiple openings and the device becomes larger, which creates the problem of restrictions on where and how to install the device, and furthermore makes it difficult to move the device. The problem also arises.
また、暗視野警報に用いられる近赤外線、測長および速
度検出に用いられるマイクロ波あるいは遠赤外線は人間
の眼には見えない波長域の電磁波であるので、これらの
機能を備えた装置を設置する際の位置合せは眼で゛直接
行なうことができず、電気的な出力を観察することによ
って間接的に行なわなければならない。従って、位置合
わせに大きな手間と時間を要するという問題がある。In addition, near-infrared rays used for dark-field warnings, microwaves and far-infrared rays used for length measurement and speed detection are electromagnetic waves in wavelength ranges that are invisible to the human eye, so equipment with these functions should be installed. The actual alignment cannot be done directly by eye, but must be done indirectly by observing the electrical output. Therefore, there is a problem in that alignment requires a great deal of effort and time.
この問題の一つの解決方法として、可視光域のレーザビ
ームを測、長器等の光路と同−又は平行に照射して、そ
の照射スポットにより測定器等の位置決めを行うことが
知られている。As one method to solve this problem, it is known to irradiate a laser beam in the visible light range in the same direction or parallel to the optical path of a measuring instrument, etc., and to position the measuring instrument, etc. using the irradiation spot. .
そこで、暗視野警報と測長あるいは速度検出、移動体検
知の各機能、さらに容易に位置合わせをすることができ
る機能を兼ね備え、かつ小型のセンサー装置の実現が望
まれているが、そのためには、センサー装置の開口部を
一つとし、内部に、暗視野警報のための近赤外線センサ
ーと測長、速度検出又は移動体検知のためのマイクロ波
あるいは遠赤外線センサーと位置合わせのための可視光
センサーを設置し、開口部に設けられた窓を通して暗視
野警報用の波長1μm程度の近赤外線と、測長あるいは
速度検出、移動体検知用のマイクロ波あるいは遠赤外線
と、位置合わせ用の可視光線を照射又は受光、受信する
必要がある。また、このように異なる測定に異なる波長
の電磁波(光及び電波)を使用することは、測定用電磁
波相互の干渉を防止するためにも必要である。Therefore, it is desired to realize a compact sensor device that has functions such as dark field alarm, length measurement or speed detection, and moving object detection, as well as a function that allows easy positioning. , the sensor device has one opening, and inside is a near-infrared sensor for dark-field warning, a microwave or far-infrared sensor for length measurement, speed detection or moving object detection, and visible light for alignment. A sensor is installed, and through a window in the opening, near-infrared light with a wavelength of about 1 μm is emitted for dark-field warning, microwave or far-infrared light for length measurement, speed detection, and moving object detection, and visible light for positioning. It is necessary to irradiate or receive light. Further, the use of electromagnetic waves (light and radio waves) of different wavelengths for different measurements is also necessary in order to prevent interference between measurement electromagnetic waves.
しかしながら、従来の暗視野警報装置の受光窓の材料で
あったゲルマニウム、シリコンは、可視光域から波長1
μmを含む近赤外域(波長0.76〜2.5μm)まで
の透過率は高いが、炭酸ガスレーザの波長1O66μm
を含む遠赤外域(波長2.5μm以上)の透過率が低く
、またマイクb波域も通過し難いという透過スペクトル
を有している。そのため、ゲルマニウム、シリコンから
なる受光窓を用いると、マイクロ波および炭酸ガスレー
ザ光のエネルギーの大部分が受光窓で吸収されてしまう
。However, germanium and silicon, which are the materials for the light receiving window of conventional dark-field alarm devices, are
The transmittance is high in the near-infrared region (wavelength 0.76 to 2.5 μm) including μm, but the wavelength of carbon dioxide laser is 1066 μm.
It has a transmission spectrum in which it has low transmittance in the far infrared region (wavelength of 2.5 μm or more) including the microwave region, and also has difficulty passing through the microphone b-wave region. Therefore, if a light-receiving window made of germanium or silicon is used, most of the energy of the microwave and carbon dioxide laser light will be absorbed by the light-receiving window.
従って、マイクロ波センサーおよび遠赤外線用センサー
でとらえられるエネルギーはわずかなものとなるので高
感度の測長あるいは速度検出、移動体検知を行なうこと
が困難である。Therefore, the energy captured by the microwave sensor and the far-infrared sensor is small, making it difficult to perform highly sensitive length measurement, speed detection, or moving object detection.
そこで、本発明の目的は、暗視野警報の機能と測長もし
くは速度検出・移動体検知の機能と位置合わせの機能が
備った新しいセンサー装置を提供しようとするものであ
り、高感度の測定、検出を可能とする窓材料を提供する
ことにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a new sensor device equipped with a dark field alarm function, a length measurement or speed detection/moving object detection function, and a position alignment function, and which is capable of high-sensitivity measurement. The object of the present invention is to provide a window material that enables detection.
問題点を解決するための手段
本発明のセンサー装置は、第1、第2、第3のセンサー
に共通の開口部を設け、この開口部に窓板を設置し、そ
の窓板を、第1、第2及び第3のセンサーの検知波長域
のすべてに対して透過性な材料で構成したものである。Means for Solving the Problems The sensor device of the present invention provides a common opening for the first, second, and third sensors, a window plate is installed in this opening, and the window plate is connected to the first sensor. , made of a material that is transparent to all detection wavelength ranges of the second and third sensors.
本発明の好ましい態様においては、窓板がZnSから構
成されている。In a preferred embodiment of the present invention, the window plate is made of ZnS.
さらに、第2のセンサーがマイクロ波センサーであって
、ZnSからなる窓の厚さがマイクロ波センサーに検出
されるマイクロ波のZnS中における波長の半分の整数
倍にほぼ等しい値となっている。Further, the second sensor is a microwave sensor, and the thickness of the window made of ZnS is approximately equal to an integral multiple of half the wavelength of the microwave detected by the microwave sensor in ZnS.
また、第2のセンサーは炭酸ガスレーザ光用センサーで
あってもよい。さらに、窓板を構成するZnSが均一化
処理されている。Further, the second sensor may be a sensor for carbon dioxide laser light. Furthermore, the ZnS constituting the window plate has been uniformized.
一作J
このような構成にすることによって、波長1μm程度の
近赤外線は第1のセンサーに、マイクロ波又は遠赤外線
は第2のセンサーに、可視光線は第3のセンサーにそれ
ぞれ感知させることができる。Isaku J With this configuration, near-infrared light with a wavelength of about 1 μm can be detected by the first sensor, microwave or far-infrared light by the second sensor, and visible light by the third sensor. .
従って、第1のセンサーによって暗視野の監視が可能と
なり、第2のセンサーによって測長もしくは移動体検知
、速度検出が可能となり、さらに第3のセンサーによっ
て位置合わせが可能となる。Therefore, the first sensor enables dark field monitoring, the second sensor enables length measurement, moving object detection, and speed detection, and the third sensor enables positioning.
この3つの機能をコンパクトなセンサー装置として具備
するためには、可視光線から遠赤外又はマイクロ波域ま
でを通過させる窓材料が重要である。遠赤外線、特に波
長10.6μm付近まで通過させ、かつマイクロ波も通
過させる材料は、はとんど知られていなかった。我々の
実測からZnSは、可視光線からマイクロ波までを効率
よく通過させることをはじめて確認した材料である。ま
た特に、熱処理等により均一化処理されたZnSは可視
光域から近赤外光域の透過率が高くなるという特質を有
している。In order to provide these three functions as a compact sensor device, it is important to use a window material that allows light to pass from visible light to far infrared or microwave regions. Materials that allow far infrared rays to pass, especially wavelengths around 10.6 μm, and also allow microwaves to pass through are hardly known. Based on our actual measurements, ZnS is the first material to be confirmed to efficiently transmit everything from visible light to microwaves. In particular, ZnS that has been uniformized by heat treatment or the like has a characteristic that its transmittance from the visible light region to the near-infrared light region is high.
第3図、第4図にそれぞれ均一化処理された厚さ5.5
mmの2nS板の赤外光域および可視光域での透過スペ
クトルを示す。Thickness 5.5 after uniformization treatment shown in Figures 3 and 4 respectively
The transmission spectrum of a 2nS plate of mm in the infrared light region and visible light region is shown.
第3図から明らかなように、ZnSは波長が約15μm
よりも短い赤外線域を透過させ、特に炭酸ガスレーザ光
の波長10.6μm付近では高い透過率を示している。As is clear from Figure 3, ZnS has a wavelength of approximately 15 μm.
It transmits infrared rays shorter than that of the carbon dioxide laser beam, and exhibits particularly high transmittance near the wavelength of carbon dioxide laser light of 10.6 μm.
また、第4図から波長0.4〜0.8μmの可視光線も
効率よく透過されることがわかる。Moreover, it can be seen from FIG. 4 that visible light having a wavelength of 0.4 to 0.8 μm is also efficiently transmitted.
また、第1表に6種類の厚さのZnS板の周波数6 G
tlz、 12GHz、 17GHzに対するマイクロ
波特性を示す。ただし、ε、は比誘電率、tanδは誘
電率の損失係数である。このように各°厚さのZnS板
とも各周波数帯において損失係数が小さい、すなわち損
失されるエネルギーが小さいのでマイクロ波が効率よく
透過されることがわかる。In addition, Table 1 shows the frequency of ZnS plates of 6 types of thickness 6G
Microwave characteristics for tlz, 12GHz, and 17GHz are shown. Here, ε is the dielectric constant, and tan δ is the loss coefficient of the dielectric constant. As described above, it can be seen that the ZnS plates of various thicknesses have a small loss coefficient in each frequency band, that is, the lost energy is small, so that microwaves are efficiently transmitted.
第1表
また、ZnS中における使用マイクロ波の波長λは数m
m〜数十市であり、開口部の窓に用いられるZnS板の
厚さとほぼ同程度であるので干渉の現象が無視できない
。すなわち、第5図においてZnS板に入射するマイク
ロ波は上面35で反射波31を生じ、またこの上面35
を透過した波は下面34で再び反射して反射波32とな
って返ってくる。従って、ZnS板による合成反射波3
3はこの反射波31と32の和で表される。いま、上面
35と下面34での反射係数は良く知られたように位相
が反転して等振幅逆位相となるので、干渉により合成反
射波33が最小になる条件は、反射波31と32との伝
播距離の差が波長の整数倍であることであり、次式で与
えられる。Table 1 also shows that the wavelength λ of the microwave used in ZnS is several meters.
Since the thickness is approximately the same as the thickness of the ZnS plate used for the window of the opening, the phenomenon of interference cannot be ignored. That is, in FIG. 5, the microwave incident on the ZnS plate generates a reflected wave 31 on the top surface 35, and
The wave that has passed through is reflected again at the lower surface 34 and returns as a reflected wave 32. Therefore, the composite reflected wave 3 by the ZnS plate
3 is represented by the sum of the reflected waves 31 and 32. Now, as is well known, the phases of the reflection coefficients at the upper surface 35 and the lower surface 34 are reversed, resulting in equal amplitude and opposite phase, so the condition for minimizing the combined reflected wave 33 due to interference is that the reflected waves 31 and 32 The difference in propagation distance is an integral multiple of the wavelength, and is given by the following equation.
2d=nλ ・・・・(1)
ただし、d:ZnS板の厚さ
λ:マイクロ波のZnS中の波長
n:整数
従って、(1)式よりZnS板の厚さdがマイクロ波の
ZnS中での波長λの半分の整数n倍であるときに最も
効率よ<ZnS板がマイクロ波を透過させることになる
。2d=nλ...(1) However, d: Thickness of ZnS plate λ: Wavelength of microwave in ZnS n: Integer Therefore, from formula (1), thickness d of ZnS plate is The ZnS plate transmits microwaves most efficiently when the wavelength is an integral number n times half of the wavelength λ.
なお、ZnS板内での多重反射を考慮した解析において
も同様の条件が得られる。Note that similar conditions can be obtained in an analysis that takes into account multiple reflections within the ZnS plate.
比誘電率ε、を用いて周波数68Hz、 12GHz1
17 G HzにおけるZnS中のマイクロ波の半波長
λ/2を求めると、それぞれほぼ9.0mm、 4.5
mm、 3.1mmとなり、第1表の各試料厚9、Om
m 18. Omm、 26.9mm。Using relative dielectric constant ε, frequency 68Hz, 12GHz1
The half wavelength λ/2 of the microwave in ZnS at 17 GHz is approximately 9.0 mm and 4.5, respectively.
mm, 3.1 mm, and the thickness of each sample in Table 1 is 9, Om.
m 18. Omm, 26.9mm.
24、9mm、 30.8mm、 36.9mmは(1
)式を満足させる値に設定されている。24, 9mm, 30.8mm, 36.9mm are (1
) is set to a value that satisfies the formula.
なお、ZnS板の厚さdの変化による可視光線、赤外線
の各透過スペクトルは透過率測定の結果、あまり変化し
ない。したがってZnS板の厚さdは、使用マイクロ波
の周波数fによって決定される。Note that, as a result of transmittance measurement, the transmission spectra of visible light and infrared rays do not change much due to changes in the thickness d of the ZnS plate. Therefore, the thickness d of the ZnS plate is determined by the frequency f of the microwave used.
すなわち、測長もしくは移動体検知、検出として炭酸ガ
スレーザ光を用いる場合にはZnS板の厚さdは任意の
値でよい。That is, when carbon dioxide laser light is used for length measurement or moving body detection, the thickness d of the ZnS plate may be any value.
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
実施例1
第1図は本発明の一実施例にかかるセンサー装置の開口
部の構成図である。窓lはZnSからなり、可視光線、
赤外線およびマイクロ波を透過するとともに赤外線セン
サー2、マイクロ波センサー3、可視光センサー4を保
護する。そして、その厚さは約9.Ommである。赤外
線センサー2として電荷結合素子(CCD)を用いた。Embodiment 1 FIG. 1 is a configuration diagram of an opening of a sensor device according to an embodiment of the present invention. Window l is made of ZnS, visible light,
It transmits infrared rays and microwaves and protects the infrared sensor 2, microwave sensor 3, and visible light sensor 4. And its thickness is about 9. It is Omm. A charge-coupled device (CCD) was used as the infrared sensor 2.
可視光センサー4は波長0.633μm付近に特に高い
感度を有しているシリコンホトダイオードを使用した。As the visible light sensor 4, a silicon photodiode having particularly high sensitivity around a wavelength of 0.633 μm was used.
ホルダー5は窓1の支持用部材である。He−Neレー
ザによる波長0.633μmの可視光線を用いて装置の
位置合わせを行なった後、GaAs発光ダイオードによ
る波長1μm程度の赤外線および6GHzのマイクロ波
を用いて実験した結果、夜間および8昼において100
m離れた物体を赤外線センサーによって感知し、この1
00 mの距離をマイクロ波センサー3によって測定す
ることができた。The holder 5 is a member for supporting the window 1. After aligning the device using visible light with a wavelength of 0.633 μm from a He-Ne laser, we conducted experiments using infrared light with a wavelength of about 1 μm and microwaves at 6 GHz from a GaAs light emitting diode. 100
An infrared sensor detects an object that is m away, and this one
A distance of 0.00 m could be measured by the microwave sensor 3.
実施例2 第2図は第2の実施例の開口部の構成図である。Example 2 FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the opening of the second embodiment.
この第2の実施例は第1図の実施例においマイクロ波セ
ンサー3の代わりに炭酸ガスレーザ光用センサー6を設
置したものである。炭酸ガスレーザ光用センサー6は波
長1O06μm付近に特に高い感度を有している。炭酸
ガスレーザによる波長10.6μmの赤外域レーザ光お
よびGaAs発光ダイオードによる波長1μm程度の赤
外線を用いて実験した結果、夜間100 m程度離れた
物体を赤外線センサー2によって感知し、この100m
の距離を炭酸ガスレーザ光用センサー6によって測定す
ることが可能であった。In this second embodiment, a carbon dioxide laser light sensor 6 is installed in place of the microwave sensor 3 in the embodiment shown in FIG. The carbon dioxide laser light sensor 6 has particularly high sensitivity around a wavelength of 1006 μm. As a result of experiments using infrared laser light with a wavelength of 10.6 μm from a carbon dioxide laser and infrared light with a wavelength of about 1 μm from a GaAs light emitting diode, the infrared sensor 2 detects objects that are about 100 m away at night, and this 100 m
It was possible to measure the distance by using the carbon dioxide laser light sensor 6.
なお、上記実施例1.2ではマイクロ波あるいは炭酸ガ
スレーザ光を用いて距離測定を行なったが、速度検出、
移動体検知を行なっても同様の効果が得られる。Note that in Example 1.2 above, distance was measured using microwaves or carbon dioxide laser light, but speed detection and
A similar effect can be obtained by detecting a moving object.
また、上記実施例では、暗視野警報用赤外線センサーの
ためにGaAs発光ダイオードを使用したが、InP発
光ダイオード、Ga5h発光ダイオード、CdSnP2
発光ダイオードなどの発光波長の異なる発光ダイオード
を使用することもできる。Further, in the above embodiment, a GaAs light emitting diode was used for the infrared sensor for dark field alarm, but an InP light emitting diode, a Ga5h light emitting diode, a CdSnP2
It is also possible to use light emitting diodes with different emission wavelengths, such as light emitting diodes.
更に、距離測定等に使用するマイクロ波は、GHz帯を
使用しているが、他の波長域も使用可能である。ただし
、マイクロ波の波長が長くなると、窓板の厚さを厚くし
なければならないので、それに伴い減衰も大きくなる。Furthermore, although the microwave used for distance measurement etc. uses the GHz band, other wavelength ranges can also be used. However, as the wavelength of the microwave becomes longer, the thickness of the window plate must be increased, which also increases the attenuation.
そこで、窓板が余りに厚くならない範囲で使用マイクロ
波を決定する。Therefore, the microwave to be used is determined within a range that does not make the window plate too thick.
また、距離測定等に使用する遠赤外線レーザは、炭酸ガ
スレーザに限らず、N20、CN、NH3などの気体ガ
スレーザやPb8口5eTeやpbSn S Seなど
の半導体レーザも使用することができる。Further, the far-infrared laser used for distance measurement etc. is not limited to a carbon dioxide laser, but also gas lasers such as N20, CN, NH3, etc., and semiconductor lasers such as Pb8-5eTe and pbSnSSe can be used.
位置合わせ用の光源としては)Ie −Neレーザの他
、可視光域のレーザ光を発振するアルゴン、Krなどの
気体ガスレーザやCr+3−Al□O8などの固体レー
ザあるいはGaSe、 Ga A+c P [1−II
)などの半導体レーザでもよい。As a light source for alignment, in addition to the Ie -Ne laser, a gas laser such as argon or Kr that oscillates laser light in the visible light range, a solid laser such as Cr+3-Al□O8, or a solid laser such as GaSe, Ga A+c P [1- II
) or other semiconductor lasers may be used.
更に、上記実施例の1つでは、暗視野警報用に近赤外光
を使用し、距離測定等に遠赤外光を使用しているが、そ
れを逆にして、暗視野警報に遠赤外光を使用し、距離測
定等に近赤外光を使用してもよい。Furthermore, in one of the above embodiments, near-infrared light is used for dark-field alarm and far-infrared light is used for distance measurement, etc., but by reversing this, far-infrared light is used for dark-field alarm. Outside light may be used, and near-infrared light may be used for distance measurement, etc.
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、暗視野警報の機能と
ともに、対象物までの距離あるいは移動体の速度を高感
度で測定、検出できる機能および位置合わせの機能を有
し、かつ小型のセンサー装置が実現される。As described in detail, the present invention has a dark field alarm function, a function of measuring and detecting the distance to an object or the speed of a moving object with high sensitivity, and a positioning function. A small sensor device is realized.
従って、本発明によるセンサー装置を夜間の暗視野警報
装置に応用してビル管理などを行なえば非常に有効であ
る。Therefore, it would be very effective to apply the sensor device according to the present invention to a nighttime dark field alarm device for building management, etc.
第1図は本発明の一実施例にかかるセンサー装置の開口
部の構成図、第2図は他の実施例の構成図、第3図、第
4図はZnSの透過スペクトル、第5図はZnS板によ
るマイクロ波の干渉を説明する図である。
(主な参照番号)
1・・窓、 2・・赤外線センサー、
3・・マイクロ波センサー、FIG. 1 is a block diagram of the aperture of a sensor device according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram of another embodiment, FIGS. 3 and 4 are transmission spectra of ZnS, and FIG. It is a figure explaining the interference of the microwave by a ZnS board. (Main reference numbers) 1...Window, 2...Infrared sensor, 3...Microwave sensor,
Claims (6)
る第1のセンサーと、電波域及び赤外線域を含む波長範
囲において前記第1の波長域と異なる第2の波長域を最
高感度波長とする第2のセンサーと、可視光線域にある
第3の波長域を最高感度波長とする第3のセンサーとを
備えたセンサー装置において、 1つの開口部と、該開口部に設けられた窓板とを有し、
該窓板は、前記第1、第2及び第3の波長域において透
過性の材料でつくられており、前記第1、第2、第3の
センサーがそれぞれ前記開口部の内側に設置されている
ことを特徴とするセンサー装置。(1) A first sensor that has its highest sensitivity in a first wavelength range in the infrared range, and a second sensor that has its highest sensitivity in a second wavelength range that is different from the first wavelength range in a wavelength range that includes the radio wave range and the infrared range. A sensor device comprising a second sensor whose wavelength is a wavelength of maximum sensitivity, and a third sensor whose highest sensitivity wavelength is a third wavelength range in the visible light range, the sensor device having one opening and a sensor provided in the opening. It has a window board,
The window plate is made of a material that is transparent in the first, second, and third wavelength ranges, and the first, second, and third sensors are respectively installed inside the opening. A sensor device characterized by:
特許請求の範囲第1項記載のセンサー装置。(2) The sensor device according to claim 1, wherein the second sensor is a microwave sensor.
用マイクロ波の該窓板中における波長の半分の整数倍に
ほぼ等しい値である特許請求の範囲第2項記載のセンサ
ー装置。(3) The sensor device according to claim 2, wherein the thickness of the window plate is approximately equal to an integral multiple of half the wavelength of the microwave used in the microwave sensor in the window plate.
ーである特許請求の範囲第1項記載のセンサー装置。(4) The sensor device according to claim 1, wherein the second sensor is a carbon gas laser beam sensor.
囲第1項ないし第4項のうちいずれか1項に記載のセン
サー装置。(5) The sensor device according to any one of claims 1 to 4, wherein the window plate is made of ZnS.
囲第5項記載のセンサー装置。(6) The sensor device according to claim 5, wherein the ZnS is homogenized.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60091589A JPS61249198A (en) | 1985-04-27 | 1985-04-27 | Sensor unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60091589A JPS61249198A (en) | 1985-04-27 | 1985-04-27 | Sensor unit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61249198A true JPS61249198A (en) | 1986-11-06 |
JPH0412879B2 JPH0412879B2 (en) | 1992-03-05 |
Family
ID=14030734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60091589A Granted JPS61249198A (en) | 1985-04-27 | 1985-04-27 | Sensor unit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61249198A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008241439A (en) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Nec Corp | Bolometer type thz wave detector |
JP2010008092A (en) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | Infrared imaging apparatus and infrared imaging method |
JP2010008093A (en) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | Infrared imaging apparatus and infrared imaging method |
-
1985
- 1985-04-27 JP JP60091589A patent/JPS61249198A/en active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008241439A (en) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Nec Corp | Bolometer type thz wave detector |
JP2010008092A (en) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | Infrared imaging apparatus and infrared imaging method |
JP2010008093A (en) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | Infrared imaging apparatus and infrared imaging method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0412879B2 (en) | 1992-03-05 |
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