JPS6124843B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6124843B2
JPS6124843B2 JP52025953A JP2595377A JPS6124843B2 JP S6124843 B2 JPS6124843 B2 JP S6124843B2 JP 52025953 A JP52025953 A JP 52025953A JP 2595377 A JP2595377 A JP 2595377A JP S6124843 B2 JPS6124843 B2 JP S6124843B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
capacitor
circuit
frequency
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52025953A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS53112011A (en
Inventor
Shigeo Matsura
Toshio Nagashima
Mitsuhisa Shinagawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2595377A priority Critical patent/JPS53112011A/en
Priority to CA298,672A priority patent/CA1111500A/en
Priority to US05/885,978 priority patent/US4160953A/en
Publication of JPS53112011A publication Critical patent/JPS53112011A/en
Publication of JPS6124843B2 publication Critical patent/JPS6124843B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は主としてテレビ受像機用チユーナに使
用して好適な自励振混合回路に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a self-oscillation mixing circuit suitable for use mainly in tuners for television receivers.

従来のテレビ受像機用チユーナの自励振混合回
路を第1図に示す。同図はベース接地方式の自励
振混合回路であり、1は混合用トランジスタ、2
は高周波入力端子、4は中間周波出力端子、5は
電源端子、6は中間周波同調コイル、7および8
は中間周波同調コンデンサ、11,12は局部発
振周波数を決定するコンデンサとコイル、13は
帰還コンデンサである。高周波入力端子2から高
周波信号を入力するとトランジスタ1によつて混
合および増幅され、中間周波同調コイル6およ
び、中間周波同調コンデンサ7,8で構成した中
間周波同調回路によつて中間周波信号のみが端子
4から出力される。また混合動作に必要な局部発
振信号出力はトランジスタ1で発振して得ている
ので、局部発振、混合および増幅が1石のトラン
ジスタ1によつてできるので、部品数が少なくま
た価格も安いなどの利点がある。
FIG. 1 shows a conventional self-oscillation mixing circuit for a tuner for a television receiver. The figure shows a grounded base type self-oscillating mixing circuit, where 1 is a mixing transistor, 2
is a high frequency input terminal, 4 is an intermediate frequency output terminal, 5 is a power supply terminal, 6 is an intermediate frequency tuning coil, 7 and 8
1 is an intermediate frequency tuning capacitor, 11 and 12 are capacitors and coils that determine the local oscillation frequency, and 13 is a feedback capacitor. When a high frequency signal is input from the high frequency input terminal 2, it is mixed and amplified by the transistor 1, and only the intermediate frequency signal is sent to the terminal by an intermediate frequency tuning circuit composed of an intermediate frequency tuning coil 6 and intermediate frequency tuning capacitors 7 and 8. Output from 4. In addition, since the local oscillation signal output necessary for mixing operation is obtained by oscillating with transistor 1, local oscillation, mixing, and amplification can be performed with one transistor 1, which has a small number of components and is inexpensive. There are advantages.

しかし、特性面では、変換利得を大きくとるた
めに、トランジスタ1に流れるエミツタ電流を小
さくすると、混変調妨害特性や相互変調妨害特性
が悪化し、しかも変換利得そのものも十分なもの
ではないなどの欠点がある。特にアメリカ合衆国
におけるテレビ受像機において6チヤネル・カラ
ー・ビート妨害を生じ、この原因は、混合回路の
相互変調妨害特性が悪いことにあり、実用化は困
難であつた。
However, in terms of characteristics, if the emitter current flowing through transistor 1 is reduced in order to increase the conversion gain, the cross-modulation disturbance characteristics and intermodulation disturbance characteristics will deteriorate, and furthermore, the conversion gain itself is not sufficient. There is. Particularly in television receivers in the United States, 6-channel color beat interference occurs, and the cause of this is the poor intermodulation interference characteristics of the mixing circuit, making it difficult to put it into practical use.

第1図の混合回路の特性面での欠点を改善した
回路として従来使用されている混合回路を第2図
に示す。第2図で第1図と同番号は同じ部分を示
しており、また9は混合回路の第2のトランジス
タ、10は第1のトランジスタ1のコレクタと第
2のトランジスタ9のエミツタとの接続点とアー
ス間に接続したコンデンサである。この回路は、
第1のトランジスタ1をエミツタ接地とし、第2
のトランジスタ9をベース接地として、これらを
カスケード接続した、いわゆるカスコード混合回
路である。本回路はエミツタ電流を大きくとれる
ので、混変調妨害・特性および相互変調妨害特性
が良好であり、さらに変換利得が高いなど、第1
図の混合回路の特性面での欠点が改善されてい
る。特に相互変調妨害特性は、コンデンサ10の
容量値を適切に選択することによつて大幅に改善
できる。また変換利得が高いので、一般に混合回
路の前に接続され高周波信号を増幅するための高
周波増幅回路の利得が低くてもチユーナ全体とし
て十分な利得が得られる。このため、混合回路に
入力する高周波信号レベルを低くできるので、混
変調妨害特性や相互変調妨害特性を一層良好にで
きる。上述したように第2図に示した回路は特性
上は良好であるが、局部発振出力を得るために、
少くとも1個のトランジスタを含む局部発振回路
が必要であり、混合回路と局部発振回路を合わせ
ると少くとも3個のトランジスタおよびそのバイ
アス回路などが必要となつて、部品数が多くな
る。
FIG. 2 shows a conventionally used mixing circuit that improves the drawbacks of the mixing circuit shown in FIG. 1 in terms of characteristics. In Figure 2, the same numbers as in Figure 1 indicate the same parts, 9 is the second transistor of the mixed circuit, and 10 is the connection point between the collector of the first transistor 1 and the emitter of the second transistor 9. This is a capacitor connected between and ground. This circuit is
The emitter of the first transistor 1 is grounded, and the second
This is a so-called cascode mixed circuit in which these transistors are connected in cascade with the base of transistor 9 being grounded. Since this circuit can take a large emitter current, it has good cross-modulation interference characteristics and intermodulation interference characteristics, and also has high conversion gain.
The drawbacks of the mixed circuit shown in the figure in terms of characteristics have been improved. In particular, the intermodulation interference characteristics can be significantly improved by appropriately selecting the capacitance value of the capacitor 10. Furthermore, since the conversion gain is high, even if the gain of the high frequency amplifier circuit, which is generally connected before the mixing circuit and is used to amplify the high frequency signal, is low, a sufficient gain can be obtained for the tuner as a whole. Therefore, the level of the high-frequency signal input to the mixing circuit can be lowered, so that cross-modulation interference characteristics and intermodulation interference characteristics can be further improved. As mentioned above, the circuit shown in Figure 2 has good characteristics, but in order to obtain a local oscillation output,
A local oscillation circuit including at least one transistor is required, and the combination of the mixing circuit and the local oscillation circuit requires at least three transistors and their bias circuits, resulting in a large number of components.

本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなく
し、回路構成が簡単で使用トランジスタ数も少な
く、変換利得が高く、しかも混変調妨害特性およ
び相互変調妨害特性が良好である混合回路を提供
するにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the prior art described above, and to provide a mixing circuit that has a simple circuit configuration, uses a small number of transistors, has a high conversion gain, and has good cross-modulation and intermodulation interference characteristics. be.

本発明では、エミツタ接地された第1のトラン
ジスタとベース接地にした第2のトランジスタを
カスケード接続した混変調妨害特性、相互変調妨
害特性および交換利得が良好な混合回路を構成す
るとともに、上記混合用の第1および第2のトラ
ンジスタを使用して局部発振回路をも構成するよ
うにする。
In the present invention, a first transistor whose emitter is grounded and a second transistor whose base is grounded are connected in cascade to constitute a mixing circuit with good intermodulation disturbance characteristics, intermodulation disturbance characteristics, and exchange gain. A local oscillation circuit is also constructed using the first and second transistors.

以下本発明の実施例を図を用いて説明する。第
3図は本発明の一実施例を示す自励振混合回路の
所要部分の回路図であり、第1図および第2図と
同一部分は同じ番号を記してある。11は局部発
振周波数を決定するための共振コンデンサ、12
は同じく共振コイル、13は局部発振動作をさせ
るための帰還コンデンサ、14および15は帰還
量や発振条件を適切にするためのコンデンサであ
る。第3図で、トランジスタ1および9は混合ト
ランジスタとして動作すると同じに局部発振用ト
ランジスタとしても動作するように接続されてい
る。まず、局部発振動作について説明する。局部
発振周波数は共振コンデンサ11および共振コイ
ル12によつて構成された共振回路の共振周波数
によつてほぼ決定される。局部発振周波数の信号
はこの共振回路によつて共振し共振回路両端には
高い電圧が発生する。この信号は帰還コンデンサ
13によつて第1のトランジスタ1のエミツタに
帰還されて、この信号は第1のトランジスタ1お
よび第2のトランジスタ9によつて増幅され、再
び共振コンデンサ11と共振コイル12で構成し
た共振回路に印加されて発振が持続し、局部発振
回路として動作する。この時、高周波入力端子2
に高周波信号を入力すると、第1のトランジスタ
によつて局部発振信号と混合され、またこれによ
つて生じた中間周波信号が第1および第2のトラ
ンジスタによつて増幅されて、第2のトランジス
タ9のコレクタから中間周波同調コルイ6およ
び、中間周波同調コンデンサ8からなる中間周波
同調回路を経て中間周波出力端子4から中間周波
信号を得ることができる。さらに詳しく述べる
と、第3図の本発明の第1の実施例の混合動作は
概略、第3のトランジスタ1のベース・エミツタ
間の接合ダイオードの非直線性により行なわれる
のであり、おおよそ第1のトランジスタ1のエミ
ツタに局部発振信号が注入されたトランジスタ混
合回路と等価と考えられる。このため第1のトラ
ンジスタ1のエミツタとアース間に接続されたコ
ンデンサ14の容量は局部発振信号周波数に対し
て接地、すなわち短絡インピーダンスとすること
なく、帰還コンデンサ13の容量とコンデンサ1
5の容量の分圧により第1のトランジスタ1のエ
ミツタに発振信号電圧が得られるようにするとと
もに、さらに第1のトランジスタ1のベースに注
入される高周波信号周波数に対してはある程度低
インピーダンスすなわち適当な接地インピーダン
スとなり、第1のトランジスタ1のベース・エミ
ツタ間に高周波信号電圧が十分印加されるよう選
択されている。さらにこれらのコンデンサ13,
14,15の容量値は第1のトランジスタ1およ
び第2のトランジスタ9からなるカスコード接続
回路に正帰還がかかり発振条件を満足するように
設定されており、局部発振信号周波数128MHz、
高周波信号周波数83MHz程度のとき、帰還コン
デンサ13の容量値3pF、コンデンサ15の容量
値270pF、コンデンサ14の容量値を3pFとし自
励振混合動作を行なわせている。局部発振周波数
および高周波信号周波数が変化した場合はこれら
のコンデンサ13,14,15の容量値を適宜に
設定すればよい。なおコンデンサ14は発振条件
を適切に設定するためのコンデンサであり、自励
振混合回路の使用周波数や前段に接続される回路
などによつては必要としない場合もある。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 3 is a circuit diagram of essential parts of a self-oscillating mixing circuit showing one embodiment of the present invention, and the same parts as in FIGS. 1 and 2 are designated by the same numbers. 11 is a resonant capacitor for determining the local oscillation frequency; 12
13 is a feedback capacitor for local oscillation operation, and 14 and 15 are capacitors for optimizing the amount of feedback and oscillation conditions. In FIG. 3, transistors 1 and 9 are connected to operate as local oscillation transistors as well as to operate as mixed transistors. First, local oscillation operation will be explained. The local oscillation frequency is approximately determined by the resonant frequency of the resonant circuit constituted by the resonant capacitor 11 and the resonant coil 12. The signal at the local oscillation frequency resonates with this resonant circuit, and a high voltage is generated across the resonant circuit. This signal is fed back to the emitter of the first transistor 1 by the feedback capacitor 13, this signal is amplified by the first transistor 1 and the second transistor 9, and again by the resonant capacitor 11 and the resonant coil 12. The voltage is applied to the constructed resonant circuit, which continues to oscillate, and operates as a local oscillation circuit. At this time, high frequency input terminal 2
When a high frequency signal is input to the first transistor, it is mixed with a local oscillation signal by the first transistor, and the resulting intermediate frequency signal is amplified by the first and second transistors, and the second transistor mixes the high frequency signal with the local oscillation signal. An intermediate frequency signal can be obtained from the intermediate frequency output terminal 4 from the collector 9 through an intermediate frequency tuning circuit consisting of an intermediate frequency tuning coil 6 and an intermediate frequency tuning capacitor 8. More specifically, the mixing operation of the first embodiment of the present invention shown in FIG. It is considered to be equivalent to a transistor mixed circuit in which a local oscillation signal is injected into the emitter of transistor 1. Therefore, the capacitance of the capacitor 14 connected between the emitter of the first transistor 1 and the ground is connected to the capacitance of the feedback capacitor 13 and the capacitor 1 without being grounded with respect to the local oscillation signal frequency, that is, as a short-circuit impedance.
The oscillation signal voltage is obtained at the emitter of the first transistor 1 by the voltage division of the capacitor 5, and the impedance is low to some extent, that is, suitable for the high frequency signal frequency injected into the base of the first transistor 1. The ground impedance is selected so that a high frequency signal voltage is sufficiently applied between the base and emitter of the first transistor 1. Furthermore, these capacitors 13,
The capacitance values of 14 and 15 are set so that positive feedback is applied to the cascode connection circuit consisting of the first transistor 1 and the second transistor 9 to satisfy the oscillation conditions, and the local oscillation signal frequency is 128MHz,
When the high frequency signal frequency is about 83 MHz, the capacitance value of the feedback capacitor 13 is 3 pF, the capacitance value of the capacitor 15 is 270 pF, and the capacitance value of the capacitor 14 is 3 pF to perform self-oscillation mixing operation. When the local oscillation frequency and high frequency signal frequency change, the capacitance values of these capacitors 13, 14, and 15 may be set appropriately. Note that the capacitor 14 is a capacitor for appropriately setting oscillation conditions, and may not be necessary depending on the operating frequency of the self-oscillation mixing circuit, the circuit connected to the previous stage, etc.

第3図に示した混合回路の変換利得は十分に高
いが、一層高い変換利得を得たい場合は、中間周
波に同調したトラツプ回路を第1のトランジスタ
1のベースとエミツタ間またはベースとアース間
に接続すれば良い。混合回路の変換利得向上手段
として、トラツプ回路を付加することは従来から
知られているが、第3図の自励振混合回路では第
1のトランジスタ1のエミツタの接地コンデンサ
15の容量値は前述したように発振信号周波数に
対してある程度のインピーダンスを有する必要が
あるため、中間周波数に対して低インピーダンス
となるように十分大きくできないのでトラツプ回
路を付加する場合は、第4図に示すように第1の
トランジスタのベースエミツタ間に接続する方が
効果的である。第4図で、16は中間周波トラツ
プ用コイル、17はトラツプ用コンデンサであ
り、これらによつて中間周波トラツプを形成して
いる。このトラツプを付加することによる効果
は、前に述べた変換利得の向上のほかに、高周波
入力端子2から入力した中間周波妨害信号を混合
回路に入力させない働きをするので、中間周波妨
害特性の向上をも図れる。
The conversion gain of the mixed circuit shown in Figure 3 is sufficiently high, but if you wish to obtain an even higher conversion gain, a trap circuit tuned to the intermediate frequency may be connected between the base and emitter of the first transistor 1 or between the base and ground. All you have to do is connect to . It has long been known to add a trap circuit as a means of improving the conversion gain of a mixing circuit, but in the self-oscillating mixing circuit shown in FIG. 3, the capacitance value of the grounded capacitor 15 at the emitter of the first transistor 1 is as described above Since it is necessary to have a certain level of impedance with respect to the oscillation signal frequency, it is impossible to make the impedance large enough to have a low impedance with respect to the intermediate frequency. Therefore, when adding a trap circuit, the first It is more effective to connect between the base and emitter of the transistor. In FIG. 4, 16 is an intermediate frequency trap coil, and 17 is a trap capacitor, which form an intermediate frequency trap. The effect of adding this trap is that in addition to improving the conversion gain mentioned earlier, it also prevents the intermediate frequency interference signal input from the high frequency input terminal 2 from being input to the mixing circuit, improving the intermediate frequency interference characteristics. You can also aim for

第5図は第3図および第4図に示す本発明の実
施例のトランジスタ1のエミツタ電流に対する変
換利得特性を示したものである。局部発振信号周
波数を138MHz、高周波信号周波数を83MHz、中
間周波数を45MHzとした時の変換利得特性を示
している。第5図の実線Aは第3図に示す本発明
の実施例の変換利得特性であり、エミツタ電流が
約5.5mAで最大変換利得が得られている。第5
図の1点鎖線Bは第1図に示された従来例に示す
トランジスタ1石による自励振混合回路の変換利
得特性を示すものである。本発明の自励振混合回
路の場合7dB以上変換利得が高く、これは第2図
に示される従来例のカスコード混合回路と同様に
トランジスタを2石用いることによるもの考えら
れる。さらに第1図に示される自励振混合回路の
最大変換利得を示すエミツタ電流は1〜2mAな
のに対し、本発明の自励振混合回路の最大変換利
得特性を示すエミツタ電流は5〜6mAであり、
混合動作を非直線歪特性の劣つた低エミツタ電流
で動作させることなく、第1図に示される自励振
混合回路に比べ3倍以上のエミツタ電流で動作さ
せており、この結果、混変調妨害特性及び相互変
調妨害の良好な自励振混合回路が得られる。また
第5図の点線Cは第4図に示す本発明の実施例の
変換利得特性を示しており、第3図に示す実施例
に比べ変換利得が向上しており、これは第1のト
ランジスタ1のベース・エミツタ接合部に流れる
中間周波数成分の電流が増し、変換利得が向上す
るものと考えられる。
FIG. 5 shows the conversion gain characteristics with respect to the emitter current of the transistor 1 of the embodiment of the present invention shown in FIGS. 3 and 4. In FIG. It shows the conversion gain characteristics when the local oscillation signal frequency is 138MHz, the high frequency signal frequency is 83MHz, and the intermediate frequency is 45MHz. The solid line A in FIG. 5 is the conversion gain characteristic of the embodiment of the present invention shown in FIG. 3, and the maximum conversion gain is obtained when the emitter current is approximately 5.5 mA. Fifth
A dashed-dotted line B in the figure shows the conversion gain characteristic of the self-oscillation mixing circuit with one transistor shown in the conventional example shown in FIG. In the case of the self-oscillating mixing circuit of the present invention, the conversion gain is higher than 7 dB, and this is thought to be due to the use of two transistors as in the conventional cascode mixing circuit shown in FIG. Furthermore, while the emitter current showing the maximum conversion gain of the self-oscillating mixing circuit shown in FIG. 1 is 1 to 2 mA, the emitter current showing the maximum conversion gain characteristic of the self-oscillating mixing circuit of the present invention is 5 to 6 mA,
The mixing operation is not operated at a low emitter current with poor nonlinear distortion characteristics, but is operated at an emitter current more than three times that of the self-oscillating mixing circuit shown in Figure 1, and as a result, the cross-modulation disturbance characteristics are improved. Thus, a self-oscillating mixing circuit with good intermodulation interference can be obtained. Furthermore, the dotted line C in FIG. 5 shows the conversion gain characteristic of the embodiment of the present invention shown in FIG. 4, and the conversion gain is improved compared to the embodiment shown in FIG. It is thought that the current of the intermediate frequency component flowing through the base-emitter junction of No. 1 increases, and the conversion gain improves.

以上説明したように第1図に示す従来例に比べ
本実施例における自励振混合回路ではエミツタ電
流を増した状態で動作させることができ、高い周
波数変換利得を有しているので自励振混合回路に
入力する高周波信号の入力レベルを小さくでき
る。それ故相互変調妨害や混変調妨害を良好にで
きる。さらに第1のトランジスタ1および第2の
トランジスタ9は周波数変換および中間周波増幅
動作だけでなく発振動作も行なつており、第2図
に示した従来のカスケード混合回路に比べても部
品数を少なくできるので、低コストな回路が構成
できる利点を有する。
As explained above, compared to the conventional example shown in FIG. 1, the self-oscillating mixing circuit of this embodiment can be operated with an increased emitter current and has a high frequency conversion gain. The input level of the high-frequency signal input to the device can be reduced. Therefore, intermodulation interference and cross-modulation interference can be improved. Furthermore, the first transistor 1 and the second transistor 9 perform not only frequency conversion and intermediate frequency amplification operations but also oscillation operations, and the number of components is reduced compared to the conventional cascade mixing circuit shown in FIG. Therefore, it has the advantage that a low-cost circuit can be constructed.

本発明による自励振混合回路を、テレビ受像機
のVHFチユーナに使用した応用例を第6図に示
し、本発明による回路の動作を詳細に説明する。
23および24は第1のトランジスタ1のエミツ
タに接続したコンデンサ、25は第1のトランジ
スタ1のエミツタに接続したコンデンサをローバ
ンド(低域周波数帯)とハイバンド(高域周波数
帯)とで切換えて、帰還量を各周波数帯で適切に
するための切換えダイオード、26は直流阻止コ
ンデンサ、27は相互変調妨害特性を良好とする
ためのコイル、28はコイル27のダンピング用
抵抗、29および30は第2のトランジスタ9お
よび第1のトランジスタ1の入出力間に接続した
補助的な帰還コンデンサ31は直流阻止をも兼ね
たトラツキング補正コンデンサ、32は局部発振
周波数を変化するための同調ダイオード、33は
ハイバンドを発振するためのハイバンド用同調コ
イル、34はローバンドを発振するためのローバ
ンド用同調コイル、35は発振する周波数帯を切
換えるための切換えダイオード36はローバンド
受信時に電源電圧を印加する電源端子、37はハ
イバンド受信時に電源電圧を印加する電源端子、
38は同調電圧端子である。
An application example in which the self-oscillating mixing circuit according to the present invention is used in a VHF tuner of a television receiver is shown in FIG. 6, and the operation of the circuit according to the present invention will be explained in detail.
23 and 24 are capacitors connected to the emitter of the first transistor 1, and 25 is a capacitor connected to the emitter of the first transistor 1, which is switched between low band (low frequency band) and high band (high frequency band). , a switching diode for making the amount of feedback appropriate for each frequency band, 26 a DC blocking capacitor, 27 a coil for improving intermodulation interference characteristics, 28 a damping resistor for the coil 27, 29 and 30 a second The auxiliary feedback capacitor 31 connected between the input and output of the second transistor 9 and the first transistor 1 is a tracking correction capacitor that also serves as DC blocking, 32 is a tuning diode for changing the local oscillation frequency, and 33 is a high voltage A high band tuning coil for oscillating the band, 34 a low band tuning coil for oscillating the low band, 35 a switching diode 36 for switching the oscillating frequency band, a power supply terminal to which a power supply voltage is applied when receiving the low band; 37 is a power supply terminal that applies power supply voltage during high band reception;
38 is a tuning voltage terminal.

ローバンドの信号を受信する場合には、電源端
子36に電圧を印加し、電源端子37には電圧を
印加しない。したがつて、切換ダイオード35は
遮断状態となつて、同調コイル33と34が直列
に接続されこれと同調ダイオード32およびトラ
ツキング補正コンデンサ31によつて並列共振回
路が形成されて、ローバンドに対応した局部発振
周波数に共振する。また、切換えダイオード25
は導通状態となるので、第1のトランジスタ1の
エミツタにはコンデンサ23および24の並列接
続が接続されて、帰還コンデンサ13による帰還
量をローバンドの発振周波数に適した値に設定す
ると同時に、第1のトランジスタ1のエミツタ接
地容量を増加することによつてローバンドの高周
波信号周波数におけるエミツタ接地インピーダン
スを低くして、変換利得の低下を防止している。
When receiving a low band signal, a voltage is applied to the power supply terminal 36 and no voltage is applied to the power supply terminal 37. Therefore, the switching diode 35 is cut off, and the tuning coils 33 and 34 are connected in series, and a parallel resonant circuit is formed by this, the tuning diode 32, and the tracking correction capacitor 31, and a local resonance circuit corresponding to the low band is formed. Resonates with the oscillation frequency. In addition, the switching diode 25
is in a conductive state, so a parallel connection of capacitors 23 and 24 is connected to the emitter of the first transistor 1, and at the same time, the amount of feedback by the feedback capacitor 13 is set to a value suitable for the low band oscillation frequency, and at the same time, the first By increasing the grounded emitter capacitance of the transistor 1, the grounded emitter impedance at a low band high frequency signal frequency is lowered, thereby preventing a reduction in conversion gain.

一方、ハイバンドの信号を受信する場合には、
電源端子37に電圧を印加し、電源端子36には
電圧を印加しない。したがつて、切換えダイオー
ド35が導通状態となつて、同調コイル34は等
価的に短絡され、同調コイル33と同調ダイオー
ド32およびトラツキング補正コンデンサ31に
よつて形成された並列共振回路によつてハイバン
ドに対応した局部発振周波数に共振する。また、
切換えダイオード25は遮断状態となるので、第
1のトランジスタ1のエミツタに接続されるコン
デンサはコンデンサ23のみとなつて帰還コンデ
ンサ13による帰還量をハイバンドの発振周波数
に適した値に設定する。この時、第1のトランジ
スタ1のエミツタ接地容量値がローバンド信号の
受信時よりも減少するが、高周波信号周波数が高
いので第1のトランジスタ1の入力高周波信号周
波数に対する接地インピーダンスはそれほど変化
せず、変換利得はほとんど低下しない。
On the other hand, when receiving high band signals,
A voltage is applied to the power supply terminal 37 and no voltage is applied to the power supply terminal 36. Therefore, the switching diode 35 becomes conductive, the tuning coil 34 is equivalently short-circuited, and the parallel resonant circuit formed by the tuning coil 33, the tuning diode 32, and the tracking correction capacitor 31 generates a high band signal. It resonates at the local oscillation frequency corresponding to the Also,
Since the switching diode 25 is cut off, the capacitor 23 is the only capacitor connected to the emitter of the first transistor 1, and the amount of feedback by the feedback capacitor 13 is set to a value suitable for the high band oscillation frequency. At this time, the grounded emitter capacitance value of the first transistor 1 decreases compared to when receiving the low band signal, but since the high frequency signal frequency is high, the grounded impedance of the first transistor 1 with respect to the input high frequency signal frequency does not change much. Conversion gain hardly decreases.

上述したような動作によつてローバンドおよび
ハイバンドに対応した局部発振出力が得られこの
時に高周波入力端子2から高周波信号を入力する
と、中間周波出力端子4より所定の中間周波信号
が得られる。
By the above-described operation, a local oscillation output corresponding to the low band and high band is obtained, and when a high frequency signal is inputted from the high frequency input terminal 2 at this time, a predetermined intermediate frequency signal is obtained from the intermediate frequency output terminal 4.

つぎに第6図で示したコイル27の効果につい
て述べる。従来から知られているように第1のト
ランジスタ1と第2のトランジスタ9の接続点と
アース間にコンデンサを接続すると相互変調妨害
特性が改善できる。しかし、本発明による自励振
混合回路では、局部発振動作を行なわせているた
めコンデンサを付加すると特に高い周波数で発振
しにくくなる。そこで、本発明では従来のコンデ
ンサにかわつてコイルを付加することによつて相
互変調妨害特性を改善している。コイル27を付
加することによる効果を第7図に示す。第7図は
コンデンサ26の容量値を2200pFとし、コイル
27のインダクタンス値を10nHから70nH程度変
化したときの米国の第6チヤネルを受信したとき
の相互変調妨害特性を示すものであり、インダク
タンス50nHのとき−55dBの妨害比が得られてい
る。このようにコイル27のインダクタンス値を
ある定まつた値にすれば、相互変調妨害特性を改
善できるのは明確である。これは米国6チヤネル
受信時の相互変調紡害は局部発振信号周波数と6
チヤネルの映像および音声の搬送波の和の周波数
成分との差信号によつて生じるものと推定されて
おり、本発明の自励振混合回路においてもトラン
ジスタ1のみでなく、トランジスタ9をも含む2
次歪により生じており、インダクタンスを付加す
ることにより高周波電流側路が形成され、トラン
ジスタ1およびトランジスタ9のカスケード接続
になる自励振混合回路での高周波信号の伝達特性
を変化させ2次歪特性を改善しているものと考え
られる。
Next, the effect of the coil 27 shown in FIG. 6 will be described. As is conventionally known, intermodulation interference characteristics can be improved by connecting a capacitor between the connection point between the first transistor 1 and the second transistor 9 and the ground. However, since the self-oscillation mixing circuit according to the present invention performs local oscillation operation, adding a capacitor makes it difficult to oscillate particularly at high frequencies. Therefore, in the present invention, intermodulation interference characteristics are improved by adding a coil in place of the conventional capacitor. The effect of adding the coil 27 is shown in FIG. Figure 7 shows the intermodulation interference characteristics when receiving the 6th channel of the United States when the capacitance value of the capacitor 26 is 2200 pF and the inductance value of the coil 27 is changed from about 10 nH to 70 nH. An interference ratio of -55dB was obtained. It is clear that the intermodulation interference characteristics can be improved by setting the inductance value of the coil 27 to a certain fixed value. This means that the intermodulation distortion when receiving US 6 channels is the local oscillation signal frequency and 6 channels.
It is estimated that this is caused by a difference signal between the frequency component of the sum of the video and audio carrier waves of the channel, and in the self-oscillating mixing circuit of the present invention, not only transistor 1 but also transistor 9 is included.
This is caused by second-order distortion, and by adding an inductance, a high-frequency current bypass is formed, which changes the transfer characteristics of high-frequency signals in the self-oscillating mixing circuit, which is a cascade connection of transistors 1 and 9, and improves the second-order distortion characteristics. It seems that things are improving.

本発明の自励振混合回路ではインダクタンス2
7は高い発振周波数ではインピーダンスが高くな
り発振動作には影響をほとんど与えないし、低い
発振周波数では発振信号周波数におけるトランジ
スタ1およびトランジスタ9のカスケード接続回
路の増幅度がインダクタンスにより減少するがト
ランジスタ1および9の増幅素子は低い周波数ほ
ど利得が増大することから、この減少分を補な
い、低い周波数でも必要な増幅度が得られ安定な
発振動作を行なわせることができる。前述したよ
うに第2図に示される従来例に見られる他励のカ
スコード混合回路のコンデンサによる相互変調妨
害改善方法を本発明の自励振混合回路に採用した
場合は、高い周波数ほど信号が減衰するのと、ト
ランジスタの増幅度が高い周波数ほど減少するこ
ともあいまつて、高い発振周波数では安定な動作
が行なえないが、本発明の応用例によるインダク
タによる方法では広帯域周波数にわたる発振動作
の安定化と相互変調妨害特性を改善できる効果を
有する。これにより従来1石のトランジスタを用
いた自励振混合回路では困難であつた米国のテレ
ビ信号受信用チユーナとして実用化が図れ、さら
に従来のカスコード混合回路に比べ別の局部発振
回路が不要になり、部品点数の削減が図れ低コス
トな回路を提供できる効果を有する。なお抵抗2
8は広い周波数範囲でのコイル27のインピーダ
ンスを平均化するためのもので必ずしも必要とし
ない。
In the self-oscillating mixing circuit of the present invention, the inductance 2
At high oscillation frequencies, the impedance of transistors 7 becomes high and has almost no effect on the oscillation operation, and at low oscillation frequencies, the amplification degree of the cascaded circuit of transistors 1 and 9 at the oscillation signal frequency decreases due to inductance, but transistors 1 and 9 Since the gain of the amplifier element increases as the frequency decreases, it is possible to compensate for this decrease, obtain the necessary amplification degree even at low frequencies, and perform stable oscillation operation. As mentioned above, when the method for improving intermodulation interference using a capacitor in the separately excited cascode mixing circuit shown in the conventional example shown in FIG. This, combined with the fact that the amplification of the transistor decreases as the frequency increases, makes it difficult to operate stably at high oscillation frequencies. However, the method using an inductor according to the application example of the present invention stabilizes the oscillation operation over a wide range of frequencies and stabilizes the oscillation operation over a wide range of frequencies. This has the effect of improving modulation interference characteristics. As a result, it has become possible to put it into practical use as a tuner for receiving American television signals, which was difficult to do with a self-oscillation mixing circuit using a single transistor, and it also eliminates the need for a separate local oscillation circuit compared to the conventional cascode mixing circuit. This has the effect of reducing the number of parts and providing a low-cost circuit. Note that resistance 2
8 is for averaging the impedance of the coil 27 over a wide frequency range, and is not necessarily required.

また、コンデンサ29は電源変動に対する局部
発振周波数の安定度を改善する効果がある。前述
したようにハイバンド受信時には切換えダイオー
ド35は導通状態となつて、同調コイル33と3
4の接続点は切換えダイオード35およびバイパ
ス・コンデンサによつて接地されるが、実際には
切換えダイオードおよびバイパス・コンデンサの
リード・インダクタンスのために帰還コンデンサ
29によつて第2のトランジスタ9のエミツタに
帰還される。このため帰還コンデンサ29はロー
バンドとハイバンドの両方に効果がありこの帰還
によつて電源変動時の第2のトランジスタ9の出
力インピーダンス変化を小さくすることができ、
局部発振周波数の安定化が図れる。コンデンサ2
9による効果を第8図に示す。図は電源電圧を±
10%変化した時の局部発振周波数変化を示してお
り、容量値として2pFのコンデンサ29を付加す
ると、曲線Bに示されるようにコンデンサ29を
付加しない場合の曲線Aに比較して周波数変化は
約半分にまで改善できる。コンデンサ29は発振
動作に対して負帰還として動作するものと考えら
れ、電源電圧が上昇し、発振振幅が大きくなりト
ランジスタ9のコレクタの出力インピーダンスが
変化し、発振周波数変動を生じるがコンデンサ2
9により発振電圧の一部が負帰還され、発振振幅
が過大に変化しないようにして、また電源電圧が
減少し発振振幅が小さくなると負帰還量は減少
し、同様に発振振幅の低下を小さく抑え全体とし
て電源電圧変動による発振振幅の変化を小さく
し、トランジスタ9のコレクタの出力インピーダ
ンス変化を低減し、発振周波数変動を小さく抑え
得るものと考えられる。
Further, the capacitor 29 has the effect of improving the stability of the local oscillation frequency against fluctuations in the power supply. As mentioned above, during high band reception, the switching diode 35 becomes conductive, and the tuning coils 33 and 3
4 is grounded by a switching diode 35 and a bypass capacitor, but is actually connected to the emitter of the second transistor 9 by a feedback capacitor 29 due to the lead inductance of the switching diode and bypass capacitor. will be returned. Therefore, the feedback capacitor 29 is effective in both the low band and the high band, and this feedback can reduce the change in the output impedance of the second transistor 9 when the power supply fluctuates.
The local oscillation frequency can be stabilized. capacitor 2
FIG. 8 shows the effect of 9. The figure shows the power supply voltage ±
It shows the local oscillation frequency change when the local oscillation frequency changes by 10%, and when a capacitor 29 with a capacitance of 2pF is added, as shown in curve B, the frequency change is approximately It can be improved by half. The capacitor 29 is considered to operate as a negative feedback for the oscillation operation, and as the power supply voltage increases and the oscillation amplitude increases, the output impedance of the collector of the transistor 9 changes, causing fluctuations in the oscillation frequency.
9, a part of the oscillation voltage is negatively fed back to prevent the oscillation amplitude from changing excessively, and when the power supply voltage decreases and the oscillation amplitude becomes smaller, the amount of negative feedback decreases, and the drop in the oscillation amplitude is similarly kept small. Overall, it is considered that changes in oscillation amplitude due to power supply voltage fluctuations can be reduced, changes in output impedance of the collector of transistor 9 can be reduced, and oscillation frequency fluctuations can be suppressed to a small level.

つぎにコンデンサ30の効果について述べる。
コンデンサ30は主として混変調妨害特性の改善
に効果がある。これを第9図に示す。図は本発明
による自励振混合回路の1%混変調妨害特性を示
しており、米国チヤネル受信時における2チヤネ
ル離れた妨害信号による1%混変調妨害特性は、
容量値として2pFのコンデンサ30を付加したと
きは、付加しない場合に比べ特にローバンドでの
改善度が大きく、本発明による効果は明確であ
る。これはトランジスタ1の出力から入力への微
少の負帰還によりトランジスタ1で概略行なわれ
る混合動作の3次歪による非直線性が改善される
ものと考えられる。
Next, the effect of the capacitor 30 will be described.
The capacitor 30 is mainly effective in improving cross-modulation interference characteristics. This is shown in FIG. The figure shows the 1% cross-modulation interference characteristics of the self-oscillating mixing circuit according to the present invention, and the 1% cross-modulation interference characteristics due to interference signals two channels apart when receiving a US channel are as follows:
When the capacitor 30 with a capacitance value of 2 pF is added, the degree of improvement in the low band is particularly large compared to the case where the capacitor 30 is not added, and the effect of the present invention is clear. This is considered to be due to the slight negative feedback from the output of transistor 1 to the input, which improves the nonlinearity due to third-order distortion of the mixing operation roughly performed by transistor 1.

なお、以上述べた実施例では、トランジスタ
1,9としてすべてNPNトランジスタを使用し
た場合について述べたが、PNPトランジスタを用
いても全く同様の効果が得られる。またNPNと
PNPトランジスタを混合使用しても同様である。
さらに、本発明の実施例では、第1のトランジス
タ1と第2のトランジスタ9を直流的にも接続し
ているが、各トランジスタを直流的に分離して、
別々にバイアスを印加しても同様の効果が得られ
る。また実施例では第1のトランジスタ1と第2
のトランジスタ9のコレクタ電流をほぼ等しくし
ているが、各トランジスタ1,9のコレクタ電流
値を異なつた値となるようにバイアス回路を設定
しても同様の効果が得られることは明確である。
Note that in the embodiments described above, a case has been described in which NPN transistors are used as transistors 1 and 9, but exactly the same effect can be obtained even if PNP transistors are used. Also with NPN
The same applies if PNP transistors are used in combination.
Furthermore, in the embodiment of the present invention, the first transistor 1 and the second transistor 9 are also connected in terms of DC, but each transistor is separated in terms of DC,
A similar effect can be obtained by applying biases separately. In addition, in the embodiment, the first transistor 1 and the second transistor
Although the collector currents of the transistors 9 are made almost equal, it is clear that the same effect can be obtained even if the bias circuit is set so that the collector current values of the transistors 1 and 9 are different.

以上述べたように本発明によれば、従来のトラ
ンジスタ1石による自励振混合回路の欠点であつ
た混変調妨害特性および相互変調妨害特性に対し
て、トランジスタを2石使用し、一方をエミツタ
接地、他方をベース接地としてこれらをカスケー
ド接続することによつて大幅に改善するととも
に、従来のカスコード混合回路で必要とした局部
発振用のトランジスタおよびバイアス回路を混合
用トランジスタで局部発振動作をも行なわせるこ
とによつて削除できた。この結果、従来の自励振
混合回路に比較して上記妨害特性を10dB以上改
善し、しかも変換利得も7bB以上高くできた。ま
た、これらの良好な特性を従来のカスコード混合
回路よりも少ない部品数で実現できるなど、本発
明の工業的価値は非常に大きい。
As described above, according to the present invention, two transistors are used, one of which is grounded with its emitter, to address the cross-modulation and intermodulation disturbance characteristics that were the drawbacks of the conventional self-oscillation mixing circuit using one transistor. , by connecting these in cascade with the other connected to the base, it is greatly improved, and the local oscillation transistor and bias circuit required in the conventional cascode mixing circuit are also made to perform local oscillation operation using the mixing transistor. I was able to delete it. As a result, compared to the conventional self-oscillating mixing circuit, the above-mentioned interference characteristics were improved by more than 10 dB, and the conversion gain was also increased by more than 7 bB. Further, the industrial value of the present invention is extremely large, as these favorable characteristics can be achieved with a smaller number of parts than conventional cascode mixing circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の自励振混合回路を示す回路図、
第2図は従来のカスコード混合回路を示す回路
図、第3図は本発明による自励振混合回路の一実
施例を示す回路図、第4図は本発明による自励振
混合回路の他の実施例を示す回路図、第5図は第
1図、第3図、第4図に示す回路の変換利得を示
す特性図、第6図は本発明による自励振混合回路
をテレビ受像機のVHFチユーナに応用した例を
示す回路図、第7図はコイルのインダクタンス値
による相互変調妨害特性の変化を示す特性図、第
8図は補助的な帰還コンデンサによる局部発振周
波数の安定度の向上を示す特性図、第9図は補助
的な帰還コンデンサによる混変調妨害特性の向上
を示す特性図である。 1,9……トランジスタ、2……高周波入力端
子、4……中間周波出力端子、13……帰還コン
デンサ、23,24……エミツタ接地コンデン
サ、25……切換えダイオード、26……直流阻
止コンデンサ、27……コイル、29,30……
補助的な帰還コンデンサ。
Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional self-oscillating mixing circuit.
FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional cascode mixing circuit, FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of a self-oscillating mixing circuit according to the present invention, and FIG. 4 is a circuit diagram showing another embodiment of a self-oscillating mixing circuit according to the present invention. FIG. 5 is a characteristic diagram showing the conversion gain of the circuits shown in FIGS. 1, 3, and 4. FIG. 6 is a circuit diagram showing the conversion gain of the circuits shown in FIGS. A circuit diagram showing an example of application, Figure 7 is a characteristic diagram showing changes in intermodulation interference characteristics depending on the coil inductance value, and Figure 8 is a characteristic diagram showing improvement in local oscillation frequency stability by an auxiliary feedback capacitor. , FIG. 9 is a characteristic diagram showing the improvement in cross-modulation disturbance characteristics by the auxiliary feedback capacitor. 1, 9...Transistor, 2...High frequency input terminal, 4...Intermediate frequency output terminal, 13...Feedback capacitor, 23, 24...Emitter grounding capacitor, 25...Switching diode, 26...DC blocking capacitor, 27...Coil, 29,30...
Auxiliary feedback capacitor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 エミツタが第1のコンデンサで適当に接地さ
れ、ベースに高周波信号が入力される高周波入力
端子が接続された第1のトランジスタと、第1の
トランジスタのコレクタにエミツタが接続され、
ベースが高周波的に接地された第2のトランジス
タと、第2のトランジスタのコレクタに一方の端
子が接続され、他方の端子が接地された共振コン
デンサおよび共振コイルからなる共振回路と、第
2のトランジスタのコレクタに接続されるととも
に、中間周波出力端子が接続された中間周波同調
回路と、第2のトランジスタのコレクタに一方の
端子が接続され、他方の端子が第1のトランジス
タのエミツタに接続された帰還コンデンサとを備
えていることを特徴とする自励振混合回路。 2 エミツタが第1のコンデンサで適当に接地さ
れ、ベースに高周波信号が入力される高周波入力
端子が接続された第1のトランジスタと、第1の
トランジスタのコレクタにエミツタが接続され、
ベースが接地された第2のトランジスタと、第2
のトランジスタのコレクタに一方の端子が接続さ
れ、他方の端子が接地された共振コンデンサおよ
び共振コイルからなる共振回路と、第2のトラン
ジスタのコレクタに接続されるとともに、中間周
波出力端子が接続された中間周波同調回路と、第
2のトランジスタのコレクタに一方の端子が接続
され、他方の端子が第1のトランジスタのエミツ
タに接続された帰還コンデンサと、第1のトラン
ジスタのベースとエミツタ間に接続された中間周
波トラツプとを備えていることを特徴とする自励
振混合回路。
[Claims] 1. A first transistor whose emitter is appropriately grounded by a first capacitor, whose base is connected to a high-frequency input terminal into which a high-frequency signal is input, and whose emitter is connected to the collector of the first transistor. is,
a second transistor whose base is grounded at high frequency; a resonant circuit consisting of a resonant capacitor and a resonant coil, one terminal of which is connected to the collector of the second transistor and the other terminal of which is grounded; an intermediate frequency tuning circuit having an intermediate frequency output terminal connected to the collector of the transistor, and an intermediate frequency tuning circuit having one terminal connected to the collector of the second transistor and the other terminal connected to the emitter of the first transistor. A self-oscillating mixing circuit characterized by comprising a feedback capacitor. 2. A first transistor whose emitter is appropriately grounded by a first capacitor, whose base is connected to a high-frequency input terminal into which a high-frequency signal is input, and whose emitter is connected to the collector of the first transistor.
a second transistor whose base is grounded;
A resonant circuit consisting of a resonant capacitor and a resonant coil, one terminal of which is connected to the collector of the second transistor, and the other terminal of which is grounded, is connected to the collector of the second transistor, and the intermediate frequency output terminal is connected to the resonant circuit. an intermediate frequency tuning circuit; a feedback capacitor having one terminal connected to the collector of the second transistor and the other terminal connected to the emitter of the first transistor; and a feedback capacitor connected between the base and the emitter of the first transistor. What is claimed is: 1. A self-oscillating mixing circuit comprising: an intermediate frequency trap;
JP2595377A 1977-03-11 1977-03-11 Mixing circuit for self oscillation Granted JPS53112011A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2595377A JPS53112011A (en) 1977-03-11 1977-03-11 Mixing circuit for self oscillation
CA298,672A CA1111500A (en) 1977-03-11 1978-03-10 Self-oscillation mixer circuits
US05/885,978 US4160953A (en) 1977-03-11 1978-03-13 Self-oscillation mixer circuits

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2595377A JPS53112011A (en) 1977-03-11 1977-03-11 Mixing circuit for self oscillation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS53112011A JPS53112011A (en) 1978-09-30
JPS6124843B2 true JPS6124843B2 (en) 1986-06-12

Family

ID=12180113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2595377A Granted JPS53112011A (en) 1977-03-11 1977-03-11 Mixing circuit for self oscillation

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS53112011A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04222556A (en) * 1990-12-21 1992-08-12 Yoshio Onami Production of japanese cracker

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS454505Y1 (en) * 1967-08-07 1970-03-02
JPS5031708A (en) * 1973-07-23 1975-03-28

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS454505Y1 (en) * 1967-08-07 1970-03-02
JPS5031708A (en) * 1973-07-23 1975-03-28

Also Published As

Publication number Publication date
JPS53112011A (en) 1978-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4520507A (en) Low noise CATV converter
US4160953A (en) Self-oscillation mixer circuits
US4677692A (en) Frequency conversion apparatus
US5521545A (en) Collector-injection mixer with radio frequency signal applied to collectors of lower transistor pair
US4205276A (en) Audio amplifier with low AM radiation
US4112373A (en) Self-excited mixer circuit using field effect transistor
JPS6124843B2 (en)
US7030937B2 (en) Simplified TV tuner intermediate frequency circuit
US3823379A (en) Television automatic gain control circuitry providing for compatible control of vhf tuner and uhf tuner
JPS6124842B2 (en)
JP2004072451A (en) Electronic tuner
US4558289A (en) Bias and AGC control of two RF amplifiers with a shared control element
JP3106513B2 (en) Electronic tuning tuner
JPS6017933Y2 (en) Base grounded transistor amplifier circuit
JPS6143323Y2 (en)
JPS5922416A (en) High frequency amplifier circuit
JPS5936072Y2 (en) Input filter switching circuit
US5241228A (en) UHF transistor mixer circuit
US5793255A (en) Tuned RF amplifier
JPS5827570Y2 (en) Tuner for television receivers
JP3954755B2 (en) Television tuner circuit
JPS63107311A (en) Variable frequency oscillator
JPS644714B2 (en)
JPS6029247Y2 (en) Balanced mixed circuit
JPS6211539B2 (en)