JPS61238101A - High frequency switch circuit - Google Patents
High frequency switch circuitInfo
- Publication number
- JPS61238101A JPS61238101A JP60079308A JP7930885A JPS61238101A JP S61238101 A JPS61238101 A JP S61238101A JP 60079308 A JP60079308 A JP 60079308A JP 7930885 A JP7930885 A JP 7930885A JP S61238101 A JPS61238101 A JP S61238101A
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- JP
- Japan
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- waveguide
- fin line
- high frequency
- line part
- switch circuit
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
導波管内に設けたフィンライン部に、電磁波が集中する
ように導波管内を狭くし、高周波信号のスイッチ特性を
向上させたものである。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The interior of the waveguide is narrowed so that electromagnetic waves are concentrated on the fin line portion provided within the waveguide, thereby improving the switching characteristics of high-frequency signals.
本発明は、マイクロ波帯に用いる導波管型の高周波スイ
ッチ回路に関するものである。The present invention relates to a waveguide type high frequency switch circuit used in the microwave band.
導波管内を伝搬する高周波信号のスイッチングを行う為
に、導波管内にフィンライン部を設けた高周波スイッチ
回路が知られている。スイッチ特性としては、オン時の
通過損が小さく、オフ時の漏洩が小さいことが必要であ
る。A high frequency switch circuit is known in which a fin line portion is provided within a waveguide in order to switch high frequency signals propagating within the waveguide. As for the switch characteristics, it is necessary that the passing loss when on is small and the leakage when off is small.
導波管型の従来の高周波スイッチ回路は、例えば、第４
図の断面図に示すように、導波管１１内にフィンライン
部１２を設けたものであり、第５図は第４図のＡ−Ａ”
線に沿った断面図、第６図は第４図のＢ−Ｂ″線に沿っ
た断面図であって、フィンライン部１２には、導電パタ
ーン１２ａ。A conventional waveguide-type high-frequency switch circuit, for example,
As shown in the cross-sectional view of the figure, a fin line portion 12 is provided within the waveguide 11, and FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line B-B'' in FIG. 4, and the fin line portion 12 includes a conductive pattern 12a.
１２ｂが形成され、導電パターン１２ａ、１２ｂ間に形
成されたスロット部１２ｃに、ＰＩＮダイオードやショ
ットキーダイオード等のダイオード１４が接続され、端
子１５．１６からダイオード１４に順バイアス或いは逆
バイアスが加えられるものである。この高周波スイッチ
回路は、高周波信号の伝搬方向に対して、ダイオード１
４は並列的に接続されているので、並列型ダイオード・
スイッチを構成することになる。この並列型ダイオード
・スイッチは、高周波信号の伝搬方向に直列にダイオー
ドを挿入した直列型ダイオード・スイッチに比較して、
許容尖頭電力が大きいものである。A diode 14 such as a PIN diode or a Schottky diode is connected to a slot portion 12c formed between the conductive patterns 12a and 12b, and forward bias or reverse bias is applied to the diode 14 from terminals 15 and 16. It is something. This high frequency switch circuit has a diode 1 in the propagation direction of the high frequency signal.
4 are connected in parallel, so the parallel diode
This will configure the switch. This parallel type diode switch is compared to a series type diode switch in which a diode is inserted in series in the propagation direction of the high frequency signal.
The allowable peak power is large.
端子１５．１６からダイオード１４に順バイアスを加え
ると、ダイオード１４のインピーダンスが小さくなり、
フィンライン部１２の導電パターン１２ａ、１２ｂ間が
短絡されることになるから、高周波信号の伝搬が阻止さ
れてスイッチはオフ状態となる。又ダイオード１４に逆
バイアスを加えると、ダイオード１４のインピーダンス
が大きくなるから、フィンライン部１２の導電パターン
１２ａ、１２ｂ間は分離されて、高周波信号が伝搬され
るので、スイッチはオン状態となる。When a forward bias is applied to the diode 14 from terminals 15 and 16, the impedance of the diode 14 becomes small,
Since the conductive patterns 12a and 12b of the fin line portion 12 are short-circuited, the propagation of high-frequency signals is blocked and the switch is turned off. Further, when a reverse bias is applied to the diode 14, the impedance of the diode 14 increases, so that the conductive patterns 12a and 12b of the fin line portion 12 are separated, and a high frequency signal is propagated, so that the switch is turned on.
高周波スイッチ回路に於いては、オン状態に於ける高周
波信号の通過損が小さく、且つオフ状態に於ける高周波
信号の漏洩が小さいことが要望されるものである。しか
し、前述の従来の高周波スイッチ回路に於いては、フィ
ンライン部１２に充分に電磁波を集中することができず
、オフ状態に於いて高周波信号が漏洩するので、充分な
アイソレーションがとれない欠点があった。In a high frequency switch circuit, it is desired that the transmission loss of a high frequency signal in an on state is small, and that the leakage of a high frequency signal in an off state is small. However, in the conventional high-frequency switch circuit described above, the electromagnetic waves cannot be sufficiently concentrated on the fin line portion 12, and the high-frequency signal leaks in the off state, so that sufficient isolation cannot be achieved. was there.
本発明は、フィンライン部に電磁波が集中できるように
して、充分なアイソレーションがとれるようにすること
を目的とするものである。An object of the present invention is to enable sufficient isolation by allowing electromagnetic waves to concentrate on the fin line portion.
本発明の高周波スイッチ回路は、第１図を参照して説明
すると、導波管１内にフィンライン部２を設け、そのフ
ィンライン部２の両側の導波管１内を狭くしたものであ
り、金属ブロック３を導波管１内に設けて、フィンライ
ン部２の両側を狭くすることができる。The high frequency switch circuit of the present invention will be described with reference to FIG. 1. A fin line section 2 is provided in a waveguide 1, and the inside of the waveguide 1 on both sides of the fin line section 2 is narrowed. , a metal block 3 can be provided inside the waveguide 1 to narrow both sides of the fin line section 2.
フィンライン部２の両側の導波管１内を狭くしたことに
より、フィンライン部２に電磁波を集中させることが可
能となり、それによって充分なアイソレーションを得る
ことができる。By narrowing the inside of the waveguide 1 on both sides of the finline section 2, it becomes possible to concentrate electromagnetic waves on the finline section 2, thereby achieving sufficient isolation.
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第１図は本発明の実施例の断面図、第２図はそのＡ−Ａ
’線に沿った断面図、第３図はそのＢ−Ｂ“線に沿っ
た断面図であり、■は導波管、２はフィンライン部、”
ｌａ、’ｌｂは導電パターン、２Ｃはスロット部、３は
金属ブロック、４はダイオード、５．６は端子である。FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the embodiment of the invention.
Figure 3 is a cross-sectional view taken along line B-B, where ■ is the waveguide, 2 is the fin line section,
la and 'lb are conductive patterns, 2C is a slot portion, 3 is a metal block, 4 is a diode, and 5.6 is a terminal.
フィンライン部２の構成及び動作は従来例と同様である
が、そのフィンライン部２の両側の導波管１内を狭くす
るように金属ブロック３が設けられている。このように
導波管１内を狭くすることにより、カットオフ減衰量を
大きくすることができ、そのカットオフ減衰量αは、次
式で表される。The structure and operation of the fin line section 2 are similar to those of the conventional example, but metal blocks 3 are provided on both sides of the fin line section 2 so as to narrow the inside of the waveguide 1. By narrowing the inside of the waveguide 1 in this way, the amount of cutoff attenuation can be increased, and the amount of cutoff attenuation α is expressed by the following equation.
但し、λ、＝２ａＪｇ、（カットオフ波長）、ａは導波
管ｌ内の横幅、ε、は等価誘電率、ｌは導波管内を狭く
した長さ、λは信号波長である。However, λ, = 2aJg, (cutoff wavelength), a is the width within the waveguide l, ε is the equivalent dielectric constant, l is the length of the narrowed inside of the waveguide, and λ is the signal wavelength.
従って、フィンライン部２に電磁波を集中させ、且つカ
ントオフ減衰量を大きくして、充分なアイソレーション
特性を得ることができる。Therefore, sufficient isolation characteristics can be obtained by concentrating electromagnetic waves on the fin line portion 2 and increasing the amount of cant-off attenuation.
導波管１内の幅を狭くする手段として、前述の金属ブロ
ック３を用いる以外に、他の手段、例えば、導波管形成
時に金属ブロック３の役目を果たす形状に製作すること
もできる。又端子５．６に信号を加えることによって、
変調を行わせることも可能であり、マイクロ波帯に於け
るミキサとして適用することもできる。又アッテネータ
、位相変調器、振幅変調器に対しても適用することがで
きるものである。In addition to using the aforementioned metal block 3 as a means for narrowing the width within the waveguide 1, other means may be used, for example, it may be manufactured into a shape that serves as the metal block 3 when forming the waveguide. Also, by applying a signal to terminal 5.6,
It is also possible to perform modulation, and it can also be applied as a mixer in the microwave band. It can also be applied to attenuators, phase modulators, and amplitude modulators.
以上説明したように、本発明は、フィンライン部２の両
側の導波管ｌ内を狭くしたことにより、フィンライン部
２に電磁波を集中させることでき、スイッチのオフ状態
に於ける高周波信号の漏洩を阻止して、アイソレーショ
ン特性を向上することができるものである。As explained above, the present invention makes it possible to concentrate electromagnetic waves in the fin line part 2 by narrowing the inside of the waveguides l on both sides of the fin line part 2, and to suppress high-frequency signals in the off state of the switch. This can prevent leakage and improve isolation characteristics.
第１図は本発明の実施例の断面図、第２図は第１図のＡ
−Ａ ’線に沿った断面図、第３図は第１図のＢ−Ｂ“
線に沿った断面図、第４図は従来例の断面図、第５図は
第４図のＡ−Ａ ’線に沿った断面図、第６図は第４図
のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
１は導波管、２はフィンライン部、’ｌａ、 ２ｂは
導電パターン、２Ｃはスロット部、３は金属ブロック、
４はダイオード、５．６は端子である。Figure 1 is a sectional view of an embodiment of the present invention, and Figure 2 is A of Figure 1.
- A cross-sectional view along line A', Figure 3 is B-B'' in Figure 1.
4 is a sectional view of the conventional example, FIG. 5 is a sectional view taken along line AA' in FIG. 4, and FIG. 6 is a sectional view taken along line BB' in FIG. 4. FIG. 1 is a waveguide, 2 is a fin line part, 'la, 2b is a conductive pattern, 2C is a slot part, 3 is a metal block,
4 is a diode, and 5.6 is a terminal.
Claims (1)
いて、 フィンライン部（２）の両側の導波管（１）内を狭くし
た ことを特徴とする高周波スイッチ回路。[Claims] A high frequency switch circuit using a finline waveguide, characterized in that the inside of the waveguide (1) on both sides of the finline portion (2) is narrowed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60079308A JPS61238101A (en) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | High frequency switch circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60079308A JPS61238101A (en) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | High frequency switch circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61238101A true JPS61238101A (en) | 1986-10-23 |
Family
ID=13686219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60079308A Pending JPS61238101A (en) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | High frequency switch circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61238101A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2139063A1 (en) * | 2008-06-24 | 2009-12-30 | Honeywell International Inc. | Millimeter wave low-loss high-isolation switch |
-
1985
- 1985-04-16 JP JP60079308A patent/JPS61238101A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2139063A1 (en) * | 2008-06-24 | 2009-12-30 | Honeywell International Inc. | Millimeter wave low-loss high-isolation switch |
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