JPS61227311A - Formation of transparent electroconductive film - Google Patents
Formation of transparent electroconductive filmInfo
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野j
本発明は1例えば液晶表示素子などの製造に際し、ガラ
スやセラミックなどの絶縁基材上に透明導電性被膜を形
成する方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for forming a transparent conductive film on an insulating substrate such as glass or ceramic during the production of, for example, a liquid crystal display element.
「従来技術およびその問題点」
ガラスやセラミックなどの絶縁基板上に形成したインジ
ウム、カドミウム、スズ、アンチモンなどの金属酸化物
被膜は、透明で良好な導電性を示すことがよく知られて
いる。したがって、この透明導電性被膜は、例えば半導
体素子、液晶表示素子、エレクトロクロミック素子、エ
レクトロルミネッセンス素子などの透明電極、この他太
陽電池や撮像管などの光電変換素子、透明面発熱体(デ
フロスタ−)や透明断熱体、抵抗体や赤外線反射体の機
能膜として利用されている。"Prior Art and its Problems" It is well known that metal oxide films such as indium, cadmium, tin, and antimony formed on insulating substrates such as glass and ceramics are transparent and exhibit good conductivity. Therefore, this transparent conductive film can be used, for example, in transparent electrodes of semiconductor devices, liquid crystal display devices, electrochromic devices, electroluminescent devices, etc., as well as photoelectric conversion devices such as solar cells and image pickup tubes, and transparent surface heating elements (defroster). It is used as a functional film for transparent heat insulators, resistors, and infrared reflectors.
近年、上記のような透明導電性被膜として、より面積抵
抗値の低いものが要求されるようになってきた0例えば
液晶表示素子の場合、ゲーム、電卓等の液晶表示素子に
要求される透明導電性被膜はその面積抵抗値が数にΩ/
口でよかったが、車載用のパネルドツトマトリックスや
液晶テレビ等に応用されるようになるに従い、面積抵抗
値の非常に低いものが要求されるようになってきた。In recent years, transparent conductive films such as those mentioned above have been required to have lower sheet resistance values. The surface resistance value of the film is Ω/
It was a good thing to say, but as it has come to be applied to automotive panel dot matrices, LCD televisions, etc., there has been a demand for something with an extremely low sheet resistance value.
従来より、上記のような透明導電性被膜を形成する際に
は、真空蒸着法、スパッタリング法、化学スプレー法、
スクリーン印刷法、浸漬法などの方法が採用されている
。このうち、化学スプレー法、スクリーン印刷法、浸漬
法は、有機金属化合物含有液を塗布した後、焼成する熱
分解を利用した方法である。Conventionally, when forming the above-mentioned transparent conductive film, vacuum evaporation method, sputtering method, chemical spray method,
Methods such as screen printing and dipping are used. Among these, the chemical spray method, screen printing method, and dipping method are methods that utilize thermal decomposition in which a liquid containing an organic metal compound is applied and then baked.
真空蒸着法は、最近マスク蒸着法が発達し。As for the vacuum evaporation method, the mask evaporation method has recently been developed.
エツチング処理の必要はなくなったが、処理がバッチ式
であるために量産性の点で問題がある。Although the etching process is no longer necessary, there is a problem in terms of mass production because the process is a batch process.
スパッタリング法も真空蒸着法と同様に処理がバッチ式
であるから量産性に乏しく、大面積のものを得るには不
適当である。Like the vacuum evaporation method, the sputtering method is also a batch process, so it is not suitable for mass production and is not suitable for obtaining large area products.
また、化学スプレー法は、比較的面積の大きな被膜を得
るには有利であるが、装置が大量りとなり、膜の均−性
等を制御することが困難である。Further, although the chemical spray method is advantageous in obtaining a film having a relatively large area, it requires a large amount of equipment and it is difficult to control the uniformity of the film.
さらに、スクリーン印刷法は、印刷時の作業性が悪く、
特に微細なパターンを安定して印刷しにくく、低抵抗値
を得ることが難しい。Furthermore, the screen printing method has poor workability during printing.
In particular, it is difficult to print fine patterns stably, and it is difficult to obtain low resistance values.
これらの方法に対して、浸漬法は、■有機金属化合物含
有液への浸漬、■乾燥、■焼成、■エツチングの簡単な
工程で基板上に任意の形状の被膜を形成することが可能
であり、しかも設備も大量りなものを必要とせず、また
大量生産も容易であるという利点がある。In contrast to these methods, the immersion method allows the formation of a film of any shape on a substrate through the simple steps of ① immersion in an organic metal compound-containing liquid, ② drying, ∎ baking, and ∎ etching. Moreover, it has the advantage that it does not require a large amount of equipment and can be easily mass-produced.
しかしながら、化学スプレー法、スクリーン印刷法、浸
漬法に共通していえることであるが、これらの方法では
1面積抵抗値が一般に高くなる傾向があった。このため
、ドツトマトリックス、液晶テレビ等の非常に低い面積
抵抗値が要求される透明導電性被膜としては適していな
かった。However, as is common to the chemical spray method, screen printing method, and dipping method, these methods generally tend to have a high one-area resistance value. For this reason, it was not suitable as a transparent conductive coating for dot matrix, liquid crystal television, etc., which requires a very low sheet resistance value.
「発明の目的」
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、低い
面積抵抗値が要求される分野にも適用できるようにした
透明導電性被膜の形成方法を提供することにある。``Object of the Invention'' An object of the present invention is to provide a method for forming a transparent conductive film that solves the problems of the prior art described above and can be applied to fields that require a low sheet resistance value. .
「発明の構成」
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究した結
果、アニール(熱処理)を行なった後、急冷することに
より面積抵抗値が低い透明導電性被膜が得られることを
見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
は、透明導電性被膜形成液を基材に塗布し、焼成して、
アニールを行なった後、急冷する透明導電性被膜形成方
法である。"Structure of the Invention" As a result of intensive research to achieve the above object, the present inventors discovered that a transparent conductive film with a low sheet resistance value can be obtained by rapid cooling after annealing (heat treatment). , we have completed the present invention. That is, the present invention applies a transparent conductive film forming liquid to a base material, bakes it, and
This is a method of forming a transparent conductive film in which the film is annealed and then rapidly cooled.
まず、本発明で使用する透明導電性被膜形成液の組成に
ついて説明する。First, the composition of the transparent conductive film forming liquid used in the present invention will be explained.
透明導電性被膜形成液としては、焼成によって透明導電
性金属酸化物となる有機金属化合物と、電気抵抗値調整
剤と、有機溶媒とを含有する液が使用される。As the transparent conductive film forming liquid, a liquid containing an organometallic compound that becomes a transparent conductive metal oxide upon firing, an electrical resistance value adjusting agent, and an organic solvent is used.
焼成によって透明導電性金属酸化物となる有機金属化合
物としては、特に限定されないが、例えば次の一般式で
示される有機インジウム化合物が好ましい。The organometallic compound that becomes a transparent conductive metal oxide upon firing is not particularly limited, but is preferably an organoindium compound represented by the following general formula, for example.
In(X)3
(ただし1式中、Xはβ−ジケトンである。)上記一般
式で示される有機インジウム化合物としては、例えばア
セチルアセトン(CH2C0CHz GOCH3)のキ
レート化合物であるトリスアセチルアセトナートインジ
ウム(m ) In(acac)3などが挙げられる。In(X)3 (However, in formula 1, ) In(acac)3 and the like.
電気抵抗値調整剤としては、特に限定されないが1例え
ば次の一般式で示される有機スズ化合物が好適である。The electrical resistance value adjusting agent is not particularly limited, but for example, an organic tin compound represented by the following general formula is suitable.
(Y)2 Sn (X)2
(ただし、式中、Xはβ−ジケトン、Yはアルキル基で
ある。)
上記一般式で示される有機スズ化合物としては、例えば
アセチルアセトンとブタンがスズと結合したジブチルス
ズアセドープ(C,H9)25n(acac )2や、
ジメチルスズアセドープ(01% )25n(acac
)2)ジエチルスズアセドープ(C2H6)2Sn(a
cac)2などが挙げられる。(Y)2 Sn (X)2 (In the formula, X is β-diketone and Y is an alkyl group.) Examples of organic tin compounds represented by the above general formula include acetylacetone and butane bonded to tin. Dibutyltin acedope (C,H9)25n(acac)2,
Dimethyltin acedope (01%) 25n (acac
)2) Diethyltin acedope (C2H6)2Sn(a
cac)2, etc.
これらの有機インジウム化合物および電気抵抗値調整剤
を溶解する有機溶媒としては、アセトンやメチルエチル
ケトンなどのケトン類、ベンゼンやヘキサンなどの炭化
水素化合物、酢酸エチルや酢酸プロピルなどのエステル
類、エタノールやプロパツールなどのアルコール類など
が用いられ、特に上記で具体例を挙げた低沸点有機溶媒
が好適である。Organic solvents for dissolving these organic indium compounds and electrical resistance value adjusters include ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, hydrocarbon compounds such as benzene and hexane, esters such as ethyl acetate and propyl acetate, ethanol and propatool. Alcohols such as these are used, and the low-boiling point organic solvents mentioned above are particularly suitable.
また、上記有機溶媒中には、ニトロセルロースなどの粘
性剤を若干添加、溶解させてもよい、これにより、液を
基板上に均一に安定してしかも量産性よく塗布すること
ができる。特に、前述のニトロセルロースは、200℃
前後の比較的低温で焼失することから、焼成後は残渣の
少ない特性の良好な透明導電性被膜が得られる。Further, a small amount of a viscous agent such as nitrocellulose may be added to and dissolved in the organic solvent, thereby allowing the liquid to be uniformly and stably applied onto the substrate with good mass productivity. In particular, the aforementioned nitrocellulose is heated at 200°C.
Since it is burnt off at a relatively low temperature before and after baking, a transparent conductive film with good properties and little residue can be obtained after baking.
本発明では、上記のようにして調整された透明導電性被
膜形成液を基材に塗布し、焼成して、アニールを行なっ
た後、急冷することにより透明導電性被膜を形成する。In the present invention, a transparent conductive film forming liquid prepared as described above is applied to a substrate, baked, annealed, and then rapidly cooled to form a transparent conductive film.
基材としては、ガラス、セラミックス等の板状またはそ
の他の形状のものが用途に応じて選ばれる。この基材に
透明導電性被膜形成液を塗布する方法としては、化学ス
プレー法、スクリーン印刷法、浸漬法などいずれの方法
を採用してもよい。As the base material, a plate-shaped material such as glass or ceramics or another shape is selected depending on the purpose. Any method such as a chemical spray method, a screen printing method, or a dipping method may be employed as a method for applying the transparent conductive film forming liquid to this base material.
例えば浸漬法による場合は、基材を透明導電性被膜形成
液中に浸漬して液を塗布する。この場合。For example, in the case of a dipping method, the substrate is immersed in a transparent conductive film forming liquid and the liquid is applied. in this case.
所望とする膜厚に応じて、透明導電性被膜形成液の濃度
や、引き上げ速度を調整する。The concentration of the transparent conductive film forming liquid and the pulling speed are adjusted depending on the desired film thickness.
このようにして、基材上に透明導電性被膜形成液を塗布
した後、例えば140℃で10分間放置することにより
、乾燥させる。乾燥によって、有機溶媒は充分に蒸発し
、基材上に透明な膜が形成される。After the transparent conductive film forming liquid is applied onto the substrate in this manner, it is dried by being left at 140° C. for 10 minutes, for example. By drying, the organic solvent is sufficiently evaporated and a transparent film is formed on the substrate.
次に、この被膜を例えば500℃で30分間焼成する。Next, this film is fired at, for example, 500° C. for 30 minutes.
焼成により、基材上に酸化インジウム−酸化スズの透明
導電性被膜が形成される。By firing, a transparent conductive film of indium oxide-tin oxide is formed on the base material.
そして、上記焼成を行なった後、アニールを行なう、こ
の場合、焼成終了後から7ニールを始めるまでの時間を
長く置くほど、得られた透明導電性被膜の面積抵抗値は
高くなる傾向がある。したがって、焼成終了後、0.5
時間以内に7ニールを行なうことが好ましい0本発明に
おいて、アニールとは焼成が終了した後の熱処理を意味
する。アニールの条件としては、窒素の含有率が高い雰
囲気下1例えば75%以上の窒素含有雰囲気下で行なう
ことが好ましい、雰囲気中の窒素の含有率が高くなるほ
ど、得られた透明導電性被膜の面積抵抗値は低くなる。After the above firing, annealing is performed. In this case, the longer the time from the end of firing to the start of 7-annealing, the higher the sheet resistance value of the obtained transparent conductive film tends to be. Therefore, after firing, 0.5
In the present invention, annealing means heat treatment after completion of firing. The annealing conditions are preferably an atmosphere with a high nitrogen content (for example, an atmosphere containing 75% or more nitrogen); the higher the nitrogen content in the atmosphere, the larger the area of the obtained transparent conductive film. The resistance value becomes lower.
また、アニールの温度は、350〜500℃程度が好ま
しい。Further, the annealing temperature is preferably about 350 to 500°C.
本発明においては、アニールを行なった後、急冷するこ
とを特徴とする。急冷により、面積抵抗値の低い透明導
電性被膜が得られる。この場合。The present invention is characterized by rapid cooling after annealing. By rapid cooling, a transparent conductive film with a low sheet resistance value can be obtained. in this case.
急冷速度は、特に限定されないが、50℃/sinより
速い速度で急冷することがより効果的である。Although the quenching rate is not particularly limited, it is more effective to quench at a rate faster than 50° C./sin.
なお、透明導電性被膜形成液を一回塗布、焼成しただけ
では充分な膜厚が得られないときは、その処理を複数回
繰り返すことにより、所望の膜厚を得ることができる。Note that if a sufficient film thickness cannot be obtained by applying and baking the transparent conductive film forming liquid once, the desired film thickness can be obtained by repeating the process multiple times.
「発明の実施例」
有機インジウム化合物としてトリスアセチルアセトナー
トインジウムIn(acac)34.38重量%、電気
抵抗値調整剤としてジブチルスズアセドープ(Ca H
,)25n(acac )20.f12重量%、粘性剤
としテニトロセルロース2.5重量%、有機溶剤として
メチルエチルケトン(MEK) 92.5重量%からな
る導電性被膜形成液を作成する。"Embodiments of the Invention" 34.38% by weight of trisacetylacetonatoindium In (acac) as an organic indium compound and dibutyltin acedope (CaH
,)25n(acac)20. A conductive film-forming liquid was prepared containing 12% by weight of f1, 2.5% by weight of tenitrocellulose as a viscosity agent, and 92.5% by weight of methyl ethyl ketone (MEK) as an organic solvent.
この形成液にソーダガラスからなる基板を浸漬し、速度
20c層/分で引き上げ、140℃で10分間の予備乾
燥を行ない、500℃で30分間焼成し、連続してアニ
ールを窒素100%雰囲気下にて500℃で30分間実
施し、さらに第1表に示すような冷却速度で急冷を行な
った。こうして得られた透明導電性被膜の面積抵抗値を
それぞれ測定し、冷却速度と面積抵抗値との関係を第1
表および第1図に示した0表および図から明らかなよう
に、冷却速度が速いほど面積抵抗値は低くなり、冷却速
度50G’0/sinのとき、面積抵抗値は50Ω10
以下と非常に低くなる。A substrate made of soda glass is immersed in this forming solution, pulled up at a speed of 20 c layers/min, pre-dried at 140°C for 10 minutes, baked at 500°C for 30 minutes, and continuously annealed in a 100% nitrogen atmosphere. The cooling was carried out at 500° C. for 30 minutes, and then rapidly cooled at the cooling rate shown in Table 1. The area resistance values of the transparent conductive films thus obtained were measured, and the relationship between the cooling rate and the area resistance values was determined as follows.
As is clear from the table and figure shown in Figure 1, the faster the cooling rate, the lower the sheet resistance value, and when the cooling rate is 50G'0/sin, the sheet resistance value is 50Ω10
Very low.
(以下、余白)
第1表
実施例2
前記実施例1と同様な組成を有する導電性被膜形成液を
作成する。この形成液にソーダガラスからなる基板を浸
漬し、速度20am/分で引き上げ。(Hereinafter, blank spaces) Table 1 Example 2 A conductive film forming liquid having the same composition as in Example 1 was prepared. A substrate made of soda glass was immersed in this forming solution and pulled up at a speed of 20 am/min.
140℃で10分間予備乾燥した後、500℃で30分
間焼成を行ない、基板上に透明導電性被膜を形成する0
次に、こうして得られた透明導電性被膜に次表に示すよ
うに焼成からアニールまでの時間を置いてアニールを実
施した。なお、アニールは窒素100%の雰囲気下、5
00℃で30分間実施した。そして、アニールを行なっ
た後、 100℃/sinで急冷した。こうして得られ
た透明導電性被膜の面積抵抗値をそれぞれ測定し、焼成
から7ニールするまでの時間と面積抵抗値との関係を第
2表および第2図に示した0表および図から明らかなよ
うに、焼成から7ニールまでの時間が長い程面積抵抗値
は増加傾向を示した。アニール後の冷却速度を変えて同
様の実験を行なった結果、同じ傾向が見られた。すなわ
ち、焼成とアニールを連続して行ない、さらに冷却速度
を速くすることで面積抵抗値の非常に低い透明導電性被
膜の形成が可能となることがわかる。After pre-drying at 140°C for 10 minutes, baking is performed at 500°C for 30 minutes to form a transparent conductive film on the substrate.
Next, the thus obtained transparent conductive film was annealed at intervals of time from firing to annealing as shown in the following table. Note that annealing was performed in an atmosphere of 100% nitrogen for 5
The test was carried out at 00°C for 30 minutes. After annealing, it was rapidly cooled at 100° C./sin. The area resistance values of the transparent conductive films thus obtained were measured, and the relationship between the time from firing to 7-neal and the area resistance values was clearly shown in Table 2 and Figure 2. As shown, the sheet resistance value showed a tendency to increase as the time from firing to 7th Neal increased. Similar experiments were conducted by changing the cooling rate after annealing, and the same trend was observed. That is, it can be seen that by continuously performing baking and annealing and further increasing the cooling rate, it is possible to form a transparent conductive film with a very low sheet resistance value.
(以下、余白)
第2表
実施例3
前記実施例2と同様の組成を有する被膜形成液を作成す
る。この形成液にソーダガラスからなる基板を浸漬し、
速度20cm/分で引き上げて140℃で10分間予備
乾燥した後、500℃で30分間焼成を行ない、基板上
に透明導電性被膜を形成する0次に、この透明導電性被
膜に、第3表に示す雰囲気下で7ニールを実施した。ア
ニールは500℃テ30分間行ない、アニールの後、1
00℃/sinで冷却した。こうして得られた透明導電
性被膜の面積抵抗値をそれぞれ測定し、アニールの雰囲
気と面積抵抗値との関係−を第3表に示した0表から明
らかなように1面積抵抗値はアニール時の雰囲気に影響
を受け、窒素雰囲気下で行なった場合には、250Ω1
0と他の雰囲気下に比べて低くなる。(Hereinafter, blank spaces) Table 2 Example 3 A film forming solution having the same composition as in Example 2 was prepared. A substrate made of soda glass is immersed in this forming solution,
After pre-drying at 140°C for 10 minutes by lifting at a speed of 20 cm/min, baking was performed at 500°C for 30 minutes to form a transparent conductive film on the substrate. Seven cycles were carried out under the atmosphere shown in . Annealing was performed at 500℃ for 30 minutes, and after annealing,
It was cooled at 00°C/sin. The area resistance values of the transparent conductive films obtained in this way were measured, and the relationship between the annealing atmosphere and the area resistance values was shown in Table 3. It is affected by the atmosphere, and when carried out under a nitrogen atmosphere, the resistance is 250Ω1.
0, which is lower than under other atmospheres.
第3表
なお、上記実施例はいずれも浸漬法によるものであるが
、本発明はスクリーン印刷法や、化学スプレー法などに
も適用することができる。Table 3 Note that although all of the above examples were based on the dipping method, the present invention can also be applied to screen printing methods, chemical spray methods, and the like.
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、透明導電性被膜
形成液を塗布し、焼成してアニールを行なった後、急冷
することにより、面積抵抗値を大幅に減少させることが
できる。また、焼成した後アニールを連続して行なえば
、面積抵抗値のさらに低い透明導電性被膜を得ることが
できる。さらに、アニールを窒素含有比率の高い雰囲気
下で行なえば1面積抵抗値のさらに一層低い透明導電性
被膜を形成することができる。したがって、車載用パネ
ル、ドットフトリックス、液晶テレビ等の非常に低い面
積抵抗値が要求される透明導電性被膜の形成にも適用す
ることができる。"Effects of the Invention" As explained above, according to the present invention, the sheet resistance value can be significantly reduced by applying a transparent conductive film forming liquid, annealing it by baking it, and then rapidly cooling it. Can be done. Moreover, if annealing is performed continuously after firing, a transparent conductive film having an even lower sheet resistance value can be obtained. Furthermore, if annealing is performed in an atmosphere with a high nitrogen content ratio, a transparent conductive film having an even lower one-area resistance value can be formed. Therefore, it can also be applied to the formation of transparent conductive films that require extremely low sheet resistance values, such as automotive panels, DotFtrix, and liquid crystal televisions.
第1図はアニールした後の冷却速度と面積抵抗値との関
係を示した図表、第2図は焼成から7ニールまでの時間
と面積抵抗値との関係を示した図表である。FIG. 1 is a chart showing the relationship between the cooling rate after annealing and the sheet resistance value, and FIG. 2 is a chart showing the relationship between the time from firing to 7th anneal and the sheet resistance value.
Claims (4)
属化合物と、電気抵抗値調整剤と、有機溶媒とを含有す
る透明導電性被膜形成液を基材に塗布して焼成し、アニ
ールを行なう透明導電性被膜の形成方法において、前記
アニールを行なった後に急冷することを特徴とする透明
導電性被膜の形成方法。(1) A transparent conductive film forming liquid containing an organometallic compound that becomes a transparent conductive metal oxide when fired, an electrical resistance value adjusting agent, and an organic solvent is applied to a base material, and then fired and annealed. A method for forming a transparent conductive film, which comprises rapidly cooling after the annealing.
℃/minより速い速度で行なう透明導電性被膜の形成
方法。(2) In claim 1, the rapid cooling is performed at 50%
A method for forming a transparent conductive film at a rate faster than °C/min.
記焼成を行なった後、0.5時間以内に前記アニールを
行なう透明導電性被膜の形成方法。(3) The method for forming a transparent conductive film according to claim 1 or 2, wherein the annealing is performed within 0.5 hours after the baking.
いて、前記アニールを75%以上の窒素含有雰囲気下で
行なう透明導電性被膜の形成方法。(4) A method for forming a transparent conductive film according to claim 1, 2, or 3, wherein the annealing is performed in an atmosphere containing 75% or more nitrogen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7038385A JPS61227311A (en) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | Formation of transparent electroconductive film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7038385A JPS61227311A (en) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | Formation of transparent electroconductive film |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61227311A true JPS61227311A (en) | 1986-10-09 |
Family
ID=13429863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7038385A Pending JPS61227311A (en) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | Formation of transparent electroconductive film |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61227311A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007086230A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Nitto Denko Corporation | Crystalline transparent conductive thin film, method for manufacturing such crystalline transparent conductive thin film, transparent conductive film and touch panel |
-
1985
- 1985-04-02 JP JP7038385A patent/JPS61227311A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007086230A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Nitto Denko Corporation | Crystalline transparent conductive thin film, method for manufacturing such crystalline transparent conductive thin film, transparent conductive film and touch panel |
JP2007200823A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nitto Denko Corp | Crystalline transparent conductive thin film, manufacturing method therefor, transparent conductive film, and touch panel |
US9260777B2 (en) | 2006-01-30 | 2016-02-16 | Nitto Denko Corporation | Transparent crystalline electrically-conductive thin film, method of production thereof, transparent electrically-conductive film, and touch panel |
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