JPS61220131A - Production of vertical magnetic recording medium - Google Patents

Production of vertical magnetic recording medium

Info

Publication number
JPS61220131A
JPS61220131A JP6159685A JP6159685A JPS61220131A JP S61220131 A JPS61220131 A JP S61220131A JP 6159685 A JP6159685 A JP 6159685A JP 6159685 A JP6159685 A JP 6159685A JP S61220131 A JPS61220131 A JP S61220131A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
coercive force
substrate
iron
low coercive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6159685A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takayoshi Akamatsu
孝義 赤松
Kenji Hayashi
健二 林
Tetsuo Oka
哲雄 岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP6159685A priority Critical patent/JPS61220131A/en
Publication of JPS61220131A publication Critical patent/JPS61220131A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent the generation of cracks by forming a low-coercive force film consisting essentially of iron and nickel on a substrate of an org. polymer by ion-plating and then forming a vertically magnetized film on the film. CONSTITUTION:The low-coercive force film to be used consists essentially of iron and nickel and manganese, molybdenum, chromium, copper, etc., can be incorporated to reduce the coercive force and increase the permeability. The low-coercive force film is formed by ion-plating and hence a uniform low- coercive force film without any cracks and having an excellent magnetic characteristic can be formed on a substrate at low temp. The vertically magnetized film has magnetic anisotropy vertical to the film surface. A uniform vertical magnetic recording medium having excellent magnetic characteristic and without generating any cracks is thus obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、垂直磁気記録媒体の製造方法に関する。更に
詳しくは、垂直磁化膜と鉄およびニッケルから主として
成る低保磁力膜とを備えた薄膜型の垂直磁気記録媒体の
製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium. More specifically, the present invention relates to a method of manufacturing a thin-film perpendicular magnetic recording medium having a perpendicular magnetization film and a low coercive force film mainly made of iron and nickel.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

垂直磁気記録媒体を構成する垂直磁化膜としてハ、コバ
ルト−クロム、コバルト−ロジウム、コバルト−バナジ
ウムなどコバルトと他の金属との合金薄膜が代表的なも
のとして知られている。
As perpendicularly magnetized films constituting perpendicular magnetic recording media, alloy thin films of cobalt and other metals, such as cobalt-chromium, cobalt-rhodium, and cobalt-vanadium, are known as representative films.

これらの垂直磁化膜は2通常、スパッタや真空蒸着で基
体上に形成される。しかしながら、スパッタによるコバ
ルト合金膜は、膜生成速度が遅く。
These perpendicularly magnetized films are usually formed on a substrate by sputtering or vacuum deposition. However, a cobalt alloy film formed by sputtering has a slow film formation rate.

また、コバルト合金を電子ビーム蒸着する方法では合金
組成の制御が困難であるという問題がある。
Furthermore, the method of electron beam evaporation of cobalt alloys has a problem in that it is difficult to control the alloy composition.

また2両方法とも磁気特性の良い膜を得るには。In addition, both methods are used to obtain films with good magnetic properties.

基体を150℃〜500℃程度の高温に加熱しなければ
ならないという難点があり、特にプラスチック基体を使
用する上で、大きな障害となっている。
There is a drawback that the substrate must be heated to a high temperature of about 150° C. to 500° C., which is a major obstacle, especially when using a plastic substrate.

かかる問題を改良する方法として、冷却された基体上に
、コバルトと酸化コバルトから成る垂直磁化膜を得る方
法が提案されている(第7回応用磁気学会学術講演概要
集)。
As a method to improve this problem, a method of obtaining a perpendicularly magnetized film made of cobalt and cobalt oxide on a cooled substrate has been proposed (Collection of Abstracts of the 7th Academic Conference of the Japan Society of Applied Magnetics).

また1本発明者らは、先に、鉄および酸化鉄から主とし
て成る垂直磁化膜を冷却された基体上に得る方法を提案
している。
Furthermore, the present inventors have previously proposed a method for obtaining a perpendicularly magnetized film mainly composed of iron and iron oxide on a cooled substrate.

基体と垂直磁化膜の間に低保磁力膜を設けた。A low coercive force film was provided between the substrate and the perpendicular magnetization film.

いわゆる二層記録媒体は、垂直磁化膜のみの単層記鎌媒
体にくらべ再生出力が大きく書記録再生特性を大幅に向
上できる方法として知られている。
A so-called two-layer recording medium is known as a method that has a higher reproduction output than a single-layer recording medium having only a perpendicular magnetization film, and can greatly improve the writing/recording/reproduction characteristics.

低保磁力膜としては1.磁気特性が優れていることに加
え、含有組成物の蒸発蒸気圧がほぼ同じで。
As a low coercive force film, 1. In addition to having excellent magnetic properties, the evaporation vapor pressures of the containing compositions are almost the same.

真空蒸着で長時間にわたり組成変動のない膜が作れる点
で、鉄およびニッケルを主体とした。いわゆるパーマロ
イの真空蒸着膜が知られている。
Iron and nickel were used as the main materials because they can be used to create films with no compositional fluctuations over long periods of time by vacuum deposition. A vacuum-deposited film of so-called permalloy is known.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、真空蒸着で鉄およびニッケルから主として成る
低保磁力膜を形成するとクラックが発生し、保磁力が大
きくなるという問題があり、クラックの発生を防止する
ために、基体の温度を200℃以上に上げて鉄およびニ
ッケルから主として成る低保磁力膜を形成することが必
要であった。このため、耐熱性が充分でない有機重合体
基体上に均一な低保磁力膜を具備した垂直磁気記録媒体
を作製できないという工業的に重要な問題があった。
However, when a low coercive force film made mainly of iron and nickel is formed by vacuum evaporation, cracks occur and the coercive force increases, so in order to prevent cracks from occurring, the temperature of the substrate must be raised to 200°C or higher. It was necessary to increase the amount of coercivity and form a low coercive force film consisting primarily of iron and nickel. For this reason, there has been an industrially important problem that a perpendicular magnetic recording medium having a uniform low coercive force film cannot be produced on an organic polymer substrate that does not have sufficient heat resistance.

本発明者らは、有機重合体基体を高温に加熱することな
くtクラックの発生がなく均一でかつ良好な磁気特性を
有する低保磁力膜と垂直磁化膜を備えた垂直磁気記録媒
体について鋭意検討し9本発明に到達した。
The present inventors have conducted extensive studies on perpendicular magnetic recording media equipped with a low coercive force film and a perpendicular magnetization film that do not generate T-cracks and have uniform and good magnetic properties without heating an organic polymer substrate to high temperatures. The present invention has now been achieved.

〔問題点を解決するだめの手段〕[Failure to solve the problem]

すなわち1本発明は、V機宜合体から成る基体上に鉄お
よびニッケルから主として成る低保磁力膜をイオンプレ
ーティングによって形成し2次いで該低保磁力膜上に膜
面に対して垂直方向に磁気異方性を有する垂直磁化膜を
形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法
である。
That is, 1) the present invention forms a low coercive force film mainly made of iron and nickel on a substrate made of a V-mechanical combination by ion plating; This is a method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium characterized by forming a perpendicularly magnetized film having orientation.

本発明で基体に用いることができる有機重合体には、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート
、ポリエチレンジカルボキシレートなどのポリエステル
、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテンなどのポ
リオレフィン、ポリメチルメタアクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルフォン、ポリアミド、芳香族ポリア
ミド。
Organic polymers that can be used for the substrate in the present invention include polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polyethylene dicarboxylate, polyolefins such as polyethylene, polypropylene, and polybutene, polymethyl methacrylate, polycarbonate, polysulfone, and polyamide. , aromatic polyamide.

ポリフェニレンスルフィド+’tf’Jフェニレンオキ
サイド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ弗化ビニリデン、ポリテ
トラフルオロエチレン、酢酸セルローズ、メチルセルロ
ーズ、エチルセルローズ、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂
あるいはこれらの混合物、共重合物などが適している。
Polyphenylene sulfide + 'tf'J Phenylene oxide, polyamideimide, polyimide, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinylidene fluoride, polytetrafluoroethylene, cellulose acetate, methyl cellulose, ethyl cellulose, epoxy resin, urethane resin, or these Mixtures, copolymers, etc. are suitable.

特に二軸延伸されたフィルム、シート類は、平面性1寸
法安定性に優れ最も適しており、中でもポリエステル、
ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリアミド、などが
最も適している。
In particular, biaxially stretched films and sheets are most suitable for their superior flatness and one-dimensional stability, among which polyester,
Polyphenylene sulfide, aromatic polyamide, etc. are most suitable.

基体の形状としては、ドラム状、ディスク状。The shape of the base is drum-shaped or disk-shaped.

シート状、テープ状、カード状等いずれでも良く。It can be in sheet form, tape form, card form, etc.

厚みも特に限定されるものではない。シート状。The thickness is also not particularly limited. Sheet form.

テープ状、カード状等の場合、加工性9寸法安定性の点
で、厚みは2〜500μ、中でも4〜200μの一範囲
が好ましい。
In the case of a tape shape, card shape, etc., the thickness is preferably in the range of 2 to 500 μm, particularly 4 to 200 μm, from the viewpoint of workability and dimensional stability.

本発明で用いられる基体は、後に述べる低保磁力膜の形
成に先だち、易接着化、平面性改良9着色、帯電防止、
耐摩耗性付与等の目的で各種の表面処理や前処理や下地
層の形成が施されても良い。
Prior to the formation of the low coercive force film described later, the substrate used in the present invention is prepared to provide easy adhesion, flatness improvement9, coloration, antistatic properties,
Various surface treatments, pretreatments, and formation of a base layer may be performed for the purpose of imparting wear resistance and the like.

本発明で用いられる低保磁力膜とは、鉄およびニッケル
から主として成り、保磁力を小さくシ。
The low coercive force film used in the present invention is mainly made of iron and nickel, and has a low coercive force.

透磁率を大きくする目的でマンガン、モリブデン。Manganese and molybdenum for the purpose of increasing magnetic permeability.

クロム、銅などを含んでも良い。特にモリブデンや銅の
添加は、保磁力を小さくシ、透磁率を大きくする効果が
大きく望ましい。鉄とニッケルは重量比で20 : 8
0付近と50 : 50付近の組合せが保磁力を小さく
シ、透磁率を大きくする点で好ましい。
It may also contain chromium, copper, etc. In particular, the addition of molybdenum or copper is highly desirable since it has the effect of reducing coercive force and increasing magnetic permeability. Iron and nickel have a weight ratio of 20:8
A combination of around 0 and around 50:50 is preferable because it reduces the coercive force and increases the magnetic permeability.

鉄とニッケル以外の元素を添加したものとしては1重量
比で21.2鉄778.5ニッケル10,3マンガン、
15.7鉄/790ニッケル15.0モリブデン10.
6マンガン、18.0鉄/75.0ニツケル/2.0ク
ロム15.0銅、17.7鉄/7B、5ニッケル/6,
8クロム、16.0鉄/80.0ニッケル74.0モリ
ブデン、  14.0鉄/ 77.0 =ツケに75.
0銅/4.0 モリブデンなどに近い組成のものが好ま
しい。
Additions of elements other than iron and nickel include 21.2 iron, 778.5 nickel, 10.3 manganese, and
15.7 Iron/790 Nickel 15.0 Molybdenum 10.
6 manganese, 18.0 iron/75.0 nickel/2.0 chromium 15.0 copper, 17.7 iron/7B, 5 nickel/6,
8 chromium, 16.0 iron/80.0 nickel 74.0 molybdenum, 14.0 iron/77.0 = 75.
A composition close to 0 copper/4.0 molybdenum is preferable.

ヘッドや垂直磁化膜との相互作用を高め、記録再生特性
を向上させるためには、低保磁力膜の膜面に平行方向の
保磁力は、35エルステツド以下。
In order to enhance the interaction with the head and the perpendicularly magnetized film and improve the recording and reproducing characteristics, the coercive force in the direction parallel to the film surface of the low coercive force film is 35 oersted or less.

好ましくは20エルステッド以下、最も好ましくは10
エルステツド以下であることが望ましい。
Preferably less than 20 oersteds, most preferably 10
It is desirable that it is less than Oersted.

低保磁力膜の厚さは、ヘッドや垂直磁化膜との相互作用
の強さに関して、最適な範囲をもち低保磁力膜の単位面
積あたシの飽和磁気モーメントが垂直磁化膜の単位面積
あたりの飽和磁気モーメントの4分の1以上、10倍以
下であるような低保磁力膜の厚さが好ましい。上述の値
が6分の1以上、6倍以下であることが更に好ましい。
The thickness of the low coercive force film has an optimum range in terms of the strength of interaction with the head and the perpendicularly magnetized film, and the saturation magnetic moment per unit area of the low coercive force film is within the range per unit area of the perpendicularly magnetized film. The thickness of the low coercive force film is preferably one quarter or more and ten times or less of the saturation magnetic moment. It is further preferable that the above value is 1/6 or more and 6 times or less.

上述の値が2分の1以、上、4倍以下であることが最も
好ましい。
It is most preferable that the above-mentioned value is 1/2 or more, above, and 4 times or less.

このような低保磁力膜を形成する方法として。As a method for forming such a low coercive force film.

本発明においては、イオンプレーチイングラ用いること
が重要であシ、これによシ低温の基体上にクラック等が
なく均一で良好な磁気特性を有する低保磁力膜を形成さ
せることができる。
In the present invention, it is important to use an ion plater, which makes it possible to form a low coercive force film on a low-temperature substrate that is free from cracks and has uniform, good magnetic properties.

本発明で用いるイオンプレーティングとは、真空析出法
により、基体上に飛来、付着して薄膜を形成する粒子の
一部または全部を一価以上に電離するものを言う。
The ion plating used in the present invention refers to a method in which part or all of the particles that fly onto a substrate and adhere to the substrate to form a thin film are ionized to a monovalent or higher valence using a vacuum deposition method.

イオンプレーティング法としては、グロー放電法、熱陰
極励起法、高周波励起法、クラスターイオンビーム法、
イオンビーム法などを用いることができる。
Ion plating methods include glow discharge method, hot cathode excitation method, radio frequency excitation method, cluster ion beam method,
An ion beam method or the like can be used.

中でも本発明においては、高真空下で高速に高性能の低
保磁力膜を形成できる点で、熱陰極励起法、高周波励起
法、クラスターイオンビーム法カ良い、特にイオン化効
率を高められる点で、熱陰極励起法、高周波励起法およ
びこの併用が最も好ましい。
Among these, in the present invention, the hot cathode excitation method, radio frequency excitation method, and cluster ion beam method are advantageous in that they can form a high-performance low coercive force film at high speed under high vacuum, and in particular, the ionization efficiency can be increased. The hot cathode excitation method, the radio frequency excitation method, and a combination thereof are most preferred.

材料を蒸発させる方法には電子ビーム加熱、誘導加熱、
抵抗加熱、レーザー加熱などの加熱によるものやイオン
衝撃を使った昇化によるものなどがあるが1M形形成度
が速い点で加熱によるものが好ましい。
Methods for vaporizing materials include electron beam heating, induction heating,
There are methods using heating such as resistance heating and laser heating, and methods using elimation using ion bombardment, but methods using heating are preferable because the degree of formation of 1M shape is rapid.

電離した粒子を加速して基体に入射させた方がクラック
の発生を防止し、保磁力を小さくするために好ましい。
It is preferable to accelerate the ionized particles and make them incident on the substrate in order to prevent the occurrence of cracks and to reduce the coercive force.

一方2粒子を加速すると基体に流入する熱量が増大し、
有機重合体から成る基体が熱損傷を受は易くなる。この
ため、加速電圧は。
On the other hand, when two particles are accelerated, the amount of heat flowing into the base increases,
Substrates made of organic polymers are more susceptible to thermal damage. Therefore, the accelerating voltage is.

−5kVから一300Vの範囲が好ましく 、 −3k
V i)hら一400vの範囲が更に好ましくy=2k
vから一5oovの範囲が最も好ましい。
-5kV to -300V range is preferred, -3kV
V i)h is more preferably in the range of 400v y=2k
A range of 15 oov from v is most preferred.

第1図に本発明方法を実施するだめの装置の一例を示す
。Cは真空槽、Dは基体を所定速度で走行させつつその
温度を制御するだめのドラム状の基体ホルダー、Eは有
機重合体から成る基体、Iはるつぼ、Gは鉄とニッケル
から成る蒸発材料。
FIG. 1 shows an example of an apparatus for carrying out the method of the present invention. C is a vacuum chamber, D is a drum-shaped substrate holder that controls the temperature while running the substrate at a predetermined speed, E is a substrate made of an organic polymer, I is a crucible, and G is an evaporation material made of iron and nickel. .

Jは蒸発材料を加熱する電子ビーム、Fは遮蔽板である
。るつぼ工から蒸発し、ドラムDへ向う鉄おヨヒニッケ
ル粒子は、フィラメントKから放射される電子と衝突し
イオン化される。イオン化された粒子は、メツシュ状の
加速電極0により加速されドラムDに密着した基体Eへ
入射する。Lはフィラメント加熱用電源、Nはフィラメ
ントから電子を放射するだめのバイアス電源、Pはイオ
ン加速用電源である。
J is an electron beam that heats the evaporation material, and F is a shielding plate. The iron and nickel particles evaporated from the crucible and headed toward the drum D collide with electrons emitted from the filament K and are ionized. The ionized particles are accelerated by the mesh-like accelerating electrode 0 and are incident on the base E that is in close contact with the drum D. L is a power source for heating the filament, N is a bias power source for emitting electrons from the filament, and P is a power source for accelerating ions.

低保磁力膜を形成するに際して、基体の温度は基体に接
した基体ホルダーによって制御される。
When forming a low coercive force film, the temperature of the substrate is controlled by a substrate holder in contact with the substrate.

基体の表面に密着して基体を冷却または加熱する基体ホ
ルダーの温度は、低保磁力膜形成時に有機重合体基体の
熱変形を防ぎ、また基体、無機材膜、低保磁力膜間の熱
膨張係数の違いによる応力   ゛発生で低保磁力膜の
保磁力か大きくなるのを防ぐため、低い方が好ましい。
The temperature of the substrate holder, which cools or heats the substrate by closely contacting the surface of the substrate, prevents thermal deformation of the organic polymer substrate during formation of the low coercive force film, and also prevents thermal expansion between the substrate, inorganic film, and low coercive force film. A lower value is preferable in order to prevent the coercive force of the low coercive force film from increasing due to stress caused by the difference in coefficients.

イオンプレーティングを行なえばクラックの発生を防止
することができるため、基体を加熱する必要はないが、
基体温度を高くしてもイオンデレーティングの効果は損
われない。このため、低保磁力膜形成時の基本ホルダー
の温度は、−30℃以上180°0以下、好ましくは、
−20℃以上150°C以下、最も好ましくは、−20
℃以上130°C以下が望ましい。
Ion plating can prevent cracks from occurring, so there is no need to heat the substrate.
Even if the substrate temperature is increased, the effect of ion derating is not impaired. For this reason, the temperature of the basic holder when forming a low coercive force film is -30°C or more and 180°C or less, preferably
-20°C or higher and 150°C or lower, most preferably -20°C
It is desirable that the temperature is between 130°C and 130°C.

本発明で用いられる垂直磁化膜とは、コバルトおよび酸
化コバルトおよび/lたは鉄および酸化鉄から主として
成り、基体面と垂直方向に磁気異方性を有するものであ
る。
The perpendicularly magnetized film used in the present invention is mainly composed of cobalt, cobalt oxide and/or iron and iron oxide, and has magnetic anisotropy in the direction perpendicular to the substrate surface.

本発明でいう膜面と垂直方向に磁気異方性を有する垂直
磁化膜は2次のように規定される。
The perpendicularly magnetized film having magnetic anisotropy in the direction perpendicular to the film plane in the present invention is defined as second-order.

垂直磁化膜の磁気特性は、  JIS  C−2561
で示されている振動型磁力計法や、自記磁束計法によっ
て測定できる。つまりt試料とする垂直磁化膜に外部磁
界(H)を加えながら、試料の磁化(M)を測定する。
The magnetic properties of the perpendicular magnetization film are as per JIS C-2561.
It can be measured using the vibrating magnetometer method shown in or the self-recording magnetometer method. That is, the magnetization (M) of the sample is measured while applying an external magnetic field (H) to the perpendicularly magnetized film, which is the t sample.

第2図はこの測定結果を模式的に示すものである。初め
に外部磁界(H)を00状態(点0)から徐々に外部磁
界(H)を増加し、試料の磁化(M)が飽和(点A)し
たら、外部磁界(H)を減少させリ さらに逆向きの磁
界を加える。逆向きの磁化が飽和したら(点B)、外部
磁界(H)を減少させ、さらに初めに加えた方向の外部
磁界(H)を試料の磁化(M)が飽和するまで加える(
点A)。
FIG. 2 schematically shows the results of this measurement. First, the external magnetic field (H) is gradually increased from the 00 state (point 0), and when the magnetization (M) of the sample is saturated (point A), the external magnetic field (H) is decreased and further Apply a magnetic field in the opposite direction. When the magnetization in the opposite direction is saturated (point B), reduce the external magnetic field (H), and then apply the external magnetic field (H) in the initially applied direction until the magnetization (M) of the sample is saturated (
Point A).

このようにして得られるA→B −+ Aの曲線は。The curve A→B −+ A obtained in this way is.

ヒステリシスループと呼ばれている。このヒステリシス
ループから保磁力、飽和磁化などの磁気特性が測定でき
る。磁気記録媒体に使用する場合は。
This is called a hysteresis loop. Magnetic properties such as coercive force and saturation magnetization can be measured from this hysteresis loop. When used for magnetic recording media.

このヒステリシスループで囲まれる面積(S)が大きい
ものほど記録容量が大きく、高密度記録に適している。
The larger the area (S) surrounded by this hysteresis loop is, the larger the recording capacity is, and it is suitable for high-density recording.

低保磁力膜を備えだ垂直磁気記録媒体においては、あら
かじめ低保磁力膜のヒステリシスループを測定しておき
、垂直磁化膜を形成後、測定したヒステリシスループか
ら低保磁力膜のヒステリシスループを磁化について差し
引くことで垂直磁化膜のみのヒステリシスループを求め
ることができる。
In a perpendicular magnetic recording medium equipped with a low coercive force film, the hysteresis loop of the low coercive force film is measured in advance, and after forming the perpendicular magnetic film, the hysteresis loop of the low coercive force film is calculated from the measured hysteresis loop. By subtracting it, the hysteresis loop of only the perpendicularly magnetized film can be found.

試料とする垂直磁化膜膜面に垂直方向に外部磁界を加え
ながら測定したヒステリシスループで囲まれる面積をS
=とじ、垂直磁化膜膜面に平行方向に外部磁界を加えた
場合のヒステリシスループの面積をSl、とすると+ 
 SLがSl、にくらべ大きい場合は、垂直方向の磁気
記録に適した磁気記録媒体といえる。
S is the area surrounded by the hysteresis loop measured while applying an external magnetic field in the perpendicular direction to the perpendicularly magnetized film surface of the sample.
= If the area of the hysteresis loop when an external magnetic field is applied in a direction parallel to the perpendicularly magnetized film surface is Sl, +
When SL is larger than Sl, it can be said that the magnetic recording medium is suitable for perpendicular magnetic recording.

本発明でいう、膜面と垂直方向に磁気異方性を有する垂
直磁化膜とは、膜面に垂直方向の外部磁界に対するヒス
テリシスループの面積S=と、膜面の平行方向の外部磁
界に対するヒステリシスループの面積S1.より算出さ
れる磁気異方性係数(S上/S1.)が1より大きく、
好ましくは1.2以上、最も好ましくは1.4以上のも
のをいう。
In the present invention, a perpendicularly magnetized film having magnetic anisotropy in the direction perpendicular to the film surface is defined by the area S= of a hysteresis loop against an external magnetic field perpendicular to the film surface, and the hysteresis against an external magnetic field in a direction parallel to the film surface. Area of the loop S1. The magnetic anisotropy coefficient (S on/S1.) calculated by is larger than 1,
Preferably it is 1.2 or more, most preferably 1.4 or more.

垂直磁化膜の厚みは、特に制限はないが、実用的には0
.02μmから5μmの範囲が良く、中でも0.08μ
mから6μm、特に0.1μmか2μ山の範囲が可撓性
、ヘッドタッチが良好な点で最も好ましい。
There is no particular limit to the thickness of the perpendicular magnetization film, but it is practically 0.
.. A range of 0.02μm to 5μm is best, especially 0.08μm.
A range of m to 6 μm, particularly 0.1 μm to 2 μm, is most preferable in terms of flexibility and good head touch.

該垂直磁化膜は、主としてコバルトおよびC00゜CO
□0 、 +  Co s O4などの酸化コバルトお
よび/または鉄およびFeO、Pe20. 、  Fe
、04などの酸化鉄によって構成される。酸化コバルト
としては、この他、Co0X(Xは0から2の間の数)
で表わされる非化学量論的な酸化物、過酸化物も含まれ
る。酸化鉄としては、この他、Fe0x(xは0から2
の間の数)で表わされる非化学量論的な酸化物、過酸化
物も含まれる。
The perpendicular magnetization film is mainly composed of cobalt and C00°CO
□0, + Cobalt oxides such as CosO4 and/or iron and FeO, Pe20. , Fe
, 04 and other iron oxides. Other examples of cobalt oxide include Co0X (X is a number between 0 and 2)
Also included are non-stoichiometric oxides and peroxides represented by In addition to this, iron oxides include Fe0x (x is 0 to 2
Also included are non-stoichiometric oxides and peroxides represented by numbers in between.

該垂直磁化膜には、コバルトおよび酸化コバルトおよび
/″!、だは鉄および酸化鉄以外の元素や化合物2例え
ば、ニッケル銅、クロム、アルミニウム、炭素、シリコ
ン、バナジウム、チタン、亜鉛。
The perpendicularly magnetized film contains cobalt, cobalt oxide, and elements or compounds other than iron and iron oxide, such as nickel copper, chromium, aluminum, carbon, silicon, vanadium, titanium, and zinc.

マンガンや、金属酸化物、金属窒化物、金属水酸化物な
どが、垂直方向の磁気異方性を損わない範囲で含まれて
いても良い。
Manganese, metal oxides, metal nitrides, metal hydroxides, and the like may be contained within the range that does not impair vertical magnetic anisotropy.

このような垂直磁化膜を形成する方法としては真空蒸着
、イオンプレーティング、スパッタリングなどの真空析
出法があるが、基体の温度上昇が小さい点や膜形成速度
が速い点で真空蒸着が特に好ましい。
Vacuum deposition methods such as vacuum evaporation, ion plating, and sputtering can be used to form such a perpendicularly magnetized film, but vacuum evaporation is particularly preferred since the temperature rise of the substrate is small and the film formation rate is high.

真空蒸着時の槽内酸素含有雰囲気の圧力は、コバルトお
よび酸化コバルトおよび/または鉄および酸化鉄から主
として成る垂直磁化膜の磁気特性を良好にするため1x
10)−ルから1×10 トールの範囲が望ましい。
The pressure of the oxygen-containing atmosphere in the tank during vacuum deposition is set to 1x in order to improve the magnetic properties of the perpendicularly magnetized film mainly composed of cobalt and cobalt oxide and/or iron and iron oxide.
A range of 10) Torr to 1×10 Torr is desirable.

垂直磁化膜形仄時、基体の温度は50°C以下に冷却し
ておくことが、垂直磁化膜の磁気異方性係数を大きくす
るために望ましい。また、コバルトおよび/または鉄蒸
気と基体面の法線のなす角が45度以下となるよう、4
5度を越える入射粒子を遮蔽するマスクを設けることが
、垂直磁化膜の磁気異方性係数を大きくするために好ま
しい。
When forming a perpendicularly magnetized film, it is desirable to cool the temperature of the substrate to 50° C. or less in order to increase the magnetic anisotropy coefficient of the perpendicularly magnetized film. In addition, the angle between the cobalt and/or iron vapor and the normal to the substrate surface is 45 degrees or less.
It is preferable to provide a mask that blocks incident particles exceeding 5 degrees in order to increase the magnetic anisotropy coefficient of the perpendicularly magnetized film.

有機重合体基体/低保磁力膜/垂直磁化膜の構成を有す
る本発明の垂直磁気記録媒体の製法の一例を以下に示す
が、これに限定されるものでない。
An example of the method for manufacturing the perpendicular magnetic recording medium of the present invention having the structure of organic polymer substrate/low coercive force film/perpendicular magnetization film is shown below, but the method is not limited thereto.

二軸延伸された厚さ50μmのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムを基体とする。真空槽内を1×10−6ト
ールまで排気した後、鉄とニッケルが重量比で17:8
3の合金を蒸着材料として電子ビーム真空蒸着により6
0μl1115+の付着速度で厚さ約0.25μmの低
保磁力膜を上記の基体上に形成する。
The base is a biaxially stretched polyethylene terephthalate film with a thickness of 50 μm. After evacuating the vacuum chamber to 1 x 10-6 Torr, the weight ratio of iron and nickel was 17:8.
6 by electron beam vacuum evaporation using an alloy of 3 as a deposition material.
A low coercivity film approximately 0.25 μm thick is formed on the above substrate at a deposition rate of 0 μl 1115+.

この時、第1図の装置において電子照射用ノくイアスミ
源(N)出力を一50v、イオン加速電極(0)に−5
oovの電圧を印加して、それぞれ、基体上へ飛来スる
粒子のイオン化とこのイオンの加速を行なう。この時基
体の裏面に密着したホルダーは。
At this time, in the apparatus shown in Fig. 1, the output of the insulator source (N) for electron irradiation is -50V, and the output of the ion accelerating electrode (0) is -50V.
A voltage of oov is applied to ionize particles flying onto the substrate and accelerate these ions, respectively. At this time, the holder is in close contact with the back side of the base.

20℃以下に冷却される。再び、1x101−−ルまで
排気した後、毎分10〜1000αの酸素を導入し、1
°0−“トールから1O−2)−ルの圧力とした真空槽
内で電子ビーム真空蒸着によりコバルトを10μm/分
の速度で蒸着して、上記の低保磁力磁性膜上にコバルト
と酸化コバルトから主として成る垂直磁化膜を形成する
。この時、基体の裏面は。
Cooled to below 20°C. After evacuation to 1x101-1 again, oxygen was introduced at 10 to 1000α per minute, and
Cobalt and cobalt oxide were deposited on the low coercive force magnetic film by electron beam vacuum evaporation at a rate of 10 μm/min in a vacuum chamber at a pressure of 0 to 1 O-2) Torr. A perpendicularly magnetized film mainly consisting of is formed.At this time, the back surface of the substrate is

−10℃以下に冷却されており、かつ、コバルト蒸気が
フィルム基体に入射する際、入射蒸気が基体の法線方向
となす角度は45°以下となるよう蒸発源と基体との間
に遮蔽板を配置する。
A shielding plate is installed between the evaporation source and the substrate so that the cobalt vapor is cooled to -10°C or lower, and the angle between the incident vapor and the normal direction of the substrate is 45° or less when the cobalt vapor is incident on the film substrate. Place.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、クラック発生
がなく均一で、かつ良好な磁気特性を有するものが得ら
れる。
The method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium of the present invention can produce a perpendicular magnetic recording medium that is uniform without cracking and has good magnetic properties.

イオンプレーティングを用いることで、有機重合体基体
上に、低基体温度でもクラックのない鉄およびニッケル
から主としてなる低保磁力膜を真空蒸着で得ることがで
きる理由については十分解明できていないが、イオン化
され加速された粒子の持つエネルギーが、成長中の低保
磁力膜の内部応力を緩和させる効果があるためと推察さ
れる。
The reason why it is possible to obtain a low coercive force film mainly made of iron and nickel on an organic polymer substrate by vacuum deposition that does not crack even at low substrate temperatures by using ion plating has not been fully elucidated. This is presumably because the energy possessed by the ionized and accelerated particles has the effect of relaxing the internal stress of the low coercive force film during growth.

この結果、磁気ヘッドやガイド部分との接触によっても
摩耗や脱離が少なく、ヘッドタッチの良い垂直磁気記録
媒体を得ることができる。また。
As a result, it is possible to obtain a perpendicular magnetic recording medium with good head touch and less wear and detachment due to contact with the magnetic head or guide portion. Also.

真空蒸着と低基体温度の組み合せにより、耐熱性の小さ
いプラスチック基体上に高速で垂直磁気記録媒体を得る
ことができる。
The combination of vacuum deposition and low substrate temperature makes it possible to obtain perpendicular magnetic recording media at high speeds on plastic substrates with low heat resistance.

本発明で得られる垂直磁気記録媒体はテープ。The perpendicular magnetic recording medium obtained by the present invention is a tape.

シート、カード、ディスク、ドラムなどの形状にて、オ
ーディオ、ビデオ、デジタル信号などの磁気記録用に広
く用いることができる。
It can be widely used for magnetic recording of audio, video, digital signals, etc. in the form of sheets, cards, disks, drums, etc.

〔特性の測定方法・評価基準〕[Measurement method and evaluation criteria of characteristics]

(1)保磁力 振動試料型磁力計(理研電子(株)製、 BHV−30
)を使用し、外部磁界を膜面に平行方向に加え、ヒステ
リシスループを記録する。このヒステリシスループから
、  JIS C2560の定義に基づき保磁力を求め
る。
(1) Coercive force vibrating sample magnetometer (manufactured by Riken Electronics Co., Ltd., BHV-30
) to apply an external magnetic field parallel to the film surface and record the hysteresis loop. From this hysteresis loop, the coercive force is determined based on the definition of JIS C2560.

〔実施例〕〔Example〕

実施例1 基体に二軸延伸された厚さ75μmのポリエチレンテレ
フタレートフィルム(東しく株) 製=ルミラー“)を
使用した。
Example 1 A biaxially stretched polyethylene terephthalate film (Lumirror" manufactured by Toshiku Co., Ltd.) having a thickness of 75 μm was used as a substrate.

鉄とニッケルが重量比で17:83の合金を蒸着材料と
して、電子ビーム真空蒸着により、1x10TOrrの
雰囲気下で60μm/分の付着速度で厚さ約0.25μ
mの低保磁力膜を基体上に形成した。
Using an alloy of iron and nickel in a weight ratio of 17:83 as the deposition material, the film was deposited to a thickness of approximately 0.25 μm by electron beam vacuum deposition at a deposition rate of 60 μm/min in an atmosphere of 1×10 TOrr.
A low coercive force film of m was formed on the substrate.

この時、第1図の装置において、電子照射用バイアス電
源Nに一50v、イオン加速電極0に一1kvの電圧を
印加した。基体は冷却されたホルダーに密着して設置し
、ホルダーの温度を20°Cに保った。
At this time, in the apparatus shown in FIG. 1, a voltage of -50 V was applied to the bias power supply N for electron irradiation, and a voltage of -1 kV was applied to the ion accelerating electrode 0. The substrate was placed in close contact with a cooled holder, and the temperature of the holder was maintained at 20°C.

かくして得られた低保磁力膜にはクラックは見られなか
った。また膜面に平行方向の保磁力は6エルステツドで
あった。
No cracks were observed in the low coercive force film thus obtained. Moreover, the coercive force in the direction parallel to the film surface was 6 oersted.

ついで、酸素ガスを毎分550国導入し、真空槽内圧力
を8x10  トールとして、電子ビーム真空蒸着によ
りコバルトを蒸発させ、10μm/分の付着速度で厚さ
約0.25μmのコバルトおよび酸化コバルトから主と
して成る垂直磁化膜を低保磁力膜上に形成した。
Next, cobalt was evaporated by electron beam vacuum evaporation by introducing oxygen gas at a rate of 550 mm per minute and setting the pressure inside the vacuum chamber to 8 x 10 Torr, to form cobalt and cobalt oxide with a thickness of about 0.25 μm at a deposition rate of 10 μm/min. A perpendicularly magnetized film mainly consisting of a film was formed on a low coercive force film.

基体は5°Cに冷却されたホルダーに密着して設置し、
コバルト蒸気と基体面の法線のなす角が45度以下とな
るよう、45度を越える入射粒子を遮蔽する水冷された
遮蔽板を基体前面に配置する。
The substrate was placed in close contact with a holder cooled to 5°C.
A water-cooled shielding plate for blocking incident particles exceeding 45 degrees is placed on the front surface of the substrate so that the angle between the cobalt vapor and the normal to the surface of the substrate is 45 degrees or less.

かくして得られた垂直磁気記録媒体にはクラックが全く
みられず、耐摩耗性も良好であった。
The thus obtained perpendicular magnetic recording medium showed no cracks at all and had good wear resistance.

実施例2 実施例1と同じポリエチレンテレフタレートフィルムを
基体に使用した。イオン加速電極0に一5oovの電圧
を印加した以外は実施例1と同様にして、基体上に鉄お
よびニッケルから成る低保磁力膜を形成した。
Example 2 The same polyethylene terephthalate film as in Example 1 was used as the substrate. A low coercive force film made of iron and nickel was formed on the substrate in the same manner as in Example 1 except that a voltage of -5 oov was applied to the ion accelerating electrode 0.

かくして得られた低保磁力膜にはクラックが見られなか
った。膜面に平行方向の保磁力は7エルステツドであっ
た。
No cracks were observed in the low coercive force film thus obtained. The coercive force in the direction parallel to the film surface was 7 Oersteds.

次に該低保磁力膜上に鉄および酸化鉄から主として成る
垂直磁化膜を形成した。
Next, a perpendicularly magnetized film mainly composed of iron and iron oxide was formed on the low coercive force film.

すなわち9分圧が60:40の酸素と窒素の混合ガスを
毎分550■導入し、真空槽内圧力を8×10 トール
として、電子ビーム真空蒸着によシ鉄を蒸発させ、10
μffi/分の付着速度で厚さ約0.25μmの鉄およ
び酸化鉄から主として成る垂直磁化膜を低保磁力膜上に
形成した。
That is, a mixed gas of oxygen and nitrogen with a partial pressure of 60:40 was introduced at 550 μ/min, the pressure inside the vacuum chamber was set to 8×10 Torr, and iron was evaporated by electron beam vacuum evaporation.
A perpendicularly magnetized film consisting primarily of iron and iron oxide with a thickness of approximately 0.25 μm was formed on the low coercive force film at a deposition rate of μffi/min.

基体は5℃に冷却されたホルダーに密着して設置し、鉄
蒸気と基体面の法線のなす角が45度以下となるよう、
45度を越える入射粒子を遮蔽する水冷された遮蔽板を
基体前面に配置する。
The substrate was placed in close contact with a holder cooled to 5°C, and the angle between the iron vapor and the normal to the substrate surface was 45 degrees or less.
A water-cooled shielding plate that shields incident particles above 45 degrees is placed in front of the substrate.

かくして得られた垂直磁気記録媒体にはクラックが全く
見られず、耐摩耗性も良好であった。
The thus obtained perpendicular magnetic recording medium showed no cracks at all and had good wear resistance.

実施例3 実施例2と同様にしてポリエチレンテレフタレートフィ
ルム基体上に鉄およびニッケルから成る低保磁力膜を形
成した。かくして得られた低保磁力膜にはクラックが見
られなかった。低保磁力膜の膜面に平行方向の保磁力は
7エルステツドであった。
Example 3 A low coercive force film made of iron and nickel was formed on a polyethylene terephthalate film substrate in the same manner as in Example 2. No cracks were observed in the low coercive force film thus obtained. The coercive force of the low coercive force film in the direction parallel to the film surface was 7 oersteds.

該低保磁力膜上にコバルト、鉄およびこれらの酸化物か
ら主として成る垂直磁化膜を形成した。
A perpendicularly magnetized film mainly composed of cobalt, iron, and oxides thereof was formed on the low coercive force film.

すなわち2分圧が70:30の酸素と窒素の混合ガスを
毎分500cc導入し、真空槽内圧力を7×10 トー
ルとして、コバルトと鉄が重量比で80:20の合金を
電子ビームで蒸発させ10μrn/分の付着速度で厚さ
約0.6μmのコバルト、鉄およびこれらの酸化物から
主として成る垂直磁化膜を低保磁力膜上に形成した。
In other words, a mixed gas of oxygen and nitrogen with a partial pressure of 70:30 was introduced at a rate of 500 cc per minute, the pressure inside the vacuum chamber was set to 7×10 Torr, and an alloy of cobalt and iron with a weight ratio of 80:20 was evaporated with an electron beam. A perpendicularly magnetized film mainly composed of cobalt, iron, and oxides thereof having a thickness of about 0.6 μm was formed on the low coercive force film at a deposition rate of 10 μrn/min.

基体は5℃に冷却されたホルダーに密着して設置し、金
属蒸気と基体面の法線の成す角が45度以下となるよう
、45度を越える入射粒子を遮蔽する水冷された遮蔽板
を基体前面に配置する。
The substrate was placed in close contact with a holder cooled to 5°C, and a water-cooled shielding plate was installed to block incident particles exceeding 45 degrees so that the angle between the metal vapor and the normal to the substrate surface was 45 degrees or less. Place it on the front of the base.

かくして得られた垂直磁気記録媒体にはクラックが全く
見られず、耐摩耗性も良好であった。
The thus obtained perpendicular magnetic recording medium showed no cracks at all and had good wear resistance.

実施例4 実施例1と同じポリエチレンテレフタレートフィルムを
基体に使用した。
Example 4 The same polyethylene terephthalate film as in Example 1 was used as the substrate.

イオン加速電極0に印加する電圧を一300vにした以
外は実施例1と同様にして、基体上に鉄およびニッケル
から成る低保磁力膜を形成した。
A low coercive force film made of iron and nickel was formed on the substrate in the same manner as in Example 1 except that the voltage applied to the ion accelerating electrode 0 was -300V.

かくして得られた低保磁力膜には微細なりラックが発生
するものもあったが、イオン化、イオン加速を行なわな
いものに比べ改善効果はあった。
Although some of the low coercive force films obtained in this way had minute racks, they were improved compared to those in which ionization and ion acceleration were not performed.

膜面に平行方向の保磁力は26エルステツドとイオン化
、イオン加速を行なわないものに比べ小さくなった。
The coercive force in the direction parallel to the film surface was 26 oersted, which was smaller than that in the case where ionization and ion acceleration were not performed.

低保磁力膜上に実施例1と同様にしてコバルトおよび酸
化コバルトから主として成る垂直磁化膜を形成した。
A perpendicularly magnetized film mainly made of cobalt and cobalt oxide was formed on the low coercive force film in the same manner as in Example 1.

かくして得られた垂直磁気記録媒体には、垂直磁化膜に
クラックがほとんど見られず、耐摩耗性も良好であった
The thus obtained perpendicular magnetic recording medium had almost no cracks in the perpendicular magnetization film and had good wear resistance.

比較例1 実施例1と同じポリエチレンテレフタレートフィルムを
基体に使用した。
Comparative Example 1 The same polyethylene terephthalate film as in Example 1 was used as the substrate.

基体上にイオン化およびイオン加速を行なわないこと以
外は実施例1と同様にして鉄およびニッケルから成る低
保磁力膜を形成した。
A low coercive force film made of iron and nickel was formed on the substrate in the same manner as in Example 1 except that ionization and ion acceleration were not performed.

かくして得られた低保磁力膜には微細なりラックが多数
発生し、膜が白濁し、一部剥離も生じた。
In the thus obtained low coercive force film, many fine racks were generated, the film became cloudy, and some peeling occurred.

膜面に平行方向の保磁力は40エルステツドであった。The coercive force in the direction parallel to the film surface was 40 oersteds.

低保磁力膜上に実施例1と同様にしてコバルトおよび酸
化コバルトから主として成る垂直磁化膜を形成した。
A perpendicularly magnetized film mainly made of cobalt and cobalt oxide was formed on the low coercive force film in the same manner as in Example 1.

かくして得られた垂直磁気記録媒体には、垂直磁化膜に
もクラックが生じ、ヘッドやガイド部分との接触により
、容易に膜の脱離を生じた。
In the thus obtained perpendicular magnetic recording medium, cracks also occurred in the perpendicular magnetization film, and the film easily came off due to contact with the head or guide portion.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は9本発明を実施するための装置の−例を示す説
明図、第2図はヒステリシスループの測定例を示す説明
図である。 C:真空槽  D=加熱または冷却ドラムE:有機重合
体より成る基体  F:遮蔽板G:鉄およびニッケルか
ら成る蒸発材料工:るつぼ  J:蒸発材料加熱用電子
ビームに:フィラメント L:フィラメント加熱用電源 N:電子放射用バイアス電源 0:イオン加速電極  P:イオン加速用電源A、B:
飽和点    H:外部磁界 M:試料の磁化 特許出願人  東 し 株 式 会 社第2図
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of an apparatus for carrying out the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of measuring a hysteresis loop. C: Vacuum chamber D = Heating or cooling drum E: Substrate made of organic polymer F: Shielding plate G: Evaporation material made of iron and nickel: Crucible J: For electron beam for heating evaporation material: Filament L: For heating filament Power supply N: Bias power supply for electron emission 0: Ion acceleration electrode P: Power supply for ion acceleration A, B:
Saturation point H: External magnetic field M: Magnetization of sample Patent applicant Toshi Co., Ltd. Figure 2

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)有機重合体から成る基体上に鉄およびニッケルか
ら主として成る低保磁力膜をイオンプレーティングによ
つて形成し、次いで該低保磁力膜上に膜面に対して垂直
方向に磁気異方性を有する垂直磁化膜を形成することを
特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
(1) A low coercive force film mainly made of iron and nickel is formed on a substrate made of an organic polymer by ion plating, and then magnetically anisotropic in the direction perpendicular to the film surface on the low coercive force film. 1. A method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium, the method comprising forming a perpendicularly magnetized film having a magnetic field.
(2)垂直磁化膜がコバルトおよび酸化コバルトおよび
/または鉄および酸化鉄から主として成る特許請求の範
囲第1項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
(2) The method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium according to claim 1, wherein the perpendicular magnetization film mainly consists of cobalt and cobalt oxide and/or iron and iron oxide.
JP6159685A 1985-03-26 1985-03-26 Production of vertical magnetic recording medium Pending JPS61220131A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6159685A JPS61220131A (en) 1985-03-26 1985-03-26 Production of vertical magnetic recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6159685A JPS61220131A (en) 1985-03-26 1985-03-26 Production of vertical magnetic recording medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61220131A true JPS61220131A (en) 1986-09-30

Family

ID=13175690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6159685A Pending JPS61220131A (en) 1985-03-26 1985-03-26 Production of vertical magnetic recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61220131A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4382110A (en) Magnetic recording medium
JPH0411625B2 (en)
US4002546A (en) Method for producing a magnetic recording medium
JPS62114124A (en) Production of magnetic disk
JPS61220131A (en) Production of vertical magnetic recording medium
US4835068A (en) Magnetic recording medium
EP0190854A2 (en) Method for producing a perpendicular magnetic recording medium
JPS61210521A (en) Production of magnetic disk
JPS59157828A (en) Magnetic recording medium
CA1184881A (en) Perpendicular magnetic recording medium, method for producing the same, and sputtering device
JP2558753B2 (en) Magnetic recording media
JPS6224432A (en) Production of magnetic recording medium
JPH02168427A (en) Manufacture of perpendicular magnetic recording medium
JPS6235605A (en) Magnetically soft thin film
JPH01211318A (en) Magnetic recording medium
JPS6145290B2 (en)
JPH0991651A (en) Disk applied to hard disk device and its production
JPS59148122A (en) Magnetic recording medium
JPH0278018A (en) Production of perpendicular magnetic recording medium
JPS61133030A (en) Production of magnetic recording medium
JPS6154040A (en) Manufacture of magnetic recording medium
JPS61227222A (en) Magnetic recording medium
JPS62231420A (en) Magnetic recording medium
JPH0221417A (en) Magnetic recording medium
JPS60111348A (en) Production of magnetic recording medium