JPS61219102A - Thermal recording head - Google Patents

Thermal recording head

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Publication number
JPS61219102A
JPS61219102A JP60058533A JP5853385A JPS61219102A JP S61219102 A JPS61219102 A JP S61219102A JP 60058533 A JP60058533 A JP 60058533A JP 5853385 A JP5853385 A JP 5853385A JP S61219102 A JPS61219102 A JP S61219102A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
recording head
thermal recording
thermal
resistance layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP60058533A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
菅田 正夫
正木 辰雄
博和 小室
平澤 伸一
泰弘 矢野
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
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Priority to US06/841,266 priority patent/US4845513A/en
Priority to DE19863609493 priority patent/DE3609493A1/en
Priority to GB8607086A priority patent/GB2174038B/en
Publication of JPS61219102A publication Critical patent/JPS61219102A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は熱エネルギーを利用して記録を行なう記録方式
において用いられる熱記録ヘッドに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a thermal recording head used in a recording method that performs recording using thermal energy.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、熱エネルギーを利用して記録を行なう記録方式は
、ノンインパクトであるため記録時における騒音が極め
て小さいという特長があり、更に近年においてはカラー
化も可能であるというということで1次第に注目されて
きている。
Traditionally, recording methods that use thermal energy to record have the advantage of being non-impact and therefore produce extremely little noise during recording, and in recent years have attracted increasing attention because they can also be used in color. It's coming.

この様な記録方式においては記録情報は電気信号の形で
熱記録ヘッド即ち電気−熱変換素子に伝達される。この
電気−熱変換素子としては、基体上に発熱抵抗層を形成
し、該発熱抵抗層に少なくとも1対の電極を接続してな
るものが使用される。
In such a recording method, recorded information is transmitted in the form of an electrical signal to a thermal recording head, that is, an electrothermal conversion element. The electro-thermal conversion element used includes a heat generating resistance layer formed on a base and at least one pair of electrodes connected to the heat generating resistance layer.

尚、ここで基体とは発熱抵抗層を担持するものを意味し
、該基体は単なる支持体上に必要により適宜の層を形成
してなるものである。熱記録ヘッドは一般に比較的小型
であるため、その発熱抵抗層としては薄膜型のもの、厚
膜型のものまたは半導体型のものが用いられる。特に、
薄膜型のものは他のものに比・較して消費電力が少なく
てすみ、また熱応答性も比較的良好であるので、熱記録
ヘッドの構成要素として好ましく、次第にその適用が増
加しつつある。
Here, the term "substrate" refers to one that supports a heat generating resistive layer, and the substrate is simply a support with appropriate layers formed thereon, if necessary. Since thermal recording heads are generally relatively small, their heating resistance layers are of a thin film type, a thick film type, or a semiconductor type. especially,
Thin-film types consume less power than other types and have relatively good thermal responsiveness, so they are preferred as components of thermal recording heads, and their use is gradually increasing. .

しかして、熱記録ヘッドの発熱抵抗層に要求される性能
としては、所定の電気信号に対する発熱の応答性が良好
であること、熱伝導性が良好であること、自己の発熱に
対する耐熱性が良好であること、及び各種の耐久性(た
とえば熱履歴に対する耐久性)が良好であること等があ
げられる。更に、熱記録ヘッドが感熱紙または熱転写イ
ンクリボンに圧接せしめられて使用される場合には、こ
れらとの摩擦係数が小さいことが要求される。
Therefore, the performance required of the heat generating resistive layer of a thermal recording head is good responsiveness of heat generation to a predetermined electric signal, good thermal conductivity, and good heat resistance against its own heat generation. and that various types of durability (for example, durability against thermal history) are good. Furthermore, when the thermal recording head is used in pressure contact with thermal paper or thermal transfer ink ribbon, it is required that the coefficient of friction with these is small.

しかるに、従来使用されている熱記録ヘッドの発熱抵抗
層においては上記性能が必ずしも満足できるとはいい難
く、更なる特性の向上が望まれている。
However, it cannot be said that the above performance is necessarily satisfactory in the heat generating resistive layer of the conventionally used thermal recording head, and further improvement of the characteristics is desired.

また、従来の熱記録ヘッドにおいては耐摩耗性を向上さ
せるために発熱抵抗層の表面に耐摩耗層を設けることが
行なわれているが、このために熱応答性が犠牲になって
いる。
Furthermore, in conventional thermal recording heads, a wear-resistant layer is provided on the surface of the heat-generating resistor layer in order to improve wear resistance, but this comes at the expense of thermal responsiveness.

また、従来の熱記録ヘッドでは、表面の粗い紙等の記録
媒体に対しぞ記録を行なう場合には、完全なドツト形状
で記録するにはより強く記録媒体に圧着させる必要があ
るため摩耗の速度が早く、より一層の性能の向上が望ま
れている。
In addition, with conventional thermal recording heads, when recording on a recording medium with a rough surface, such as paper, it is necessary to press the recording medium more firmly in order to record in a perfect dot shape, resulting in faster wear. There is a desire for further improvement in performance.

[発明の目的] 以上の如き従来技術に鑑みて、本発明の目的のうちの1
つは熱応答性の向上された発熱抵抗層を有する熱記録ヘ
ッドを提供することにある。
[Object of the invention] In view of the above-mentioned prior art, one of the objects of the present invention
One object of the present invention is to provide a thermal recording head having a heat generating resistive layer with improved thermal responsiveness.

本発明の他の目的は熱伝導性の向上された発熱抵抗層を
有する熱記録ヘッドを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a thermal recording head having a heating resistance layer with improved thermal conductivity.

本発明の更に別の目的は耐熱性の向上された発熱抵抗層
を有する熱記録ヘッドを提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide a thermal recording head having a heating resistance layer with improved heat resistance.

本発明のもう1つの目的は耐久性の向上された発熱抵抗
層を有する熱記録ヘッドを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a thermal recording head having a heat generating resistive layer with improved durability.

本発明の他の目的は耐摩耗性の向上された発熱抵抗層を
有する熱記録ヘッドを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a thermal recording head having a heating resistance layer with improved wear resistance.

本発明の更に他の目的は摩擦係数の小さい発熱抵抗層を
有する熱記録ヘッドを提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide a thermal recording head having a heat generating resistance layer with a small coefficient of friction.

「発明の概要] 以上の目的は1本発明による新規熱記録ヘッドにより達
成される。
SUMMARY OF THE INVENTION The above objects are achieved by a novel thermal recording head according to the present invention.

本発明の熱記録ヘッドは1発熱抵抗層が炭素原子を母体
とし水素原子を含有してなる非晶質材料からなり、該発
熱抵抗層において水素原子が膜厚方向に不均一に分布し
ていることを特徴とする。
In the thermal recording head of the present invention, one heat generating resistive layer is made of an amorphous material containing carbon atoms as a matrix and hydrogen atoms, and the hydrogen atoms are unevenly distributed in the thickness direction of the heat generating resistive layer. It is characterized by

以下、図面を参照しながら本発明を更に具体的に説明す
る。
Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to the drawings.

第1図は本発明熱記録ヘッドの一実施態様例の構成を示
す部分平面図であり、第2図はその■−■断面図である
FIG. 1 is a partial plan view showing the structure of an embodiment of the thermal recording head of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line 1--2.

図において、2は支持体(ここでは基体)であり、4は
発熱抵抗層であり、6.7は対をなす電極である。第1
図に示される様に1発熱抵抗層4と該発熱抵抗層4に接
続された1対の電極6.7との組が複数個併設されてお
り、これによってドツト状有効発熱部8.8′、8″、
・會・Φが所定の間隔をおいて直線上に配列されること
になる。そして、該熱記録ヘッドは、使用時において発
熱抵抗層4側が感熱紙または熱転写インクリボン等に圧
接せしめられて該感熱紙または熱転写インクリボンに対
し■−■方向に相対的に移動せしめられ、この際に各発
熱!8.8’、8″、争・・壷を構成する発熱抵抗層4
に対しそれぞれ電極6.7を通して記録情報である電気
信号が適時印加され、これに基づき各発熱部が発熱し、
この時の熟エネルギーにより感熱方式または熱転写方式
等の記録が行なわれる。
In the figure, 2 is a support (substrate here), 4 is a heating resistance layer, and 6.7 is a pair of electrodes. 1st
As shown in the figure, a plurality of pairs of one heating resistor layer 4 and a pair of electrodes 6.7 connected to the heating resistor layer 4 are provided, thereby forming a dot-shaped effective heating portion 8.8'. ,8″,
- The groups Φ will be arranged on a straight line at predetermined intervals. When the thermal recording head is in use, the heat generating resistive layer 4 side is brought into pressure contact with thermal paper or thermal transfer ink ribbon, etc., and is moved relative to the thermal paper or thermal transfer ink ribbon in the -■ direction. When each fever occurs! 8.8', 8'', heat generating resistance layer 4 that constitutes the pot
Electric signals, which are recorded information, are timely applied to each electrode through the electrodes 6 and 7, and each heat generating part generates heat based on this.
Recording using a heat sensitive method or a thermal transfer method is performed using the ripe energy at this time.

本発明においては、支持体2の材料に特に制限はないが
、実際上はその表面上に形成される発熱抵抗N4及び電
極6,7との密着性が良好で、該発熱抵抗層4及び電極
6.7を形成する際の熱及び使用時において発熱抵抗層
4により生ぜしめられる熱に対する耐久性の良好なもの
が好ましい。
In the present invention, there is no particular restriction on the material of the support 2, but in practice it has good adhesion to the heating resistor layer 4 and the electrodes 6 and 7 formed on its surface. It is preferable to use a material that has good durability against the heat generated during the formation of 6.7 and the heat generated by the heat generating resistor layer 4 during use.

また、支持体2はその表面上に形成される発熱抵抗層4
よりも大きな電気抵抗を有するのが好ましい、更に、支
持体2としては必要十分な熱エネルギーが記録媒体側に
与えられ且つ電気的入力に対する応答性を悪化させない
熱伝導性を有する材料が選択される。
The support 2 also has a heating resistance layer 4 formed on its surface.
It is preferable to have an electrical resistance larger than that of the support 2. Furthermore, a material is selected for the support 2 that has thermal conductivity that allows necessary and sufficient thermal energy to be applied to the recording medium side and that does not deteriorate responsiveness to electrical input. .

本発明において使用される支持体2としてはガラス、セ
ラミックス、シリコン等の無機物からなるものやポリア
ミド樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物からなるものが例
示できる。
Examples of the support 2 used in the present invention include those made of inorganic materials such as glass, ceramics, and silicon, and those made of organic materials such as polyamide resin and polyimide resin.

本発明においては1発熱抵抗層4は炭素原子を母体とし
水素原子を含有してなる非晶質材料からなる。
In the present invention, the first heating resistance layer 4 is made of an amorphous material having carbon atoms as its base material and containing hydrogen atoms.

発熱抵抗層4中における水素原子の含有率は、所望の特
性が得られる様に適宜選択されるが、好ましくはo、o
oot〜30原子%であり、更に好ましくは0.000
5〜20原子%であり、好適には0.001〜10原子
%である。
The content of hydrogen atoms in the heat generating resistance layer 4 is appropriately selected so as to obtain desired characteristics, and is preferably o, o.
oot~30 at%, more preferably 0.000
The content is 5 to 20 atom %, preferably 0.001 to 10 atom %.

本発明においては1発熱抵抗層4中における水素原子の
分布が膜厚方向に不均一となっている。
In the present invention, the distribution of hydrogen atoms in one heating resistance layer 4 is non-uniform in the film thickness direction.

発熱抵抗層4中における膜厚方向での水素原子の含有率
変化は基体2側から表面側へと次第に含有率が増加する
様なものでもよいし、逆に含有率が減少する様なもので
もよい、更に、水素原子含有率変化は抵抗層4中におい
て極大値あるいは極小値をもつ様なものでもよい、これ
ら発熱抵抗R4中における膜厚方向での水素原子の含有
率変化は所望の特性が得られる様に適宜選択される。
The content of hydrogen atoms in the heating resistor layer 4 in the thickness direction may be such that the content gradually increases from the base 2 side to the surface side, or may be such that the content decreases conversely. Furthermore, the hydrogen atom content change may have a maximum value or a minimum value in the resistance layer 4. These hydrogen atom content changes in the film thickness direction in the heat generating resistor R4 may have desired characteristics. It is selected as appropriate to obtain the desired results.

第3図〜第8図に、未発発明熱記録ヘッドの発熱抵抗層
4中における膜厚方向に関する水素原子の含有率の変化
の具体例を示す、これらの図において、縦軸は基体2と
の界面からの膜厚方向の距離Tを表わし、tは発熱抵抗
層4の膜厚を表わす。
3 to 8 show specific examples of changes in the hydrogen atom content in the film thickness direction in the heat generating resistive layer 4 of the yet-to-be invented thermal recording head. In these figures, the vertical axis is the base 2 and represents the distance T from the interface in the film thickness direction, and t represents the film thickness of the heating resistor layer 4.

また、横軸は水素原子の含有率Cを表わす、尚、各図に
おいて、縦軸T及び横軸Cのスケールは必ずしも均一で
はなく、各図の特徴が出る様に変化せしめられている。
Further, the horizontal axis represents the hydrogen atom content C. In each figure, the scales of the vertical axis T and the horizontal axis C are not necessarily uniform, but are varied to bring out the characteristics of each figure.

従って、実際の適用に当っては各図につき具体的数値の
差異にもとづく種々の分布が用いられる。
Therefore, in actual application, various distributions are used for each diagram based on the differences in specific numerical values.

本発明熱記録ヘッドにおける炭素を母体とし水素原子を
含有してなる非晶質材料(以下、ra−C:HJと略記
することがある。)からなる発熱抵抗層4は、たとえば
グロー放電法の様なプラズマCVD法あるいはスパッタ
リング法等の真空堆積法によって形成される。
In the thermal recording head of the present invention, the heating resistor layer 4 made of an amorphous material (hereinafter sometimes abbreviated as ra-C:HJ) made of carbon as a matrix and containing hydrogen atoms can be formed by, for example, a glow discharge method. It is formed by a vacuum deposition method such as a plasma CVD method or a sputtering method.

たとえば、グロー放電法によってa−C:Hからなる抵
抗層4を形成するには、基本的には基体2を減圧下の堆
積室内に配置し、該堆積室内に炭素原子(C)を供給し
得るC供給用の原料ガスと水素原子(H)を供給し得る
H供給用の原料ガスとを導入し、この際H供給用原料ガ
スの導入量を変化させながら該堆積室内にて高周波また
はマイクロ波を用いてグロー放電を生起させ基体2の表
面上にa−C:Hからなる層を形成させればよい。
For example, to form the resistance layer 4 made of a-C:H by the glow discharge method, the base 2 is basically placed in a deposition chamber under reduced pressure, and carbon atoms (C) are supplied into the deposition chamber. A raw material gas for supplying C to be obtained and a raw material gas for supplying H that can supply hydrogen atoms (H) are introduced, and at this time, high frequency or micro wave is applied in the deposition chamber while changing the amount of the raw material gas for H supply. A glow discharge may be generated using waves to form a layer consisting of a-C:H on the surface of the substrate 2.

また、スパッタリング法によってa−CsHからなる抵
抗層4を形成するには、基本的には基体2を減圧下の堆
積室内に配置し、該堆積室内にてたとえばAr、He等
の不活性ガスまたはこれらのガスをベースとした混合ガ
スの雰囲気中でCで構成されたターゲットをスパッタリ
ングする際、堆積室内にH供給用の原料ガスを導入し、
この際導入量を変化させればよい。
In addition, in order to form the resistance layer 4 made of a-CsH by sputtering, the base 2 is basically placed in a deposition chamber under reduced pressure, and inert gas such as Ar, He, etc. When sputtering a target composed of C in an atmosphere of a mixed gas based on these gases, a raw material gas for H supply is introduced into the deposition chamber,
At this time, the amount introduced may be changed.

上記方法において、C供給用の原料ガス及びH供給用の
原料ガスとしては常温常圧においてガス状態のもののほ
かに減圧下においてガス化し得る物質を使用することが
できる。
In the above method, as the raw material gas for supplying C and the raw material gas for supplying H, in addition to those in a gaseous state at room temperature and normal pressure, substances that can be gasified under reduced pressure can be used.

C供給用の原料としては、たとえば炭素数1〜5の飽和
炭化水素、炭素数2〜5のエチレン系炭化水素、炭素数
2〜4のアセチレン系炭化水素、芳香族炭化水素等、具
体的には、飽和炭化水素としてはメタン(CH4)、エ
タン(C2Ha )、プロパン(C3Ha)、n−ブタ
7(n−C4H10)、ペンタン(C5H12) 、 
エチレン系炭化水素としてはエチレン(C2H4) 、
プロピレン(C3Ha ) 、ブテン−1(C4H8)
 、ブテン−2(C4H8) 、 インブチレンCC4
H8)、ペンテン(Cs Hro) 、アセチレン系炭
化水素としてはアセチレン(C2H2) 、メチルアセ
チレン(03H4) 、ブチン(C4H6) 、芳香族
炭化水素としてはベンゼン(C6Ha )等があげられ
る。
Examples of raw materials for C supply include saturated hydrocarbons having 1 to 5 carbon atoms, ethylene hydrocarbons having 2 to 5 carbon atoms, acetylenic hydrocarbons having 2 to 4 carbon atoms, aromatic hydrocarbons, etc. The saturated hydrocarbons include methane (CH4), ethane (C2Ha), propane (C3Ha), n-buta7 (n-C4H10), pentane (C5H12),
Ethylene hydrocarbons include ethylene (C2H4),
Propylene (C3Ha), butene-1 (C4H8)
, butene-2 (C4H8), inbutylene CC4
Examples of acetylene hydrocarbons include acetylene (C2H2), methylacetylene (03H4), and butyne (C4H6), and examples of aromatic hydrocarbons include benzene (C6Ha).

H供給用の原料としては、たとえば水素ガス。As a raw material for H supply, for example, hydrogen gas.

及び上記C供給用原料でもある飽和炭化水素、エチレン
系炭化水素、アセチレン系炭化水素、芳香族炭化水素等
の炭化水素があげられる。
and hydrocarbons such as saturated hydrocarbons, ethylene hydrocarbons, acetylene hydrocarbons, and aromatic hydrocarbons, which are also the raw materials for supplying the above C.

これらの原料は単独で用いてもよいし、複数組合せて用
いてもよい。
These raw materials may be used alone or in combination.

以上の様な発熱抵抗層形成法において、形成される抵抗
層4中に含まれる水素原子の量や抵抗層4の特性を制御
するには、基体温度、原料ガスの供給量、放電電力、堆
積室内の圧力等を適宜設定する。
In the heat generating resistance layer forming method as described above, in order to control the amount of hydrogen atoms contained in the formed resistance layer 4 and the characteristics of the resistance layer 4, it is necessary to control the substrate temperature, the supply amount of raw material gas, the discharge power, the deposition Set the indoor pressure etc. appropriately.

特に、本発明の膜厚方向に水素原子の分布が不均一な発
熱抵抗層4を得るためには、堆積室内への水素原子の導
入量をたとえばバルブコントロール等により経時的に変
化させるのが好ましい。
In particular, in order to obtain the heat generating resistor layer 4 in which hydrogen atoms are unevenly distributed in the film thickness direction of the present invention, it is preferable to change the amount of hydrogen atoms introduced into the deposition chamber over time, for example, by controlling a valve. .

基体温度は好ましくは20〜1500℃、更に好ましく
は30〜1200℃、最適には50〜1100℃のうち
から選ばれる。
The substrate temperature is preferably selected from 20 to 1500°C, more preferably 30 to 1200°C, and optimally 50 to 1100°C.

原料ガスの供給量は目的とする発熱抵抗層性能や目標と
する成膜速度に応じ適宜法められる。
The supply amount of the raw material gas is determined as appropriate depending on the desired performance of the heating resistance layer and the desired film formation rate.

放電電力は好ましくは0.001〜20W/c rn’
 、より好ましくは0 、01−15W/crn’、最
適には0.05〜LOW/cばのうちから選ばれる。
Discharge power is preferably 0.001 to 20W/crn'
, more preferably 0,01-15W/crn', optimally 0.05-LOW/crn'.

堆積室内の圧力は、好ましくは10″″4〜10Tor
r、より好ましくはには10″″2〜5Torrとされ
る。
The pressure inside the deposition chamber is preferably 10''4 to 10 Torr.
r, more preferably 10''2 to 5 Torr.

以上の様な発熱抵抗層形成法を用いて得られる本発明熱
記録ヘッドの抵抗層はダイヤモンドに近い特性を有する
。即ち、たとえばビッカース硬度taoo 〜5ooo
、熱伝導率0.3〜2cal/cmesece”c、抵
抗率105〜1011Ω・cm、熱膨張率2X10−5
〜10″″67℃、摩擦係数0.15〜0.25、密度
t、S〜3.0の性質を有する。また、本発明熱記録ヘ
ッドの抵抗層は水素原子を含有するので、I&膜が容易
である。
The resistive layer of the thermal recording head of the present invention obtained using the heat generating resistive layer forming method as described above has properties close to those of diamond. That is, for example, Vickers hardness taoo to 5ooo
, thermal conductivity 0.3~2cal/cmesece"c, resistivity 105~1011Ω・cm, thermal expansion coefficient 2X10-5
~10''''67°C, coefficient of friction 0.15~0.25, density t, S~3.0. Furthermore, since the resistance layer of the thermal recording head of the present invention contains hydrogen atoms, it is easy to form an I& film.

本発明熱記録ヘッドにおいては特に抵抗層4の耐摩耗性
が良好であるので、該抵抗層を極めて薄くすることがで
き、また特別の耐摩耗層を必要としないので、熱応答性
の極めて良好なものを得ることができる。
In the thermal recording head of the present invention, the resistance layer 4 has particularly good abrasion resistance, so the resistance layer can be made extremely thin, and a special abrasion resistant layer is not required, resulting in extremely good thermal response. you can get something.

但し、本発明の熱記録ヘッドの発熱抵抗層4上には適宜
の保護及びその他の機能を有する層を付してもよいこと
はもちろんであり、たとえば保護層を設けることで更に
一層耐久性の向上をはかることができる。
However, it goes without saying that a layer having appropriate protection and other functions may be provided on the heating resistance layer 4 of the thermal recording head of the present invention. For example, by providing a protective layer, even more durability can be achieved. You can make improvements.

上記実施態様例においては基体上に発熱抵抗層及び電極
をこの順に設けた例が示されているが、本発明熱記録ヘ
ッドにおいては基体上に電極及び発熱抵抗層をこの順に
設けてもよい、第9図はこの様な熱記録ヘッドの部分断
面図である0図において、2は支持体(ここでは基体)
であり、4は発熱抵抗層であり、6.7は対をなす電極
である。
In the embodiments described above, an example is shown in which the heating resistance layer and the electrode are provided on the substrate in this order, but in the thermal recording head of the present invention, the electrode and the heating resistance layer may be provided on the substrate in this order. FIG. 9 is a partial sectional view of such a thermal recording head. In FIG. 0, 2 is a support (substrate here).
4 is a heating resistance layer, and 6.7 is a pair of electrodes.

この場合には、より耐久性に富んだ発熱抵抗層が記録媒
体側にくるので、特に耐摩耗層を設けなくても極めて優
れた熱記録へ、ラドが提供される。
In this case, since the more durable heat-generating resistive layer is placed on the recording medium side, extremely excellent thermal recording can be achieved even without the provision of a wear-resistant layer.

尚1以上の実施態様例において、基体は単なる支持体2
からなるとされているが1本発明における基体は複合体
であってもよい、その様な一実施態様例の構成を第10
図に示す、即ち、基体2は支持体2aと表面層2bとの
複合体からなり、支持体2aとしてはたとえば上記第1
図に関し説明した支持体材料や更には金属を使用するこ
とができ、また表面層2bとしてはその上に形成される
抵抗層4との密着性のより良好な材料を使用することが
できる0表面層2bはたとえば炭素原子を母体とする非
晶質材料や従来より知られている酸化物等から構成され
る。この様な表面層2bは支持体za上に上記発熱抵抗
層形成法と類似の方法により適宜の原料を用いて堆積さ
せることにより得られる。また1表面層2bは通常のガ
ラス質のグレーズ層であってもよい。
Note that in one or more embodiments, the substrate is simply a support 2.
However, the substrate in the present invention may be a composite body.
As shown in the figure, the base 2 is made of a composite of a support 2a and a surface layer 2b, and the support 2a includes, for example, the first layer described above.
The support material explained in connection with the figure or even metal can be used, and as the surface layer 2b, a material with better adhesion to the resistance layer 4 formed thereon can be used. The layer 2b is made of, for example, an amorphous material having carbon atoms as a matrix, a conventionally known oxide, or the like. Such a surface layer 2b can be obtained by depositing appropriate raw materials on the support za by a method similar to the above-mentioned method for forming the heating resistor layer. Further, the first surface layer 2b may be a normal glassy glaze layer.

本発明熱記録ヘッドにおける電極6,7は所定の導電性
を有しているものであればよく、たとえばAu、Cu、
AI、Ag、Ni等の金属からなる。
The electrodes 6 and 7 in the thermal recording head of the present invention may be made of materials having a predetermined conductivity, such as Au, Cu,
Made of metal such as AI, Ag, and Ni.

次に、本発明の熱記録ヘッドの製造方法の概略について
説明する。
Next, the outline of the method for manufacturing the thermal recording head of the present invention will be explained.

第11図は基体表面上に発熱抵抗層を形成する際に用い
られる装置の一例を示す図である。1101は堆積室で
あり、1102〜1106はガスボンベであり、110
7〜11!lはマスフローコントローラであり、111
2〜111Bは流入バルブであり、1117〜1121
は流出バルブであり、1122〜1126はガスボンベ
のバルブであり、1127〜1131は出口圧ゲージで
あり、1132は補助バルブであり、1133はレバー
であり、1134はメインバルブであり、1135はリ
ークバルブであり、1136は真空計であり、1137
は製造すべきサーマルヘッドの基体材料であり、113
8はヒータであり、1139は基体支持手段であり、1
140は高電圧電源であり、1141は電極であり、1
142はシャッタである。尚、1142−1はスパッタ
リング法を行なう際に電極1141に取付けられるター
ゲットである。
FIG. 11 is a diagram showing an example of an apparatus used when forming a heating resistance layer on the surface of a substrate. 1101 is a deposition chamber, 1102 to 1106 are gas cylinders, and 110
7-11! l is a mass flow controller, 111
2-111B are inflow valves, 1117-1121
is an outflow valve, 1122-1126 is a gas cylinder valve, 1127-1131 is an outlet pressure gauge, 1132 is an auxiliary valve, 1133 is a lever, 1134 is a main valve, and 1135 is a leak valve. , 1136 is a vacuum gauge, and 1137
is the base material of the thermal head to be manufactured, and 113
8 is a heater, 1139 is a base support means, 1
140 is a high voltage power supply, 1141 is an electrode, 1
142 is a shutter. Note that 1142-1 is a target attached to the electrode 1141 when performing the sputtering method.

たとえば、1102にはCH4ガス(純度99゜996
以上)が密封されており、1103にはC2H6ガス(
純度99.9%以上)が密封されている。これらボンベ
中のガスを堆積室1101に流入させるに先立ち、各ガ
スボンベ1102〜!lO6のバルブ1122〜112
6及びリークバルブ1135が閉じられていることを確
認し、また流入バルブ1112〜1116.流出バルブ
1117〜1121及び補助バルブ1132が開かれて
いることを確認して、先ずメインバルブ1134を開い
て堆積室1101及びガス配管内を排気する0次に真空
計1136の読みが1.5×10−”To r rにな
った時点で、補助バルブ1132、流入バルブ1112
〜1116及び流出バルブ1117〜1121を閉じる
。その後、堆積室1101内に導入すべきガスのボンベ
に接続されているガス配管のバルブを開いて所望のガス
を堆積室1101内に導入する。
For example, 1102 contains CH4 gas (purity 99°996
above) is sealed, and 1103 has C2H6 gas (
Purity: 99.9% or higher) is sealed. Before the gas in these cylinders flows into the deposition chamber 1101, each gas cylinder 1102~! lO6 valves 1122-112
6 and leak valve 1135 are closed, and inlet valves 1112-1116. After confirming that the outflow valves 1117 to 1121 and the auxiliary valve 1132 are open, first open the main valve 1134 to evacuate the deposition chamber 1101 and gas piping. When the temperature reaches 10-”Torr, the auxiliary valve 1132 and the inflow valve 1112 are closed.
-1116 and outlet valves 1117-1121 are closed. Thereafter, a valve of a gas pipe connected to a cylinder of gas to be introduced into the deposition chamber 1101 is opened to introduce a desired gas into the deposition chamber 1101.

次に、以上の装置を用いてグロー放電法によって本発明
熱記録ヘッドの抵抗層を形成する場合の手順の一例につ
いて説明する。バルブ1122を開いてガスボンベ11
02からCH,ガスを流出させ、出口圧ゲージ1127
の圧力をtkg/Cゴに調整し、次に流入バルブ111
2を徐々に開いてマスフローコントローラ1107内に
流入させておく、続いて、流出バルブ1117.補助パ
ルプ1132を徐々に開いてCH,ガスを堆積室110
1内に導入する。この時、CH4ガスの流量が所望の値
になる様にマスフローコントローラ1107を調整し、
また堆積室1tot内の圧力が所望の値になる様に真空
計1136の読みを見ながらメインバルブ1134の開
度を調整する。
Next, an example of the procedure for forming the resistive layer of the thermal recording head of the present invention by the glow discharge method using the above-described apparatus will be described. Open the valve 1122 and open the gas cylinder 11.
CH, gas flows out from 02, outlet pressure gauge 1127
Adjust the pressure to tkg/Cgo, then open the inlet valve 111
2 is gradually opened to allow inflow into the mass flow controller 1107, and then the outflow valve 1117. The auxiliary pulp 1132 is gradually opened to supply CH and gas to the deposition chamber 110.
Introduced within 1. At this time, adjust the mass flow controller 1107 so that the flow rate of CH4 gas becomes the desired value,
Further, the opening degree of the main valve 1134 is adjusted while checking the reading of the vacuum gauge 1136 so that the pressure in the deposition chamber 1tot reaches a desired value.

そして、堆積室1101内の支持手段1139により支
持されている基体1137の温度が所望の温度になる様
にヒータ1138により加熱した上で、シャッタ114
2を開き堆積室1101内にてグロー放電を生起させる
。そして1手動または外部駆動モータ等により流出バル
ブ1117の開度を変化させる操作を行なってCH4ガ
スの流量を予め設計された変化率曲線に従って経時的に
変化させ、これにより抵抗層4中におけるH原子の含有
率を膜厚方向に変化させる。
Then, the substrate 1137 supported by the support means 1139 in the deposition chamber 1101 is heated by the heater 1138 so that the temperature reaches a desired temperature, and then the shutter 114 is heated.
2 is opened to generate glow discharge in the deposition chamber 1101. Then, the opening degree of the outflow valve 1117 is changed manually or by an external drive motor, etc., and the flow rate of CH4 gas is changed over time according to a pre-designed rate of change curve. The content rate of the film is changed in the film thickness direction.

次に、以上の装置を用いてスパッタリング法によって本
発明熱記録ヘッドの抵抗層を形成する場合の手順の一例
について説明する。高圧電源1140により高電圧が印
加される電極1141上には予め高純度グラフアイ)!
142−1をターゲットとして設置しておく、グロー放
電法の場合と同様にして、ガスボンベ1102からCH
4ガスを所望の流量にて堆積室ttot内に導入させる
。シャッタ1142を開いて、高圧電源1140を投入
することによりターゲット1142−1をスパッタリン
グする。尚、この際ヒータ1138により基体1137
を所望の温度に加熱し、メインバルブ1134の開度を
調整することにより堆積室1101内を所望の圧力とす
ることはグロー放電法の場合と同様である。そして、上
記グロー放電法の場合と同様に流出バルブ1117の開
度を変化させる操作を行なってCH4ガスの流量を予め
設計された変化率曲線に 従って経時的に変化させ、こ
れにより抵抗層4中におけるH原子の含有率を膜厚方向
に変化させる。
Next, an example of the procedure for forming the resistive layer of the thermal recording head of the present invention by sputtering using the above-described apparatus will be described. On the electrode 1141 to which a high voltage is applied by the high voltage power supply 1140, there is a high purity graph eye)!
142-1 as a target, CH from gas cylinder 1102 in the same manner as in the glow discharge method.
4 gases are introduced into the deposition chamber ttot at a desired flow rate. The target 1142-1 is sputtered by opening the shutter 1142 and turning on the high voltage power supply 1140. At this time, the base 1137 is heated by the heater 1138.
As in the case of the glow discharge method, the deposition chamber 1101 is heated to a desired temperature and the pressure inside the deposition chamber 1101 is set to a desired value by adjusting the opening degree of the main valve 1134. Then, as in the case of the glow discharge method described above, the opening degree of the outflow valve 1117 is changed to change the flow rate of CH4 gas over time according to a pre-designed rate of change curve. The content of H atoms in the film is varied in the film thickness direction.

第1図及び第2図に示される様な熱記録ヘッドの場合に
は、以上の様なグロー放電法及びスパッタリング法によ
る基体上での発熱抵抗層の形成は基体表面のほぼ全体に
わたって行なわれ、しかる後に導電層の形成とフォトリ
ソグラフィーを用いた該導電層及び発熱抵抗層のエツチ
ングとを行ない、第1図に示される様な複数のドツト状
有効発熱部を有する熱記録ヘッドを得ることができる。
In the case of a thermal recording head as shown in FIGS. 1 and 2, the formation of the heat generating resistive layer on the substrate by the glow discharge method and sputtering method as described above is carried out over almost the entire surface of the substrate. Thereafter, by forming a conductive layer and etching the conductive layer and heat generating resistive layer using photolithography, a thermal recording head having a plurality of dot-shaped effective heat generating parts as shown in FIG. 1 can be obtained. .

また、第9図に示される様な熱記録ヘッドの場合には、
予め基体上に導電層を形成しフォトリソグラフィーを用
いた該導電層のエツチングを行なった後に、以上の様な
グロー放電法及びスパッタリング法による基体上での発
熱抵抗層の形成が行なわれる。
Furthermore, in the case of a thermal recording head as shown in FIG.
After forming a conductive layer on a substrate in advance and etching the conductive layer using photolithography, a heat generating resistive layer is formed on the substrate by the glow discharge method and sputtering method as described above.

以下に、本発明熱記録ヘッドの具体的実施例を示す。Specific examples of the thermal recording head of the present invention are shown below.

実施例1: 基体としてアルミナセラミック板からなる支持体上にグ
レーズ層を設けてなるものを用いて、該基体の表面上に
発熱抵抗層を形成した0発熱抵抗層の堆積は第11図に
示される装置を用いてグロー放電法により行なわれた。
Example 1: A glaze layer was provided on a support made of an alumina ceramic plate as a base, and a heat generating resistor layer was formed on the surface of the base. The deposition of a heat generating resistor layer was shown in FIG. The method was carried out using a glow discharge method using a device similar to the one described above.

原料ガスとしてCH4を用いた。堆積の際の条件は第1
表の通りとした。尚、堆積中においてはバルブの開度を
連続的に変化させてCB、ガスの流量を変化させ、第1
表に示される厚さの発熱抵抗層を形成した。
CH4 was used as a raw material gas. The conditions for deposition are the first
As per the table. During the deposition, the opening degree of the valve is continuously changed to change the flow rate of CB and gas.
A heating resistor layer having the thickness shown in the table was formed.

形成された抵抗層上に電子ビーム蒸着法によりA1層を
形成した後、フォトリソグラフィー技術によって該A1
層を所望の形状となる様にエツチングし、複数対の電極
を形成した。
After forming an A1 layer on the formed resistance layer by electron beam evaporation, the A1 layer is formed by photolithography.
The layer was etched into the desired shape to form multiple pairs of electrodes.

続いて、フォトリソグラフィー技術によってHF系エツ
チング液を用いて所定の部分の抵抗層を除去した。尚、
本実施例においては、前記電極対間にある抵抗層の大き
さは200 ILmX 300 kmとされた0本実施
例においては、電極対間に形成された発呻要素が縦に7
9配列される様に同一基板上に複数の発熱抵抗素子を作
製した。
Subsequently, predetermined portions of the resistive layer were removed by photolithography using an HF-based etching solution. still,
In this example, the size of the resistance layer between the electrode pair is 200 ILm x 300 km. In this example, the resistance layer formed between the electrode pair has a length of 7
A plurality of heating resistance elements were fabricated on the same substrate so that they were arranged in nine arrays.

かくして得られたサーマルヘッドの各発熱抵抗素子の電
気抵抗を測定したところ90Ωであった。
The electrical resistance of each heating resistor element of the thus obtained thermal head was measured and found to be 90Ω.

また、本実施例により得られたサーマルヘッドの各発熱
抵抗素子に対し、電気的パルス信号を入力して、該発熱
抵抗素子の耐久性を測定した。
Furthermore, an electrical pulse signal was input to each heating resistor element of the thermal head obtained in this example to measure the durability of the heating resistor element.

尚、電気的パルス信号のデユーティ50%、印加電圧6
■、駆動周波数0.5kHz、1.okHz、2.0k
Hzとした。
Note that the duty of the electrical pulse signal is 50%, and the applied voltage is 6.
■, Drive frequency 0.5kHz, 1. okHz, 2.0k
Hz.

その結果、異なった駆動周波数で駆動したいづれの場合
においても電気的パルス信号入力がlXloIO回に達
しても発熱抵抗素子は破壊されることなく、またその抵
抗値もほとんど変化しなかった。
As a result, in all cases of driving at different driving frequencies, the heating resistor element was not destroyed even when the electrical pulse signal input reached 1XloIO times, and its resistance value hardly changed.

次に、感熱記録紙を用いて、横5ドツト×縦7ドツトの
構成を有する文字の印字を行なったところ、2X109
文字の印字を行なった後もなお記録された文字にドツト
欠は等の不具合は生じなかった。また、感熱転写インク
リボンを介して記録紙に記録を行なう、いわゆるサーマ
ル転写タイプとして本実施例のサーマルヘッドを用いた
場合も同様に極めて優れた耐久性を有していることが分
った。
Next, when printing characters with a composition of 5 dots horizontally x 7 dots vertically using thermal recording paper, the result was 2×109
Even after the characters were printed, no problems such as missing dots occurred in the recorded characters. Furthermore, it was found that when the thermal head of this example was used as a so-called thermal transfer type in which recording is performed on recording paper via a thermal transfer ink ribbon, it also had extremely excellent durability.

更に、記録紙として表面の粗い、いわゆるタイプ用紙を
用いて記録を行なったところ、従来のサーマルヘッドに
比較して本実施例のサーマルヘッドは極めて優れた耐久
性能を有していた。即ち、従来のサーマルヘッドを用い
た印字においては3000万字の印字で印字不良が発生
したのに比べて、本実施例のサーマルヘッドを用いた印
字においては3000万字の印字では全く印字不良が発
生しなかった。
Furthermore, when recording was performed using so-called type paper with a rough surface as recording paper, the thermal head of this example had extremely superior durability performance compared to conventional thermal heads. That is, compared to printing using the conventional thermal head, in which printing defects occurred after 30 million characters, in printing using the thermal head of this embodiment, no printing defects occurred after printing 30 million characters. There wasn't.

実施例2: 原料ガスをC2H8、放電電力1.5W/crn’とし
た以外は実施例1と同様にして、同じ膜厚の発熱・抵抗
層を堆積した。
Example 2: A heat generating/resistance layer having the same thickness was deposited in the same manner as in Example 1 except that the source gas was C2H8 and the discharge power was 1.5 W/crn'.

次に、実施例1と同様にしてサーマルヘッドを作製し電
気的パルス信号を入力したところ、電気的パルス信号入
力がlXloIO回に達しても発熱抵抗素子は破壊する
ことがなかった。また、抵抗値の変化も認められなかっ
た。
Next, when a thermal head was manufactured in the same manner as in Example 1 and an electrical pulse signal was input, the heating resistive element was not destroyed even when the electrical pulse signal input reached 1XloIO times. Further, no change in resistance value was observed.

次に、実施例1と同様にして、感熱記録紙に印字を行な
い、更にサーマル転写タイプとして印字を行ない、更に
タイプ用紙に印字を行なったところ、実施例1と同様に
十分な耐久性を有していることが確認された。
Next, in the same manner as in Example 1, printing was performed on thermal recording paper, further printing was performed as a thermal transfer type, and further printing was performed on type paper, and as in Example 1, sufficient durability was obtained. It was confirmed that

実施例3: 基体としてアルミナセラミック板からなる支持体上にグ
レーズ層を設けてなるものを用いて、該基体の表面上に
発熱抵抗層を形成した0発熱抵抗層の堆積は第11図に
示される装置を用いてスパッタリング法により行なわれ
た。スパッタリングターゲットとしては純度99.9%
以上のグラファイトを用い、原料ガスとしてH2を用い
た。
Example 3: A glaze layer was provided on a support made of an alumina ceramic plate as a base, and a heat generating resistor layer was formed on the surface of the base. The deposition of the zero heat generating resistor layer was shown in FIG. The process was carried out by sputtering using a device manufactured by the company. 99.9% purity for sputtering target
The above graphite was used, and H2 was used as the raw material gas.

堆積の際の条件は第1表の通りとした。尚、堆積中にお
いてはバルブの開度を連続的に変化させてH2ガスの流
量を変化させ、第1表に示される厚さの発熱抵抗層を形
成した。
The conditions during the deposition were as shown in Table 1. Incidentally, during the deposition, the opening degree of the valve was continuously changed to change the flow rate of H2 gas to form a heat generating resistor layer having the thickness shown in Table 1.

かくして形成された抵抗層を用いて、実施例1−と同様
にしてサーマルヘッドを作製し、更に実施例1と同様に
して該サーマルヘッドの発熱抵抗素子に電気的パルス信
号を入力し更に印字を行なったところ、実施例1と同様
に耐久性が優れていることが確認された。
Using the resistive layer thus formed, a thermal head was produced in the same manner as in Example 1-, and an electrical pulse signal was input to the heat generating resistor element of the thermal head in the same manner as in Example 1 to print. As a result, it was confirmed that the durability was excellent as in Example 1.

[発明の効果] 以上の様な本発明によれば1発熱抵抗層として炭素原子
を母体とし水素原子を含有してなる非晶質材料を用いて
いることにより、熱応答性、熱伝導性、耐熱性及び/ま
たは耐久性の著しく良好な熱記録ヘッドが提供される。
[Effects of the Invention] According to the present invention as described above, thermal responsiveness, thermal conductivity, A thermal recording head with extremely good heat resistance and/or durability is provided.

また、本発明発熱抵抗層は成膜が容易である。また、特
に、本発明によれば、耐摩耗性が良好で及び/または摩
擦係数の小さい優れた発熱抵抗層を有する熱記録ヘッド
が提供される。
Further, the heating resistance layer of the present invention is easy to form. In particular, the present invention provides a thermal recording head having an excellent heat generating resistance layer with good wear resistance and/or a low coefficient of friction.

更に、本発明によれば、発熱抵抗層中における水素原子
の含有率を膜厚方向に不均一分布となしているので、蓄
熱性や放熱性や基体と抵抗層との密着性等の種々の特性
を容易に実現することができる。
Furthermore, according to the present invention, the content of hydrogen atoms in the heat generating resistive layer is distributed non-uniformly in the film thickness direction, which improves various properties such as heat storage, heat dissipation, and adhesion between the substrate and the resistive layer. characteristics can be easily realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明熱記録ヘッドの部分平面図であり、第2
図はそのII−II断面図である。 第3〜8図は発熱抵抗層中における水素原子の含有率の
分布を示すグラフである。 第9図及び第10図は本発明熱記録ヘッドの部分断面図
である。 第11図は本発明熱記録ヘッドの製造に用1.Xられる
装置を示す図である。 2:基体    4:発熱抵抗層 6.7:電極 1101:堆積室 1137:基体 代理人  弁理士  山 下 積 子 弟1図 第2図   第7図 第1O図 第3図 第4図 第ダ図 第6図 OC 第7図 第8図 OC
FIG. 1 is a partial plan view of the thermal recording head of the present invention;
The figure is a sectional view taken along line II-II. 3 to 8 are graphs showing the distribution of hydrogen atom content in the heating resistance layer. 9 and 10 are partial cross-sectional views of the thermal recording head of the present invention. FIG. 11 shows 1. used for manufacturing the thermal recording head of the present invention. FIG. 2: Substrate 4: Heat generating resistive layer 6.7: Electrode 1101: Deposition chamber 1137: Substrate Agent Patent attorney Seki Yamashita Child 1 Figure 2 Figure 7 Figure 1 O Figure 3 Figure 4 Figure D Figure 6 Figure OC Figure 7 Figure 8 OC

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)発熱抵抗層と該発熱抵抗層に電気的に接続された
少なくとも1対の電極との組を少なくとも1つ基体上に
形成してなる熱記録ヘッドにおいて、発熱抵抗層が炭素
原子を母体とし水素原子を含有してなる非晶質材料から
なり、該発熱抵抗層において水素原子が膜厚方向に不均
一に分布していることを特徴とする、熱記録ヘッド。
(1) In a thermal recording head in which at least one set of a heating resistance layer and at least one pair of electrodes electrically connected to the heating resistance layer is formed on a substrate, the heating resistance layer has carbon atoms as a matrix. 1. A thermal recording head comprising an amorphous material containing hydrogen atoms, the heating resistor layer having hydrogen atoms distributed non-uniformly in the film thickness direction.
(2)発熱抵抗層における水素原子の含有率が0.00
01〜30原子%である、特許請求の範囲第1項の熱記
録ヘッド。
(2) Hydrogen atom content in the heating resistance layer is 0.00
The thermal recording head of claim 1, wherein the thermal recording head has a content of 0.01 to 30 atom %.
(3)基体が発熱抵抗層形成面側に炭素原子を母体とす
る非晶質材料からなる表面層を有する、特許請求の範囲
第1項の熱記録ヘッド。
(3) The thermal recording head according to claim 1, wherein the substrate has a surface layer made of an amorphous material containing carbon atoms as a matrix on the side on which the heating resistance layer is formed.
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