JPS6118237B2 - - Google Patents

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JPS6118237B2
JPS6118237B2 JP52108538A JP10853877A JPS6118237B2 JP S6118237 B2 JPS6118237 B2 JP S6118237B2 JP 52108538 A JP52108538 A JP 52108538A JP 10853877 A JP10853877 A JP 10853877A JP S6118237 B2 JPS6118237 B2 JP S6118237B2
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JP
Japan
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signal
circuit
output
detector
electrode
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Application number
JP52108538A
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Japanese (ja)
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JPS5441099A (en
Inventor
Masahiro Yanagi
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6118237B2 publication Critical patent/JPS6118237B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ガラス板の損傷、または破壊される
際に生ずるガラス板の振動を検出し、ガラス板が
破損されたことを報知可能にしたガラス板破壊検
出装置に関するものである。さらに詳しくは、物
体の衝撃によつて生じるガラス板の振動を分析
し、ガラス板が損傷または破壊されたときに伴な
う特有の100KHz以上の高周波振動と、50KHz以
下の低周波振動の組み合せによて動作し、破壊に
致らない他の換因、例えば砂、小石、金属物体等
の衝突による非破壊振動では動作しない装置を提
供するものである。以下、本発明を図示の実施例
に基いて説明する。第1図は本実施例のブロツク
ダイヤグラムである。同図において、1は破壊を
検出すべきガラス板の振動を検出するための検出
器で。2はその検出器1からの100KHz以上にお
ける高周波の所定周波数に共振する共振回路であ
る。3はその共振回路2からの所定レベル以上の
高周波交流信号を検波するとともに増幅する増幅
回路である。4はその増幅回路3の出力信号のレ
ベルを所定時間保持する信号保持回路で、入力信
号が絶えた後も一定時間その信号を同レベルに近
い状態に保つ機能を有する。5は前記検出器1か
らの50KHz以下における振動成分を通過せしめる
ローパスフイルターである。6は前記信号保持回
路4からの出力信号と、前記ローパスフイルター
5の出力信号の所定レベル以上の論理積によつて
出力信号を発生すAND回路であり、7はその
AND回路6の出力信号によつて駆動され、ラン
プ、ブザー、ベルなどの警報器8を動作させるた
めの信号を発生する出力発生回路である。なお、
9は保護回路、10は電源である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a glass plate breakage detection device that detects vibrations of a glass plate that occur when a glass plate is damaged or broken, and can notify that a glass plate has been broken. It is. In more detail, we analyzed the vibration of a glass plate caused by the impact of an object, and analyzed the combination of high-frequency vibrations of 100KHz or more and low-frequency vibrations of 50KHz or less that are characteristic of glass plates being damaged or broken. The object of the present invention is to provide a device that operates as a result of non-destructive vibration caused by other non-destructive causes, such as collisions with sand, pebbles, metal objects, etc. Hereinafter, the present invention will be explained based on illustrated embodiments. FIG. 1 is a block diagram of this embodiment. In the figure, 1 is a detector for detecting vibrations of the glass plate to detect breakage. 2 is a resonant circuit that resonates at a predetermined high frequency of 100 KHz or more from the detector 1. Reference numeral 3 denotes an amplifier circuit that detects and amplifies the high frequency alternating current signal of a predetermined level or higher from the resonant circuit 2. Reference numeral 4 denotes a signal holding circuit that holds the level of the output signal of the amplifier circuit 3 for a predetermined period of time, and has the function of keeping the signal close to the same level for a certain period of time even after the input signal has ceased. 5 is a low-pass filter that allows vibration components of 50 KHz or less from the detector 1 to pass through. 6 is an AND circuit that generates an output signal by logically multiplying the output signal from the signal holding circuit 4 and the output signal from the low-pass filter 5 at a predetermined level or higher;
This output generation circuit is driven by the output signal of the AND circuit 6 and generates a signal for operating an alarm device 8 such as a lamp, buzzer, or bell. In addition,
9 is a protection circuit, and 10 is a power supply.

第2図は第1図の各ブロツクを具体化して示し
た本発明の具体的実施例である。同図において、
Pはガラス板の機械的振動を電気信号に変換する
ための圧電素子で、実際の使用に際してはガラス
板に例えば金属板ベースを介して装着せられる。
FIG. 2 shows a specific embodiment of the present invention in which each block of FIG. 1 is embodied. In the same figure,
P is a piezoelectric element for converting the mechanical vibration of the glass plate into an electric signal, and in actual use, it is attached to the glass plate via, for example, a metal plate base.

コンデンサC1と固定インダクタL1は圧電素子
に対し直列に接続され、低周波成分をカツトする
とともに直列共振回路を構成している。NPN型
トランジスタQ1は上記固定インダクタL1の両端
における共振信号を検波するとともに増幅するも
のであり、帰還抵抗R2によつて、その増幅度お
よび入力インピーダンスが調節される。抵抗
R3,R4,R5、とコンデンサC2、およびPNP型ト
ランジスタQ2は信号保持回路4を構成してお
り、コンデンサC2の一端は+電源ラインに接続
され、前記トランジスタQ1のコレクタからのパ
ルス的導通信号によつて、短時間に充電される。
また、この充電電圧がトランジスタQ2のベース
に印加されるため、結果的にエミツタ・コレクタ
間は導通状態となり、抵抗R5を通して電流が流
れる。この場合、トランジスタQ2の電流増幅率
が十分に大きく、飽和状態にあるとき、抵抗R5
の両端における電圧は、ほぼコンデンサC2の両
端電圧に等しく。従つてトランジスタQ2のベー
ス入力インピーダンスは非常に高くなり、コンデ
ンサC2の電圧に対応したトランジスタQ2のコレ
クタ電流を十分に長く保持することができる。
AND回路6は接合形電界効果トランジスタ(以
下、FETという)Q3を使用しており、ソース電
極Sを接地し、ドレイン電流とゲート電圧の有無
によつて、それを実現している。つまり、前記信
号保持回路4からのドレイン電流は、ゲート電圧
が零または正の場合、特性上導通状態にあり、ド
レイン電極Dには電圧は現われない。しかし、ゲ
ート電極Gへ負の電圧が印加された場合はカツト
オフ状態になり、前記信号保持回路4の出力信号
は次段の出力発生回路7を構成するシリコン制御
整流素子(以下、サイリスタという)のゲート電
極へ導かれ、そのアノード電極とカソード電極間
を導通状態にする。
A capacitor C 1 and a fixed inductor L 1 are connected in series to the piezoelectric element to cut out low frequency components and form a series resonant circuit. The NPN transistor Q1 detects and amplifies the resonance signal at both ends of the fixed inductor L1 , and its amplification degree and input impedance are adjusted by the feedback resistor R2 . resistance
R 3 , R 4 , R 5 , a capacitor C 2 , and a PNP type transistor Q 2 constitute a signal holding circuit 4, and one end of the capacitor C 2 is connected to the + power supply line, and the collector of the transistor Q 1 It is charged in a short time by a pulsed conductive signal from the
Furthermore, since this charging voltage is applied to the base of transistor Q2 , the emitter and collector become conductive, and current flows through resistor R5 . In this case, when the current amplification factor of transistor Q 2 is large enough and in saturation, resistor R 5
The voltage across the capacitor C is approximately equal to the voltage across the capacitor C2 . Therefore, the base input impedance of transistor Q 2 becomes very high, and the collector current of transistor Q 2 corresponding to the voltage of capacitor C 2 can be maintained for a sufficiently long time.
The AND circuit 6 uses a junction field effect transistor (hereinafter referred to as FET) Q 3 , the source electrode S is grounded, and this is realized by the presence or absence of drain current and gate voltage. That is, when the gate voltage is zero or positive, the drain current from the signal holding circuit 4 is characteristically in a conductive state, and no voltage appears at the drain electrode D. However, when a negative voltage is applied to the gate electrode G, the cut-off state occurs, and the output signal of the signal holding circuit 4 is transferred to a silicon-controlled rectifying element (hereinafter referred to as a thyristor) constituting the output generating circuit 7 at the next stage. It is guided to the gate electrode and conducts between the anode electrode and the cathode electrode.

ここでAND回路6において、FETQ3を使用す
る理由は次の通りである。
The reason for using FETQ 3 in the AND circuit 6 is as follows.

ガラス板の破壊時、即ち前記素子の共振時に同
時に得られる50KHz以下の信号成分は、電圧レベ
ルとして1V〜2V程度であるが、出力インピーダ
ンスが非常に高く加えて、R1,R4によるロール
パスフイルターが挿入されているので必然的に電
圧制御素子としてのFETが設定されることにな
る。
The signal component of 50KHz or less obtained at the same time when the glass plate is broken, that is, when the element resonates, has a voltage level of about 1V to 2V, but in addition to having a very high output impedance, there is a roll pass due to R 1 and R 4 . Since a filter is inserted, an FET is inevitably set as a voltage control element.

次にローパスフイルター5は圧電素子Pの両端
に接続されたレベル調節用可変抵抗VR1と抵抗R1
およびコンデンサC4を含めて構成され、R1とC4
の遮断周波数は50KHzとなつている。
Next, the low-pass filter 5 includes a level adjustment variable resistor VR 1 and a resistor R 1 connected to both ends of the piezoelectric element P.
and capacitor C 4 , R 1 and C 4
The cutoff frequency is 50KHz.

本装置において、警報器8を動作させるか否か
は、サイリスタQ4の導通、非導通に依存する。
In this device, whether or not to operate the alarm 8 depends on whether the thyristor Q4 is conductive or non-conductive.

本装置で消費される電力は無信号状態において
ほぼ零であり、動作状態においても非常に微少な
値になるように設計し得る。これは出力発生回路
としてサイリスタ(シリコン制御整流素子)を用
いているためであり、またサイリスタQ4を用い
ているので出力が継続しえる自己保持特性を有す
る。
The power consumed by this device is almost zero in a no-signal state, and can be designed to have a very small value even in an operating state. This is because a thyristor (silicon-controlled rectifier) is used as the output generation circuit, and since the thyristor Q4 is used, it has a self-holding characteristic that allows the output to continue.

ガラス板の振動を検出するための圧電素子は、
電気機械結合係数Kpが大きく、誘電率の大きな
材料が望ましく、本実施例においては松下電子部
品株式会社製の「PCM−80」を用いた。また、
この圧電素子の特性は、前記共振回路2と密接な
関係にあり、共振回路2の性能に大きな影響力を
もつ。すなわち、所定の高周波振動周波数に設定
された前記共振回路2に共振周波数は、圧電素子
自身の共振周波数(円板状素子では径方向におけ
る輪郭共振周波数)にも一致させている。
A piezoelectric element for detecting vibrations in a glass plate is
A material with a large electromechanical coupling coefficient K p and a large dielectric constant is desirable, and in this example, "PCM-80" manufactured by Matsushita Electronic Components Co., Ltd. was used. Also,
The characteristics of this piezoelectric element are closely related to the resonant circuit 2 and have a large influence on the performance of the resonant circuit 2. That is, the resonant frequency of the resonant circuit 2, which is set to a predetermined high-frequency vibration frequency, is also made to match the resonant frequency of the piezoelectric element itself (in the case of a disc-shaped element, the contour resonant frequency in the radial direction).

このように共振回路の共振周波数を圧電素子の
共振周波数に一致させるのは次の理油による。ト
ランジスタQ1は無バイアス状態で圧電素子自身
のエネルギーのみによつて、動作させる必要があ
る。つまりトランジスタQ1がオンになるベース
電圧は約0.7Vであり、この電圧までアクテイブ
な増巾器なしで出力電圧を上げる必要がある。こ
れは、この検出器自体がスイツチであり、電力を
浪費できないからである。
The reason why the resonant frequency of the resonant circuit is made to match the resonant frequency of the piezoelectric element in this way is as follows. Transistor Q 1 must be operated in an unbiased state using only the energy of the piezoelectric element itself. In other words, the base voltage at which transistor Q1 turns on is approximately 0.7V, and it is necessary to raise the output voltage to this voltage without an active amplifier. This is because the detector itself is a switch and power cannot be wasted.

圧電素子の共振時における等価回路は、基本的
にはリアクタンスL、容量C、抵抗Rの直列共振
回路であり、出力インピーダンスが非常に小さく
なり、従つて取り出し得るエネルギーがこの周波
数において、最大となり得る。従つてC1,L1
りなる共振回路の直列共振回路の共振周波数がこ
の周波数に一致すればL1両端電圧が最大とな
る。
The equivalent circuit of a piezoelectric element when it resonates is basically a series resonant circuit of reactance L, capacitance C, and resistance R, and the output impedance is extremely small, so the energy that can be extracted can reach its maximum at this frequency. . Therefore, if the resonant frequency of the series resonant circuit of the resonant circuit consisting of C 1 and L 1 matches this frequency, the voltage across L 1 will be maximum.

実際に、このような構成にしなければ直径10mm
程度の圧電素子で、100KHz以上の信号によつ
て、トランジスタを動作させることは困難であ
る。
In fact, if you do not configure it like this, the diameter will be 10 mm.
It is difficult to operate a transistor with a signal of 100KHz or higher using a piezoelectric element of about 100KHz.

ここで、上記共振周波数をrとすると、r
はr=Np/D〔ただし、Npは圧電素子の周波
数定数(Hz・m)、Dは圧電素子の直径(m)〕で
与えられるが、圧電素子の片面が接着されるた
め、前記の電気機械結合係数Kpが多少変化し、
実際の共振周波数は数%アツプする。
Here, if the above resonant frequency is r, then r
is given by r=N p /D [where N p is the frequency constant of the piezoelectric element (Hz・m) and D is the diameter of the piezoelectric element (m)], but since one side of the piezoelectric element is bonded, the above The electromechanical coupling coefficient K p changes somewhat,
The actual resonant frequency will increase by several percent.

圧電素子は、この共振周波数において、特性的
に等価インピーダンスが非常に小さくなる。従つ
て、この時、前記共振回路2のQは非常に大きく
なり、結果的に固定インダクタL1の両端には大
きな出力が得られるとともに、高い周波数選択性
が得られる。しかし、これら圧電素子の共振特性
と、L,Cから構成される高利得フイルタは他に
も種々あり、上記回路構成に必ずしも限定される
ものではない。また、電極間容量が大きく、高周
波におけるインピーダンスが十分に小さい圧電素
子であるならば、共振を利用する必要性は薄れ
る。十分に低い低周波における圧電素子の特性
は、これにかかる負荷インピーダンスの値に左右
される。すなわち低周波における圧電素子の出力
インピーダンスは、ほぼ、その電極間容量のみで
あり、これに接続される負荷抵抗によつてハイパ
スフイルターを構成する。従つて本実施例の回路
構成でのVR1,R1,C4からる50KHz以下のロール
パスフイルター5は結果的にバンドパスフイルタ
ーとしての機能を有するものである。
A piezoelectric element characteristically has a very small equivalent impedance at this resonant frequency. Therefore, at this time, the Q of the resonant circuit 2 becomes very large, and as a result, a large output is obtained at both ends of the fixed inductor L1 , and high frequency selectivity is obtained. However, there are various other types of high gain filters that have the resonance characteristics of these piezoelectric elements and are composed of L and C, and are not necessarily limited to the circuit configuration described above. Furthermore, if the piezoelectric element has a large interelectrode capacitance and a sufficiently small impedance at high frequencies, there is no need to use resonance. The properties of a piezoelectric element at sufficiently low frequencies depend on the value of the load impedance across it. That is, the output impedance of the piezoelectric element at low frequencies is almost only the capacitance between its electrodes, and the load resistor connected thereto constitutes a high-pass filter. Therefore, in the circuit configuration of this embodiment, the roll pass filter 5 of 50 KHz or less consisting of VR 1 , R 1 , and C 4 has a function as a band pass filter.

本実施例の回路構成において、圧電素子Pによ
つて検出された信号に破壊信号特有の100KHz以
上の高周波成分が含まれている場合、前記L1
C1からなる共振回路2によつて、それを分離
し、トランジスタQ1によつて検波と同時に必要
なレベルまで増幅した後、トランジスタQ2のコ
レクタ電流として一定所要時間保持される。これ
はガラス板を伝播する低周波振動と高周波振動の
伝播速度のちがいによる時差、および双方の持続
時間の差によつて、AND回路6における両信号
の同期ミスを防止するためのものである。すなわ
ち一般破壊による高周波成分は低周波成分より速
く検出され、時間的には非常に短いという現象に
よる。一方、圧電素子Pを含む、レベル調節用の
VR1およびR1,C4から成るロールパスフイルター
5で結果的に構成されるバンドパスフイルターを
通過した低周波信号(実施例では1KHz〜50KHz
はFETQ3のゲート電極Gに印加され、Q3のゲー
ト遮断電圧値以上の負電圧信号によつてドレイン
電極Dとソース電極S間はカツトオフ状態とな
り、前記保持電流はサイリスタQ4のゲート電極
へ導かれる。従つて、これが感応値以上のレベル
である場合、サイリスタQ4は導通状態となり、
警報器8を動作させる。
In the circuit configuration of this embodiment, if the signal detected by the piezoelectric element P contains a high frequency component of 100 KHz or more that is characteristic of a destructive signal, the L 1 ,
It is separated by the resonant circuit 2 consisting of C 1 and amplified to a required level by the transistor Q 1 at the same time as detection, and then held as the collector current of the transistor Q 2 for a certain period of time. This is to prevent a synchronization error between the two signals in the AND circuit 6 due to a time difference due to a difference in the propagation speed of the low-frequency vibration and high-frequency vibration propagating through the glass plate, and a difference in duration between the two. That is, this is due to the phenomenon that high frequency components due to general destruction are detected faster than low frequency components and are very short in time. On the other hand, a level adjusting device including a piezoelectric element P
A low frequency signal (1KHz to 50KHz in the example) passed through a band pass filter which is finally constituted by a roll pass filter 5 consisting of VR 1 , R 1 and C 4 .
is applied to the gate electrode G of FET Q 3 , and a negative voltage signal higher than the gate cutoff voltage value of Q 3 causes a cut-off state between the drain electrode D and the source electrode S, and the holding current flows to the gate electrode of thyristor Q 4 . be guided. Therefore, if this is at a level above the sensitive value, thyristor Q4 becomes conductive;
Activate the alarm 8.

この場合、圧電素子Pによつて検出された信号
に上記のごとき高周波成分が含まれていない場
合、あるいは低周波成分が弱い場合はAND回路
における論理は成立せず、それ故、サイリスタ
Q4、従つて警報器8は動作しないことは明らか
である。
In this case, if the signal detected by the piezoelectric element P does not contain the above-mentioned high frequency components, or if the low frequency components are weak, the logic in the AND circuit will not hold, and therefore the thyristor
Q 4 , so it is clear that the alarm 8 is not activated.

なお、FETQ3へ印加される前記負電圧信号と
は、直流的なものではなく、圧電素子より直接出
力される交流信号であり、FETQ3を動作させ得
るレベルの負の半サイクルによつてドレインとソ
ース間が瞬時的にカツトオフとなり、信号保持回
路の出力電流をパルス的にサイリスタQ4のゲー
ト与えるものである。
Note that the negative voltage signal applied to FETQ 3 is not a DC signal but an AC signal directly output from the piezoelectric element, and the negative voltage signal applied to FETQ 3 is a negative half cycle of a level that can operate FETQ 3 . There is an instantaneous cut-off between the current and the source, and the output current of the signal holding circuit is applied in pulses to the gate of thyristor Q4 .

抵抗R1、コンデンサC4はこの作用に無関係で
あり、純然たるロールパスフイルタとして機能し
ている。
The resistor R 1 and capacitor C 4 are unrelated to this effect and function as a pure roll-pass filter.

以上のように、検出部を共振回路とロールパス
フイルタとの組合せにしているが、これは以下の
理由による。
As described above, the detection section is a combination of a resonant circuit and a roll-pass filter, and this is for the following reasons.

破壊検出という原理上からは、100KHz以上の
信号成分と、50KHz以下の同時成立でその目的は
達成される。
From the principle of destructive detection, the purpose is achieved when a signal component of 100 KHz or higher and a signal component of 50 KHz or lower are simultaneously established.

従つて共振回路の代わりに100KHz以上のロー
ルパスフイルター機能を有する回路を用いること
もできる。
Therefore, instead of the resonant circuit, a circuit having a roll-pass filter function of 100 KHz or more may be used.

しかし、前述の通り非電力消費型であるために
現実的にはこれらの回路を使用するのは妥当でな
い。
However, as described above, it is not practical to use these circuits because they are non-power consuming.

従つて、結果的にはL1,C1による直列共振回
路に限られる。また、ここでいう共振回路は直列
共振回路でる。即ち、共振回路が動作し、同時に
低周波出力も必要であるからである。C1は低周
波成分をカツトする目的で有用である。
Therefore, the result is limited to a series resonant circuit made up of L 1 and C 1 . Also, the resonant circuit referred to here is a series resonant circuit. That is, this is because the resonant circuit operates and low frequency output is also required at the same time. C 1 is useful for cutting low frequency components.

なお、上記サイリスタQ4に並列に接続された
ダイオードD1は逆極性接続に対する回路の保護
を目的とし、コンデンサC3はノイズリミツタと
回路に対しては高周波電源となり得る。なお、サ
イリスタQ4の動作状態における保持電流(ター
ンオン状態を維持させるための最少電流値)は、
接続される外部警報器などの負荷インピーダンス
の関係で十分に小さい値であることが望ましい。
このために、サイリスタQ4のゲート電極とFET
のドレイン電極Dとの間に抵抗を挿入して、サイ
リスタQ4の導通状態におけるゲート電極からの
流出電流を制限するようにすると効果的となる。
Note that the diode D 1 connected in parallel to the thyristor Q 4 is intended to protect the circuit against reverse polarity connection, and the capacitor C 3 can serve as a high frequency power source for the noise limiter and the circuit. The holding current (minimum current value to maintain the turned-on state) of thyristor Q4 in its operating state is:
It is desirable that the value be sufficiently small in relation to the load impedance of connected external alarms, etc.
For this, the gate electrode of thyristor Q4 and the FET
It is effective to insert a resistor between the thyristor Q4 and the drain electrode D to limit the current flowing out from the gate electrode when the thyristor Q4 is in a conductive state.

以上詳細に説明したように、本発明のガラス板
破壊検出装置は、ガラス板が損傷または破壊され
たときに初めて動作し、警報動作を行なわせるこ
とができ、高感度で、しかも誤動作に対する信頼
性が高いことから、防犯用など各種保安用装置に
適している。また、特に本発明を第2図に例示し
たごとく構成した場合には、電源回路を警報器に
給電する回路と兼用させることができるので、多
数の本装置を並列接続して集中管理する場合にも
配線が簡単であり、シールド線などの特別なケー
ブルを必要としない点ならびに省電力化を図る上
で有利となる。
As explained in detail above, the glass plate breakage detection device of the present invention operates only when the glass plate is damaged or broken, can issue an alarm, has high sensitivity, and is highly reliable against malfunctions. Because of its high resistance, it is suitable for various security devices such as crime prevention. In addition, especially when the present invention is configured as illustrated in Fig. 2, the power supply circuit can also be used as a circuit for feeding power to the alarm, making it possible to centrally manage a large number of devices connected in parallel. It is also advantageous in that it is easy to wire, does not require special cables such as shielded wires, and saves power.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の基本的ブロツクダ
イヤグラム、第2図は本発明の具体的実施例を示
す回路図である。 1……検出器、2……共振回路、3……増幅回
路、4……信号保持回路、5……ロールパスフイ
ルター、6……AND回路、7……出力発生回
路、8……警報器、10……電源、P……圧電素
子。
FIG. 1 is a basic block diagram of one embodiment of the invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific embodiment of the invention. 1...Detector, 2...Resonance circuit, 3...Amplification circuit, 4...Signal holding circuit, 5...Roll pass filter, 6...AND circuit, 7...Output generation circuit, 8...Alarm device , 10...power supply, P...piezoelectric element.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 破壊を検出すべきガラス板に装着される圧電
素子を含めて成る検出器と、その検出器の出力信
号が入力されるように該検出器に接続され、かつ
100KHz以上の所定周波数に共振する共振回路
と、その共振回路からの所定レベル以上の信号を
増幅する増幅回路と、その増幅回路の出力信号を
所定時間保持する信号保持回路と、前記検出器の
出力信号が入力されるように該検出器に接続さ
れ、かつ50KHz以下の所定周波数成分の信号を抽
出するローパスフイルターと、そのローパスフイ
ルターからの所定レベル以上の出力信号と前記信
号保持回路の保持出力信号とが共存した時のみ出
力信号を発生するAND回路と、そのAND回路の
出力信号に応動して警報手段を動作させるための
信号を発生する出力発生回路とを具備し、かつ前
記共振回路は、その共振周波数を前記検出器の圧
電素子の共振周波数に一致させるように構成し、
前記AND回路は、ドレイン電極とソース電極が
前記信号保持回路の出力端と一方の給電線路間に
接続され、ゲート電極が前記ローパスフイルター
の出力端に接続された電界効果トランジスタをも
つて構成し、前記出力発生回路は、アノード電極
とカノード電極が給電線路間に接続され、ゲート
電極が前記電界効果トランジスタのドレイン電極
に接続されたシリコン制御整流素子をもつて構成
し、そのシリコン制御整流素子のアノード電極と
カソード電極間に警報手段を接続したことを特徴
とするガラス板破壊検出装置。
1. A detector including a piezoelectric element attached to a glass plate to detect breakage, and connected to the detector so that the output signal of the detector is input, and
A resonant circuit that resonates at a predetermined frequency of 100KHz or more, an amplifier circuit that amplifies a signal of a predetermined level or higher from the resonant circuit, a signal holding circuit that holds the output signal of the amplification circuit for a predetermined time, and the output of the detector. a low-pass filter connected to the detector so that the signal is input and extracts a signal of a predetermined frequency component of 50 KHz or less; an output signal of a predetermined level or higher from the low-pass filter; and a held output signal of the signal holding circuit. and an output generating circuit that generates a signal for operating an alarm means in response to the output signal of the AND circuit, and the resonant circuit includes: The resonant frequency is configured to match the resonant frequency of the piezoelectric element of the detector,
The AND circuit includes a field effect transistor whose drain electrode and source electrode are connected between the output end of the signal holding circuit and one power supply line, and whose gate electrode is connected to the output end of the low-pass filter, The output generating circuit includes a silicon-controlled rectifier whose anode electrode and cathode electrode are connected between the feed lines and whose gate electrode is connected to the drain electrode of the field-effect transistor, and the anode of the silicon-controlled rectifier A glass plate breakage detection device characterized in that an alarm means is connected between an electrode and a cathode electrode.
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