JPS61182302A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS61182302A JPS61182302A JP2227385A JP2227385A JPS61182302A JP S61182302 A JPS61182302 A JP S61182302A JP 2227385 A JP2227385 A JP 2227385A JP 2227385 A JP2227385 A JP 2227385A JP S61182302 A JPS61182302 A JP S61182302A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semi
- insulating
- substrate
- layer
- gaas
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波の送受信に用いることのできる半
導体集積回路に関するものである。
導体集積回路に関するものである。
従来の技術
近年、通信衛星放送や簡易無線などのマイクロ波通信へ
の応用のために、小型、低消費電力、高寿命の低雑音増
幅器や電力増幅器の開発がＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔを用い
て活発に行われている。
の応用のために、小型、低消費電力、高寿命の低雑音増
幅器や電力増幅器の開発がＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔを用い
て活発に行われている。
以下、第２図を参照しながら、従来のマイクロ波送受信
器について説明する。１はパラボラアンテナで、ダウン
コンバータ２は、導波管２、導波管同軸変換器３、誘電
体基板４からダウンコンバータ５を構成しており、誘電
体基板４上には、ストリップ線路によるインピーダンス
整合器６と電界効果トランジスタ７が設けられている。
器について説明する。１はパラボラアンテナで、ダウン
コンバータ２は、導波管２、導波管同軸変換器３、誘電
体基板４からダウンコンバータ５を構成しており、誘電
体基板４上には、ストリップ線路によるインピーダンス
整合器６と電界効果トランジスタ７が設けられている。
電波は、導波管２、導波管同軸変換器３を通り、インピ
ーダンス整合器６を経て、電界効果トランジスタ７に到
達し、増幅される。
ーダンス整合器６を経て、電界効果トランジスタ７に到
達し、増幅される。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような構成では、個々の部品を組
み立て、さらにその後に調整することを必要とし、また
装置が大型になるという欠点を有していた。
み立て、さらにその後に調整することを必要とし、また
装置が大型になるという欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、組み立て、調整が不要で小型
のマイクロ波送受信を行うことのできる半導体集積回路
を提供するものである。
のマイクロ波送受信を行うことのできる半導体集積回路
を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために、本発明の半導体集積回路
は、半絶縁性または絶縁性基板上に平面アンテナが設け
られるとともに、前記半絶縁性または絶縁性基板上の半
導体層に増幅器が形成されている。
は、半絶縁性または絶縁性基板上に平面アンテナが設け
られるとともに、前記半絶縁性または絶縁性基板上の半
導体層に増幅器が形成されている。
作 用
この構成によって、アンテナ部およびダウンコンバータ
部が同時に形成されるので、組立てや調整を必要とせず
、同時に装置全体が半導体チップの上に形成されるので
小型化が達成される。
部が同時に形成されるので、組立てや調整を必要とせず
、同時に装置全体が半導体チップの上に形成されるので
小型化が達成される。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例における半導体集積回路の
平面図を示すものである。第１図において、半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板１１上に、平面アンテナ１２が形成され、ま
た、半絶縁性基板１１の上に形成されたＧａＡｓ層１３
の上には、移相部１４、ＲＦ切換えスイッチ１５、受信
増幅部１６、送信増幅部１７が、整合回路を兼ねたマイ
クロストリップ線路１８によって接続されて形成されて
いる。
平面図を示すものである。第１図において、半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板１１上に、平面アンテナ１２が形成され、ま
た、半絶縁性基板１１の上に形成されたＧａＡｓ層１３
の上には、移相部１４、ＲＦ切換えスイッチ１５、受信
増幅部１６、送信増幅部１７が、整合回路を兼ねたマイ
クロストリップ線路１８によって接続されて形成されて
いる。
なおＧａＡｓ層１３は、半絶縁性ＧａＡｓ基板にイオン
注入することにより形成され、この層が電界効果トラン
ジスタの活性層となる。またマイクロストリップ線路１
８はＡｕＧｅ ／Ｎｏ／Ａｕの三層の蒸着を行った後、
Ａｕ を選択メ・ツキすることによって作られている。
注入することにより形成され、この層が電界効果トラン
ジスタの活性層となる。またマイクロストリップ線路１
８はＡｕＧｅ ／Ｎｏ／Ａｕの三層の蒸着を行った後、
Ａｕ を選択メ・ツキすることによって作られている。
以上のように構成されたマイクロ波送受信器の半導体集
積回路について、以下その動作を説明する。まず受信の
場合、平面アンテナ１２で受けた電波は移相部１４を通
り、ＲＦ切換えスイッチ１５を介して受信増幅部１６に
入り増幅される。また送信の場合は、ＲＦ比出力、送信
増幅部１７からＲＦ切換えスイッチ１６を通り移相部１
４を介して平面アンテナ１２へ行き、ここから電波が空
間へ放射される。
積回路について、以下その動作を説明する。まず受信の
場合、平面アンテナ１２で受けた電波は移相部１４を通
り、ＲＦ切換えスイッチ１５を介して受信増幅部１６に
入り増幅される。また送信の場合は、ＲＦ比出力、送信
増幅部１７からＲＦ切換えスイッチ１６を通り移相部１
４を介して平面アンテナ１２へ行き、ここから電波が空
間へ放射される。
以上のように本実施例によれば、平面アンテナと増幅器
を同一の半絶縁性まだは絶縁性基板上に設けることによ
シ組立てや調整を必要としない小型のマイクロ波送受信
器を実現することができる。
を同一の半絶縁性まだは絶縁性基板上に設けることによ
シ組立てや調整を必要としない小型のマイクロ波送受信
器を実現することができる。
なお、本実施例では、半絶縁性ＧａＡｓ基板を用いたが
、他の化合物半導体の半絶縁性基板でもよく、また絶縁
性基板でもよい。またアンテナはマイクロストリップ線
路でも円形パッチでも、スロットでもよい。
、他の化合物半導体の半絶縁性基板でもよく、また絶縁
性基板でもよい。またアンテナはマイクロストリップ線
路でも円形パッチでも、スロットでもよい。
発明の効果
以上のように、本発明は、半絶縁性または絶縁性基板上
に平面アンテナと増幅器を設けることにより、きわめて
小型でまた組立てや調整を必要としないマイクロ波送受
信器を実現することができ、その実用的効果は大なるも
のがある。
に平面アンテナと増幅器を設けることにより、きわめて
小型でまた組立てや調整を必要としないマイクロ波送受
信器を実現することができ、その実用的効果は大なるも
のがある。
第１図は本発明の一実施例におけるマイクロ波送受信器
の平面図、第２図は従来のマイクロ波受信器の斜視図で
ある。 １１・・・・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、１２・・・・
・・平面アンテナ、１３・・・・・・ＧａＡｓ層、１４
・・・・・・移相部、１５・・・・・・ＲＦ切換えスイ
ッチ、１６・・・・・・受信増幅部、１７・・・・・・
送信増幅部、１８・・・・・・整合回路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
−−−＄ 多セーネ（ｔξイＪｉζ＞ｔｚＡ仝」署Ｕυ
仁第２図
の平面図、第２図は従来のマイクロ波受信器の斜視図で
ある。 １１・・・・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、１２・・・・
・・平面アンテナ、１３・・・・・・ＧａＡｓ層、１４
・・・・・・移相部、１５・・・・・・ＲＦ切換えスイ
ッチ、１６・・・・・・受信増幅部、１７・・・・・・
送信増幅部、１８・・・・・・整合回路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
−−−＄ 多セーネ（ｔξイＪｉζ＞ｔｚＡ仝」署Ｕυ
仁第２図
Claims (1)
- 半絶縁性または絶縁性基板上に平面アンテナが形成さ
れ、前記基板の一部に半導体層が形成されるとともに、
前記半導体層に増幅器が形成されてなることを特徴とす
る半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227385A JPS61182302A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227385A JPS61182302A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182302A true JPS61182302A (ja) | 1986-08-15 |
Family
ID=12078153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2227385A Pending JPS61182302A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61182302A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155919A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Nec Corp | 小型無線機 |
| JPS63279620A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波半導体装置 |
| JPH02271701A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-11-06 | Motorola Inc | 伸張可能なアンテナシステムおよびこれを用いた携帯用無線機 |
| US5566441A (en) * | 1993-03-11 | 1996-10-22 | British Technology Group Limited | Attaching an electronic circuit to a substrate |
-
1985
- 1985-02-07 JP JP2227385A patent/JPS61182302A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155919A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Nec Corp | 小型無線機 |
| JPS63279620A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波半導体装置 |
| JPH02271701A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-11-06 | Motorola Inc | 伸張可能なアンテナシステムおよびこれを用いた携帯用無線機 |
| US5566441A (en) * | 1993-03-11 | 1996-10-22 | British Technology Group Limited | Attaching an electronic circuit to a substrate |
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