JPS61181931A - Pressure sensor - Google Patents

Pressure sensor

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Publication number
JPS61181931A
JPS61181931A JP2177985A JP2177985A JPS61181931A JP S61181931 A JPS61181931 A JP S61181931A JP 2177985 A JP2177985 A JP 2177985A JP 2177985 A JP2177985 A JP 2177985A JP S61181931 A JPS61181931 A JP S61181931A
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JP
Japan
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plate
pressure receiving
pressure
membrane
silicon
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JP2177985A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuo Kobayashi
光男 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0054Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable the miniaturization with a larger sensor output, by forming a circular membrane section and a central pressure receiving section surrounded thereby on a silicon plate while two pairs of straingauges are mounted on the surface of the membrane section. CONSTITUTION:A circular groove 11 is formed on a silicon monocrystaline plate 10 so that the bottom part of the groove 11 is made a diaphragm-like flexible membrane part 11A and moreover, a pressure receiving section 12 is set to remain at the center surrounded by the groove 11. Four semiconductor straingauges 14 are formed on the surface (support surface) 10A opposite to the groove-formed surface by a semiconductor process. In addition, a lead 15 is formed by the same semiconductor process to build a bridge circuit between the four straingauges 14. The unit detector 16 for detection of pressure thus obtained is arranged in matrix on the silicon monocrystalline plate 10. As a force is applied to the pressure receiving section 12 in the direction of the arrow, a stress sigma r is generated radially on the side of a support surface 10A with the deformation of the membrane section 11A, causing a tensile (compression) stress at the positions of the strain gauges 14A and 14B.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

[発明の属する技術分野1 本発明は、圧覚センサに関し、詳しくはロボットハンド
の掌握面等に取りつけられ、その掌握面に加えられる垂
直方向の荷重(以下圧力という)の大きさとその分布の
検出が可能な圧覚センサに関する。 [従来技術とその問題点1 従来のこの種の圧覚センサとしては、例えば第7図に示
すようにロボットハンド1に感圧導電性ゴム材IAをマ
トリックス状に配設したものが知られている。このセン
サは、圧力が加えられることによって感圧導電性ゴム材
IAの有する両電極間の抵抗が変化することを利用して
その抵抗変化値を検出することによりセンサに加わる力
を検出するようにしたものである。 さらにまた、感圧導電性ゴム材のかわりに第8図に示す
ように圧電材料を使用したものもある。 ここでは単位センサの構成を示すにとどめるが、2は圧
電材料で形成された部材であり、圧電部材2はガイド板
3の孔の底部に配置され、部材2の上部にはフランジ部
4Aを有する接触子4がばねSによって支持されている
。6は上部プリント基盤、7は下部プリント基盤であり
、6Aおよび?Aはプリント基a6および7上のそれぞ
れプリント面である。 なお、接触子4およびばね5は導電性材料で形成されて
おり、プリント面6Aと7Aとはこれらの導電性材料を
介して電気的に接続されている。 そこで、このような単位センサをマトリックス状に配置
して構成された圧覚センサにあっては。 偏々の単位センサにおいて接触子4の突出部が押圧され
ることにより圧電部材2が圧縮され、その圧縮力に応じ
て電気的抵抗値を変化させることができるので、プリン
ト面8Aおよび7Aを例えば行および列に配置しておく
ことにより、これらのプリント面6Aと7Aとの交点位
置に配設された単位センサにおける抵抗変化値をそれぞ
れ検出することができる。しかしながら、従来のこのよ
うな圧覚センサではいずれも次のような欠点を有してい
る。 (1)加えられた力に対してセンサ出力が小さい。 (2)加えられた力とセンサ出力が比例関係にある領域
がせまい。 (3)圧力の分布を精度よく検出するためには単位検出
器を小型にしなければならないが、機構が複雑であるた
め小型化が困難である。 [発明の目的1 本発明の目的は、上述の欠点を除去し、センサ出力が大
きくてしかも小型化が可能な圧覚センサを提供すること
にある。 [発明の要点J すなわち1本発明は、円環形状の膜部および膜部の中心
に形成された受圧部を有するシリコン板と、シリコン板
の膜部の表面に配設され、膜部のたわみによって生じる
引張りおよび圧縮応力の検出がそれぞれ可能なように配
置された複数対のストレンゲージおよび複数対のストレ
ンゲージ間に形成されたブリッジ回路とにより単位検出
器を構成し、当該単位検出器を連続したシリコン板上に
マトリックス状に配置し、受圧部および膜部を除く単位
検出器を保持板によって支持させ、受圧部を受圧板を介
して押圧させるようにしたことを特徴とするものである
。 [発明の実施例1 以下に、図面に基づいて本発明の実施例を詳細にかつ具
体的に説明する。 第1A図および第1B図は本発明の一実施例として、そ
の2つの単位検出器を取出して示したものである。ここ
で、lOはシリコン単結晶板であり、シリコン単結晶板
10に円環形状の溝11を電解放電加工やエツチングな
どによって形成することにより、溝l!の底面部分をダ
イヤフラム状6可撓性膜部11Aとなし、更に溝11で
囲繞された中央部に受圧部12を残置させるようにする
。 なお、第1A図では、このような溝11が裏面側に形成
されているが、溝11の形成された面とは反対側の面(
以下ではこの面を支持面という) IOAに4個の半導
体ストレンゲージ14.すなわち14A。 14A 、 14B 、14Bを半導体プロセスによっ
て形成する。 さらにまた、これら4個のストレンゲージ14の間に図
示のようなブリッジ回路を構成するための導線15を同
様の半導体プロセスによって形成し、このようにして構
成した圧力検出用の単位検出器16をシリコン単結晶板
lOの上にマトリックス状に配列させる。なお、17A
および17Bは電源端子、18Aおよび18Bは単位検
出器16の出力端子である。 次にこのようにして構成した単位検出器16によって圧
力を検出する原理を説明する。 第2図は第1図のダイヤフラム状膜部11Aを形成した
単位検出器16の構造体を模式的に示したものであり、
膜部11Aは円輪板状に形成されているので、ここで受
圧部12に矢印方向の力が加わると、膜部11Aはこの
図に示すように変形し、この変形によって膜部11Aの
下面すなわち支持面10A側には第3図に示すような応
力σrが半径方向に発生する。すなわち、受圧部12に
近いところでは引張り応力が、また膜部周辺部に近いと
ころでは圧縮応力が生じる。 従って、第1図のような膜部11Aの位置に半導体スト
レンゲージ14Aおよび14Bをそれぞれ配置し、受圧
部12に本図の場合紙面の下から上に向かって力を加え
ると、ストレンゲージ14Aの位置には引張り応力が、
またストレンゲージ14Bの位置には圧縮応力が発生す
る。そこでこれらの4個のストレンゲージ14の間に図
に示すようにブリッジ回路を構成し、端子+7Aと17
Bとの間に電源電圧を加えることにより出力端子18A
と18Bとの間に出力電圧を発生させることができる。 しかして、このような構成の単位検出器16により円輪
板形をなす膜部11Aのたわみを検゛出することができ
るので、加えられた力と発生する応力(従って出力電圧
)との間に広い範囲にわたって線型性を成立させること
ができるのに加えて半導体ストレンゲージの感度はよく
知られているように良好であるので、大きく、しかも精
度の高い出力信号が得られるという利点がある。 次に、このように構成した単位検出器16を配列させて
構成する圧覚センサの組立構造について述べる。 第4図はその断面を示す6本例ではシリコン単結晶板l
Oの下面側すなわち支持面10Aに第1図に示したよう
な配置のストレンゲージ14およびブリッジ回路用の導
線が形成されており、その上面側の個々の受圧部12に
対応した位置(第5A図参照)に加圧部材20を配置し
、更にこの加圧部材20を弾性のある板21によって保
持させるようにする。 そこで、弾性板21には第5B図に示すように加圧部材
20に対応した位置、すなわち第5A図の受圧部12と
対応した位置にその保持用の凹部21Aが設けてあり、
この四部21Aに加圧部材20が嵌込まれることにより
弾性板21とで受圧板22を構成している。 更に第4図において、ストレンゲージ14を設けている
シリコン単結晶板10の下面側にはマトリックス状に配
設された単位検出器全体を保持するための下部保持板2
3が設けであるが、この保持板23は、受圧板22にか
かる加圧力に対して、シリコン単結晶板lOに設けた受
圧部12および膜部11Aを自由に保持するために、こ
の範囲にわたり第5C図に示すように円形に凹ませた凹
部23Aを有し、この凹部23Aを除く平坦な支持部2
3Bによって個々の単位検出器16の固定部を支持して
いる。 このように構成した圧覚センサにおいては、第4図の矢
印のように圧力が加わると、この圧力は上部受圧板22
の弾性板21および加圧部材20を介して単位検出器1
8の受圧部12に伝達され、単位検出器18は下部から
保持板23によって支えられているのでその膜部11A
に第2図に示したようなたわみが生じる。そこでその発
生応力をストレンゲージ14と、これらの間に構成され
たブリッジ回路とにより個々の検出器1Bごとに検出し
、以て、受圧板22に加圧される加圧力を検出すること
ができる。 第6図は本発明の他の実施例を示すもので、ここでは単
位検出器のうちの1個のみが示しである。本例での単位
検出器26の形状は前述の実施例と同一であるが、本例
では4個の半導体ストレンゲージ14を図のような位置
に形成する。 いま、ここで、本図の紙面の裏側から上向きの圧力によ
って膜部11Aが変形すると、半導体ストレンゲージ1
4Cにはさきに述べたように引張応力が発生するので半
導体ストレンゲージ14Gは軸方向に伸延する。一方、
半導体ストレンゲージ140はストレンゲージ14Cに
対してその軸が直交する方向に形成されているため、そ
の軸方向に対して縮む、従って4個の半導体ストレンゲ
ージ14によって図のようなブリッジ回路を構成すれば
単位検出器26に加わる圧力をこのようなブリッジ回路
からの出力電圧として検出することができる。 なお、圧覚センサとして組立てる場合のその他の構成に
ついては前述した例と同様であり、その説明を省略する
[Technical field to which the invention pertains 1] The present invention relates to a pressure sensor that is attached to the grip surface of a robot hand and is capable of detecting the magnitude and distribution of a vertical load (hereinafter referred to as pressure) applied to the grip surface. Regarding possible pressure sensors. [Prior Art and Problems 1] As a conventional pressure sensor of this type, for example, as shown in FIG. 7, there is a known one in which a pressure-sensitive conductive rubber material IA is arranged in a matrix on a robot hand 1. . This sensor uses the fact that the resistance between both electrodes of the pressure-sensitive conductive rubber material IA changes when pressure is applied, and detects the resistance change value to detect the force applied to the sensor. This is what I did. Furthermore, there is also one in which a piezoelectric material is used instead of the pressure-sensitive conductive rubber material, as shown in FIG. Although only the structure of the unit sensor is shown here, 2 is a member formed of a piezoelectric material, the piezoelectric member 2 is arranged at the bottom of the hole of the guide plate 3, and the upper part of the member 2 has a flange part 4A. A contact 4 is supported by a spring S. 6 is the upper printed board, 7 is the lower printed board, 6A and ? A is the print surface on print substrates a6 and 7, respectively. Note that the contact 4 and the spring 5 are made of conductive material, and the printed surfaces 6A and 7A are electrically connected via these conductive materials. Therefore, in the case of a pressure sensor configured by arranging such unit sensors in a matrix. The piezoelectric member 2 is compressed by pressing the protrusions of the contacts 4 in the uneven unit sensors, and the electrical resistance value can be changed according to the compressive force. By arranging them in rows and columns, it is possible to detect the resistance change values in the unit sensors arranged at the intersections of these printed surfaces 6A and 7A. However, all such conventional pressure sensors have the following drawbacks. (1) The sensor output is small relative to the applied force. (2) The area where the applied force and sensor output are in a proportional relationship is small. (3) In order to accurately detect the pressure distribution, the unit detector must be made smaller, but it is difficult to make it smaller because the mechanism is complicated. [Objective of the Invention 1 An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks, provide a pressure sensor that has a large sensor output, and can be miniaturized. [Key Points of the Invention J That is, 1. The present invention includes a silicon plate having an annular membrane portion and a pressure receiving portion formed at the center of the membrane portion, and a silicon plate provided on the surface of the membrane portion of the silicon plate to prevent deflection of the membrane portion. A unit detector is composed of multiple pairs of strain gauges arranged so as to be able to detect the tensile and compressive stress generated by each strain gauge, and a bridge circuit formed between the multiple pairs of strain gauges, and the unit detector is continuously The sensor is arranged in a matrix on a silicon plate, the unit detectors excluding the pressure receiving part and the membrane part are supported by a holding plate, and the pressure receiving part is pressed through the pressure receiving plate. [Embodiment 1 of the Invention] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail and specifically based on the drawings. FIGS. 1A and 1B show two unit detectors as an embodiment of the present invention. Here, lO is a silicon single crystal plate, and by forming an annular groove 11 in the silicon single crystal plate 10 by electrolytic discharge machining, etching, etc., the groove l! The bottom portion of the diaphragm-like flexible membrane portion 11A is formed at the bottom, and the pressure receiving portion 12 is left in the central portion surrounded by the groove 11. In addition, in FIG. 1A, such grooves 11 are formed on the back surface side, but the surface opposite to the surface on which the grooves 11 are formed (
(Hereinafter, this surface will be referred to as the support surface) Four semiconductor strain gauges 14. That is 14A. 14A, 14B, and 14B are formed by a semiconductor process. Furthermore, conductive wires 15 for configuring a bridge circuit as shown in the figure are formed between these four strain gauges 14 by a similar semiconductor process, and a unit detector 16 for pressure detection constructed in this way is formed. They are arranged in a matrix on a silicon single crystal plate IO. In addition, 17A
and 17B are power supply terminals, and 18A and 18B are output terminals of the unit detector 16. Next, the principle of detecting pressure by the unit detector 16 configured in this way will be explained. FIG. 2 schematically shows the structure of the unit detector 16 in which the diaphragm-like membrane portion 11A of FIG. 1 is formed.
Since the membrane portion 11A is formed in the shape of an annular plate, when a force in the direction of the arrow is applied to the pressure receiving portion 12, the membrane portion 11A deforms as shown in this figure, and this deformation causes the lower surface of the membrane portion 11A to deform. That is, a stress σr as shown in FIG. 3 is generated in the radial direction on the support surface 10A side. That is, tensile stress occurs near the pressure receiving part 12, and compressive stress occurs near the peripheral part of the membrane part. Therefore, when the semiconductor strain gauges 14A and 14B are respectively arranged at the position of the membrane part 11A as shown in FIG. There is a tensile stress at the position,
Further, compressive stress is generated at the position of the strain gauge 14B. Therefore, a bridge circuit is constructed between these four strain gauges 14 as shown in the figure, and terminals +7A and 17
By applying a power supply voltage between the output terminal 18A and
An output voltage can be generated between and 18B. Therefore, since the unit detector 16 having such a configuration can detect the deflection of the circular plate-shaped membrane portion 11A, the difference between the applied force and the generated stress (therefore, the output voltage) can be detected. In addition to being able to achieve linearity over a wide range, semiconductor strain gauges have good sensitivity as is well known, so they have the advantage of providing large and highly accurate output signals. Next, an assembly structure of a pressure sensor configured by arranging the unit detectors 16 configured as described above will be described. Figure 4 shows the cross section of the silicon single crystal plate l.
Strain gauges 14 arranged as shown in FIG. A pressure member 20 is disposed on the base (see figure), and this pressure member 20 is further held by an elastic plate 21. Therefore, as shown in FIG. 5B, the elastic plate 21 is provided with a holding recess 21A at a position corresponding to the pressure member 20, that is, a position corresponding to the pressure receiving part 12 in FIG. 5A.
By fitting the pressure member 20 into the four parts 21A, the pressure member 20 and the elastic plate 21 constitute a pressure receiving plate 22. Further, in FIG. 4, on the lower surface side of the silicon single crystal plate 10 on which the strain gauge 14 is provided, there is a lower holding plate 2 for holding the entire unit detectors arranged in a matrix.
3 is provided, but this holding plate 23 is provided over this range in order to freely hold the pressure receiving part 12 and the membrane part 11A provided on the silicon single crystal plate IO against the pressurizing force applied to the pressure receiving plate 22. As shown in FIG. 5C, the support part 2 has a circular recess 23A and is flat except for this recess 23A.
3B supports the fixed part of each unit detector 16. In the pressure sensor configured in this way, when pressure is applied as shown by the arrow in FIG.
unit detector 1 via the elastic plate 21 and pressure member 20.
Since the unit detector 18 is supported from the bottom by the holding plate 23, the membrane part 11A of the unit detector 18 is
A deflection as shown in FIG. 2 occurs. Therefore, the generated stress is detected for each individual detector 1B by the strain gauge 14 and a bridge circuit configured between them, and thereby the pressurizing force applied to the pressure receiving plate 22 can be detected. . FIG. 6 shows another embodiment of the invention, in which only one of the unit detectors is shown. The shape of the unit detector 26 in this example is the same as that in the previous embodiment, but in this example, four semiconductor strain gauges 14 are formed at positions as shown in the figure. Now, when the membrane portion 11A is deformed by upward pressure from the back side of the page of this figure, the semiconductor strain gauge 1
As described above, tensile stress is generated in the semiconductor strain gauge 4C, so that the semiconductor strain gauge 14G is stretched in the axial direction. on the other hand,
Since the semiconductor strain gauge 140 is formed with its axis perpendicular to the strain gauge 14C, it contracts in the axial direction, so the four semiconductor strain gauges 14 form a bridge circuit as shown in the figure. For example, the pressure applied to the unit detector 26 can be detected as the output voltage from such a bridge circuit. Note that the other configurations when assembled as a pressure sensor are the same as those in the example described above, and their explanation will be omitted.

【発明の効果】【Effect of the invention】

以上説明してきたように、本発明によれば、シリコン板
に円環形状の膜部と膜部に囲繞された中心の受圧部とを
形成し、膜部表面に2対のストレンゲージを取付け、こ
れらのストレンゲージ間にブリッジ回路を形成して単位
検出器を構成し、このような単位検出器を同一シリコン
板上にマトリックス状に配置して、個々の検出器におけ
る受圧部および膜部を除いた部分を支持板によって支持
させるようになし、−力受圧部のみに加圧側から押圧力
が伝達されるようになして、受圧部が押圧されたときに
、膜部のたわみにより一対のストレンゲージには引張り
応力が、また他方の対のストレンゲージには圧縮応力が
発生するようにしたので、ブリッジ回路を介して押圧力
に比例した出力電圧を個々の単位検出器から取り出すこ
とができて、一方向性の加圧力に対して高い精度で大き
い出力信号を得ることができるのみならず、単位検出器
の小型化を図ることができる。
As explained above, according to the present invention, an annular membrane portion and a central pressure receiving portion surrounded by the membrane portion are formed on a silicon plate, two pairs of strain gauges are attached to the surface of the membrane portion, A bridge circuit is formed between these strain gauges to configure a unit detector, and such unit detectors are arranged in a matrix on the same silicon plate, excluding the pressure receiving part and membrane part of each detector. The pressure receiving part is supported by the support plate, and the pressing force is transmitted from the pressurizing side only to the force receiving part, so that when the pressure receiving part is pressed, the pair of strain gauges is Since tensile stress is generated in the strain gauge and compressive stress is generated in the other pair of strain gauges, an output voltage proportional to the pressing force can be extracted from each unit detector via the bridge circuit. Not only can a large output signal be obtained with high precision against a unidirectional pressing force, but also the unit detector can be made smaller.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1A図は本発明圧覚センサの単位検出器の構成の一例
を示す平面図、第1B図はそのA−A線断面図、第2図
はそり受圧部に押圧力が加えられたときに膜部に生じる
たわみの状態を断面で示す模式図、第3図は第2図のよ
うな膜部のたわみによってその下面に発生する引張りお
よび圧縮応力の応力分布図、第4図は本発明圧覚センサ
の一例を組立状態で示す断面図、第5A図、第5B図お
よび第5C図はそのシリコン単結晶板、弾性板および下
部保持板のそれぞれ平面図、第6図は本発明の他の実施
例としての単位検出器の構成を示す平面図、第7図およ
び第8図は従来の圧覚センサの構成の2例をそれぞれ示
す斜視図および断面図である。 1・・・ロボットハンド。 IA・・・感圧導電性ゴム材、 2・・・圧電部材。 3・・・ガイド板、 4・・・接触子、 4A・・・フランジ部、 5・・・ばね、 6.7・・・プリント基板 10・・・シリコン単結晶板、 10A・・・支持面、 11・・・溝、 11A・・・膜部、 12・・・受圧部、 14.14A、14B、14C,140・・・ストレン
ゲージ、15・・・導線、 1e、2e・・・単位検出器、 +?A、17B、 18A、18B・・・端子、20・
・・加圧部材、 21・・・弾性板、 21A・・・凹部、 22・・・受圧板、 23・・・下部保持板、 23A・・・凹部、 23B・・・支持部。 第5A図 第5B図 第5C図 26凋1イt1オ(「仕111
FIG. 1A is a plan view showing an example of the configuration of a unit detector of the pressure sensor of the present invention, FIG. 1B is a sectional view taken along the line A-A, and FIG. FIG. 3 is a stress distribution diagram of tensile and compressive stress generated on the lower surface due to the deflection of the membrane portion as shown in FIG. 2. FIG. FIG. 5A, FIG. 5B, and FIG. 5C are plan views of the silicon single crystal plate, elastic plate, and lower holding plate, respectively, and FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example in an assembled state. FIG. 7 and 8 are a perspective view and a sectional view, respectively, showing two examples of the structure of a conventional pressure sensor. 1... Robot hand. IA...Pressure-sensitive conductive rubber material, 2... Piezoelectric member. 3... Guide plate, 4... Contact, 4A... Flange portion, 5... Spring, 6.7... Printed circuit board 10... Silicon single crystal plate, 10A... Support surface , 11...Groove, 11A...Membrane part, 12...Pressure receiving part, 14.14A, 14B, 14C, 140...Strain gauge, 15...Conducting wire, 1e, 2e...Unit detection Vessel, +? A, 17B, 18A, 18B...Terminal, 20.
. . . Pressure member, 21 . . . Elastic plate, 21A . . . Recessed portion, 22 . Figure 5A Figure 5B Figure 5C Figure 26

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 円環形状の膜部および該膜部の中心に形成された受圧部
を有するシリコン板と、該シリコン板の前記膜部の表面
に配設され、前記膜部のたわみによって生じる引張りお
よび圧縮応力の検出がそれぞれ可能なように配置された
複数対のストレンゲージおよび該複数対のストレンゲー
ジ間に形成されたブリッジ回路とにより単位検出器を構
成し、当該単位検出器を連続した前記シリコン板上にマ
トリックス状に配置し、前記受圧部および前記膜部を除
く単位検出器を保持板によって支持させ、前記受圧部を
受圧板を介して押圧させるようにしたことを特徴とする
圧覚センサ。
A silicon plate having an annular membrane portion and a pressure receiving portion formed at the center of the membrane portion, and a silicon plate disposed on the surface of the membrane portion of the silicon plate to prevent tensile and compressive stress caused by deflection of the membrane portion. A unit detector is constituted by a plurality of pairs of strain gauges arranged so that detection is possible, and a bridge circuit formed between the plurality of pairs of strain gauges, and the unit detector is mounted on the continuous silicon plate. A pressure sensor, characterized in that the unit detectors are arranged in a matrix, the unit detectors excluding the pressure receiving part and the membrane part are supported by a holding plate, and the pressure receiving part is pressed through the pressure receiving plate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005062357A1 (en) * 2003-12-05 2005-07-07 Advanced Micro Devices, Inc. Strained semiconductor substrate and processes therefor

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