JPS61181027A - 交差電磁界増幅管 - Google Patents
交差電磁界増幅管Info
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- JPS61181027A JPS61181027A JP61020035A JP2003586A JPS61181027A JP S61181027 A JPS61181027 A JP S61181027A JP 61020035 A JP61020035 A JP 61020035A JP 2003586 A JP2003586 A JP 2003586A JP S61181027 A JPS61181027 A JP S61181027A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/32—Secondary-electron-emitting electrodes
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Microwave Tubes (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、一般には二次電子放出カソードに関し、史に
詳細には高電流密度を供給可能なカソードが必要な高電
力交差電磁界管における半導体二次電子放出カソードに
関する。
詳細には高電流密度を供給可能なカソードが必要な高電
力交差電磁界管における半導体二次電子放出カソードに
関する。
（背景技術）
従来の非常に薄い絶縁膜（フィルム）、例えばＢばＯ，
ＡＡ！Ｏ及びＭｈｏから作られる約５０オングストロー
ムの厚さの二次電子放出カソードはトンネル作用により
増強された導電率を有する。従って、これらのカソード
は、そのフィルムを交差電磁界高電力管における二次電
子放出力ンードとして使用することを可能にする高電流
密度（約１〜１０ Ａ ／ｒｍｒ ）を供給することが
できる。しかし、これらの薄膜は比較的短い時間で電子
衝舊によって浸食される。これらの薄膜は、例えば酸化
マグネシウムから成り、高電力管に適用する場合限定さ
れた寿命を有し、高電力で使用可能にするため製造する
とき管のガス放出に長い時間を必要とする。ガス放出の
問題を改善することなくカソードの寿命を長くするため
には、より厚い噂のカソードが望ましい。噂を厚くする
と、その膿の実効溝Ｘｉに関する問題即ち嘆内に充電効
果をもたらし、非常に薄い絶縁陣から得られるよりも電
流密度が減少する。従来における厚い膜でより大きい導
電率を得るときの問題を解決する１つの試みは、絶縁嘆
に金属粒子を導入することである。その金属粒子は嘆材
料の導電率を改善する。しかし、二次市子放出比を非常
に低下させる。更に、金属粒子を加えることによって厚
さを少し増加させることができても、長寿命のカソード
に必要な条件に適合することは期待できない。
ＡＡ！Ｏ及びＭｈｏから作られる約５０オングストロー
ムの厚さの二次電子放出カソードはトンネル作用により
増強された導電率を有する。従って、これらのカソード
は、そのフィルムを交差電磁界高電力管における二次電
子放出力ンードとして使用することを可能にする高電流
密度（約１〜１０ Ａ ／ｒｍｒ ）を供給することが
できる。しかし、これらの薄膜は比較的短い時間で電子
衝舊によって浸食される。これらの薄膜は、例えば酸化
マグネシウムから成り、高電力管に適用する場合限定さ
れた寿命を有し、高電力で使用可能にするため製造する
とき管のガス放出に長い時間を必要とする。ガス放出の
問題を改善することなくカソードの寿命を長くするため
には、より厚い噂のカソードが望ましい。噂を厚くする
と、その膿の実効溝Ｘｉに関する問題即ち嘆内に充電効
果をもたらし、非常に薄い絶縁陣から得られるよりも電
流密度が減少する。従来における厚い膜でより大きい導
電率を得るときの問題を解決する１つの試みは、絶縁嘆
に金属粒子を導入することである。その金属粒子は嘆材
料の導電率を改善する。しかし、二次市子放出比を非常
に低下させる。更に、金属粒子を加えることによって厚
さを少し増加させることができても、長寿命のカソード
に必要な条件に適合することは期待できない。
（発明の概要）
従って、本発明の目的は、高電流密度で動作することが
でき、その増強された導電率によってより厚いカソード
を使用して長寿命を達成した二次電子放出カソードを提
供することである。更に本発明の目的は、昼電力の父差
電磁界真空管に使用するとき受ける市、子衝隼に耐える
二次電子放出カソードを提供することである。
でき、その増強された導電率によってより厚いカソード
を使用して長寿命を達成した二次電子放出カソードを提
供することである。更に本発明の目的は、昼電力の父差
電磁界真空管に使用するとき受ける市、子衝隼に耐える
二次電子放出カソードを提供することである。
本発明の１つの特徴は、半導体カソードを使用して構成
された管のガス放出時間は従来のカソードに比較して小
さくなる。その理由は、酸化薄膜カソードと違って半導
体カソードには酸素がないからである。本発明の他の特
徴は、不発明の管のパルス動作において、出力パルスの
立上り時間が速（、数ナノ秒の精度の機器で測定したと
ぎパルスの前縁のジッタが認められないことである。
された管のガス放出時間は従来のカソードに比較して小
さくなる。その理由は、酸化薄膜カソードと違って半導
体カソードには酸素がないからである。本発明の他の特
徴は、不発明の管のパルス動作において、出力パルスの
立上り時間が速（、数ナノ秒の精度の機器で測定したと
ぎパルスの前縁のジッタが認められないことである。
本発明によれば、前述の従来技術における問題は解消さ
れ、更に、本発明による二次宵、子放出半導体カソード
及び管によって他の利点が与えられる。不純物をドープ
した砒化が゛リウム半導体は、真性な砒化ガリウムより
も導電性か高く、大きい平均電流及びピーク電流で動作
する普電力交差電磁界増幅管においてカソードとして組
込まれるとき、従来の二次電子放出力ンードよりも性能
が良いことがわかった。砒化ガリウムのカソードによれ
ば、従来の二次電子放出力フードを有する交差電磁界増
幅管よりも逐い立上り時間及び前縁のジッタが非常に減
少した高周波出力パルスを供給する。
れ、更に、本発明による二次宵、子放出半導体カソード
及び管によって他の利点が与えられる。不純物をドープ
した砒化が゛リウム半導体は、真性な砒化ガリウムより
も導電性か高く、大きい平均電流及びピーク電流で動作
する普電力交差電磁界増幅管においてカソードとして組
込まれるとき、従来の二次電子放出力ンードよりも性能
が良いことがわかった。砒化ガリウムのカソードによれ
ば、従来の二次電子放出力フードを有する交差電磁界増
幅管よりも逐い立上り時間及び前縁のジッタが非常に減
少した高周波出力パルスを供給する。
（実施例の説明）
本発明を以下実施側に従って詳細に説明する。
半導体カソード１１を含む交差電磁界増幅管１０が第１
図の一部断面一部分解図に示される。管１０は入力導波
管１３及び出力導波管１４を有するアノード１２を含ん
でいる。そのアノードは、上部壁１６及び下部壁１７に
よって形成される空胴１５．外壁１８、管の中心軸１９
０に平行に伸びる羽根（ベーン）２８から成る。ベーン
２８は、また半径方向に伸び、その端部で上部壁１６及
び下部壁１７に取りつけられる。
図の一部断面一部分解図に示される。管１０は入力導波
管１３及び出力導波管１４を有するアノード１２を含ん
でいる。そのアノードは、上部壁１６及び下部壁１７に
よって形成される空胴１５．外壁１８、管の中心軸１９
０に平行に伸びる羽根（ベーン）２８から成る。ベーン
２８は、また半径方向に伸び、その端部で上部壁１６及
び下部壁１７に取りつけられる。
各ベーン２８は半径方向に伸びるタブ１９を有スる。
タブ１９は隣接のベーン２８では相互に縦方向にずれて
おり、父互のベーンが各タブを同じ縦方向平面に有する
。モード抑制リング加は、相互に縦方向にずれてタブ１
９の縦方向変位と一致し、夫々の平面でタブに取り付け
られる。リング加の各々は夫々人力導波管１３及び出力
導波管１４間の領域にギャップ（図示せず）を有する。
おり、父互のベーンが各タブを同じ縦方向平面に有する
。モード抑制リング加は、相互に縦方向にずれてタブ１
９の縦方向変位と一致し、夫々の平面でタブに取り付け
られる。リング加の各々は夫々人力導波管１３及び出力
導波管１４間の領域にギャップ（図示せず）を有する。
第１図に分解して示される導波管１３．１４は空胴１５
の壁１８の開口２１゜２２に夫々接続される。各導波Ｗ
１３．１４は夫々インピーダンス整合ウェッジ１３１．
１４１を有している。
の壁１８の開口２１゜２２に夫々接続される。各導波Ｗ
１３．１４は夫々インピーダンス整合ウェッジ１３１．
１４１を有している。
そのウェッジは他の形、例えば当業者に周知の階段状リ
ッジとすることができる。各ウェッジ１３１゜１４１は
導線１３２． １４２によって第２図のモード抑制リン
グ加、、２０．の夫々に電気的に接続される。
ッジとすることができる。各ウェッジ１３１゜１４１は
導線１３２． １４２によって第２図のモード抑制リン
グ加、、２０．の夫々に電気的に接続される。
別の導線１３３． １４３は導波管１３．１４と他のリ
ング２０２．２０．の夫々の間に接続される。’１ｆｌ
Ｏは真空にされるので、各導波管は第２図に示すような
真空シール１３４を設けている。空胴１５の上部壁１６
及び下部壁１７は、それらにプレイズ溶接される磁気構
造体２３．２４を有し、磁石（図示せず）に接続される
とき縦方向の磁界を供給する構造を設けている。磁気構
造体２３は、軟鉄円板２３３にプレイズ溶接される２つ
の円形鋼板２３１． ２３２から成る。
ング２０２．２０．の夫々の間に接続される。’１ｆｌ
Ｏは真空にされるので、各導波管は第２図に示すような
真空シール１３４を設けている。空胴１５の上部壁１６
及び下部壁１７は、それらにプレイズ溶接される磁気構
造体２３．２４を有し、磁石（図示せず）に接続される
とき縦方向の磁界を供給する構造を設けている。磁気構
造体２３は、軟鉄円板２３３にプレイズ溶接される２つ
の円形鋼板２３１． ２３２から成る。
磁気構造体２３の中央開口から伸びて出ている真空管２
３４は組立てた管の排気後にシールされる。
３４は組立てた管の排気後にシールされる。
磁気構造体２４は、円形鋼板２４１．２４２及び円板２
４３を有し、空胴１５の下部壁１７に取りつけられる。
４３を有し、空胴１５の下部壁１７に取りつけられる。
磁気構造体２４は中央に穴を有し、その穴をカソード支
持パイプ２５が通っている。円板２６は構造体２４の下
方鋼板２４１と高電圧絶縁体２７との間に真空シールを
形成する。絶縁体２７は、またカソード支持パイプ２５
に真空絶縁シールで結合される。このようにして、第２
図に示される管１０は真空に耐える構造となる。
持パイプ２５が通っている。円板２６は構造体２４の下
方鋼板２４１と高電圧絶縁体２７との間に真空シールを
形成する。絶縁体２７は、またカソード支持パイプ２５
に真空絶縁シールで結合される。このようにして、第２
図に示される管１０は真空に耐える構造となる。
カソード構造体１１は前述したカソード支持パイプ２５
を有し、そこに上部壁２９０及びＩｆ部壁２９５を有す
る円筒スプール２９が取りつけられ、それらの壁の端部
２９１は円筒壁２９２を越えて伸び、そこに二次電子放
出半導体カソード材２９３が収容される凹部を形成する
。スプール２９は壁２９２及びパイプ２５の間に領域２
９４を有し、そこにはカソードを水冷するための水が満
たされる。冷却のための水は、入口バイブ２５１かも入
り、パイプ２５の内部を通って出口ポート２５３に至っ
て、そこで領域２９４を漢だす。領域２９４内の水は、
出口バイブ２５５を有するパイプ２５４の内部に接続さ
れるポート２５２からパイプ２５５を通して出る。パイ
プ２５はネジを切った端部２５６及び係合ナツト２５７
を有し、そこに高電圧電源（図示せず）の負端子が取り
つけられ、アノード１２はグランドに接続される。
を有し、そこに上部壁２９０及びＩｆ部壁２９５を有す
る円筒スプール２９が取りつけられ、それらの壁の端部
２９１は円筒壁２９２を越えて伸び、そこに二次電子放
出半導体カソード材２９３が収容される凹部を形成する
。スプール２９は壁２９２及びパイプ２５の間に領域２
９４を有し、そこにはカソードを水冷するための水が満
たされる。冷却のための水は、入口バイブ２５１かも入
り、パイプ２５の内部を通って出口ポート２５３に至っ
て、そこで領域２９４を漢だす。領域２９４内の水は、
出口バイブ２５５を有するパイプ２５４の内部に接続さ
れるポート２５２からパイプ２５５を通して出る。パイ
プ２５はネジを切った端部２５６及び係合ナツト２５７
を有し、そこに高電圧電源（図示せず）の負端子が取り
つけられ、アノード１２はグランドに接続される。
マイクロ波空胴１５の外壁１８の周囲には同心の壁３０
が設けられ、この壁は空胴１５の上部壁１６及び下部壁
１７の延長部と共に室３１を形成し、その室に水３２が
流れアノード１２を冷却する。ポート３３゜３４は室３
１への入口となり、そこから水が入りそして出る。
が設けられ、この壁は空胴１５の上部壁１６及び下部壁
１７の延長部と共に室３１を形成し、その室に水３２が
流れアノード１２を冷却する。ポート３３゜３４は室３
１への入口となり、そこから水が入りそして出る。
交差電磁界管１０は第１図には磁石な七で示されるが、
その磁石は相互作用領域３５に縦方向磁界を供給するた
めに必要であり、その相互作用領域はカソードの二次電
子放出材２９３とベ一７２８との間に位置する。その磁
石はＮ極面及びＳ極面が磁気構造体２３ 、２４の凹部
２３５及び２３６に夫々すべり込まされる。
その磁石は相互作用領域３５に縦方向磁界を供給するた
めに必要であり、その相互作用領域はカソードの二次電
子放出材２９３とベ一７２８との間に位置する。その磁
石はＮ極面及びＳ極面が磁気構造体２３ 、２４の凹部
２３５及び２３６に夫々すべり込まされる。
第２図に示される管１０の断面は管１０のある物像につ
いては第１図よりも明瞭に示している。第２図は第１Ｉ
￥１の線２−２から断面を示す。第２図は導波管１３の
端部の真空シール１３４を示している。
いては第１図よりも明瞭に示している。第２図は第１Ｉ
￥１の線２−２から断面を示す。第２図は導波管１３の
端部の真空シール１３４を示している。
インピーダンス整合ウェッジ１３１はモード抑制リング
２０．に導線１３２によってｗ、続される。他のリング
２０２は導線１３３によって導波管１３の壁にｉ続され
、導波管は空胴１５の壁１８で終端する。
２０．に導線１３２によってｗ、続される。他のリング
２０２は導線１３３によって導波管１３の壁にｉ続され
、導波管は空胴１５の壁１８で終端する。
第３図は、従来開示された幾つかの半導体についての照
射−次電子エネルギ（ボルト）の関数としての二次電子
放出比の曲線を示す。曲Ｎ５０．５１及び５２は夫々砒
化ガリウム、硫化カドミウム及びテルル化カドミウムに
ついての二次電子放出比を表わす。そのドーピング・レ
ベルは、たとえあるとしても、発明者にはわかっていな
い。この学術的に興味のある現象は前述した以外の半導
体についても生じるかもわからない。しかし、従来にお
いては、材料の二次電子放出比特性以外の因子が非常に
重要である交差電磁界管において半導体が二次電子放出
カソードとして有用であるかもしれないという示唆はな
かった。即ち、高電力交差電磁界増幅管に二次電子放出
カソードとして使用される半導体カソードは、高い二次
電子放出比に加えて、長寿命のために比較的厚く、そし
て高電力交差電磁界管に必要な電流レベルのために高電
流密度を供給可能でなくてはならない。半導体カソード
は、また電子による衝撃の下で管内に要求される真空が
カソードの半導体材料の蒸発によって汚染されないよう
に低い蒸気圧を有しなければならない。更に、半導体カ
ソードは、カソードに戻されて二次電子放出を生じさせ
る高エネルギ電子による衝撃に起因する浸食に長い時間
耐え得る（従って厚さの条件）ものでなければならない
。
射−次電子エネルギ（ボルト）の関数としての二次電子
放出比の曲線を示す。曲Ｎ５０．５１及び５２は夫々砒
化ガリウム、硫化カドミウム及びテルル化カドミウムに
ついての二次電子放出比を表わす。そのドーピング・レ
ベルは、たとえあるとしても、発明者にはわかっていな
い。この学術的に興味のある現象は前述した以外の半導
体についても生じるかもわからない。しかし、従来にお
いては、材料の二次電子放出比特性以外の因子が非常に
重要である交差電磁界管において半導体が二次電子放出
カソードとして有用であるかもしれないという示唆はな
かった。即ち、高電力交差電磁界増幅管に二次電子放出
カソードとして使用される半導体カソードは、高い二次
電子放出比に加えて、長寿命のために比較的厚く、そし
て高電力交差電磁界管に必要な電流レベルのために高電
流密度を供給可能でなくてはならない。半導体カソード
は、また電子による衝撃の下で管内に要求される真空が
カソードの半導体材料の蒸発によって汚染されないよう
に低い蒸気圧を有しなければならない。更に、半導体カ
ソードは、カソードに戻されて二次電子放出を生じさせ
る高エネルギ電子による衝撃に起因する浸食に長い時間
耐え得る（従って厚さの条件）ものでなければならない
。
故に、常に１よりも大きい二次χ子放出比を有するだけ
の側斜では高電力交差電磁界増幅管にカソードとして有
用であるとは必ずしも言えない。
の側斜では高電力交差電磁界増幅管にカソードとして有
用であるとは必ずしも言えない。
ドーピングされた砒化ガリウム半導体カソードを有する
交差電磁界増幅管の電圧、電力出力及び効率を夫々第４
Ａ図、第４Ｂ図及び第４Ｃ図に示す。約４インチ（１，
９１ＣＩＦＴ）の直径、５インチ（１，５９６Ｉｎ）の
長さ、５０オングストロームの厚さのカソードに対して
カソード材料２９３から所望のカソード電流を得るため
には、真性半導体を通常のドーピング材でドーピングし
てその半導体に充分な導電率をもたらして、要求される
電流密度に必要な電子数を供給する必要がある。第４Ａ
〜４Ｃ図の実験データは、前述の寸法で１ｃｒＩ当り１
０ ホールのｐ形ドーピング濃度な有するカソードに
よって得られた。図示の電流よりも大きな電流が達成さ
れた。しかし、ｐ形ドーパント及びＮ形ドーパントによ
る他のドーピング・レベルでも、カソード材料及びその
厚さに対して必要となる電流密度によっては充分機能す
る。半導体、ドーパント及びドーピング濃度の選択は、
許容可能な蒸気圧、衝撃耐性及び必要とする電流密度に
よっである税度決定される。
交差電磁界増幅管の電圧、電力出力及び効率を夫々第４
Ａ図、第４Ｂ図及び第４Ｃ図に示す。約４インチ（１，
９１ＣＩＦＴ）の直径、５インチ（１，５９６Ｉｎ）の
長さ、５０オングストロームの厚さのカソードに対して
カソード材料２９３から所望のカソード電流を得るため
には、真性半導体を通常のドーピング材でドーピングし
てその半導体に充分な導電率をもたらして、要求される
電流密度に必要な電子数を供給する必要がある。第４Ａ
〜４Ｃ図の実験データは、前述の寸法で１ｃｒＩ当り１
０ ホールのｐ形ドーピング濃度な有するカソードに
よって得られた。図示の電流よりも大きな電流が達成さ
れた。しかし、ｐ形ドーパント及びＮ形ドーパントによ
る他のドーピング・レベルでも、カソード材料及びその
厚さに対して必要となる電流密度によっては充分機能す
る。半導体、ドーパント及びドーピング濃度の選択は、
許容可能な蒸気圧、衝撃耐性及び必要とする電流密度に
よっである税度決定される。
カソード材料２９３の厚さを増加すれはカソードの寿命
は長くなるが、５０オングストロームの厚さの砒化ガリ
ウム・カソードの寿命は実験的には決定できなかった。
は長くなるが、５０オングストロームの厚さの砒化ガリ
ウム・カソードの寿命は実験的には決定できなかった。
このカソード材料において、導電率は許容可能な厚さ、
従って管の寿命に対する制限とはならず、５００，００
０オングストロームの岸さが適当である。この砒化ガリ
ウムのカソードは、従来のＭ、ＰＯカソードの管よりも
出力パルスの立上りが非常に速く、前縁のジッタが非常
に小さい。半導体カソードの低いクロス・オーバ値（約
加ボルト）は小さいジッタの開始に寄与している。本発
明の半導体カソードの他の利点は、従来のカソードに比
較して高い二次電子放出が従来の同じ大きさのカソード
の管から得られるよりも高いパルス化電力を可能とする
ことである。従って、従来の犬ぎな管からの出力と園じ
出力がより小さい管で得られることができる。所定のレ
ベルの出力電力を供給するのにより小さいサイズの管を
使用する利点は、相互作用空間３５のより小さいサイズ
でモード干渉が小さくなることである。
従って管の寿命に対する制限とはならず、５００，００
０オングストロームの岸さが適当である。この砒化ガリ
ウムのカソードは、従来のＭ、ＰＯカソードの管よりも
出力パルスの立上りが非常に速く、前縁のジッタが非常
に小さい。半導体カソードの低いクロス・オーバ値（約
加ボルト）は小さいジッタの開始に寄与している。本発
明の半導体カソードの他の利点は、従来のカソードに比
較して高い二次電子放出が従来の同じ大きさのカソード
の管から得られるよりも高いパルス化電力を可能とする
ことである。従って、従来の犬ぎな管からの出力と園じ
出力がより小さい管で得られることができる。所定のレ
ベルの出力電力を供給するのにより小さいサイズの管を
使用する利点は、相互作用空間３５のより小さいサイズ
でモード干渉が小さくなることである。
本発明の実施態様の一例を次に示す。
（１）二次電子放出カソードを有する形式の交差電磁界
管であって、 前記カソードに近接する遅波構造を有し、該遅波構造と
前記カソードとの間に相互作用空間を形成するアノード
と、 前記遅波構造に尋続され、前記管の入力及び出力に結合
される導波管装置と、から構成され、前記カソードが１
よりも大きい二次電子放出比を有する半導体から成る交
差電磁界管。
管であって、 前記カソードに近接する遅波構造を有し、該遅波構造と
前記カソードとの間に相互作用空間を形成するアノード
と、 前記遅波構造に尋続され、前記管の入力及び出力に結合
される導波管装置と、から構成され、前記カソードが１
よりも大きい二次電子放出比を有する半導体から成る交
差電磁界管。
（２）前記管が増幅管で、導波管装置が前記アノード遅
波構造に接続される入力導波管及び出力導波管から成る
、第１項記載の交差電磁界管。
波構造に接続される入力導波管及び出力導波管から成る
、第１項記載の交差電磁界管。
（３）前記半導体カソードがその導電率を上昇させるド
ーピング材を含む第２項記載の交差電磁界管。
ーピング材を含む第２項記載の交差電磁界管。
（４）前記ドーピング材がｐ形材料である第３項記載の
交差電磁界管。
交差電磁界管。
（５）前記ドーピング材がｎ形材料である第３項記載の
交差電磁界管。
交差電磁界管。
（６）前記半導体材料が砒化ガリウム、硫化カドミウム
及びテルル化カドミＩウムから成るグループから選択さ
れる第３項記載の交差電磁界管。
及びテルル化カドミＩウムから成るグループから選択さ
れる第３項記載の交差電磁界管。
け）前記半導体材料がｐ形砒化ガリウムである第４項記
載の交差電磁界管。
載の交差電磁界管。
（８）前記ｐ形砒化ガリウムが１０ ホール／ｄのド
ーピング濃度を有する第７項記載の交差電磁界管。
ーピング濃度を有する第７項記載の交差電磁界管。
本発明を好適実施例に従って説明したが、本発明の範囲
内で仙の実施例が可能であることは当業者には明らかで
ある。
内で仙の実施例が可能であることは当業者には明らかで
ある。
第１図は本発明のカソードを含む交差電磁界増幅管の一
部断面、一部分解した等角投影図である。 第２図は第１図の増幅管の線２−２からの断面図である
。 第３図は幾つか半導体材料の二次電子放出比を示す。 第４Ａ、４Ｂ及び４０図は本発明により製造された交差
電磁界増幅管の性能曲線を示す。 （符号説、明） １０：交差軍磁界増幅器 １１：半導体カソード１２ニ
アノード １３：入力導波管１４：出力導波管
１５：空胴 （外５名）
部断面、一部分解した等角投影図である。 第２図は第１図の増幅管の線２−２からの断面図である
。 第３図は幾つか半導体材料の二次電子放出比を示す。 第４Ａ、４Ｂ及び４０図は本発明により製造された交差
電磁界増幅管の性能曲線を示す。 （符号説、明） １０：交差軍磁界増幅器 １１：半導体カソード１２ニ
アノード １３：入力導波管１４：出力導波管
１５：空胴 （外５名）
Claims (7)
- （１）１よりも大きい二次電子放出比を有する半導体か
ら成る半導体カソード。 - （２）特許請求の範囲第１項記載のカソードにおいてそ
の導電率を上昇させるドーピング材を含む半導体カソー
ド。 - （３）特許請求の範囲第２項記載のカソードにおいて前
記ドーピング材がｐ形材料である半導体カソード。 - （４）特許請求の範囲第２項記載のカソードにおいて前
記ドーピング材がｎ形材料である半導体カソード。 - （５）特許請求の範囲第２項記載のカソードにおいて前
記半導体材料が、砒化ガリウム、硫化カドミウム及びテ
ルル化カドミウムから成るグループから選択される半導
体カソード。 - （６）特許請求の範囲第３項記載のカソードにおいて前
記半導体材料がｐ形砒化ガリウムである半導体カソード
。 - （７）特許請求の範囲第６項記載のカソードにおいて前
記ｐ形砒化ガリウムが１０＾１＾９ホール／ｃｍ＾３の
ドーピング濃度を有する半導体カソード。
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