JPS61174690A - Setting method of die-bonding position of luminant semiconductor chip for semiconductor laser - Google Patents
Setting method of die-bonding position of luminant semiconductor chip for semiconductor laserInfo
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- JPS61174690A JPS61174690A JP1493985A JP1493985A JPS61174690A JP S61174690 A JPS61174690 A JP S61174690A JP 1493985 A JP1493985 A JP 1493985A JP 1493985 A JP1493985 A JP 1493985A JP S61174690 A JPS61174690 A JP S61174690A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光性半導体チップを用いてレーザ光を発生
させるモニタ用フォトダイオード外付は型半導体レーザ
において、その発光性半導体チップをブロックにダイボ
ンデングする場合に、そのダイボンデング位置を設定す
るための方法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention provides a semiconductor laser with an external monitor photodiode that uses a light-emitting semiconductor chip to generate laser light, in which the light-emitting semiconductor chip is used as a block. The present invention relates to a method for setting a die bonding position when die bonding is performed.
一般に、発光性半導体チップを用いてレーザ光を発生さ
せるモニタ用フォトダイオード外付は型半導体レーザに
おいて、第2図及び第3図に示すようにこのモニタ用フ
ォトダイオード外付は型半導体レーザ1を電気機器に取
付けるためのバイブロを備えたステム2から突出するブ
ロック3の上面に、発光性半導体チップ4をサブマウン
ト5を介してダイボンデングする場合、当該発光性半導
体チップからのレーザ光が、前記ステム2における基準
定点(0)を通る軸線(C)に沿って発信されるように
正確に位置を設定することが必要である。In general, an external monitor photodiode that uses a light-emitting semiconductor chip to generate laser light is a type semiconductor laser, and as shown in FIGS. When a light-emitting semiconductor chip 4 is die-bonded via a submount 5 to the upper surface of a block 3 protruding from a stem 2 equipped with a vibro for attachment to an electrical device, a laser beam from the light-emitting semiconductor chip is transmitted to the stem 2. It is necessary to set the position accurately so that the transmission is along the axis (C) passing through the reference fixed point (0) at 2.
すなわち、発光性半導体チップから$1枯れるレーザ光
の光軸線が、前記ステム2における基準定点(0)を通
る軸線(C)に対してずれていると、電気機器に取付く
半導体レーザを交換した場合にレーザ光の出射位置がず
れることになるから、半導体レーザの交換に際しては、
レーザ光の出射位置が元の位置になるように位置調整す
ることを、交換の都度f行なわねばならないことになる
。In other words, if the optical axis of the laser light emitted by $1 from the light-emitting semiconductor chip is deviated from the axis (C) passing through the reference fixed point (0) in the stem 2, the semiconductor laser attached to the electrical equipment must be replaced. When replacing the semiconductor laser, the emission position of the laser beam may shift.
Each time it is replaced, it is necessary to adjust the position so that the laser beam emission position returns to its original position.
なお、前記半導体レーザlにおける発光性半導体チップ
4付きブロック3の外側は、二点鎖線で示すようにガラ
ス窓7付きキャップ8にてカバーされ、また、前記ステ
ム2の他側面からは、P端かζ
子1a4突出している。The outside of the block 3 with the light-emitting semiconductor chip 4 in the semiconductor laser l is covered with a cap 8 with a glass window 7 as shown by the two-dot chain line, and the P end is visible from the other side of the stem 2. KAζ Child 1a4 is prominent.
そこで、従来は、ブロック3の上面に発光性半導体チッ
プ4をダイボンデングする場合において、当該発光性半
導体チップ4から発信されるレーザ光の光軸線がステム
2における基準定点(0)を通る軸線(C)に一致する
ように発光性半導体子ツブ4のブロック3に対するダイ
ボンデング位置を設定するには次のような方法を採用し
ていた。Therefore, conventionally, when die-bonding the light-emitting semiconductor chip 4 onto the upper surface of the block 3, the optical axis of the laser beam emitted from the light-emitting semiconductor chip 4 passes through the reference fixed point (0) on the stem 2 (C ) The following method was adopted to set the die bonding position of the light-emitting semiconductor chip 4 with respect to the block 3.
すなわち、第5図に示すように前記ブロック3付きのス
テム2を保持用治具9に固定する一方、前記ブロック3
の上面に載置した半導体チップ4の前端面を、作業者が
顕微鏡10で拡大して目視し、半導体チップ4を、当該
半導体チップ4の前端面における外形輪郭が所定の基準
線の中に入るところまで真空チャックキャピラリー11
にて移動することによって、ダイボンデング位置を設定
し、その設定位置の状態でダイボンデングを行うように
していた。That is, as shown in FIG. 5, while the stem 2 with the block 3 is fixed to the holding jig 9, the block 3 is
An operator magnifies and visually observes the front end surface of the semiconductor chip 4 placed on the upper surface using a microscope 10, and determines that the external contour of the front end surface of the semiconductor chip 4 falls within a predetermined reference line. vacuum chuck capillary 11
The die bonding position is set by moving at the , and the die bonding is performed at the set position.
しかし、半導体レーザに使用される発光性半導体チップ
4は、例えば第4図に示すように中間に活性層4aを有
する多層結晶体に形成し、その上面にストライプ4bを
形成することにより、前記活性層4aのうち前記ストラ
イプ4bの箇所における発光部分4a′からレーザ光を
、ストライプ4bの長手方向に延びる光軸線に沿って矢
印(A)、 (A’)のように出射するものであって
、この半導体チップ4における幅寸法(S)の中心に対
する前記ストライプ4bの位置のずれ、つまりへき開位
置精度、及び半導体チップ4の底面から前記発光部分4
2′までの高さ寸法(H)の精度には、半導体チップ4
の製造に際して可成りのバラ付きが存在するし、また、
ステム2に対するブロック3の取付位置にもバラ付き誤
差が存在する。However, the light-emitting semiconductor chip 4 used in a semiconductor laser is formed into a multilayer crystal body having an active layer 4a in the middle, as shown in FIG. Laser light is emitted from the light emitting portion 4a' at the location of the stripe 4b in the layer 4a along the optical axis line extending in the longitudinal direction of the stripe 4b as shown by arrows (A) and (A'), The positional deviation of the stripe 4b with respect to the center of the width dimension (S) in the semiconductor chip 4, that is, the cleavage position accuracy, and the light emitting portion 4 from the bottom surface of the semiconductor chip 4.
The accuracy of the height dimension (H) up to 2' is based on the semiconductor chip 4.
There is considerable variation in manufacturing, and
There is also variation in the attachment position of the block 3 to the stem 2.
従って、半導体チップ4のブロック3に対するダイボン
デング位置を、前記従来のように半導体チップ4の前端
面を作業者が顕微鏡10で拡大して目視し、半導体チッ
プ4の前端面における外形輪郭が所定の基準線の中に入
るようにして設定したとしても、半導体チップ4から発
信されるレーザ光の光軸線と、ステム2における基準定
点(0)を通る軸線(C)との間には、前記ブロック3
のステム2に対する位置精度と前記半導体チップ4の製
造時におけるへき開位置精度及び高さ寸法(H)精度の
バラ付きのために、ずれが必然的に発生するのであり、
従来の実績では、前記軸線(C)に対する光軸線のずれ
は、各製品について50ミクロン程度のバラ付きがあり
、製品についてのバラ付きをこれ以下にすることは極め
て困難であって、電気機器に取付く半導体レーザを交換
する度毎における取付は位置の調整が必要であった。Therefore, the die bonding position of the semiconductor chip 4 with respect to the block 3 is determined by an operator magnifying the front end surface of the semiconductor chip 4 with the microscope 10 and visually observing the front end surface of the semiconductor chip 4 as in the conventional method, and checking the external contour of the front end surface of the semiconductor chip 4 according to a predetermined standard. Even if the block 3 is set to fall within the line, there is no space between the optical axis of the laser beam emitted from the semiconductor chip 4 and the axis (C) passing through the reference fixed point (0) in the stem 2.
The deviation inevitably occurs due to variations in the positional accuracy of the semiconductor chip 4 relative to the stem 2 and the cleavage position accuracy and height dimension (H) accuracy during the manufacturing of the semiconductor chip 4.
According to past results, the deviation of the optical axis from the axis (C) varies by about 50 microns for each product, and it is extremely difficult to reduce the variation among products to less than this, and it is difficult to It was necessary to adjust the mounting position each time the attached semiconductor laser was replaced.
本発明は、前記モニタ用フォトダイオード外付は型半導
体レーザにおける発光性半導体チップのブロックに対す
るダイボンデング位置を、ブロックのステムに対する取
り付は精度及び当該半導体チップの製造時におけるへき
開位置精度及び高さ寸法(H)精度のバラ付きとは無関
係に正確に設定できる方法を提供するものである。The present invention provides a method for determining the die bonding position of the external monitor photodiode to the block of the light-emitting semiconductor chip in the semiconductor laser, the accuracy of the attachment of the block to the stem, and the cleavage position accuracy and height dimension during the manufacture of the semiconductor chip. (H) It provides a method that allows accurate setting regardless of variations in accuracy.
このため本発明は、モニタ用フォトダイオード外付は型
半導体レーザにおけるステムから突出するブロックの上
面に載置した発光性半導体チップの前端面に対して、当
該発光性半導体チップにおける活性層に吸収されない波
長のレーザ光を、前記半導体レーザにおけるステムの基
準定点を通る軸線に沿って照射する一方、前記発光性半
導体チップの後端面には、前記ステムの基準定点を通る
軸線の位置に、他端を光検出器にのぞませて成る光ファ
イバーの一端を配設し、前記発光性半導体チップを、前
記光検出器にて検出される出力が最大となる位置まで移
動させるようにしたものである。Therefore, in the present invention, the external monitor photodiode is not absorbed into the active layer of the light-emitting semiconductor chip with respect to the front end surface of the light-emitting semiconductor chip placed on the top surface of the block protruding from the stem of the semiconductor laser. A laser beam of a certain wavelength is irradiated along an axis passing through a reference fixed point of the stem of the semiconductor laser, while the other end is irradiated on the rear end surface of the light-emitting semiconductor chip at a position of an axis passing through the reference fixed point of the stem. One end of an optical fiber is arranged so as to be exposed to a photodetector, and the light-emitting semiconductor chip is moved to a position where the output detected by the photodetector is maximized.
このようにすると、発光性半導体チップの活性層におけ
る発光部分が、半導体レーザにおけるステムの基準定点
を通る軸線に一致していないときは、当該半導体チップ
の前端面に照射したレーザ光は、半導体チップによって
遮られることにより、光ファイバーの一端まで届かず、
該光フアイバー他端の光検出器による光出力の検出はな
いが、半導体チップの移動に伴って、発光性半導体チッ
プの活性層における発光部分が、半導体レーザにおける
ステムの基準定点を通る軸線に一致すると、当該半導体
チップの前端面に照射したレーザ光が発光性半導体チッ
プの活性層における発光部分を透過して、光ファイバー
の一端に届き、当該光フアイバー他端の光検出器で検出
される出力が最大となるので、このときをもって、発光
半導体チップのブロックに対するダイボンデング位置を
、当該発光半導体チップから発信されるレーザ光の光軸
線がステムの基準定点を通る軸線に一致した位置に正確
に設定することができるのである。In this way, when the light-emitting portion of the active layer of the light-emitting semiconductor chip does not coincide with the axis passing through the reference fixed point of the stem of the semiconductor laser, the laser light irradiated onto the front end surface of the semiconductor chip Because it is blocked by the optical fiber, it cannot reach one end of the optical fiber.
Although no light output is detected by the photodetector at the other end of the optical fiber, as the semiconductor chip moves, the light-emitting portion of the active layer of the light-emitting semiconductor chip coincides with the axis passing through the reference fixed point of the stem of the semiconductor laser. Then, the laser beam irradiated onto the front end surface of the semiconductor chip passes through the light emitting part of the active layer of the luminescent semiconductor chip and reaches one end of the optical fiber, and the output is detected by the photodetector at the other end of the optical fiber. At this time, the die bonding position of the light emitting semiconductor chip with respect to the block must be accurately set to a position where the optical axis of the laser light emitted from the light emitting semiconductor chip coincides with the axis passing through the reference fixed point of the stem. This is possible.
このように本発明は、発光性半導体チップの前端面に照
射したレーザ光が、発光性半導体チップの活性層におけ
る発光部分を透過して光ファイバーに届くことを利用し
て、半導体チップのダイボンデング位置を設定するもの
で、そのダイボンデング位置の設定には、前記従来のよ
うに半導体チップを製作するときにおけるべき開位置精
度及び高さ寸法(H)精度のバラ付き及びブロックのス
テムに対する取り付は精度のバラ付きが入ることはない
から、半導体チップのダイボンデング位置のバラ付きを
、数ミクロンの範囲にして、製品の互換性を、電気機器
に取付く半導体レーザの交換に際しての取付は位置の調
整が殆ど必要でなくなるところまで向上できると共に、
半導体チップのダイボンデング位置を、光ファイバーか
らの先出Iこ
力が最大となることよって瞬間的に設定できるから、設
定に要する時間を短縮できる効果を有する。In this way, the present invention utilizes the fact that the laser light irradiated onto the front end face of the light-emitting semiconductor chip passes through the light-emitting portion of the active layer of the light-emitting semiconductor chip and reaches the optical fiber, thereby determining the die bonding position of the semiconductor chip. In setting the die bonding position, there are variations in the open position accuracy and height dimension (H) accuracy when manufacturing semiconductor chips as in the conventional method, and the mounting accuracy of the block on the stem is Since there is no variation in the die bonding position of the semiconductor chip, the variation in the die bonding position of the semiconductor chip is limited to a range of several microns, and the compatibility of the product is ensured. You can improve to the point where it is no longer necessary, and
Since the die bonding position of the semiconductor chip can be set instantaneously by maximizing the forward I force from the optical fiber, it has the effect of shortening the time required for setting.
以下本発明の実施例を、図面(第1図)について説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings (FIG. 1).
第1図において2は、モニタ用フォトダイオード外付は
型半導体レーザ1を電気機器に対して取付けるためのバ
イブロを備えた金属製ステムで、該ステム2は、保持用
治具9に取付いており、且つその前面には発光性半導体
チップ4をダイボンデングするための金属製のブロック
3が突出し、該ブロック3の上面には、シリコン製のサ
ブマウント5を介して発光性半導体チップ4が載置され
ている。In FIG. 1, reference numeral 2 denotes a metal stem equipped with a vibro for attaching the external monitor photodiode type semiconductor laser 1 to electrical equipment, and the stem 2 is attached to a holding jig 9. , and a metal block 3 for die-bonding the light-emitting semiconductor chip 4 protrudes from its front surface, and the light-emitting semiconductor chip 4 is mounted on the upper surface of the block 3 via a silicon submount 5. ing.
12は、前記発光性半導体チップ4の前端面に対して、
当該発光性半導体チップ4における活性層に吸収されな
い波長のレーザ光を収束レンズ13を介して照射するた
めの位置設定用半導体レーザを示し、該位置設定用半導
体レーザ12は、当該位置設定用半導体レーザ12から
発信されるレーザ光の光軸線が前記フレーム2における
基準定点(0)を通る軸線(C)上に位置するように配
設されている。なお14は、前記位置設定用半導体レー
ザ12におけるPN端子に電流を印加するためのAPC
電源回路である。12 is for the front end surface of the light-emitting semiconductor chip 4,
A positioning semiconductor laser is shown for irradiating a laser beam with a wavelength that is not absorbed by the active layer of the light-emitting semiconductor chip 4 through a converging lens 13, and the positioning semiconductor laser 12 is the same as the positioning semiconductor laser. The optical axis of the laser beam emitted from the frame 12 is located on the axis (C) passing through the reference fixed point (0) in the frame 2. Note that 14 is an APC for applying current to the PN terminal in the position setting semiconductor laser 12.
This is a power supply circuit.
また、15は光ファイバーを示し、その一端15aは、
前記発光性半導体チップ4における後端面において前記
ステム2における基準定点(0)を通る軸線(C)上に
位置するように配設され、他端15bはフォトダイオー
ド又はフォトマルチプイヤーを備えた光出力検出器16
にのぞんでいる。Further, 15 indicates an optical fiber, one end 15a of which is
The rear end surface of the light-emitting semiconductor chip 4 is arranged to be located on the axis (C) passing through the reference fixed point (0) in the stem 2, and the other end 15b is a light output device equipped with a photodiode or a photomultiplier. Detector 16
looking into the sky.
前記位置設定用半導体レーザ12から発光性半導体チッ
プ4の前端面に対して照射されたレーザ光は、ブロック
3上面の発光性半導体チップ4の活性層における発光部
分が、ステム2の基準定点(0)を通る軸線(C)に一
致していないときは、半導体チップ4によって遮られる
ことにより、発光性半導体チップ4の後端面における光
ファイバーtSの一端15aに届かないから、光ファイ
バー15の他端15bにおける光出力検出器16によっ
て検出される出力は零か小さい値であるが、前記ブロッ
ク3上面における半導体チップ4を、真空チャックキャ
ピラリー11により吸着して、軸線(C)に対して上下
及び左右方向に移動すると、発光性半導体チップ4の活
性層における発光部分が、ステム2の基準定点(0)を
通る軸線(C)に一致したとき、当該半導体チップ4の
前端面に照射したレーザ光が発光性半導体チップ4の活
性層における発光部分を透過して光ファイバー15の一
端15aに届き、該光フアイバー15他端15bにおけ
る光出力検出器16によって最高出力が検出される。The laser beam irradiated from the position setting semiconductor laser 12 onto the front end surface of the light emitting semiconductor chip 4 causes the light emitting portion of the active layer of the light emitting semiconductor chip 4 on the upper surface of the block 3 to be located at the reference fixed point (0) of the stem 2. ), the optical fiber tS does not reach one end 15a at the rear end surface of the light-emitting semiconductor chip 4 because it is blocked by the semiconductor chip 4, and the optical fiber tS at the other end 15b of the optical fiber 15 Although the output detected by the optical output detector 16 is zero or a small value, the semiconductor chip 4 on the upper surface of the block 3 is attracted by the vacuum chuck capillary 11 and is moved vertically and horizontally with respect to the axis (C). When the light-emitting portion of the active layer of the light-emitting semiconductor chip 4 coincides with the axis (C) passing through the reference fixed point (0) of the stem 2, the laser beam irradiated onto the front end surface of the semiconductor chip 4 becomes light-emitting. The light passes through the light emitting portion of the active layer of the semiconductor chip 4 and reaches one end 15a of the optical fiber 15, and the highest output is detected by the light output detector 16 at the other end 15b of the optical fiber 15.
従って、発光半導体チップ4を、光出力検出器16に最
高出力が検出されるとるまで移動することにより、発光
性半導体チップ4のダイボンデング位置を、当該発光性
半導体チップ4から発信されるレーザ光の光軸線がステ
ム2の基準定点(0)を通る軸線(C)に一致した位置
に正確に設定することができるから、この状態で、発光
性半導体チップ4をブロック3に対してダイボンデング
すれば良いのである。Therefore, by moving the light emitting semiconductor chip 4 until the maximum output is detected by the light output detector 16, the die bonding position of the light emitting semiconductor chip 4 can be changed to Since the optical axis line can be accurately set at a position matching the axis line (C) passing through the reference fixed point (0) of the stem 2, the light-emitting semiconductor chip 4 can be die-bonded to the block 3 in this state. It is.
なお、前記実施例は、位置設定用半導体レーザ12によ
って発光性半導体チップ4にレーザ光を照射する場合で
あったが、この位置設定用半導体レーザ12に代えて他
のレーザ光発信手段を使用しても良いことは言うまでも
ない。In the above embodiment, the light-emitting semiconductor chip 4 is irradiated with laser light by the position setting semiconductor laser 12, but other laser light emitting means may be used instead of the position setting semiconductor laser 12. Needless to say, it's a good thing.
第1図は本発明の実施例を示す図、第2図はモニタ用フ
ォトダイオード外付は型半導体レーザの拡大縦断正面図
、第3図は第2図のm−m視測面図、第4図は発光性半
導体チップの拡大斜視図、第5図は従来の方法を示す図
である。
1・・・・モニタ用フォトダイオード外付は型半導体レ
ーザ、2・・・・ステム、3・・・・ブロック、4・・
・・発光性半導体チップ、9・・・・保持用治具、12
・・・・位置設定用半導体レーザ、15・・・・光ファ
イバー、16・・・・光出力検出器。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged longitudinal sectional front view of a type semiconductor laser with an external monitor photodiode, and FIG. 3 is an mm-m perspective view of FIG. FIG. 4 is an enlarged perspective view of a light-emitting semiconductor chip, and FIG. 5 is a diagram showing a conventional method. 1... External monitor photodiode is type semiconductor laser, 2... Stem, 3... Block, 4...
...Light-emitting semiconductor chip, 9...Holding jig, 12
... Semiconductor laser for position setting, 15 ... Optical fiber, 16 ... Optical output detector.
Claims (1)
ザにおけるステムから突出するブロックの上面に載置し
た発光性半導体チップの前端面に対して、当該発光性半
導体チップにおける活性層に吸収されない波長のレーザ
光を、前記半導体レーザにおけるステムの基準定点を通
る軸線に沿って照射する一方、前記発光性半導体チップ
の後端面には、前記ステムの基準定点を通る軸線の位置
に、他端を光検出器にのぞませて成る光ファイバーの一
端を配設し、前記発光性半導体チップを、前記光検出器
にて検出される出力が最大となる位置まで移動させるよ
うにしたことを特徴とする半導体レーザ用発光性半導体
チップのダイボンデング位置設定方法。(1) A laser with a wavelength that is not absorbed by the active layer of the light-emitting semiconductor chip is applied to the front end surface of the light-emitting semiconductor chip placed on the top surface of the block protruding from the stem of the externally attached semiconductor laser with a photodiode for monitoring. Light is irradiated along the axis passing through the reference fixed point of the stem in the semiconductor laser, while a photodetector is attached to the rear end surface of the light emitting semiconductor chip at the position of the axis passing through the reference fixed point of the stem. for a semiconductor laser, characterized in that one end of an optical fiber is arranged so as to look into the light, and the light-emitting semiconductor chip is moved to a position where the output detected by the photodetector is maximized. A method for setting the die bonding position of a light-emitting semiconductor chip.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1493985A JPS61174690A (en) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | Setting method of die-bonding position of luminant semiconductor chip for semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1493985A JPS61174690A (en) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | Setting method of die-bonding position of luminant semiconductor chip for semiconductor laser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61174690A true JPS61174690A (en) | 1986-08-06 |
JPH0476518B2 JPH0476518B2 (en) | 1992-12-03 |
Family
ID=11874927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1493985A Granted JPS61174690A (en) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | Setting method of die-bonding position of luminant semiconductor chip for semiconductor laser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61174690A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63265483A (en) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP1493985A patent/JPS61174690A/en active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63265483A (en) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0476518B2 (en) | 1992-12-03 |
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