JPS6114171A - Manufacture of silicon carbide structure - Google Patents
Manufacture of silicon carbide structureInfo
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- JPS6114171A JPS6114171A JP59130954A JP13095484A JPS6114171A JP S6114171 A JPS6114171 A JP S6114171A JP 59130954 A JP59130954 A JP 59130954A JP 13095484 A JP13095484 A JP 13095484A JP S6114171 A JPS6114171 A JP S6114171A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、有機高分子発泡体の骨格構造を有する炭化ケ
イ素の多孔性構造物の製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a method for producing a porous structure of silicon carbide having a skeleton structure of an organic polymer foam.
有機高分子発泡体、特にポリウレタンフォームを用い、
その骨格構造そのものの網状構造を有するセラミックス
製品は、近年特に注目をあびている。その代表例として
、通気性のあるポリウレタンフォームを、コージライト
、アルミナもしくはムライトなどのセラミックスの泥漿
中に浸漬し、これを焼成してなるセラミックス発泡構造
体があるが、溶融金属濾過体、各種の媒体の坦体、伝熱
変換素子などの工業的用途が拡がりつつある。Using organic polymer foam, especially polyurethane foam,
Ceramic products that have a network structure of their skeletal structure have attracted particular attention in recent years. Typical examples include ceramic foam structures made by immersing breathable polyurethane foam in a slurry of ceramics such as cordierite, alumina, or mullite, and firing this. Industrial applications such as media carriers and heat transfer elements are expanding.
一方、その用途が拡がるにつれ、より高温下での使用に
耐える構造体が求められるようになった。当然の車なが
ら原料となるセラミックスの種類についての吟味が行わ
れ、炭化ケイ素も上記同様のプロセスで製造することが
検討されつつある。On the other hand, as their uses have expanded, there has been a demand for structures that can withstand use at higher temperatures. Naturally, the types of ceramics used as raw materials for automobiles have been carefully examined, and the possibility of manufacturing silicon carbide using the same process as above is being considered.
しかしながら、セラミックスの中でも炭化ケイ素は、一
般に焼結が困難の分類に入っており、従来、ホットプレ
ス、ホットアイソスタティックニブレス等の特定の焼結
法によらなければ高強度の試料の作製は難しく、その低
焼結助剤の選択、焼結条件の選定などとからんで泥漿付
着後焼成を行なう常圧焼結法では満足できる製品を再現
性よく得ることは困難であった。However, among ceramics, silicon carbide is generally classified as difficult to sinter, and it has been difficult to prepare high-strength samples without using specific sintering methods such as hot pressing and hot isostatic nibbling. However, due to the selection of a low sintering aid and the selection of sintering conditions, it has been difficult to obtain a satisfactory product with good reproducibility using the atmospheric pressure sintering method in which sintering is performed after depositing the slurry.
本発明は、上記方法と異なる新しい炭化ケイ素多孔性構
造物の製造方法を提供する。The present invention provides a new method for manufacturing a silicon carbide porous structure that is different from the above methods.
すなわち1本発明は有機高分子発泡体、特にフェノール
ホルムアルデヒド樹脂を含有する有機高分子発泡体を不
活性ガス雰囲気下で炭化することによって得られる炭素
質多孔性構造物を真空もしくは不活性ガス雰囲気下、(
a)1400℃以上の温度でケイ素蒸気もしくはガス状
ケイ素化合物で処理するか、(b)液状ケイ素化合物も
しくはケイ素溶融物中に浸漬、ケイ素成分を含浸させ、
1400℃以上の温度域で処理するか、あるいは(c)
ケイ素粉末で被覆し、1400℃以上の温度範囲で処理
することによる炭化ケイ素構造物の製造方法に係わる。That is, 1. the present invention is a carbonaceous porous structure obtained by carbonizing an organic polymer foam, particularly an organic polymer foam containing a phenol formaldehyde resin, in an inert gas atmosphere, in a vacuum or in an inert gas atmosphere. ,(
a) treatment with silicon vapor or a gaseous silicon compound at a temperature of 1400° C. or higher; or (b) immersion in a liquid silicon compound or silicon melt to impregnate the silicon component;
Processing in a temperature range of 1400°C or higher, or (c)
The present invention relates to a method of manufacturing a silicon carbide structure by coating it with silicon powder and treating it in a temperature range of 1400° C. or higher.
以下、本発明につきその詳細を述べる。The present invention will be described in detail below.
本発明で用いられる有機高分子発泡体を例示すれば、ポ
リウレタン、ポリエチレン、ポリオレフィン類、ポリビ
ニル化合物類、フラン樹脂などの発泡体がある。中でも
ポリウレタン発泡体が好ましい。また、上記の樹脂類の
中に7エノールーホルムアルデヒド樹脂を含有するもの
が好ましい。この場合、上記樹脂類の中に7エノールー
ホルムアルデヒド樹脂が混合状態にあるものを用いても
よく、またお互いに架橋し合った状態のものでもよい、
すなわち、ポリウレタンフォームを有機発泡体の例とし
てあげれば、その原料(ポリエーテルポリオール類もし
くはポリエステルポリオール類、ジイソシアネート化合
物、触媒、発泡剤、安定剤など)にフェノール−ホルム
アルデヒド樹脂粉末を混合し、発泡させるか、あるいは
ポ 1リウレタンを発泡させた後、これをフェノー
ル−ホルムアルデヒド樹脂をポリビニールアルコールも
しくはポリビニルブチラール水溶液もしくはアルコール
溶液(0,5〜10重量%液)に分散もしくは一部、可
溶化させた(好ましくはフェノールホルムアルデヒド樹
脂の含料が5〜900重量%)液中に含浸させ、余分の
含浸液を遠心分離などで除去し、乾燥させることにより
、炭化前の材料が得られる。Examples of organic polymer foams used in the present invention include foams of polyurethane, polyethylene, polyolefins, polyvinyl compounds, furan resins, and the like. Among these, polyurethane foam is preferred. Moreover, among the above resins, those containing 7 enol-formaldehyde resin are preferable. In this case, a mixture of 7 enol-formaldehyde resins among the above resins may be used, or a mixture of the resins may be crosslinked with each other.
In other words, taking polyurethane foam as an example of an organic foam, phenol-formaldehyde resin powder is mixed with its raw materials (polyether polyols or polyester polyols, diisocyanate compounds, catalysts, blowing agents, stabilizers, etc.) and foamed. Alternatively, after foaming polyurethane, the phenol-formaldehyde resin is dispersed or partially solubilized in a polyvinyl alcohol or polyvinyl butyral aqueous solution or alcohol solution (0.5 to 10% by weight liquid). The material before carbonization is obtained by impregnating the material in a solution (preferably containing phenol formaldehyde resin of 5 to 900% by weight), removing the excess impregnation solution by centrifugation, etc., and drying it.
更に、炭化前の材料に硼素もしくはアルミニウム化合物
を0.1〜2重量%含有させるようにすることにより、
より好ましい炭化ケイ素構造物が得られる。ここで用い
られる硼素もしくはアルミニウム化合物としては、例え
ば、窒素硼素、炭化硼素、硼酸、窒化アルミニウム、ア
ルミナ、炭化アルミニウムなどが挙げられる。これらの
含有方法としては、発泡前の原料段階からの混入、もし
9〈は発泡後、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂を組
合せる際に混入する等の方法がある。Furthermore, by making the material before carbonization contain 0.1 to 2% by weight of boron or aluminum compound,
A more preferable silicon carbide structure is obtained. Examples of the boron or aluminum compound used here include boron nitrogen, boron carbide, boric acid, aluminum nitride, alumina, and aluminum carbide. Methods for containing these include mixing in the raw material stage before foaming, and mixing in the phenol-formaldehyde resin after foaming, etc.
なお、ここで用いられるフェノール−ホルムアルデヒド
樹脂はメチロール基が2〜lO重量%含んでいるものが
好ましい。また、その粉末の粒径は1〜50ILである
ことが好ましい。The phenol-formaldehyde resin used here preferably contains 2 to 10% by weight of methylol groups. Moreover, it is preferable that the particle size of the powder is 1 to 50 IL.
上記の有機高分子発泡体は真空下もしくは不活性ガス雰
囲気下、700〜1300”0好ましくは1000℃以
上の温度で炭化される。ここで得られた炭素質構造物は
、有機高分子発泡体の骨格構造を有する炭素材料であり
、構造的には必ずしも高強度のものではないが、本発明
は、これをさらにケイ素化することにより強固な炭素ケ
イ素多孔性構造物を得る方法を提供する。ここで用いら
れるケイ素化のためのケイ素供給源としては、固体もし
くは液体のケイ素、液状のケイ素化合物、四塩化ケイ素
、水素化ケイ素等のケイ素を含むガスが用いられ得る。The above organic polymer foam is carbonized under vacuum or in an inert gas atmosphere at a temperature of 700 to 1300°C, preferably 1000°C or higher.The carbonaceous structure obtained here is It is a carbon material having a skeleton structure, and although it is not necessarily structurally strong, the present invention provides a method of obtaining a strong carbon-silicon porous structure by further silicifying it. As the silicon source for siliconization used here, solid or liquid silicon, liquid silicon compounds, silicon-containing gases such as silicon tetrachloride and silicon hydride can be used.
(a)固体もしくは液体のケイ素源を用いてケイ素化す
る場合、炭素質構造物の存在下、真空中もしくは不活性
ガス雰囲気下1400”0以上、好ましくは1400〜
1aoo”cの範囲に加熱してケイ素蒸気を発生させる
ことによって行なう。(a) When siliconizing using a solid or liquid silicon source, in the presence of a carbonaceous structure, in vacuum or in an inert gas atmosphere, 1400" or more, preferably 1400" or more
This is done by heating to a temperature in the range of 1 aoo"c to generate silicon vapor.
もしくは、四塩化ケイ素、トリクロロシラン、ジクロロ
シラン1、モノクロロシラン、四弗化ケイ素、ケイ素の
水素化物、モノシラン、ジシラン、トリシランなどケイ
素含有ガスを、上記炭素質構造物と反応させる。Alternatively, a silicon-containing gas such as silicon tetrachloride, trichlorosilane, dichlorosilane 1, monochlorosilane, silicon tetrafluoride, silicon hydride, monosilane, disilane, and trisilane is reacted with the carbonaceous structure.
(b)液状のケイ素化合物もしくは溶融状態のケイ素を
用いる場合、炭素質構造物をこれらの液中に含浸させ、
余分の液を遠心分離等で振切った後、1400 ’0以
上で加熱処理子ることによりケイ素化左行なう。(b) When using a liquid silicon compound or molten silicon, impregnating a carbonaceous structure into these liquids,
After shaking off the excess liquid by centrifugation or the like, siliconization is carried out by heating at 1400°C or higher.
ここで、液状のケイ素化合物としてはテトラエチルシリ
ケートなどのようなケイ素のアルコキシド類、ジメチル
ポリシロキサンなどのシロキサン型ポリマー、ポリカル
ボシラン、OH基を持つ有機化合物をケイ酸のエステル
、加水分解性ケイ酸化合物と有機化合物または有機金属
化合物とのエステル、例えば四塩化ケイ素とエタノール
との反応で合成されるエチルシリケートなどがある。中
でもエチルシリケートのポリマーが好ましl、%。Here, liquid silicon compounds include silicon alkoxides such as tetraethyl silicate, siloxane type polymers such as dimethylpolysiloxane, polycarbosilane, organic compounds with OH groups, silicic acid esters, hydrolyzable silicic acid, etc. Examples include esters of compounds and organic compounds or organometallic compounds, such as ethyl silicate, which is synthesized by the reaction of silicon tetrachloride and ethanol. Among them, ethyl silicate polymer is preferred.
もしくは(c)上述の炭素質構造体にケイ素粉末を撒布
被覆し、これを1400℃以上の温度で真空中もしくは
不活性ガス雰囲気下で加熱処理することによりケイ素化
が行われる。Or (c) siliconization is carried out by spraying and coating the above-mentioned carbonaceous structure with silicon powder and heat-treating it at a temperature of 1400° C. or higher in vacuum or in an inert gas atmosphere.
上記の如くケイ素された構造物はそのまま実用に供せら
れるが、または上記処理物をさらに1800℃以上で更
に加熱焼結を行わせることによりその骨格構造をさらに
高密度化してもよい。The siliconized structure as described above can be put to practical use as it is, or the skeletal structure may be further densified by further heating and sintering the above-mentioned treated product at a temperature of 1800° C. or higher.
このようにして得られた炭化ケイ素構造体は、コージラ
イト質のセラミック多孔体と同じ用途もしくは更に高温
領域で安定して用いることが出来る。The silicon carbide structure thus obtained can be stably used in the same applications as cordierite ceramic porous bodies or even in higher temperature ranges.
例えば、各種の熱交換器素子、炉内伝熱変換素子、触媒
担体、排ガス浄化体、吸音材、各種電子材料、固定化酵
素用床、耐熱フィルター、流体ミキサー、溶融金属フィ
ルター、接触反応充填材、等々広い用途を有するもので
ある。For example, various heat exchange elements, in-furnace heat transfer conversion elements, catalyst carriers, exhaust gas purifiers, sound absorbing materials, various electronic materials, beds for immobilized enzymes, heat-resistant filters, fluid mixers, molten metal filters, catalytic reaction fillers. , etc. It has a wide range of uses.
以下に実施例をあげ、本発明をさらに具体化して説明す
る。EXAMPLES The present invention will be further explained with reference to Examples below.
実施例1 ′!
ポリ(オキシプロピレン)トリオール(分子量3000
、ヒドロキシル価56)’too部、トリレンジイソシ
アネ=ト(TDIma105)80部、粒状フェノール
樹脂(メチロール残基9重量%、粒状20JL)15部
、水 4.8部、シリコン整泡剤 2.0部、スタナス
第2トエート 0.48部、モノフルオロトリクロロメ
タンio部、アミン触媒(1,8−ジアザ−ビシクロ〔
5,4,0〕ウンデセン−7のフェノール塩)0.1部
を用い、フェノール樹脂含有ポリウレタン発泡体を調整
した。Example 1 ′!
Poly(oxypropylene) triol (molecular weight 3000
, hydroxyl value 56)'too parts, tolylene diisocyanate (TDIma105) 80 parts, granular phenol resin (methylol residue 9% by weight, granular 20JL) 15 parts, water 4.8 parts, silicone foam stabilizer 2. 0 parts, 0.48 parts of stannous 2-toate, io parts of monofluorotrichloromethane, amine catalyst (1,8-diaza-bicyclo[
A phenolic resin-containing polyurethane foam was prepared using 0.1 part of 5,4,0]phenol salt of undecene-7.
次いで、この発泡体を1.50℃で30分間予熱した後
、電気炉中に設置し、雰囲気を窒素置換し、窒素ガスを
微量流しながら昇温させ、約4時間で1000℃まで上
げ、約60分この温度を保持した後、放冷して、発泡体
を炭化させた。ここで得られた炭素質構造体の重量を測
定し、炭素収率を計算したところ約53%であった。Next, after preheating this foam at 1.50°C for 30 minutes, it was placed in an electric furnace, the atmosphere was replaced with nitrogen, and the temperature was raised while a small amount of nitrogen gas was flowed to 1000°C in about 4 hours. After maintaining this temperature for 60 minutes, the foam was allowed to cool to carbonize. The weight of the carbonaceous structure obtained here was measured, and the carbon yield was calculated to be about 53%.
一方、耐熱ルツボの底部に金属ケイ素を置き、目皿を介
して上記炭素質構造体入れ、通気孔つきの蓋をかぶせ、
電気炉中に設置し、真空に保ちつつ昇温し、1650℃
まで上げ、約3時間この温度を保持した後、放冷した。On the other hand, metal silicon was placed at the bottom of a heat-resistant crucible, the carbonaceous structure was placed through a perforated plate, and a lid with ventilation holes was placed on top.
Placed in an electric furnace and heated to 1650℃ while maintaining vacuum.
The temperature was maintained at this temperature for about 3 hours, and then allowed to cool.
得られた構造体は、ポリウレタンフォームの形状を保っ
た強固な多孔性構造物であった。その端部を破砕し、X
線分析を行なったところ、実質的に炭化ケイ素からなる
構造体であることが分った。(第1図参照)
実施例2
実施例1と同様にしてフェノール樹脂含有ポリウレタン
発泡体を調整し、同様な条件下で炭素質構造物を得た。The resulting structure was a strong porous structure that maintained the shape of polyurethane foam. Crush the end and
Line analysis revealed that the structure was essentially made of silicon carbide. (See Figure 1) Example 2 A phenolic resin-containing polyurethane foam was prepared in the same manner as in Example 1, and a carbonaceous structure was obtained under the same conditions.
これを、エチルシリケートの重合体(コルコート社、商
品名エチルシリコート40)中に浸漬し、引あげた後、
実施例1と同様にしてルツボ中でアルゴン雰囲気下、1
700℃で30分焼成した結果、骨格構造は実質的に炭
化ケイ素から成ることがわかった。After immersing this in an ethyl silicate polymer (Colcoat Co., Ltd., trade name: Ethyl Silicoat 40) and pulling it up,
1 in a crucible under an argon atmosphere in the same manner as in Example 1.
As a result of firing at 700° C. for 30 minutes, it was found that the skeleton structure was substantially composed of silicon carbide.
本発明になる炭化ケイ素構造物は少なくともその骨格の
表面部は実質的に炭化ケイ素からなっており、耐熱、耐
酸化性に極めて優れている。さらに、泥漿含浸法におい
てしばしばみられるように骨格構造を形成する以外の余
分のセラミック層の付着がなく、従って、目詰まりがみ
られない。The silicon carbide structure of the present invention has at least the surface portion of its skeleton substantially made of silicon carbide, and has extremely excellent heat resistance and oxidation resistance. Furthermore, there is no deposition of extra ceramic layers other than forming a skeletal structure, as is often the case with slurry impregnation methods, and therefore no clogging is observed.
従って、通気性が良好で通気に伴なう圧力損失も極めて
小である。また、網目構造の大きいものから小さいもの
まで任意に、また大型の寸法のものから小型のものまで
その形状も任意のものを容易につくることが出来る。Therefore, the air permeability is good, and the pressure loss due to ventilation is extremely small. Further, it is possible to easily create any mesh structure from large to small, and any shape from large to small.
第1図は実施例1で得られた炭化ケイ素構造物のX線解
析図である。FIG. 1 is an X-ray analysis diagram of the silicon carbide structure obtained in Example 1.
Claims (2)
気下で炭化することによって得られる炭素質多孔性構造
物を真空もしくは不活性ガス雰囲気下で、(a)140
0℃以上の温度でケイ素蒸気ないしガス状ケイ素化合物
で処理するか、(b)液状ケイ素化合物もしくはケイ素
溶融物中に浸漬し、ケイ素成分を含浸させ1400℃以
上の温度で処理するか、あるいは(c)ケイ素粉末で被
覆し1400℃以上の温度で処理し、ケイ素化すること
による炭化ケイ素構造物の製造方法。(1) A carbonaceous porous structure obtained by carbonizing an organic polymer foam in a vacuum or an inert gas atmosphere is heated under a vacuum or an inert gas atmosphere to (a) 140
(b) immersion in a liquid silicon compound or silicon melt to impregnate silicon components and treatment at a temperature of 1400°C or higher; c) A method for producing a silicon carbide structure by coating with silicon powder, treating at a temperature of 1400° C. or higher, and silicifying.
ド樹脂を含有したポリウレタン発泡体である特許請求の
範囲第1項記載の製造方法。(2) The manufacturing method according to claim 1, wherein the organic polymer foam is a polyurethane foam containing a phenol-formaldehyde resin.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59130954A JPS6114171A (en) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | Manufacture of silicon carbide structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59130954A JPS6114171A (en) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | Manufacture of silicon carbide structure |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6114171A true JPS6114171A (en) | 1986-01-22 |
Family
ID=15046519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59130954A Pending JPS6114171A (en) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | Manufacture of silicon carbide structure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6114171A (en) |
Cited By (1)
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1984
- 1984-06-27 JP JP59130954A patent/JPS6114171A/en active Pending
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