JPS61140922A - Liquid crystal element - Google Patents

Liquid crystal element

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JPS61140922A
JPS61140922A JP26366384A JP26366384A JPS61140922A JP S61140922 A JPS61140922 A JP S61140922A JP 26366384 A JP26366384 A JP 26366384A JP 26366384 A JP26366384 A JP 26366384A JP S61140922 A JPS61140922 A JP S61140922A
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal element
element according
thickness
spacer member
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JP26366384A
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Japanese (ja)
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Junichiro Kanbe
純一郎 神辺
Yujiro Ando
祐二郎 安藤
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Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Priority to DE19853529581 priority patent/DE3529581A1/en
Priority to FR8512499A priority patent/FR2569280B1/en
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Abstract

PURPOSE:To minimize the spacing error of a liquid crystal element having a ferroelectric liquid crystal sealed in a cell body by satisfying specific relations among the modulus of elasticity, thickness and spacing. CONSTITUTION:The relations expressed by the equation are so determined as to hold among E, (t) and (a) where the modulus of elasticity of a flexible substrate is designated as Ekgf/mm<2>, thickness thereof is as (t)mm and the spacing between spacer members as (a)mm in the liquid crystal element having the cell body holding the spacing between a pair of the substrates by a spacer member and the ferroelectric liquid crystal sealed in the cell body. The ferroelectric liquid crystal element which has the extremely thin layer of 0.1-3mu at the spacing between the substrates of the cell body and minimizes the spacing error is thus obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、液晶素子に関し、詳しくは強誘電性液晶を用
いた液晶素子に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a liquid crystal element, and more particularly to a liquid crystal element using ferroelectric liquid crystal.

従来、高密度の画素を形成する方式としてパッシブ・マ
トリクス電極構造やアクティブ・マトリクス電極構造を
用いた表示装置が知られているが、これらの表示装置の
多くはTN(Twisted  Nematic)液晶
による電気−光学変調を利用したものである。
Conventionally, display devices using a passive matrix electrode structure or an active matrix electrode structure have been known as methods for forming high-density pixels, but many of these display devices are based on electricity using TN (Twisted Nematic) liquid crystals. It uses optical modulation.

しかし、このパッシブ・マトリクス電極構造の表示装置
では走査線の増大に応じてデユーティ比が低下し、クロ
ストークの発生やコントラストの低下等といった問題点
があり、又アクティブ・マトリクス電極構造としては、
各画素にスイッチング素子(例えばil膜トランジスタ
)を接続する方式が知られているが、これを用いた表示
装置では、そのスイッチング素子を作製する工程が煩雑
である上、大画面で形成することが困難となっている点
が問題点となっている。
However, in a display device with this passive matrix electrode structure, the duty ratio decreases as the number of scanning lines increases, and there are problems such as occurrence of crosstalk and decrease in contrast.
A method in which a switching element (for example, an IL film transistor) is connected to each pixel is known, but in display devices using this, the process of manufacturing the switching element is complicated, and it is difficult to form a large screen. The problem is that it is difficult.

これらの問題点を解決するものとして、最近クラークら
により米国特許第4367924号公報で発表された強
誘電性液晶素子が注目され、この強a4RIL性液晶素
子がメモリー効果を持つためには、一般にセル厚さを0
.1ルー3バ程度の極薄層とすることが知られている。
As a solution to these problems, a ferroelectric liquid crystal element recently announced by Clark et al. in U.S. Pat. No. 4,367,924 has attracted attention. Thickness 0
.. It is known to form an extremely thin layer of about 1 louver.

しかし、本発明者らの実験によれば、前述のメモリー効
果を持つ強誘電性液晶素子の液晶層厚が素子面内で誤差
を生じていると、そのa!差に応じて閾値特性や応答速
度が大幅に変化してしまうことが判明した。特に1本発
明者らの実験では、前述の誤差の許容範囲は、例えばl
ILの液晶層厚で10%以下の誤差とする必要があるこ
とが判明した。
However, according to experiments conducted by the present inventors, if the liquid crystal layer thickness of a ferroelectric liquid crystal element having the above-mentioned memory effect has an error within the element plane, the a! It was found that the threshold characteristics and response speed changed significantly depending on the difference. In particular, in the experiments conducted by the present inventors, the above-mentioned error tolerance range is, for example, l
It has been found that it is necessary to have an error of 10% or less in the thickness of the liquid crystal layer of IL.

一方、従来の液晶技術におけるセル組立法は、対象とな
る液晶モードが前述のTN液晶モードであったことから
、セル体を構成する基板間の間隔が6勝〜10ル程度と
厚く、しかもその厚みにある程度の誤差が生じていても
、TN液晶モードのV@偵時特性応答速度が大幅に変化
するものではなかったことから、前述の様な極薄層と均
一性とが両立するセル体も組立法についての配慮はなさ
れていないのが現状である。特に、前述のクラークらに
より発表されたメモリー効果を持つ強誘電性液晶素子は
、大画面ディスプレイ(例えば対角線サイズ、12イン
チ以上)への適用が可能であるが、この様な大画面を形
成し得るセル体を例えば1.の基板間隔と、そんば間隔
の誤差を10%以内のルImするセル組立法は、従来か
らのセル組立法を単に適用するだけでは解決し得えない
問題点を有している。
On the other hand, in the cell assembly method in conventional liquid crystal technology, since the target liquid crystal mode was the above-mentioned TN liquid crystal mode, the distance between the substrates constituting the cell body was as thick as 6 to 10 mm. Even if there was a certain degree of error in the thickness, the response speed of the V@reflection characteristic of the TN liquid crystal mode did not change significantly, so it was found that the cell body is compatible with the ultra-thin layer and uniformity as described above. Currently, no consideration is given to the assembly method. In particular, the ferroelectric liquid crystal element with a memory effect announced by Clark et al. mentioned above can be applied to large screen displays (e.g. diagonal size, 12 inches or more); however, it is difficult to form such a large screen. For example, the cell body to be obtained is 1. The cell assembly method that keeps the error between the substrate spacing and the side spacing within 10% has a problem that cannot be solved by simply applying the conventional cell assembly method.

従って、本発明の目的は、セル体の基板間の間隔を0.
1#L〜3ILの極S層を有しているとともにその間隔
誤差を極めて小さくした強誘電性液晶素子を提供するこ
とにある。
Therefore, an object of the present invention is to reduce the distance between the substrates of the cell body to 0.
The object of the present invention is to provide a ferroelectric liquid crystal element which has a pole S layer of 1#L to 3IL and has extremely small spacing error.

本発明のかかる目的は、少なくとも1方を可撓性基板と
した1対の基板の間隙を複数のスペーサ部材によって保
持したセル体と該セル体の内部に封入された強誘電性液
晶を有する液晶素子において、前記可撓性基性の弾性率
をE(K g f / mm2) 、その厚さをt (
mm)とし、且つ前記スペーサ部材間の間隔をa (m
m)とした時、前記E、L及びaの間で の関係を有している液晶素子によって達成される。
The object of the present invention is to provide a cell body in which a gap between a pair of substrates, at least one of which is a flexible substrate, is maintained by a plurality of spacer members; In the element, the elastic modulus of the flexible base is E (K g f / mm2), and its thickness is t (
mm), and the distance between the spacer members is a (m
m), this is achieved by a liquid crystal element having the relationship between E, L, and a.

以下1本発明を図面に従って説明する。The present invention will be explained below with reference to the drawings.

第1図は1本発明の液晶素子の実施態様を表わしている
FIG. 1 shows an embodiment of a liquid crystal element according to the present invention.

第1図に示す液晶素子は、セル100と該セル100の
内部に封入された強誘電性液晶113を有し、セル体1
00は基体101と102とで形成された空隙と、該空
隙を保持する複数のスペーサ部材111を有している。
The liquid crystal element shown in FIG. 1 has a cell 100 and a ferroelectric liquid crystal 113 sealed inside the cell 100.
00 has a gap formed between base bodies 101 and 102, and a plurality of spacer members 111 that hold the gap.

基体101と102によって形成された空隙は。The gap formed by the base bodies 101 and 102 is.

ンール部材110によってシーリングされ、密封状態が
形成されている。基体101は、透明で光学的異方性を
有しているとともに、セル体100自身を保持するのに
充分な強度を有していることが望ましく、一般にその面
積によるが厚さ1〜5mm程度のガラスが適している。
The sealing member 110 forms a sealed state. The base body 101 is preferably transparent and has optical anisotropy, and has sufficient strength to hold the cell body 100 itself, and generally has a thickness of about 1 to 5 mm depending on its area. glass is suitable.

基体101には、酸化スズ、酸化インジウム。The base 101 includes tin oxide and indium oxide.

ITO(Indlun  Tin  0xide)等の
透明導電膜103がストライプ形状に形成され、さらに
厚さ0.1 g〜3鉢程度のスペーサ部材111が形成
されている。このスペーサ部材111は、基体101の
上に成膜性物質(ポリイミド、ポリアミド、ポリビニル
アルコールなどの樹脂あるいは感光性樹脂や5i02、
TiO2などの蒸着によって成膜できる無機絶縁物)を
0.11L〜3終程度の膜厚に成膜した後、所定のフォ
トリソグラフィー法を用いたエツチングより、ストライ
プ形状、格子形状又はドツト形状に形成することができ
る。特に、このスペーサー部材111の作成に当って、
成膜物質として光硬化性樹脂を用いた際には、別にフォ
トレジスト樹脂を用いることなく、直接光硬化性樹脂を
スペーサ部材111として形成することができる利点を
有している。
A transparent conductive film 103 made of ITO (Indlun Tin Oxide) or the like is formed in a stripe shape, and a spacer member 111 having a thickness of about 0.1 g to about 3 mm is further formed. This spacer member 111 is made of a film-forming material (resin such as polyimide, polyamide, polyvinyl alcohol, photosensitive resin, 5i02, etc.) on the base 101.
After forming an inorganic insulator such as TiO2 (which can be formed by vapor deposition) to a thickness of about 0.11L to 3cm, it is etched using a prescribed photolithography method to form a stripe shape, lattice shape, or dot shape. can do. In particular, when creating this spacer member 111,
When a photocurable resin is used as a film forming material, there is an advantage that the photocurable resin can be directly formed as the spacer member 111 without using a separate photoresist resin.

スペーサ部材illは、その間隔を2mm以下、好まし
くは800終以下とすることが適している。すなわち、
ストライプ形状の場合では、その相隣り合う間隔を2m
m以下、好ましくは800終以下とする。格子形状の場
合では、その格子の長辺の長さを2mm以下、好ましく
は800#L以下とし、又ドツト形状の場合ではそのド
ツト間の間隔を2mm以下、好ましくは800外以下に
設定する。
It is suitable that the distance between the spacer members ill is 2 mm or less, preferably 800 mm or less. That is,
In the case of striped shapes, the distance between adjacent stripes is 2m.
m or less, preferably 800 or less. In the case of a lattice shape, the length of the long side of the lattice is set to 2 mm or less, preferably 800 #L or less, and in the case of a dot shape, the interval between the dots is set to 2 mm or less, preferably 800 #L or less.

さらに、基体101には電極群103に駆動信号を印加
する駆動回路部105と下達する電極104に情報信号
を印加する駆動回路部106が設けられている。この駆
動回路部105と106は、アモルファスシリコン、ポ
リクリスタルンリコン、セレン化カドミウムなどの半導
体素子を用いた5lll!トランジスタによって形成す
ることができる。それぞれの駆動回路部105と106
のソース線とゲート線は、基体101に集中配置した端
子群108と109に接続されている。
Further, the base body 101 is provided with a drive circuit section 105 that applies a drive signal to the electrode group 103 and a drive circuit section 106 that applies an information signal to the lower electrodes 104. The drive circuit sections 105 and 106 are made of semiconductor elements such as amorphous silicon, polycrystalline silicon, and cadmium selenide. It can be formed by a transistor. Respective drive circuit sections 105 and 106
The source line and gate line are connected to terminal groups 108 and 109 arranged centrally on the base 101.

又、基体101上前述の電極群103及びスペーサ部材
111を形成した後、ポリイミドやポリビニルアルコー
ルの被膜を形成し、その表面をラビングするか、あるい
はs to2の斜方蒸isを形成することによって、v
kで配置される強誘電性液晶に対する配向制御効果が付
与される。又、この基体101は前述の如き非可撓性ガ
ラス板としてもよいが、下達の基体102で使用する可
撓性基体としてもよい。
After forming the electrode group 103 and spacer member 111 on the substrate 101, a film of polyimide or polyvinyl alcohol is formed, and the surface thereof is rubbed, or by forming an oblique evaporation layer of s to 2, v
An alignment control effect is imparted to the ferroelectric liquid crystal arranged at k. Further, this base 101 may be a non-flexible glass plate as described above, but it may also be a flexible base used as a downstream base 102.

可撓性基板102に配線された電極群104は、異方性
導電材(垂直方向のみに導電性を示す熱可塑性樹脂例え
ばソニーケミカル社のCP−1030”日立化成社の“
ヒタセルム異方導電性接着フィルム)107を通して基
板lotに形成した駆動回路部10Bに接続され、さら
に外部制御回路(図示せず)と接続できる様に端子91
09まで接続されている。
The electrode group 104 wired on the flexible substrate 102 is made of an anisotropic conductive material (a thermoplastic resin that exhibits conductivity only in the vertical direction, such as Sony Chemical's CP-1030 and Hitachi Chemical's "
It is connected to the drive circuit section 10B formed on the substrate lot through the Hitaserum anisotropically conductive adhesive film) 107, and is further connected to the terminal 91 so that it can be connected to an external control circuit (not shown).
Connected up to 09.

又、基板101には、この基板に配線しである電極群1
03に駆動信号を印加する駆動回路部105が設けられ
ている。さらに、外部制御回路(図示せず)からの制御
信号を駆動回路部105に接続するための端子群108
が形成されている。
Also, on the substrate 101, there is an electrode group 1 which is wired to this substrate.
A drive circuit unit 105 is provided to apply a drive signal to 03. Further, a terminal group 108 for connecting a control signal from an external control circuit (not shown) to the drive circuit section 105
is formed.

強誘電性液晶113を充填したセル体は、基板101と
可撓性基板102との間の空隙がスペーサ部材111に
よって保持されており、その基板101と102の周辺
部がエポキシ接着剤などのシール部材110によつてシ
ーリングされている0強調電性液晶113はモノドメイ
ンが形成される様に配向性が付与されている。
In the cell body filled with ferroelectric liquid crystal 113, the gap between the substrate 101 and the flexible substrate 102 is held by a spacer member 111, and the periphery of the substrates 101 and 102 is sealed with epoxy adhesive or the like. The 0-emphasis electric liquid crystal 113 sealed by the member 110 is given orientation so that a monodomain is formed.

この配向性は、基板101と102のそれぞれにラビン
グ処理されたポリイミド膜やポリビニルアルコール膜な
どによって得られ、又斜方蒸着された5i02Hなどに
よって得ることが1きる。
This orientation can be obtained by using a polyimide film, a polyvinyl alcohol film, etc., which is rubbed on each of the substrates 101 and 102, or by using 5i02H, etc., which is obliquely deposited.

この様なセル体の両側にはクロスニコルス状態の偏光子
112と検光子114が配置されて、強誘電性液晶11
3の配向変調により生じる光学的変調が得られる。
A polarizer 112 and an analyzer 114 in a crossed Nichols state are arranged on both sides of such a cell body, and the ferroelectric liquid crystal 11
The optical modulation caused by the orientational modulation of 3 is obtained.

前述した様にメモリー効果が付与された強誘電性液晶素
子を作成するに当っては、液晶の層厚をO,lJL〜3
終と極薄層とする必要がある上にその層厚のバラツキの
許容範囲は10%以下、例えばtgの層厚に対してはo
、1μ以下のバラツキ許容量とする必要がある0本発明
は、かかる観点に立って到達したもので、基体102と
して可撓性ガラスやプラスチックフィルムを適用し、こ
の基体102の弾性率をE(Kgf/mm2)その厚さ
をt (mm)とし。
As mentioned above, when creating a ferroelectric liquid crystal element with a memory effect, the layer thickness of the liquid crystal should be set to O, lJL ~ 3
It is necessary to make the layer very thin at the end, and the tolerance range for variation in the layer thickness is 10% or less, for example, for the layer thickness of tg,
, it is necessary to have a variation tolerance of 1 μ or less. The present invention was developed based on this viewpoint. Flexible glass or plastic film is applied as the base 102, and the elastic modulus of the base 102 is set to E( Kgf/mm2) Let its thickness be t (mm).

先に形成したスペーサー部材111間の間隔をa (m
m)とした時、E、Eとaの間での関係を満たすことに
よって、層厚のバラツキを103以内とした均一層厚を
形成することができる。
The distance between the previously formed spacer members 111 is a (m
m), by satisfying the relationships between E and E and a, it is possible to form a uniform layer thickness with the variation in layer thickness within 103.

本発明の好ましい具体例では、!&体102を可撓性ガ
ラス又はプラスチックフィルムとした上で、セル100
内に第3図に示す減圧空間を形成することによって、基
体102をスペーサ部材111に対して密着性として、
液晶層厚の均一性を得ることができる。基板102が撓
み易すざる場合であると、スペーサー部材111間の中
間点での変形による層厚減少が問題となり、又剛性が大
き過ぎると、基体lotの平面からのズレに対応しての
変形が不充分となる。
In a preferred embodiment of the invention,! & Body 102 is made of flexible glass or plastic film, and cell 100
By forming a depressurized space shown in FIG.
Uniformity of liquid crystal layer thickness can be obtained. If the substrate 102 is not easy to bend, a decrease in layer thickness due to deformation at the intermediate point between the spacer members 111 becomes a problem, and if the rigidity is too large, deformation occurs in response to deviation of the substrate lot from the plane. becomes insufficient.

基板102として 1m延伸ポリエステルフィルムの押
し出し成形による等方性塩化ビニルフィルム等のプラス
チックフィルムを用いる場合にはスペーサー部材111
間の中間点フの変形が問題となるが、スペーサー部材1
11Mの間隙を0.1 m mとした場合には25ミク
ロンの膜厚のフィルムでも変#量は0.1ミクロン程度
(大気圧で押されている場合)と実用範囲内である。又
100ミクロン程度の膜厚のフィルムを用いた場合には
スペーサー部材111間の間隔が0.5 m mでも変
形量はO,1ミクロン程度であるので、スペーサー部材
111間の間隔を0、5 m m以内とすれば充分な液
晶層厚の精度が得られる。基板102として、ガラスを
用いる場合には、基体101の平面性に合わせて変形す
るような薄さのものを用いる必要がある。基体101と
しては研磨しない通常のガラスを用いると、100mm
の範囲でlOミクロン程度の平面からのずれが存在する
。基板102としてO,1mmの厚さのガラスを用いる
と、スペーサー部材111に対して100mmピッチで
接触”した場合の大気圧による変形量は、10ミクロン
よりはるかに大きいので少なくともスペーサー部材it
tに接触しない範囲はそれ(100mm)以下であるこ
とがわかる。変形量が0.1ミクロンとなるスペーサー
部材111間の間隔は1〜2 m mとなるがこのl1
11171!での基体101の平面性は0,1ミクロン
より良いので、やはり充分な液晶層厚の精度が得られる
When a plastic film such as an isotropic vinyl chloride film formed by extrusion of a 1 m stretched polyester film is used as the substrate 102, the spacer member 111 is used.
Although deformation of the midpoint between the spacer members 1 and 1 poses a problem,
When the gap of 11M is 0.1 mm, even a film with a thickness of 25 microns has a variation of about 0.1 micron (when pressed at atmospheric pressure), which is within the practical range. Furthermore, when using a film with a thickness of about 100 microns, the amount of deformation is about 0.1 micron even if the distance between the spacer members 111 is 0.5 mm. If it is within mm, sufficient accuracy of the liquid crystal layer thickness can be obtained. When glass is used as the substrate 102, it needs to be thin enough to deform to match the flatness of the base 101. If normal unpolished glass is used as the base 101, the diameter is 100 mm.
There is a deviation from the plane of about 10 microns in the range of . If glass with a thickness of 0.1 mm is used as the substrate 102, the amount of deformation due to atmospheric pressure when it comes into contact with the spacer member 111 at a pitch of 100 mm is much larger than 10 microns, so at least the spacer member it
It can be seen that the range not touching t is less than that (100 mm). The distance between the spacer members 111 with a deformation amount of 0.1 micron is 1 to 2 mm, but this l1
11171! Since the flatness of the substrate 101 is better than 0.1 micron, sufficient precision in the thickness of the liquid crystal layer can be obtained.

0.1ミクロン以下の範囲で上記基体101にならって
変形するためには、ガラスであれば厚さが0.3 m 
m以下の必要があり、基体101の平面性のバラツキや
液晶封止時の圧力のバラツキをも考慮すると0.2 m
 m以下の厚さであることが望ましい。
In order to deform according to the base 101 within a range of 0.1 micron or less, the thickness of glass must be 0.3 m.
m or less, and considering variations in the flatness of the substrate 101 and variations in pressure during liquid crystal sealing, it is 0.2 m.
The thickness is desirably less than m.

第2図は、駆動回路部105と106をそれぞれ薄膜ト
ランジスタ(ポリクリスタルシリコン、アモルファスジ
ルコン、セレン化カドミウム)で形成した回路構成を表
わしている。
FIG. 2 shows a circuit configuration in which drive circuit sections 105 and 106 are each formed of thin film transistors (polycrystalline silicon, amorphous zircon, cadmium selenide).

駆動回路部105を構成するs w 11〜5Wn4は
s膜トランジスタで形成した分割化スイッチング素子で
、E(1)〜E (n)はゲートに接続した前記分割化
スイッチング素子を制御するための分割ブロック選択線
である。なお、本実施例における共通線は4本であるか
ら、この場合nはN/4に等しい、Pi−PNは薄膜ト
ランジスタで形成した放電用スイッチング素子で、工は
放電制御線、Jは放電電位線、21は共通化された走査
線を駆動するための外部制御回路である走査線駆動回路
で、22は回路基板と走査線駆動回路21との接続部を
示すものである。
sw11 to 5Wn4 constituting the drive circuit section 105 are divided switching elements formed of S film transistors, and E(1) to E(n) are divided switching elements connected to the gates for controlling the divided switching elements. This is a block selection line. Note that since there are four common lines in this example, n is equal to N/4 in this case, Pi-PN is a discharge switching element formed by a thin film transistor, N is a discharge control line, and J is a discharge potential line. , 21 is a scanning line drive circuit which is an external control circuit for driving a shared scanning line, and 22 is a connection portion between the circuit board and the scanning line drive circuit 21.

表示部23を駆動する際には共通走査線駆動回路21か
ら、ソースに接続した共通線A。
When driving the display section 23, a common line A is connected to the source from the common scanning line drive circuit 21.

B、C,Dに繰り返しパルスを与えると共に。While giving repeated pulses to B, C, and D.

分割ブロック選択線E (1)〜E (n)を順次0N
10FFさせる。また、PI〜Pnには非選択時ニG 
(1) 〜G (N)を−V (V) ノミ位に制御す
るために放電制御線Iにパルスを与えるようにすればよ
い。
Divided block selection lines E (1) to E (n) sequentially 0N
Make it 10FF. In addition, PI to Pn have G when not selected.
(1) A pulse may be applied to the discharge control line I to control ~G (N) to -V (V).

上記実施例においては、走査線をN本、共通線を4本と
して説明したが1例えば走査線を480本、共通線を2
4本とすると1分割ブロック選択線は20本となり、外
部駆動回路との接続数は、放電制御線、放電電位線の2
本を含めて合計46ケ所となり、約90%の接続数削減
の効果がある。
In the above embodiment, the number of scanning lines is N and the number of common lines is 4. However, for example, there are 480 scanning lines and 2 common lines.
If there are 4 lines, the number of 1 divided block selection lines will be 20, and the number of connections with the external drive circuit will be 2, the discharge control line and the discharge potential line.
Including books, there are a total of 46 locations, which has the effect of reducing the number of connections by approximately 90%.

駆動回路部106は、薄膜トランジスタで形成されたS
W1〜SWmを有している。外部の制御回路からビデオ
情報信号がシフトレジスタ24に転送され、シフトレジ
スタ24への転送が終ると、ゲートに接続されたSWI
〜S W mの端子25はオフ状態からオン状態となり
、この時のシフトレジスタ24の状態にラッチし。
The drive circuit section 106 includes an S transistor formed of thin film transistors.
It has W1 to SWm. The video information signal is transferred from the external control circuit to the shift register 24, and when the transfer to the shift register 24 is completed, the SWI connected to the gate
The terminal 25 of ~S W m changes from the off state to the on state, and latches the state of the shift register 24 at this time.

それに対応した信号をソースに接続されたデータ線D1
〜Dmに印加される。シフトレジスタ24はクロック端
子26とデータ入力端子27を有しており、端子28に
シフトレジスタ24のオフのデータレベルと同一信号が
供給される。
Data line D1 connected to the source of the corresponding signal
~Dm is applied. The shift register 24 has a clock terminal 26 and a data input terminal 27, and the same signal as the OFF data level of the shift register 24 is supplied to the terminal 28.

第3図は1本発明で用いる液晶セルを模式的に表わした
平面図である0本実施例では基板には4ドライブ状のマ
トリクス駆動用透明導電パターンが形成され、ポンディ
ングによって外部駆動回路に接続されているが、これら
は図示されていない、上基板31は肉薄ガラスからなる
可撓性基板で、その周辺部に沿って対向する他方の基板
(図示されていない)をシーリングするためのシール部
32が形成されている。また基板31のシール部32で
囲まれた中央部にはスペーサー部材33が形成されて、
液晶層の厚さを規制する機能を果している。このスペー
サー部材33は、例えば基板31上に、ポリイミドを所
定の厚さにコーティングした後、フォトエツチングによ
りパターン状に形成される。或いは、基板31そのもの
を、スペーサー部33tvhいてパターン条にエツチン
グしてもよい。
FIG. 3 is a plan view schematically showing a liquid crystal cell used in the present invention. In this embodiment, a transparent conductive pattern for driving a 4-drive matrix is formed on the substrate, and is connected to an external drive circuit by bonding. The upper substrate 31 is a flexible substrate made of thin glass, and a seal is provided along its periphery to seal the other substrate (not shown) that faces the upper substrate 31. A portion 32 is formed. Further, a spacer member 33 is formed in the center portion of the substrate 31 surrounded by the seal portion 32.
It functions to regulate the thickness of the liquid crystal layer. The spacer member 33 is formed into a pattern by, for example, coating the substrate 31 with polyimide to a predetermined thickness and then photo-etching. Alternatively, the substrate 31 itself may be etched into a pattern using the spacer portions 33tvh.

また2つの基板の表面には、必要に応じて、液晶を配向
させるためのラビング処理が施されている。またスペー
サー部材33で区画された状態で液晶層領域34が形成
され、これは、界面35を介して減圧空間36と隣接な
いし連通している。このような液晶層34は、液晶注入
口37を減圧することにより形成される。この減圧空間
36は、空セルの内部を排気により減圧状態とした後に
、セルに設けた注入口37に液晶を示す液状物質な封口
する如く配置し、真空容器を大気圧に戻して、かかる液
状物質をせる内に注入させるが、セル内を完全に液状物
質で満たす前で、前記注入口を封口することによって形
成することめでき、この減圧空間36により液晶材料が
注入されているセル内部に減圧状態を形成することがで
きる。液晶材料としては1例えば強誘電性液晶DOBA
MBCが用いられ、その配向状態は1等方相状態より、
カイラルスメクチックC相の状態へと徐冷することによ
り得られる。
Further, the surfaces of the two substrates are subjected to rubbing treatment to orient the liquid crystal, if necessary. Further, a liquid crystal layer region 34 is formed separated by a spacer member 33, and is adjacent to or in communication with a reduced pressure space 36 via an interface 35. Such a liquid crystal layer 34 is formed by reducing the pressure in the liquid crystal injection port 37. This depressurized space 36 is arranged so that after the inside of the empty cell is depressurized by evacuation, a liquid substance showing liquid crystal is sealed in the injection port 37 provided in the cell, and the vacuum container is returned to atmospheric pressure, and the liquid is This can be done by sealing the injection port before the cell is completely filled with the liquid material, and this reduced pressure space 36 allows the liquid crystal material to be injected into the cell. A reduced pressure state can be created. As a liquid crystal material, for example, ferroelectric liquid crystal DOBA
MBC is used, and its orientation state is from the one isotropic phase state,
It is obtained by slow cooling to a chiral smectic C phase state.

上記液晶の封入の態様をより詳しく説明すると、例えば
スペーサ部材33を形成した基板31と1例えばポリエ
ステルフィルムや肉薄ガラスのような可撓性の対向基板
をエポキシ系接着剤32等により接着してセルを形成し
た後、セルを真空容器中に保持し、セル中の空気を充分
に排気した後、注入口37を液晶材料に浸漬する。その
後、真空容器中にN2ガス等を導入することによりセル
外部の気圧を高め、液晶材料をセル内に圧入する。液晶
材料が所定の領域(例えば、画像領域) 39 (19
100mmXloomm)を充分に満たした時点で、注
入作業を停止し、注入口37を封止する。このようにし
て形成された液晶セルは、減圧空間36があることによ
り、大気圧中では、充分な圧縮力を受けているため、対
向基板が、スペーサ部材33によく密着し、厚さ2終以
下という、極めて薄いセルでも、大面積にわたって均一
なセル厚さに形成することが可能である。又、減圧空間
36は。
To explain in more detail how the liquid crystal is sealed, for example, a substrate 31 on which a spacer member 33 is formed and a flexible counter substrate such as a polyester film or thin glass are bonded together using an epoxy adhesive 32 or the like to form a cell. After forming the cell, the cell is held in a vacuum container, and after the air in the cell is sufficiently exhausted, the injection port 37 is immersed in the liquid crystal material. Thereafter, the pressure outside the cell is increased by introducing N2 gas or the like into the vacuum container, and the liquid crystal material is press-fitted into the cell. The liquid crystal material is applied to a predetermined area (for example, an image area) 39 (19
100mmXloomm), the injection operation is stopped and the injection port 37 is sealed. The liquid crystal cell formed in this manner is subjected to sufficient compressive force under atmospheric pressure due to the presence of the decompression space 36, so that the opposing substrate is in close contact with the spacer member 33, and the thickness Even extremely thin cells, such as those below, can be formed to have a uniform cell thickness over a large area. Also, the decompression space 36.

液晶セル使用時の環境変化による、液晶材料の熱膨張、
熱収縮によって、セルの厚さが1部分的に変化してしま
うことを防ぐ機能も有する。
Thermal expansion of liquid crystal materials due to environmental changes during use of liquid crystal cells,
It also has the function of preventing the thickness of the cell from partially changing due to heat shrinkage.

本実施例に於て、可撓性基板として薄板ガラスを用い、
その厚さをt (mm)、スペーサストライプの間隔を
a (mm)として、tとaを変位させたときの液晶セ
ルの厚さのバラツキW(最大値−最小値)及び画像性の
評価を行った。
In this example, thin glass was used as the flexible substrate,
Assuming that the thickness is t (mm) and the distance between the spacer stripes is a (mm), evaluate the variation W (maximum value - minimum value) in the thickness of the liquid crystal cell and the image quality when changing t and a. went.

但し、スペーサの膜厚は2#Lに設定している。However, the film thickness of the spacer is set to 2#L.

単位(mm) 本発明の別の好ましい具体例ではスペーサ形状を格子状
とし、格子点を径10iの円柱状で形成した以外は1g
I述の実施例と同様にして実験を行った。この時のパラ
メータa、Wと【と画像性の関係は前述実施例とほぼ同
様の結果であった。
Unit (mm) In another preferred embodiment of the present invention, the spacer shape is lattice-like, and the lattice points are cylindrical with a diameter of 10i.
An experiment was conducted in the same manner as in Example I described above. The relationship between the parameters a, W, and image quality at this time was almost the same as in the previous example.

尚スペーサー中央部での変形量は可撓性基板の弾性定数
をEとしてTTTに比例する。ガラスの弾性定数はおよ
そ7000Kgf/mm2であり、最大変形量をo、i
IL以下とするため辷は缶の値が0.32以下であるこ
とが必要であるが、実験結果はこれと一致するものであ
った。
The amount of deformation at the center of the spacer is proportional to TTT, where E is the elastic constant of the flexible substrate. The elastic constant of glass is approximately 7000 Kgf/mm2, and the maximum deformation is o, i
In order to keep the value below IL, it is necessary that the length of the can be 0.32 or below, and the experimental results were consistent with this.

本発明で用いる強誘電性液晶としては、カイラルスメク
チック液晶が最も好ましくは、その〜うちカイラルスメ
クチックC相C3mC本)。
The ferroelectric liquid crystal used in the present invention is most preferably a chiral smectic liquid crystal, of which chiral smectic C phase (C3mC) is most preferable.

H相(SmHす、■相(SmIす、J相(SmJす。H phase (SmH), ■ phase (SmI), J phase (SmJ).

K相(SmKす、F相(SmFりやG相(SmGりの液
晶が適している。この強誘電性液晶については。
K phase (SmK), F phase (SmF), and G phase (SmG) liquid crystals are suitable.For this ferroelectric liquid crystal.

”LE  JOυRNAI、DE  PHYSIQUE
 LETTER3″36(L−69)1975.rFe
rroelectric  LiquidCrysta
lsJ  ;  “Applied  Physics
Letters″36 (11)1980.  rsu
bm[cr。
“LE JOυRNAI, DE PHYSIQUE
LETTER3″36(L-69)1975.rFe
rroelectric LiquidCrysta
lsJ ; “Applied Physics
Letters″36 (11) 1980. rsu
bm [cr.

5econd  B15table  Electro
opticSwitching  in  Liqui
d  CrystalsJ ;“固体物理”16 (1
41)19第1 r液晶」等に記載されており、本発明
ではこれたに開示された強誘電性液晶を用いることがで
きる。
5econd B15table Electro
opticSwitching in Liqui
d CrystalsJ ; “Solid State Physics” 16 (1
41) No. 19 No. 1 R Liquid Crystal", etc., and the ferroelectric liquid crystal disclosed therein can be used in the present invention.

より具体的には1本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−p−7ミ
ノー2−メチルブチルシンナメート(DOBAMBC)
、ネギシルオキシベンジリデン−p−アミノ−2−クロ
ロプロビルシンナメー) (HOBACPC)および4
−o−(2−メチル)−ブチルレゾルシリテン−4′−
オクチルフニリン(MBRA8)等が挙げられる。
More specifically, an example of the ferroelectric liquid crystal compound used in the method of the present invention is decyloxybenzylidene-p-7 minnow 2-methylbutyl cinnamate (DOBAMBC).
, Negysyloxybenzylidene-p-amino-2-chloroprovir cinname) (HOBACPC) and 4
-o-(2-methyl)-butylresolsiliten-4'-
Examples include octylphniline (MBRA8).

これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が、SmC* 、SmH本、Sm1本。
When constructing an element using these materials, the liquid crystal compounds include SmC*, SmH, and Sm.

SmJ本、SmK本、SmF本、3m0本となるような
温度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが
埋め込まれた銅ブロック等により支持することができる
In order to maintain the temperature state such that the number of SmJ, SmK, SmF, and 3m0 units is maintained, the element can be supported by a copper block or the like in which a heater is embedded, if necessary.

第4図は1強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。41と41’は、In2O3,5n02やIT
O(Indium−Tin 0xide)等の透明電極
がコートされた基板(ガラス板)であり、その間に液晶
分子層42がガラス面に垂直になるよう配向したSmC
本相の液晶が封入されている。
FIG. 4 schematically depicts an example of a ferroelectric liquid crystal cell. 41 and 41' are In2O3, 5n02 and IT
It is a substrate (glass plate) coated with a transparent electrode such as O (Indium-Tin Oxide), between which a liquid crystal molecular layer 42 is oriented perpendicular to the glass surface.
The liquid crystal of the main phase is sealed.

太線で示した線43が液晶分子を表わしており。A thick line 43 represents liquid crystal molecules.

この液晶分子43は、その分子に直交した方向に双極子
モーメン)  (P上)44を有している。
This liquid crystal molecule 43 has a dipole moment (on P) 44 in the direction orthogonal to the molecule.

基板41と41’上の電極間に一定の閾値以上の電圧を
印加すると、液晶分子43のらせん構造がほどけ、双極
子モーメン) (P上)44はすべて電界方向に向くよ
う、液晶分子43の配向方向を変えることができる。液
晶分子43は細長い形状を有しており、その長袖方向と
短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光
子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液
晶光学資y4素子とすることは、容易に理解される。さ
らに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合(例えばlp
)には、第2図に示すように電界を印加していない状態
でも液晶分子のらせん構造はほどけ(非らせん構造)そ
の双極子モーメン)P又はP′は上向き(54)又は下
向き(54’)のどちらかの配向状態をとる。このよう
なセルに第5図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る
電界EはE′を付与すると、双極子モーメント電界E又
はE′の電界ベクトルに対応して上向き54又は下向!
! 54’と向きを変え、それに応じて液晶分子は第1
の安定状態53(嘴状yts>か或いは第2の安定状s
53’ (暗状態)の何れか一方に配向する。
When a voltage higher than a certain threshold is applied between the electrodes on the substrates 41 and 41', the helical structure of the liquid crystal molecules 43 is unraveled, and the dipole moment The orientation direction can be changed. The liquid crystal molecules 43 have an elongated shape and exhibit refractive index anisotropy in the long axis direction and the short axis direction. Therefore, for example, if polarizers are placed above and below the glass surface in a crossed nicol positional relationship, It is easily understood that this is a liquid crystal optical element whose optical characteristics change depending on the polarity of applied voltage. Furthermore, if the thickness of the liquid crystal cell is made sufficiently thin (for example, lp
), as shown in Figure 2, the helical structure of the liquid crystal molecules unravels (non-helical structure) even when no electric field is applied, and its dipole moment) P or P' is directed upward (54) or downward (54'). ). When an electric field E with a different polarity above a certain threshold value E' is applied to such a cell as shown in FIG. 5, the dipole moment electric field E or E' will move upward 54 or downward!
! 54', and the liquid crystal molecules change direction accordingly.
stable state 53 (beak-like yts> or second stable state s
53' (dark state).

この様な強誘電性液晶を光学変調素子として用いること
の利点は2つある。第1に応答速度が極めて速いこと、
第2の液晶分子の配向が双安定性を有することである。
There are two advantages to using such a ferroelectric liquid crystal as an optical modulation element. First, the response speed is extremely fast.
The orientation of the second liquid crystal molecules has bistability.

第2の点を例えば第5図によって説明すると、電界Eを
印加すると液晶分子は第1の安定状Jli53に配向す
るが。
The second point will be explained with reference to FIG. 5, for example. When the electric field E is applied, the liquid crystal molecules are aligned in the first stable state Jli53.

この状態は電界を切ってもこの第1の安定状態53が維
持され、又、逆向きの電界E′を印加すると、液晶分子
は第2の安定状態53′に配向しその分子の向きを変え
るが、やはり電界を切ってもこの状態に保ち、それぞれ
の安定状態でメモリー機能を有している。又、午える電
界Eが一定の閾値を越えない限りそれぞれの配向状態に
やはり維持されている。このような応答速度の速さと、
双安定性の有効に実現されるにはセルとして出来るだけ
薄い方が好ましく、一般的には0.1#L〜3ILが適
している。この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電
極構造を有する液晶−電気光学装置は例えばクラークと
ラガバルにより、米国特許第4367924号明細書で
提案されている。
This first stable state 53 is maintained even when the electric field is cut off, and when an electric field E' in the opposite direction is applied, the liquid crystal molecules are aligned to the second stable state 53' and the orientation of the molecules is changed. However, it remains in this state even when the electric field is turned off, and has a memory function in each stable state. Further, each orientation state is maintained as long as the applied electric field E does not exceed a certain threshold value. Such fast response speed and
In order to effectively realize bistability, it is preferable that the cell be as thin as possible, and 0.1 #L to 3 IL is generally suitable. A liquid crystal-electro-optical device having a matrix electrode structure using ferroelectric liquid crystals of this kind has been proposed by Clark and Ragaval in US Pat. No. 4,367,924, for example.

第6図は、本発明の表示装置における別の実′ 施態様
を表わしている。第1図及び第2図に符号と同一符号の
ものは、同一部材を表わしている。
FIG. 6 shows another embodiment of the display device of the present invention. The same reference numerals as in FIGS. 1 and 2 represent the same members.

第6図に示す表示装置は、第1図の表示装置で用いた可
撓性基板102に配線した電極群104の端子をそれぞ
れ端子群109’と109#に振り分けた他は同様の装
置である。従って本実施例の表示装置は夫々の端子群1
09’と 109″に電気的に接線するための2つの異
方性導電体lOγと 107″及びそれぞれの駆動回路
部106′と106″が配置されている。
The display device shown in FIG. 6 is the same device as that used in the display device shown in FIG. 1, except that the terminals of the electrode group 104 wired to the flexible substrate 102 are divided into terminal groups 109' and 109#, respectively. . Therefore, in the display device of this embodiment, each terminal group 1
Two anisotropic conductors lOγ and 107″ and respective drive circuit portions 106′ and 106″ are arranged to be electrically tangential to 09′ and 109″.

この表示装置では、端子群109’と109″の単位長
さ当りの端子数密度を小さくする事ができ、外部調御回
路との電気的接続が端子間のショートを発生させること
なく行なう事ができる。
In this display device, the density of the number of terminals per unit length of the terminal groups 109' and 109'' can be reduced, and electrical connection with an external control circuit can be made without causing a short circuit between the terminals. can.

以上説明したように、片側の基板を可撓性としスペーサ
ーを介して液晶を減圧封入することにより、強誘電液晶
セルを構成するために必要な液晶層の精度を大面積にわ
たって得ることが可能となった。又可撓性基板側はスト
ライプ状の電極のみを形成し他方の基体上に形成した薄
膜トランジスターよりなる駆動素子に接続する事により
、多数の電極の接続処理が容易となり、大面積で高画素
密度の表示装置が実現可能となった。
As explained above, by making one side of the substrate flexible and encapsulating the liquid crystal under reduced pressure through a spacer, it is possible to obtain the precision of the liquid crystal layer required to construct a ferroelectric liquid crystal cell over a large area. became. In addition, by forming only striped electrodes on the flexible substrate side and connecting them to drive elements made of thin film transistors formed on the other substrate, it is easy to connect a large number of electrodes, and it is possible to achieve high pixel density in a large area. display device has become possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(A)は本発明を模式的に表わす平面図で、第1
図CB)はそのA−A ’断面図である、第2図は本発
明で用いる駆動回路を表わす説明図である。第3図は1
本発明で用いる液晶セルの平面図である。第4図及び第
5図は1本発明で用いる強誘電性液晶素子を模式的に表
わした斜視図である。第6図は本発明の別の態様を表わ
す平面図である。 101 、基板 102; 可撓性基板 103.104.電極群 105.106,106’、106’; 駆動回路部1
07.107.107″; 異方性導電体108.10
9; 端子群 110.32;  シール部材 111.33.  スペーサ部材 112.114; 偏光手段(偏光子、検光子)l13
; 強誘電性液晶 手続補正置部式) 昭和60年 4月/乙日 特許庁長官  志 賀  学  殿 1、事件の表示 昭和59年特許願第263663号 2、発明の名称 液晶素子 3、補正をする者 事件との関係     特許出願人 住所 東京都大田区下丸子3−30−2名称 (100
)キャノン株式会社 代表者 賀  来  龍 三 部 4、代理人 居所 〒148東京都大田区下丸子3−30−25、補
正命令の日付 昭和60年3月26日(発送日) 6、補正の対象 明細書 7、補正の内容 (1)明細書第21頁第19行〜第22頁第4行の「“
LE JOURNAL・・4.1quid Cryst
als J ; Jを「°“ル・ジュルナール・ド・フ
ィジイク・レットル″(LE  JOURNAL  D
E P)IYSIQUE  LETTERS”  >3
6 (L−69)1975 、rフェロエレクトリ  
ッ  り  ・  リ  キ  ッ  ド  ・  り
  リ  ス  タ  ル  ス 」(rFsrroe
lectric Liquid Crystals J
 ) ; ”アプライド・フィジイックス・レターズ (Applied  Physics  Letter
s  ”  )  3 6  (11)1980rサブ
ミクロ・セカンド会バイスティプル・ゝエレクトロオプ
ティク・スイッチング・イン・リキッド・クリスタルス
JCrSub腸icr。 5econd  B15table  !1ectro
aptic  Switching  1nLiqui
d CHstals」)  ; Jと訂正する。
FIG. 1(A) is a plan view schematically representing the present invention;
Figure CB) is a sectional view taken along the line AA', and Figure 2 is an explanatory diagram showing the drive circuit used in the present invention. Figure 3 is 1
1 is a plan view of a liquid crystal cell used in the present invention. 4 and 5 are perspective views schematically showing a ferroelectric liquid crystal element used in the present invention. FIG. 6 is a plan view showing another embodiment of the present invention. 101, substrate 102; flexible substrate 103.104. Electrode group 105, 106, 106', 106'; Drive circuit section 1
07.107.107″; Anisotropic conductor 108.10
9; Terminal group 110.32; Seal member 111.33. Spacer member 112, 114; polarizing means (polarizer, analyzer) l13
; Ferroelectric liquid crystal procedure amendment ceremony) April 1985/Otsuto Manabu Shiga, Commissioner of the Patent Office1, Indication of the case 1982 Patent Application No. 2636632, Name of the invention Liquid crystal element3, Amendment Relationship with the case of a person who does
)Representative of Canon Co., Ltd. Ryu Kaki Part 4, Agent address: 3-30-25 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo 148, Date of amendment order: March 26, 1985 (shipment date) 6. Details subject to amendment Book 7, Contents of amendment (1) ““ on page 21, line 19 to page 22, line 4 of the specification
LE JOURNAL...4.1quid Cryst
als J;
E P) IYSIQUE LETTERS” >3
6 (L-69) 1975, r ferroelectric
``Liquid List'' (rFsrroe)
Electric Liquid Crystals J
) ; “Applied Physics Letters
s”) 3 6 (11) 1980r Submicro Second Meeting Bistiple ゝElectro-optic Switching in Liquid Crystals JCrSub intestinal icr. 5econd B15table !1electro
aptic Switching 1nLiqui
d CHstals”) ; Correct as J.

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)少なくとも1方を可撓性基板とした1対の基板の
間隙を複数のスペーサ部材によって保持したセル体と該
セル体の内部に封入された強誘電性液晶を有する液晶素
子において、前記可撓性基板の弾性率をE(Kgf/m
m^2)、その厚をt(mm)とし、且つ前記スペーサ
部材間の間隔をa(mm)とした時、前記E、t及びa
の間で、 a^4/Et^3<0.32 の関係を有していることを特徴とする液晶素子。
(1) In a liquid crystal element having a cell body in which a gap between a pair of substrates, at least one of which is a flexible substrate, is maintained by a plurality of spacer members, and a ferroelectric liquid crystal sealed inside the cell body, The elastic modulus of the flexible substrate is E (Kgf/m
m^2), whose thickness is t (mm), and the distance between the spacer members is a (mm), the above E, t and a
A liquid crystal element characterized by having a relationship of a^4/Et^3<0.32.
(2)前記可撓性基板が厚さ0.2mm以下のガラスで
ある特許請求の範囲第1項記載の液晶素子。
(2) The liquid crystal element according to claim 1, wherein the flexible substrate is glass with a thickness of 0.2 mm or less.
(3)前記可撓性基板が厚さ25μ以上の1軸延伸フィ
ルムである特許請求の範囲第1項記載の液晶素子。
(3) The liquid crystal element according to claim 1, wherein the flexible substrate is a uniaxially stretched film having a thickness of 25 μm or more.
(4)前記1軸延伸フィルムが1軸延伸ポリエステルフ
ィルムである特許請求の範囲第3項記載の液晶素子。
(4) The liquid crystal device according to claim 3, wherein the uniaxially stretched film is a uniaxially stretched polyester film.
(5)前記スペーサ部材の厚さが0.1〜3μである特
許請求の範囲第1項記載の液晶素子。
(5) The liquid crystal element according to claim 1, wherein the spacer member has a thickness of 0.1 to 3 μm.
(6)前記スペーサ部材が平行ストライプ形状を有して
おり、その相隣り合う間隔が2mm以下である特許請求
の範囲第1項記載の液晶素子。
(6) The liquid crystal element according to claim 1, wherein the spacer member has a parallel stripe shape, and the distance between adjacent stripes is 2 mm or less.
(7)前記スペーサ部材が平行ストライプ形状を有して
おり、その相隣り合う間隔が800μ以下である特許請
求の範囲第1項記載の液晶素子。
(7) The liquid crystal element according to claim 1, wherein the spacer member has a parallel stripe shape, and the distance between adjacent stripes is 800 μm or less.
(8)前記スペーサ部材が格子形状を有しており、その
長辺の長さが2mm以下である特許請求の範囲第1項記
載の液晶素子。
(8) The liquid crystal element according to claim 1, wherein the spacer member has a lattice shape, and the length of the long side thereof is 2 mm or less.
(9)前記スペーサ部材が格子形状を有しており、その
長辺の長さが800μ以下である特許請求の範囲第1項
記載の液晶素子。
(9) The liquid crystal element according to claim 1, wherein the spacer member has a lattice shape, and the length of the long side thereof is 800 μm or less.
(10)前記スペーサー部材がドット形状を有しており
、そのドット間の間隔が2mm以下である特許請求の範
囲第1項記載の液晶素子。
(10) The liquid crystal element according to claim 1, wherein the spacer member has a dot shape, and the interval between the dots is 2 mm or less.
(11)前記スペーサ部材がドット形状を有しており、
そのドット間の間隔が800μ以下である特許請求の範
囲第1項記載の液晶素子。
(11) The spacer member has a dot shape,
2. The liquid crystal element according to claim 1, wherein the distance between the dots is 800 μm or less.
(12)前記セル体の内部が減圧状態となっている特許
請求の範囲第1項記載の液晶素子。
(12) The liquid crystal element according to claim 1, wherein the inside of the cell body is in a reduced pressure state.
(13)前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶
である特許請求の範囲第1項記載の液晶素子。
(13) The liquid crystal device according to claim 1, wherein the ferroelectric liquid crystal is a chiral smectic liquid crystal.
(14)前記カイラルスメクチツク液晶が非らせん構造
となっている特許請求の範囲第13項記載の液晶素子。
(14) The liquid crystal element according to claim 13, wherein the chiral smectic liquid crystal has a non-helical structure.
(15)前記カイラルスメクチツク液晶がC相、H相、
I相、J相、K相、G相又はF相である特許請求の範囲
第13項記載の液晶素子。
(15) The chiral smectic liquid crystal has a C phase, an H phase,
14. The liquid crystal element according to claim 13, which is an I-phase, J-phase, K-phase, G-phase or F-phase.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02108022A (en) * 1988-10-17 1990-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Electro-optical device using ferroelectric liquid crystal

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