JPS61133684A - Semiconductor laser-wavelength controller - Google Patents

Semiconductor laser-wavelength controller

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Publication number
JPS61133684A
JPS61133684A JP25550284A JP25550284A JPS61133684A JP S61133684 A JPS61133684 A JP S61133684A JP 25550284 A JP25550284 A JP 25550284A JP 25550284 A JP25550284 A JP 25550284A JP S61133684 A JPS61133684 A JP S61133684A
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JP
Japan
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semiconductor laser
laser
pulse
constant
input signal
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Pending
Application number
JP25550284A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinya Hasegawa
信也 長谷川
Shunji Kitagawa
俊二 北川
Fumio Yamagishi
文雄 山岸
Hiroyuki Ikeda
池田 弘之
Yushi Inagaki
雄史 稲垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS61133684A publication Critical patent/JPS61133684A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To suppress mode hopping and to make printing quality homogeneous when the controller is used for a laser printer hologram scanner, by superimposing high frequency pulses, whose power per pulse is made constant, on an input signal. CONSTITUTION:A sawtooth wave and a control voltage V are applied on a comparator 11. An output signal 12, whose duty cycle corresponds to the voltage value, is outputted. The output signal 12 is applied on a VCA13. A controllable voltage V is applied to the VCA13 through a sensitivity setting circuit 14. Therefore, the product of the pulse width and the amplitude value becomes constant in the output voltage OUT. Such frequency pulses are superimposed on an input signal (not shown), and the result is applied on a semiconductor laser. Thus, mode hopping can be suppressed, and the printing quality of a laser printer can be made homogeneous.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はモードホップを抑制した単一波長の半導体のレ
ーザ装置に係り、特にその波長を制御する半導体レーザ
波長制御装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a single wavelength semiconductor laser device in which mode hops are suppressed, and particularly to a semiconductor laser wavelength control device for controlling the wavelength thereof.

[従来の技術〕 近年、半導体レーザを用いた光応用装置としては、レー
ザプリンタ、光デイスクメモリ、pos用バーコードリ
ーグ等の研究、開発が盛んに行われている。これらの装
置において、最近特に、ホログラムを用い1回折を原理
として光偏向、光収束、集光を行う技術が開発されてい
る。しかし。
[Prior Art] In recent years, research and development of optical application devices using semiconductor lasers, such as laser printers, optical disk memories, and POS barcode leagues, have been actively conducted. In these devices, a technique has recently been developed that uses a hologram to perform optical deflection, optical convergence, and condensation based on the principle of single diffraction. but.

半導体レーザの波長は、印加電流1周囲温度等により、
不連続的に変化し、一定の単一波長でないためにホログ
ラムにより回折される光は、波長に応じて変化してしま
い、半導体レーザ装置を光応用装置に用いるためには、
実用上の問題となっている。
The wavelength of a semiconductor laser depends on the applied current, ambient temperature, etc.
Since the light that is diffracted by the hologram changes discontinuously and does not have a fixed single wavelength, it changes depending on the wavelength. In order to use a semiconductor laser device in an optical application device,
This is a practical problem.

又、光ディスクにおいては、半導体レーザ変調時に波長
の遷移(モードホップ)に伴うモードホップ雑音が発生
し、これがSN比の劣化をもたらすという問題がある。
Further, in optical disks, there is a problem in that mode hop noise occurs due to wavelength transition (mode hop) during semiconductor laser modulation, and this causes deterioration of the S/N ratio.

これらの問題に対し、単一波長が可能な分布帰還型レー
ザ(Distributecl feedback 1
aser)が開発されつつあるが、製造が困難で高価な
ため、まだ市販に至っていない。第2図、及び第3図は
それぞれ印加電流に対する光出力、及び波長モードの変
化の一例を示したものである。闇値電流(約50mA)
以上を印加すると、レーザモードでの発光が生じ、以後
モードが不連続的に変化する。このモードの変化の仕方
は、半導体レーザ個々によって異なり又周囲温度及び印
加電流によっても異なる。この半導体レーザに、第2図
に示したように。
To solve these problems, a distributed feedback laser capable of producing a single wavelength (Distributecl feedback 1
Aser) is being developed, but it has not yet been commercially available because it is difficult and expensive to manufacture. FIGS. 2 and 3 show examples of changes in optical output and wavelength mode with respect to applied current, respectively. Dark value current (approx. 50mA)
When the above voltage is applied, light emission occurs in a laser mode, and thereafter the mode changes discontinuously. The manner in which this mode changes varies depending on the individual semiconductor laser, and also varies depending on the ambient temperature and applied current. In this semiconductor laser, as shown in FIG.

バイアス電流50mAで20mへのパルス電流を印加す
ると、第3図(イ)、(ロ)、(ハ)、(ニ)。
When a pulse current is applied to 20 m with a bias current of 50 mA, Fig. 3 (a), (b), (c), and (d).

(ホ)、(へ)の6つの縦モードが発生する。このよう
なマルチモードの発生はホログラムを用いたレーザプリ
ンタの場合、ビーム位置が定まらず。
Six vertical modes (E) and (E) are generated. In the case of laser printers that use holograms, such multi-modes occur because the beam position is not fixed.

大きな問題となる。It becomes a big problem.

又、屈折導波路型の半導体レーザは、一定値以上の印加
電流によって、単一モードになることが知られているが
、第4図に示したように、一定の光出力において周囲温
度を変化させると、第3図と類似して、モードの不連続
的な変化が生じる。
Furthermore, it is known that refractive waveguide type semiconductor lasers become single-mode when applied with a current above a certain value, but as shown in Figure 4, it is possible to change the ambient temperature at a constant optical output. When this happens, a discontinuous change in mode occurs similar to that shown in FIG.

この場合、隣合うモードの遷移は約0.3nmであり。In this case, the transition between adjacent modes is approximately 0.3 nm.

約2℃に1個のモードの割合でモードホップが生じる。Mode hops occur at a rate of one mode every 2°C.

このモードポツプはホログラムを使用したレーザプリン
タ用スキャナ等では、ビーム位置が飛んでしまうので印
字品質の劣化を生じてしまう。
In a scanner for a laser printer using a hologram, this mode pop causes the beam position to jump, resulting in deterioration of print quality.

尚、第2図及び第3図に示したように、電流及び温度の
変化に対゛して、波長の連続的な変動は。
As shown in FIGS. 2 and 3, continuous fluctuations in wavelength occur with respect to changes in current and temperature.

約0.O7nm/’Cの割合で生じているが、これはレ
ーザープリンタ等の光応用装置においては、実用上問題
とはならない。
Approximately 0. Although it occurs at a rate of 07 nm/'C, this does not pose a practical problem in optical application devices such as laser printers.

本出願人は、半導体レーザ装置の上述の欠点を除去する
ために、高周波パルスの周波数、振幅。
The applicant has developed the frequency and amplitude of high-frequency pulses in order to eliminate the above-mentioned drawbacks of semiconductor laser devices.

デユーティ等のパラメータを半導体レーザが周囲温度の
影響を受けないで単一縦モードを安定して発振できるよ
うに調整し、この高周波パルスを入力信号に重畳する技
術を開発した。
We have developed a technology in which parameters such as duty are adjusted so that the semiconductor laser can stably oscillate a single longitudinal mode without being affected by ambient temperature, and this high-frequency pulse is superimposed on the input signal.

すなわち周囲温度の変化によって第5図に示すようにパ
ワースペクトルが波長の例えば長い方へ変動しようとす
るのを防止するため、第6図に示すよいに、入力信号1
に、高周波パルスを重畳するものである。このとき、高
周波パルスは、半導体レーザが安定した単一縦モード発
振を行うように9例えば、第7図に示すように1周波数
を一定にしたまま、パルス幅T1をT1′変化させて。
That is, in order to prevent the power spectrum from fluctuating toward longer wavelengths as shown in FIG. 5 due to changes in ambient temperature, the input signal 1 as shown in FIG.
A high-frequency pulse is superimposed on the At this time, the high frequency pulse is changed by changing the pulse width T1 by T1' while keeping one frequency constant, for example, as shown in FIG. 7, so that the semiconductor laser performs stable single longitudinal mode oscillation.

デユーティをT + / T 2からT + ’ /T
 2へと変化させる。このような半導体レーザを第8図
に示すようなレーザプリンタ用ホログラムスキャナーに
適用すると、レーザ光がホログラムスキャナー3を介し
てフォトコンドラム4上に照射するとき。
Change the duty from T+/T2 to T+'/T
Change it to 2. When such a semiconductor laser is applied to a hologram scanner for a laser printer as shown in FIG.

フォトコンドラム4上の位置P1とP2ではエネルギー
が変化するためドツトの濃さが一定ではなくなる。この
ため、印字品質が均一ではないと言う問題があった。
Since the energy changes at positions P1 and P2 on the photoconductor drum 4, the density of the dots is no longer constant. For this reason, there was a problem that the print quality was not uniform.

本発明は上記欠点に鑑みて、デユーティを調整するため
に高周波パルスのパルス幅が変化しても。
In view of the above-mentioned drawbacks, the present invention provides a method for adjusting the duty even if the pulse width of the high-frequency pulse is changed.

照射レーザ光のエネルギーが照射位置によって変動しな
いので、均一の印字品質が得られる半導体レーザ発振制
御装置を提供することを目的とする〔問題点を解決する
ための手段〕 本発明によれば、半導体レーザ装置において。
It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser oscillation control device that can obtain uniform printing quality because the energy of the irradiated laser light does not vary depending on the irradiation position. In laser equipment.

入力信号に高周波パルスを重畳する手段と、前記高周波
パルスの周波数、振幅、デユーティ比のうち少なくとも
、1つを調整して単一縦モードを得る手段と、前記半導
体レーザの1個のパルス当りの光量が一定とする手段と
からなる半導体レーザ波長制御装置を提供する。
means for superimposing a high-frequency pulse on an input signal; means for adjusting at least one of the frequency, amplitude, and duty ratio of the high-frequency pulse to obtain a single longitudinal mode; Provided is a semiconductor laser wavelength control device comprising means for keeping the amount of light constant.

〔作  用〕[For production]

本発明によれば、第1図に示すように、入力信号にこの
信号より周波数の高い高周波パルスを重畳し、この高周
波パルスのパワーPaとパルス幅Taとの積を一定とな
るように印加電流を変化させれば、いずれのレーザ光パ
ルスにおいても、光量は一定となり、レーザプリンタ用
ホログラムスキャナーに用いた場合、印字品質も均一と
なる。
According to the present invention, as shown in FIG. 1, a high-frequency pulse having a higher frequency than the input signal is superimposed on the input signal, and the applied current is adjusted such that the product of the power Pa and the pulse width Ta of the high-frequency pulse is constant. By changing , the amount of light will be constant for any laser light pulse, and when used in a hologram scanner for a laser printer, the printing quality will also be uniform.

勿論このとき、パルス幅Taをはじめとする高周波パル
スの周波数、振幅、デユーティ比が安定した単一モード
発振を行うように調整されている。
Of course, at this time, the frequency, amplitude, and duty ratio of the high-frequency pulse including the pulse width Ta are adjusted to perform stable single mode oscillation.

〔実 施 例〕〔Example〕

以下2図面を参照して1本発明の一実施例を説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to two drawings.

第1図において、入力信号に重畳されるパルスでもって
入力信号よりも高周波を有する高周波パ6一 ルスのパルス幅TaとレーザパワーPaとの積が一定値
Sに固定されるためには、パルス幅Taが変化したとき
In FIG. 1, in order to fix the product of the pulse width Ta and the laser power Pa of the high-frequency pulse 61, which is a pulse superimposed on the input signal and has a higher frequency than the input signal, to a constant value S, the pulse When the width Ta changes.

Pa=S/Ta を満すように、レーザパワーPaを制御すればよい。そ
してこのために、半導体レーザへの印加電流を変化させ
るのである。
The laser power Pa may be controlled so as to satisfy Pa=S/Ta. For this purpose, the current applied to the semiconductor laser is changed.

すなわち、第1図において、パルス幅Taが大(つまり
デユーティT a / T 2が大)のとき、レーザパ
ワーPo、つまり半導体レーザへの印加電流は小に、パ
ルス幅Taが小のとき、レーザーパワーPa、つまり印
加電流は大となるように制御する。
That is, in FIG. 1, when the pulse width Ta is large (that is, the duty Ta / T 2 is large), the laser power Po, that is, the current applied to the semiconductor laser is small, and when the pulse width Ta is small, the laser The power Pa, that is, the applied current is controlled to be large.

ここで、デユーティとレーザパワーと印加電流との関係
を示すと下記の如(なる。
Here, the relationship between duty, laser power, and applied current is as follows.

kD Hop −I b ) =P k T b  (1−I b / I op) = P
ここでkは定数、Dはデユーティ、Iopは印加電流の
マックス電流値、Ibはバイアス電流値(闇値)、Pは
レーザパワーである。Ib/IopはデユーティDにほ
かならないから、デユーティDを最適値に選ぶために変
化させればレーザパワーも、変化してしまう。このため
パワーを一定に保つためにはデユーティも一定でなけれ
ばならず。
kD Hop - I b ) = P k T b (1 - I b / I op) = P
Here, k is a constant, D is a duty, Iop is a maximum current value of applied current, Ib is a bias current value (dark value), and P is a laser power. Since Ib/Iop is nothing but the duty D, if the duty D is changed to select the optimum value, the laser power will also change. Therefore, in order to keep the power constant, the duty must also be constant.

従って半導体レーザの温度が若干変化することになる。Therefore, the temperature of the semiconductor laser will change slightly.

また、半導体レーザの接合温度を一定すると光出力は低
下してしまい、光出力を一定とすると、接合温度が上昇
してしまい、接合温度と光出力をともに一定にするため
にバイアス電流rbを上昇させねばならない。
Furthermore, if the junction temperature of the semiconductor laser is constant, the optical output will decrease, and if the optical output is constant, the junction temperature will increase, so in order to keep both the junction temperature and the optical output constant, the bias current rb is increased. I have to let it happen.

第9図には、上述の制御を行う本発明の制御回路のブロ
ック図を示す。
FIG. 9 shows a block diagram of a control circuit of the present invention that performs the above-mentioned control.

コンパレータ11の一方の入力には鋸状歯信号が入力さ
れ、他方の入力には、制御可能電圧■が印加される。こ
の電圧値に応じて、コンパレータ11からは、デユーテ
ィすなわちパルス幅が制御された出力信号12が出力さ
れ、この出力信号12はVCA13に加えられる。vC
A13には感度設定回路14を介して制御可能電圧■が
加えられるので、この制御可能電圧VによってVCA1
3の出力電圧OUTの振幅値が決められる。この時出力
電圧OUTのデユーティすなわちパルス幅はコンパレー
タ11の出力のパルス幅に対応している。
A saw-tooth signal is input to one input of the comparator 11, and a controllable voltage (2) is applied to the other input. According to this voltage value, the comparator 11 outputs an output signal 12 whose duty, ie, pulse width, is controlled, and this output signal 12 is applied to the VCA 13. vC
Since the controllable voltage (■) is applied to A13 via the sensitivity setting circuit 14, this controllable voltage V causes VCA1
The amplitude value of the output voltage OUT of No. 3 is determined. At this time, the duty or pulse width of the output voltage OUT corresponds to the pulse width of the output of the comparator 11.

従ってコンパレータ12.VCA13.感度設定回路1
4の特性を出力電圧OUTのパルス幅と振幅値の積が一
定となるように設定すればよい。
Therefore, comparator 12. VCA13. Sensitivity setting circuit 1
The characteristic No. 4 may be set so that the product of the pulse width and the amplitude value of the output voltage OUT is constant.

かくすれば、レーザ光のパルスの1個ずつの光量は等し
く、かつ積算パワーが一定とできる。そして、高周波パ
ルスのパルス幅を、レーザ光のモードが周囲温度等の影
響をうけないように制御するとともに、このパルス幅の
変化に伴ってレーザパワーすなわちレーザへの印加電流
を制御させ。
In this way, the light intensity of each pulse of laser light can be made equal, and the integrated power can be kept constant. Then, the pulse width of the high-frequency pulse is controlled so that the mode of the laser light is not affected by ambient temperature, etc., and the laser power, that is, the current applied to the laser, is controlled in accordance with the change in the pulse width.

かかる高周波パルスを半導体レーザへの入力信号に重畳
すにことによって、モードホップを防止できるとともに
、高周波パルスのパルス幅が変化しても、均一なレーザ
光エネルギーを得ることができる。
By superimposing such a high frequency pulse on the input signal to the semiconductor laser, mode hopping can be prevented and even if the pulse width of the high frequency pulse changes, uniform laser light energy can be obtained.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、モードホップを防止できるともに、レ
ーザプリンタホログラムスキャナーに用いて均一な印字
品質を得ることのできる半導体レーザ波長制御装置を提
供できる。
According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor laser wavelength control device that can prevent mode hops and obtain uniform printing quality when used in a laser printer hologram scanner.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の半導体レーザ波長制御装置の実施例の
動作を説明する波形図。 第2図は印加電流と光出力との関係を示す特性図。 第3図は周囲温度を一定にした場合の印加電流とレーザ
光の波長との関係を示す特性図。 第4図は周囲温度と波長との関係を示す特性図。 第5図はモードホップを示すパワースペクトル図。 第6図は入力信号に高周波パルスを重畳した波形図。 第7図はデユーティの変動を示す波形図。 第8図はレーザプリンタのプログラムスキャナーの構成
図。 第9図は本発明の一実施例のブロック図である。 1・・・入力信号。 2・・・高周波パルス。 3・・・ホログラム。 4・・・ホトコンドラム。 Pa・・・レーザパワー。 Ta・・・パルス幅。 第1図 第2図 f−FJ  v口tノしくmA) 焦罐 恢噌
FIG. 1 is a waveform diagram illustrating the operation of an embodiment of the semiconductor laser wavelength control device of the present invention. FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between applied current and optical output. FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the applied current and the wavelength of laser light when the ambient temperature is kept constant. FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between ambient temperature and wavelength. FIG. 5 is a power spectrum diagram showing mode hops. FIG. 6 is a waveform diagram in which a high-frequency pulse is superimposed on an input signal. FIG. 7 is a waveform diagram showing variations in duty. FIG. 8 is a configuration diagram of a program scanner of a laser printer. FIG. 9 is a block diagram of one embodiment of the present invention. 1...Input signal. 2...High frequency pulse. 3...Hologram. 4... Photocon drum. Pa...Laser power. Ta...Pulse width. Fig. 1 Fig. 2 f-FJ vmouth t no shuku mA)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体レーザ装置において、入力信号に高周波パ
ルスを重畳する手段と、前記高周波パルスの周波数、振
幅、デューティのうち少なくとも、1つを調整して単一
縦モードを得る手段と、前記半導体レーザの1個のパル
ス当りの光量を一定とする手段とからなる半導体レーザ
波長制御装置。
(1) In a semiconductor laser device, means for superimposing a high-frequency pulse on an input signal, means for adjusting at least one of the frequency, amplitude, and duty of the high-frequency pulse to obtain a single longitudinal mode; A semiconductor laser wavelength control device comprising means for keeping the amount of light per pulse constant.
(2)前記一定の光量を得る手段は半導体レーザ光のパ
ルス幅とパワーとの積がパルス毎に一定となるように制
御することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半
導体レーザ波長制御装置。
(2) The wavelength of the semiconductor laser according to claim 1, wherein the means for obtaining a constant amount of light is controlled so that the product of the pulse width and the power of the semiconductor laser light is constant for each pulse. Control device.
JP25550284A 1984-12-03 1984-12-03 Semiconductor laser-wavelength controller Pending JPS61133684A (en)

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