JPS61132925A - Semiconductor laser module with optical isolator - Google Patents

Semiconductor laser module with optical isolator

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Publication number
JPS61132925A
JPS61132925A JP25351984A JP25351984A JPS61132925A JP S61132925 A JPS61132925 A JP S61132925A JP 25351984 A JP25351984 A JP 25351984A JP 25351984 A JP25351984 A JP 25351984A JP S61132925 A JPS61132925 A JP S61132925A
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JP
Japan
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semiconductor laser
optical isolator
optical
rod lens
focusing rod
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Pending
Application number
JP25351984A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Odagiri
小田切 雄一
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS61132925A publication Critical patent/JPS61132925A/en
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4207Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
    • G02B6/4208Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
    • G02B6/4209Optical features

Abstract

PURPOSE:To mount easily an optical isolator without degrading the efficiency of coupling to an optical fiber by inserting the optical isolator consisting of a polarizer, a Farady rotator consisting f a magnetic body and a magnet, and an analyzer between the first and the second converging rod lenses. CONSTITUTION:With respect to an optical coupler which couples a semiconductor laser 21 and an optical fiber 22 optically, an optical isolator 26 is inserted between the first converging rod lens 23 whose end face on the side of the semiconductor laser 21 is a convex surface and the second converging rod lens 24 whose both end faces are plane surfaces, and the optical isolator 26 consists of a polarizer 27, a magnetic material thin film 28 and a magnet 30 which constituted the Farady rotator, and an analyzer 29, and the plane of polarization of an output light 25 is rotated at 45 deg. by the Farady rotator. By this constitution, the reflected light from the external is prevented from being charged again to the semiconductor laser 21 with the capacity of 0.7dB insertion loss and 25dB isolation.

Description

【発明の詳細な説明】 モジュールに関し、特に外部からの反射光が半導体レー
ザに再結合しないような光アインレータ付の半導体レー
ザモジュールに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a module, and particularly to a semiconductor laser module with an optical inulator that prevents reflected light from the outside from being recombined into the semiconductor laser.

〔従来技術〕[Prior art]

半導体レーザ(LD)は、低電流駆動・高速直接変調が
可能等の多くの特長を有しており、長距離大容量光ファ
イバ通信システムを初め多種の元ファイバ通信システム
等の光源として有望視されているか、反射等により光出
力が再注入されると不安定な動作特性を示すことが知ら
れている。このため、高品質で信頼性の高い光フアイバ
通信システムの実現には、LD党出出力再注入を防止す
ることが必要である。
Semiconductor lasers (LDs) have many features such as low current drive and high-speed direct modulation, and are seen as promising light sources for various types of original fiber communication systems, including long-distance, high-capacity optical fiber communication systems. It is known that when the optical output is reinjected due to reflection or the like, unstable operating characteristics are exhibited. Therefore, in order to realize a high quality and highly reliable optical fiber communication system, it is necessary to prevent the reinjection of the LD output power.

再注入光は主に伝送路中の屈折率不整合による反射が原
因であるので、上記の目的のためには、光フアイバ入射
向に対しては1例えば、■反射防止膜の形成、■入射面
の傾けあるいは■先球化、又は■LDと光ファイバの間
に174波長板と偏光子からなる光アイソレータの挿入
等が有効である。
Re-injected light is mainly caused by reflection due to refractive index mismatch in the transmission path, so for the above purpose, for the optical fiber incidence direction, for example, ■ formation of an anti-reflection film, ■ incidence It is effective to tilt the surface or make it more convex, or (2) insert an optical isolator consisting of a 174 wavelength plate and a polarizer between the LD and the optical fiber.

しかし、これらはいずれも光フアイバ入射面のみの反射
防止対策であり、それ以外の面(光ファイバの接続部や
出射面)からの反射を除くことはできない。光フアイバ
接続部での反射光を除去するには、■接続される2本の
光ファイバに反射防止膜を形成する、■入出射面を傾け
る、■屈折率整合体(液体、フィルム等)をはさむ、■
密着屋コネクタにする、あるいは■融着接続する等の方
策がさらに必要となる。これらの方策は面倒であるばか
りでなく光フアイバ伝送路の構成に種々の制約を課すこ
七になるので、好ましくないと考えられる。
However, all of these measures are antireflection measures only for the input surface of the optical fiber, and cannot eliminate reflections from other surfaces (the connecting portion and the output surface of the optical fiber). To remove reflected light at the optical fiber connection, there are three methods: ■ Forming an antireflection film on the two optical fibers to be connected, ■ Tilting the input and output surfaces, and ■ Using a refractive index matching body (liquid, film, etc.). Scissors,■
Further measures such as using close-fitting connectors or fusion splicing are required. These measures are considered undesirable because they are not only troublesome but also impose various restrictions on the configuration of the optical fiber transmission line.

従って、光フアイバ通信において安定なLDの動作を実
現するためには、徨々の反射光の戻りを防止できるファ
ラデー効果を応用した光アイソレータを用いることが望
ましいものと考えられる。
Therefore, in order to realize stable LD operation in optical fiber communication, it is considered desirable to use an optical isolator that utilizes the Faraday effect, which can prevent reflected light from returning.

この代表的な波長1μm帯用0ものとしては小林・間代
のアイ・イー・イー・イー・ジャーナル・オプΦクウォ
ンタム・エレクトロニクス(IEEE J+Quant
um Electronics )、1980年QE−
16巻第11頁に記載された光アイソレータがある。第
2図はロションプリズムを用いた光アイソレータの構造
の断面図を示す。これはファラデー回転角10となるバ
ルク状の磁性体11であるYIG結晶(YsFesOt
x)の両側に偏光子12゜検光子13のロションプリズ
ムを配置したものである。一般に磁石14で囲まれた磁
性体11内を光が通過すると、偏光面が回転するが、そ
の回転角は次式で表わされる。
A representative example of this wavelength 1 μm band is Kobayashi-Koshiro's IEE Journal Op ΦQuantum Electronics (IEEE J+Quant).
um Electronics), 1980 QE-
There is an optical isolator described in Vol. 16, page 11. FIG. 2 shows a cross-sectional view of the structure of an optical isolator using a Rochon prism. This is a YIG crystal (YsFesOt), which is a bulk magnetic material 11 with a Faraday rotation angle of 10.
A Rochon prism with a polarizer 12° and an analyzer 13 is placed on both sides of the x). Generally, when light passes through the magnetic body 11 surrounded by the magnets 14, the plane of polarization rotates, and the rotation angle is expressed by the following equation.

θ=FIIl@M/M8 jは通過距離sM8は飽和磁化、Mri元の通過方向の
磁化の成分である。今、光の通過方向に磁界を印加し、
飽和させるとθ=Flとなり最もファラデー回転角が大
きくなる。YIG結晶では波長L3μmでは、Fが22
0°/算であるため。
θ=FIIl@M/M8 j is the passing distance sM8 is the saturation magnetization, and is a component of the magnetization in the passing direction of the MRI element. Now, apply a magnetic field in the direction of light passage,
When saturated, θ=Fl, and the Faraday rotation angle becomes the largest. In YIG crystal, at wavelength L3μm, F is 22
Because it is 0°/calculation.

45°の偏光面の回転角を得るためには磁性体の長さと
して約2IIIm必要となる。このためこの磁性体11
に偏光子12.検光子13.磁石14を含めると光アイ
ソレータとしては4〜5mの長さとなり、したがって半
導体レーザと光ファイバの間隔を大きく取らねはならな
い。この間隔を大きくとるための有効な方法としては、
レンズピッチを短くして焦点距離の長いレンズを用いる
方法がある。
In order to obtain a rotation angle of the polarization plane of 45°, the length of the magnetic body is approximately 2IIIm. Therefore, this magnetic material 11
Polarizer 12. Analyzer 13. Including the magnet 14, the length of the optical isolator is 4 to 5 m, so the distance between the semiconductor laser and the optical fiber must not be large. An effective way to increase this distance is to
There is a method of shortening the lens pitch and using a lens with a long focal length.

しかしながらこのし/ズビ、チの短縮化は最適なレンズ
ピッチの結合系をずらすこととなり、したがって光ファ
イバへの結合効率を劣化させることになり光アイソレー
タを挿入する効果を十分に生かせないという問題があっ
た。
However, shortening the gap, gap, and gap will shift the coupling system with the optimal lens pitch, thereby degrading the coupling efficiency to the optical fiber, resulting in the problem that the effect of inserting an optical isolator cannot be fully utilized. there were.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、上述の欠点を除去し元ファイバへの結
合効率を劣化させることなく容易に実装できる光アイル
レータ付の半導体レーザモジュールを提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a semiconductor laser module with an optical isolator that eliminates the above-mentioned drawbacks and can be easily mounted without deteriorating the coupling efficiency to the source fiber.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

本発明による光アインレータ付半導体レーザモジュール
は、半導体レーザと、半導体レーザに面する側の端面が
凸曲面状に形成され中心軸からの距離に対して屈折率が
ほぼ2乗分布で減少する凸曲面付の第1の集束性ロッド
レンズと、両端面が平面で一方の端面が光ファイバに近
接した第2の集束性ロッドレンズとからなる非共焦点糸
元結合器において、第1と第2の集束性ロッドレンズの
間に偏光子、磁性体と磁石からなるファラテー回転子、
検光子とから光アイソレータが挿入嘔れる構成に特徴が
あり、また磁性体としてエピタキシャル成長法で形成し
た磁性体薄膜で構成することができる。
A semiconductor laser module with an optical inulator according to the present invention includes a semiconductor laser and an end face facing the semiconductor laser, each having a convex curved surface whose refractive index decreases with a substantially square distribution with respect to the distance from the central axis. In a non-confocal fiber coupler, the first and second focusing rod lenses each have a first focusing rod lens attached to the lens, and a second focusing rod lens having both flat end surfaces and one end surface close to the optical fiber. Between the focusing rod lenses, there is a polarizer, a Faraty rotator consisting of a magnetic material and a magnet,
It is characterized by the structure in which an optical isolator is inserted from the analyzer, and the magnetic material can be formed from a magnetic thin film formed by epitaxial growth.

〔原理と作用〕[Principle and operation]

本発明においては、半導体レーザと光ファイバの光学的
な結合を実現する手段として2つの集束性ロッドレンズ
を用いる。半導体レーザに近い側が凸曲面の第1の集束
性ロッドレンズでは、半導体レーザからの出力光を拡大
し、それにつづく平端面の第2の集束性ロッドレンズで
は出力光を光7アイパのスポットサイズに合うよう光軸
方向を調整する非共焦点系の結合方式をとっている。第
2の集束性ロッドレンズと光ファイバは互いに接して一
体化されている。第1と第2の集束性ロッドレンズの間
隔は通常5■程度あるため、この間に容易に4m程度の
長さの光アイソレータを挿入することができる。光アイ
ソレータの中で特に重要なものはファラテー回転子であ
る。出力光の波長が1.3μmのとき、磁性体であるバ
ルク結晶の場合には、2m程1度の厚さを必要とする。
In the present invention, two focusing rod lenses are used as means for optically coupling the semiconductor laser and the optical fiber. The first focusing rod lens, which has a convex curved surface on the side closer to the semiconductor laser, magnifies the output light from the semiconductor laser, and the second focusing rod lens, which has a flat end face, reduces the output light to a spot size of 7 eye diameters. A non-confocal coupling method is used in which the optical axis direction is adjusted to match. The second focusing rod lens and the optical fiber are integrated in contact with each other. Since the distance between the first and second focusing rod lenses is usually about 5 cm, it is possible to easily insert an optical isolator with a length of about 4 m between them. A particularly important optical isolator is the Faraday rotator. When the wavelength of the output light is 1.3 μm, in the case of a bulk crystal which is a magnetic material, a thickness of about 2 m and 1 degree is required.

このため磁化が飽和した時に大きな反磁場を生ずること
となり、外部からの磁場は2000Qe (エルステッ
ド)程度必要となり、したがって磁石として大きなもの
が必要である。しかしながらバルク結晶を用いているの
で、高いアイソレーションを実現するときの波長範囲が
拡くとれるという利点がある。他方、バルク結晶の代り
にエピタキシャル成長法により形成した磁性体薄膜を用
いた場合には反磁場の影参を殆んど考える必要がないた
め小形の磁石でよく、したがって光アイソレータを小形
でしかも安価に実現できる。この場合、アイソレーショ
ンの大きさか結晶の大きさに依存しているため高いアイ
ソレーションの波長範囲は相対的に狭くなる。したがっ
て第1と第2の集束性ロッドレンズの間に挿入するだけ
でよい光アイソレータは性能や大きさ1価格に応じた構
成で任意に実現することができる。また第1の集束性ロ
ッドレンズが像を拡大するように機能しているため、光
アイソレータを挿入してもこれによる光ファイバへの結
合効率を劣化させることがない。
Therefore, when the magnetization is saturated, a large demagnetizing field is generated, and an external magnetic field of about 2000 Qe (Oersteds) is required, so a large magnet is required. However, since a bulk crystal is used, there is an advantage that the wavelength range when achieving high isolation can be expanded. On the other hand, if a magnetic thin film formed by epitaxial growth is used instead of a bulk crystal, there is almost no need to consider the effects of demagnetizing fields, so a small magnet can be used, and the optical isolator can therefore be made small and inexpensive. realizable. In this case, the wavelength range of high isolation is relatively narrow because it depends on the size of the isolation or the size of the crystal. Therefore, an optical isolator that only needs to be inserted between the first and second focusing rod lenses can be realized in any configuration depending on performance, size, and price. Furthermore, since the first focusing rod lens functions to magnify the image, even if an optical isolator is inserted, the coupling efficiency to the optical fiber will not be deteriorated.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明の実施例である光アイソレータ付半導体
レーザモジ−−ルの側面断面図をあられす。
FIG. 1 shows a side sectional view of a semiconductor laser module with an optical isolator which is an embodiment of the present invention.

半導体レーザ21と光ファイバ22を光学的に結合させ
る光結合器は半導体レーザ21側の端面が凸曲面の第1
の集束性ロッドレンズ23と両端面が平面の第2の集束
性ロッドレンズ24とを含む。本実施例で用いる集束性
ロッドレンズの屈折率分布は、n = nQ (1−7
−a r2)で与えられる。
The optical coupler for optically coupling the semiconductor laser 21 and the optical fiber 22 has a first end whose end face on the semiconductor laser 21 side is a convex curved surface.
and a second focusing rod lens 24 having flat end surfaces. The refractive index distribution of the focusing rod lens used in this example is n = nQ (1-7
−a r2).

ここでn6は中心軸50上の屈折率、aは集束パラメー
タ、rは中心軸50からの距離をそれぞれ表わす。集束
性ロッドレンズではnQが15〜1.63.aが0.1
〜0.2m 、rが0.5〜1 ttllの範Hのもの
である。
Here, n6 represents the refractive index on the central axis 50, a represents the focusing parameter, and r represents the distance from the central axis 50. For focusing rod lenses, nQ is 15 to 1.63. a is 0.1
~0.2 m, and r is in the range H of 0.5 to 1 ttll.

第1の集束性ロッドレンズ23は半導体レーザ21から
の出力光25を10倍程度に拡大し、第2の集束性ロッ
ドレンズ24で元ファイバ22のスポットサイズに合う
ように光軸51方向を調整する。また元ファイバ22と
してコア径10μm力、トオフ波長し1μm、半導体レ
ーザ21として発振波長1.3μmのものを用いた。こ
の場合、レンズ間隔が5+m前後となるため、レンズ間
に光アイソレータ26を挿入することができる。
The first focusing rod lens 23 magnifies the output light 25 from the semiconductor laser 21 by about 10 times, and the second focusing rod lens 24 adjusts the direction of the optical axis 51 to match the spot size of the original fiber 22. do. Further, the original fiber 22 used had a core diameter of 10 μm and a to-off wavelength of 1 μm, and the semiconductor laser 21 had an oscillation wavelength of 1.3 μm. In this case, since the distance between the lenses is approximately 5+m, the optical isolator 26 can be inserted between the lenses.

光アイソレータ26は偏光子27177ラデ一回転子を
構成する磁性体薄膜28と磁石30.検光子29とから
なり、本実施例では第1の集束性ロッドレンズ23の平
端面側に近接固定している。
The optical isolator 26 includes a polarizer 27177, a magnetic thin film 28 and a magnet 30, which constitute a Rade rotator. In this embodiment, the analyzer 29 is fixed close to the flat end surface side of the first focusing rod lens 23.

半導体レーザ21からの出力光25はその殆んどが直線
偏光のTEモードであり、通常TEモードとTMモード
の割合が25dB程度ある。したがって偏光子27では
出力光25が十分透過できるように偏光面を合わせて配
置されている。磁性体薄膜28はエピタキシャル成長法
で製作した厚さ330μm0YIG薄膜である。YIG
薄膜には膜面に垂直な方向に磁界が印加されるように中
空の磁石30でその側面を囲んでいる。この7ア2デ一
回転子により出力光25の偏光面は45°回転される。
Most of the output light 25 from the semiconductor laser 21 is linearly polarized TE mode, and the ratio of normal TE mode to TM mode is about 25 dB. Therefore, the polarizer 27 is arranged with its polarization planes aligned so that the output light 25 can be sufficiently transmitted. The magnetic thin film 28 is a 330 μm thick 0YIG thin film manufactured by epitaxial growth. YIG
The sides of the thin film are surrounded by hollow magnets 30 so that a magnetic field is applied in a direction perpendicular to the film surface. The plane of polarization of the output light 25 is rotated by 45° by this 7A2D rotator.

検光子29では磁性体薄膜28を透過した出力光25が
十分通過できるように偏光子27に対して互いに偏光方
向が45°傾むくように配置される。
The analyzer 29 is arranged so that the polarization directions thereof are inclined at 45 degrees with respect to the polarizer 27 so that the output light 25 that has passed through the magnetic thin film 28 can sufficiently pass therethrough.

上述のような構成の光アイソレータ26をレンズ間に挿
入するととくより、挿入損失0.7 dB 、アイソレ
ーション25dBの性能で外部からの反射光が半導体レ
ーザ21に再注入することを阻止することができた。
Inserting the optical isolator 26 having the above-mentioned configuration between the lenses makes it possible to prevent reflected light from the outside from being re-injected into the semiconductor laser 21 with an insertion loss of 0.7 dB and an isolation performance of 25 dB. did it.

本実施例ではエピタキシャル成長法で製作した磁性体薄
膜30を用いているため、偏光面を45″回転させるの
に必要な飽和磁界の強さが3ooOe程度ですみ、した
がって厚さが薄く小形の光アイソレータ26金光結合器
内に実装することが出来る。また光アイソレータの有無
による結合効率の劣化はアイソレータの挿入損失分の0
.7 dBだけにおさえることができたので、必要以上
に結合効率を劣化させないことがわかった。
In this example, since the magnetic thin film 30 manufactured by the epitaxial growth method is used, the strength of the saturation magnetic field required to rotate the plane of polarization by 45'' is only about 3ooOe, and therefore the optical isolator is thin and small. It can be mounted in a .26 gold optical coupler.In addition, the deterioration of coupling efficiency due to the presence or absence of an optical isolator is reduced by the insertion loss of the isolator.
.. Since it was possible to suppress the noise to only 7 dB, it was found that the coupling efficiency was not deteriorated more than necessary.

本発明の実施例は以上の代表的な実施例の他にいくつか
の変形が考えられる。たとえば本実施例では偏光子27
,ファラデー回転子、検光子29からなる元アインレー
タ26t−用いたが、半導体レーザ21の出力光25が
直線偏光であることに着目して偏光子27を除いた構成
にしてもよい。
In addition to the typical embodiments described above, several modifications of the embodiments of the present invention are possible. For example, in this embodiment, the polarizer 27
, a Faraday rotator, and an analyzer 29 are used, but the polarizer 27 may be omitted in consideration of the fact that the output light 25 of the semiconductor laser 21 is linearly polarized light.

この場合には反射光dTMモードに対応する直線偏光で
半導体レーザ21に再注入することとなるが、半導体レ
ーザ21の共振器内ではTEモードの光で占められてい
るため何ら影響を受けることがない。
In this case, the linearly polarized light corresponding to the reflected light dTM mode will be re-injected into the semiconductor laser 21, but since the resonator of the semiconductor laser 21 is occupied by TE mode light, it will not be affected in any way. do not have.

また以上の実施例では光アイソレータ26が第1の集束
性ロッドレンズの平端面側に近接配置されているが、第
1の集束性ロッドレンズ23と第2の集束性ロッドレン
ズ240間にあるならば、どのような配置としてもよい
。例えば光アイソレータ26の構成要素を2つあるいは
3つに分離してレンズ間の空間に配置しても、あるいは
2つのレンズの平端面上に別々に近接配置させても特性
上の差は見られない。さらに本実施例では磁性体薄膜2
8としてYIGを用いたが、YIGにとくに限定されな
いことは言うまでもない。また光結合器として第1と第
2の集束性ロッドレンズ23゜24を用いたが、この代
りに球レンズと球レンズの組合わせでもよくまた球レン
ズと集束性ロッドレンズの組合わせでもよく非共焦点系
の結合回路を用いること以外は特に限定されるものでは
ない。
Further, in the above embodiment, the optical isolator 26 is arranged close to the flat end surface side of the first focusing rod lens, but if it is located between the first focusing rod lens 23 and the second focusing rod lens 240, For example, any arrangement may be used. For example, no difference in characteristics can be seen even if the components of the optical isolator 26 are separated into two or three parts and placed in the space between the lenses, or if they are placed separately and close to each other on the flat end surfaces of the two lenses. do not have. Furthermore, in this embodiment, the magnetic thin film 2
Although YIG was used as 8, it goes without saying that it is not particularly limited to YIG. Furthermore, although the first and second converging rod lenses 23 and 24 were used as optical couplers, a combination of a ball lens and a ball lens or a combination of a ball lens and a convergence rod lens may be used instead. There is no particular limitation except that a confocal coupling circuit is used.

また以上の実施例では磁性体薄膜30に限定したが、3
0dB以上の高いアイソレーションを得るためにはバル
ク結晶を用いてもよいことは言うまでもない。
Further, in the above embodiment, the magnetic thin film 30 was limited, but 3
Needless to say, a bulk crystal may be used to obtain high isolation of 0 dB or more.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、元ファイバとの結
合効率を劣化させることなく光アイソレータを容易に実
装できる元アイソレータ付半専体し−サモジー−ルか得
られる。
As explained above, according to the present invention, it is possible to obtain a semi-dedicated thermosilicator with an original isolator in which an optical isolator can be easily mounted without deteriorating the coupling efficiency with the original fiber.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の実施例の側面断面図、第2図は従来の
元アイソレータの構造の一例を示す断面図である。 lO°°°°゛°ファラテー回転子、11・−・・・・
バルク状の磁性体、12・・・・・・偏光子、13・旧
・・検光子、14・・・・・・磁石、21・・・・・・
半導体レーザ、22・・・・・・光ファイバ、23・・
・・・・第1の集束性ロッドレンズ、24゛°°°第2
の集束性ロッドレンズ、25・・・・・・出力光。 26・・・・・・光アイソレータ、27・・・・・・偏
光子、28・・・・・・磁性体薄膜、29・・・・・・
検光子、3o・−・・・・磁石、5o・・・・・・中心
軸、51・・・・・・光軸。
FIG. 1 is a side sectional view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing an example of the structure of a conventional original isolator. lO°°°°゛°Faraty rotor, 11...
Bulk magnetic material, 12...Polarizer, 13 Old...Analyzer, 14...Magnet, 21...
Semiconductor laser, 22... Optical fiber, 23...
...First focusing rod lens, 24゛°°°second
Focusing rod lens, 25...output light. 26... Optical isolator, 27... Polarizer, 28... Magnetic thin film, 29...
Analyzer, 3o... Magnet, 5o... Central axis, 51... Optical axis.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体レーザと、前記半導体レーザに面する側の
端面が凸曲面状に形成され中心軸からの距離に対して屈
折率がほぼ2乗分布で減少する凸曲面付の第1の集束性
ロッドレンズと、両端面が平面で1方の端面が光ファイ
バに近接した第2の集束性ロッドレンズとからなる非共
焦点系光結合器において、前記第1の集束性ロッドレン
ズと前記第2の集束性ロッドレンズの間に偏光子、磁性
体と磁石からなるファラデー回転子、検光子とからなる
光アイソレータが挿入されていることを特徴とする光ア
イソレータ付半導体レーザモジュール。
(1) A semiconductor laser and a first convergence feature with a convex curved surface, in which the end face facing the semiconductor laser is formed in a convex curved shape, and the refractive index decreases with approximately square distribution with respect to the distance from the central axis. A non-confocal optical coupler comprising a rod lens and a second focusing rod lens having flat end surfaces and one end surface close to an optical fiber, wherein the first focusing rod lens and the second focusing rod lens A semiconductor laser module with an optical isolator, characterized in that an optical isolator consisting of a polarizer, a Faraday rotator made of a magnetic material and a magnet, and an analyzer is inserted between the focusing rod lenses.
(2)前記ファラデー回転子の磁性体としてエピタキシ
ャル成長法により形成した磁性体薄膜を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載された光アイソレ
ータ付半導体レーザモジュール。
(2) The semiconductor laser module with an optical isolator as set forth in claim 1, wherein a magnetic thin film formed by an epitaxial growth method is used as the magnetic material of the Faraday rotator.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5267077A (en) * 1990-11-05 1993-11-30 At&T Bell Laboratories Spherical multicomponent optical isolator
US6359722B1 (en) * 1999-10-27 2002-03-19 Minebea Co., Ltd. Optical isolator with a compact dimension

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US5267077A (en) * 1990-11-05 1993-11-30 At&T Bell Laboratories Spherical multicomponent optical isolator
US6359722B1 (en) * 1999-10-27 2002-03-19 Minebea Co., Ltd. Optical isolator with a compact dimension

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