JPS61128618A - Manufacture of surface acoustic wave device - Google Patents
Manufacture of surface acoustic wave deviceInfo
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- JPS61128618A JPS61128618A JP25099984A JP25099984A JPS61128618A JP S61128618 A JPS61128618 A JP S61128618A JP 25099984 A JP25099984 A JP 25099984A JP 25099984 A JP25099984 A JP 25099984A JP S61128618 A JPS61128618 A JP S61128618A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ガラスを基板として使用する表面波装置の製
造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device using glass as a substrate.
(従来技術)
一般に、ガラスを基板として使用する表面波装置は、第
3図(a)および第3図(b)に示すように、無アルカ
リガラス等のガラス基板1の主表面に、櫛歯状の入力側
インタディジタル電極2と出力側インタディジタル電極
3を中心間距離りをおいて形成するとともに、その上に
ZnOの圧電膜4を形成し、入力側インタディジタル電
極2に印加された電気信号によりこの入力側インタディ
ジタル電極2上の圧電HtA4で発生され、この圧電膜
4およびガラス基板1を媒質として伝播する表面波VO
を、出力側インタディジタル電極3によって再び電気信
号に変換して取り出す構成を有する。(Prior Art) In general, a surface acoustic wave device using glass as a substrate has comb teeth on the main surface of a glass substrate 1 made of alkali-free glass, etc., as shown in FIGS. 3(a) and 3(b). An input-side interdigital electrode 2 and an output-side interdigital electrode 3 are formed with a distance between their centers, and a piezoelectric film 4 of ZnO is formed thereon, so that the electricity applied to the input-side interdigital electrode 2 is A surface wave VO is generated in the piezoelectric HtA4 on the input side interdigital electrode 2 by the signal and propagates through the piezoelectric film 4 and the glass substrate 1 as a medium.
It has a configuration in which the output-side interdigital electrode 3 converts the signal into an electric signal again and extracts it.
従来より、上記のような構成を有する表面波装置を製造
するには、第4図に示すように、50mm×50關程度
の大きさを有する一枚のガラス板5の主表面に、点線で
示す区画6に第3図(a)の入力側インタディジタル電
極2および出力側インタディジタル電極3を形成する。Conventionally, in order to manufacture a surface acoustic wave device having the above-mentioned configuration, as shown in FIG. The input side interdigital electrode 2 and the output side interdigital electrode 3 shown in FIG. 3(a) are formed in the section 6 shown.
その後、これら入力側インタディジタル電極2および出
力側インタディジタル電極3が形成されたガラス板5の
主表面全体もしくは部分的に、スバ/タリングの手法に
より、ZnOからなる圧電材料膜(図示せず。)を形成
する。このガラス板5を、そのいま一つの主表面側から
第4図において2点鎖線!で示すように、ダイヤモンド
刃もしくは超硬ロール刃(いずれら図示せず。)を使用
して切断し、第3図(a)に示す表面波装置に分離して
いる。Thereafter, the entire or partial main surface of the glass plate 5 on which the input-side interdigital electrodes 2 and the output-side interdigital electrodes 3 are formed is coated with a piezoelectric material film (not shown) made of ZnO by a sputtering method. ) to form. The two-dot chain line in FIG. 4 shows this glass plate 5 from its other main surface side! As shown in FIG. 3(a), it is cut using a diamond blade or a carbide roll blade (none of which is shown), and separated into the surface acoustic wave device shown in FIG. 3(a).
ところで、上記従来の表面波装置の製造方法では、スパ
ッタリングにより圧電材料膜を形成する際、このスパッ
タリング中にガラス板5に熱ひずみが加わる。この熱ひ
ずみのため、プラス板5のダイヤモンド刃や超硬ロール
刃等による切断(スクライブ)時にこのガラス板5にク
ランク等が生じ、表面波装置の製造時の良品率が低くな
るという問題があった。By the way, in the above-mentioned conventional method for manufacturing a surface acoustic wave device, when forming a piezoelectric material film by sputtering, thermal strain is applied to the glass plate 5 during this sputtering. Due to this thermal strain, cranks, etc. occur in the glass plate 5 when the glass plate 5 is cut (scribed) with a diamond blade, a carbide roll blade, etc., resulting in a problem that the yield rate during the manufacture of surface acoustic wave devices is low. Ta.
(発明の目的)
本発明はプラス板を使用した表面波装置の製造方法にお
ける上記問題点に鑑みてなされたものであって、ガラス
板のクラック等の発生を抑え、良品率を高めるようにし
た表面波装置の製造方法を提供することを目的としてい
る。(Purpose of the Invention) The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the manufacturing method of a surface acoustic wave device using a plastic plate. The present invention aims to provide a method for manufacturing a surface wave device.
(発明の構成)
このため、本発明は、圧電材料膜が形成されるガラス板
の主表面に対向するいま一つの主表面側に金属膜を形成
し、この金属膜の上からレーザを照射して〃う基板に切
断溝を形成し、この切断溝を利用してガラス板の上に形
成された表面波装置を分離することを特徴とするもので
ある。すなわち、本発明は、表面波装置が形成されるプ
ラス板に金属膜を形成し、この金属膜を通してプラス板
にレーザを照射することにより、このガラス板を切断す
る。レーザがプラス板に照射された際、このガラス板に
加えられる熱衝撃が金属膜により拡散され、プラス板に
クラック等が発生するのが少くなる。(Structure of the Invention) For this reason, the present invention forms a metal film on another main surface side opposite to the main surface of the glass plate on which the piezoelectric material film is formed, and irradiates laser from above this metal film. This method is characterized in that a cutting groove is formed in the substrate, and the surface acoustic wave device formed on the glass plate is separated using the cutting groove. That is, in the present invention, a metal film is formed on a positive plate on which a surface wave device is formed, and the glass plate is cut by irradiating the positive plate with a laser through the metal film. When the plastic plate is irradiated with a laser, the thermal shock applied to the glass plate is diffused by the metal film, reducing the occurrence of cracks on the plastic plate.
(発明の効果)
本発明によれば、表面波装置を形成したガラス板に形成
された金属膜を通してレーザが照射されるので、ガラス
板に照射されたレーザによる熱衝撃が金属膜により拡散
され、ガラス基板を切断してその上に形成された表面波
装置の分離時に、ガラス基板にクラック等が発生するこ
とが少くなり、表面波装置の製造時の良品率を大幅に向
上させることか′できる。(Effects of the Invention) According to the present invention, since the laser is irradiated through the metal film formed on the glass plate forming the surface wave device, the thermal shock caused by the laser irradiated on the glass plate is diffused by the metal film. When cutting the glass substrate and separating the surface acoustic wave devices formed on it, cracks are less likely to occur on the glass substrate, and the yield rate during the manufacturing of surface acoustic wave devices can be greatly improved. .
(実施例)
以下、添付図面を参照して本発明に係る表面波装置の製
造方法を説明する。(Example) Hereinafter, a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
先ず、第1図(a)に示すように、−辺が例えば50m
mで厚さが0.7+amのほう硅酸ガラス等のプラス板
11を用意する。First, as shown in Fig. 1(a), the − side is, for example, 50 m.
A plastic plate 11 made of borosilicate glass or the like with a thickness of 0.7 am and a thickness of 0.7 am is prepared.
このガラス板11には、第1図(b)に示すように、そ
の一つの主表面11aに、@4図と全く同様に、複数対
の入力側インタディジタル電極12および出力側インタ
ディジタル環Fii13を形成する。これら入力側イン
タディジタル環w1.12および出力側インタディジタ
ル電極13は、たとえば、アルミニウム(Af)の蒸着
および7オトエツチングの手法により形成することがで
きる。As shown in FIG. 1(b), this glass plate 11 has a plurality of pairs of input-side interdigital electrodes 12 and output-side interdigital rings Fii 13 on one main surface 11a, just as shown in FIG. form. These input-side interdigital ring w1.12 and output-side interdigital electrode 13 can be formed, for example, by vapor deposition of aluminum (Af) and etching.
その後、上記ガラス板11の主表面11aの上には、第
1図(c)に示すように、スパッタリングによ’)Zn
O等の圧電材料膜14を形成する。Thereafter, as shown in FIG. 1(c), Zn is deposited on the main surface 11a of the glass plate 11 by sputtering.
A piezoelectric material film 14 made of O or the like is formed.
一方、上記ガラス板11のいま一つの主表面11b上に
は、第1図(d)に示すように、ニッケル(Ni)の金
属膜15を形成する。この金属膜15は、印刷もしくは
蒸着等の手法で形成することができる。その厚さは、印
刷で形成した場合は3μm程度であり、蒸着で形成した
場合は0.6μm程度である。なお、この金属膜15は
、入力側インタディジタル電極12.出力側インタディ
ジタル電極13の形成前に形成してもよく、また、これ
ら入力端インタディジタル電極12.出力側インタディ
ジタル電極13の形成工程と、圧電材料膜14の形成工
程との間で形成してもよい。On the other hand, on the other main surface 11b of the glass plate 11, a metal film 15 of nickel (Ni) is formed as shown in FIG. 1(d). This metal film 15 can be formed by a method such as printing or vapor deposition. Its thickness is about 3 μm when it is formed by printing, and about 0.6 μm when it is formed by vapor deposition. Note that this metal film 15 is connected to the input side interdigital electrodes 12. It may be formed before forming the output side interdigital electrodes 13, and these input side interdigital electrodes 12. It may be formed between the step of forming the output side interdigital electrode 13 and the step of forming the piezoelectric material film 14.
このように、主表面11b上に金属膜15を形成したガ
ラス基板11には、この金属膜15の上から、第1図(
d)に矢印Aで示すように、たとえばCo2レーザを照
射し、深さdが例えば0.18mmの切断溝16を形成
する。In this way, the glass substrate 11 with the metal film 15 formed on the main surface 11b is coated from above the metal film 15 as shown in FIG.
As shown by arrow A in d), for example, a Co2 laser is irradiated to form a cutting groove 16 having a depth d of, for example, 0.18 mm.
この切断溝16にて上記ガラス基板11を割って表面波
装置を分離する。The glass substrate 11 is broken at the cutting groove 16 to separate the surface acoustic wave device.
このようにして分離された表面波装置は、第2図(a)
および第2図(b)に示すように、入力側インタディジ
タル電極12の引出電極12a、12bには引出型1M
21a、21bが、出力側インタディジタル電極13の
引出電極13a、13bには端子電極22a、22bが
、また、金属膜15にはアース端子23が夫々半田付け
された後、外装樹脂24で被覆される。The surface wave device separated in this way is shown in Figure 2(a).
As shown in FIG. 2(b), the lead-out electrodes 12a and 12b of the input side interdigital electrode 12 have a lead-out type 1M.
Terminal electrodes 22a and 22b are soldered to the extraction electrodes 13a and 13b of the output side interdigital electrode 13, and a ground terminal 23 is soldered to the metal film 15, respectively, and then the terminal electrodes 21a and 21b are covered with an exterior resin 24. Ru.
上記のように予め形成した金属膜15を通してがラス板
11にCO2レーザを照射すれば、既に述べたように、
CO2レーザが〃ラス板11に照射された際の熱衝撃が
上記金属膜15で拡散され、スパッタリングによる圧電
膜14の形成時に、ガラス板11に熱ひずみが与えられ
ても、スクライブ時にこのガラス板11にクラックが発
生することは少くなる。If the CO2 laser is irradiated onto the lath plate 11 through the metal film 15 formed in advance as described above, as described above,
Thermal shock generated when the lath plate 11 is irradiated with the CO2 laser is diffused by the metal film 15, and even if thermal strain is applied to the glass plate 11 during the formation of the piezoelectric film 14 by sputtering, the glass plate 11 will not be damaged during scribing. 11 is less likely to develop cracks.
また、金属膜15は、上記のように、アース端子23を
取り付け、シールド用の電極としても利用することがで
きる。この金属膜15はニッケル以外の金属材料を使用
することもできる。Further, as described above, the metal film 15 can be attached with the earth terminal 23 and used as a shielding electrode. This metal film 15 can also be made of metal materials other than nickel.
以上に説明した本発明の実施例によれば、〃う基板11
のクラック発生の減少により、表面波装置のカット良品
率は96バーセントから99パーセントに向上させるこ
とができた。According to the embodiment of the present invention described above, the substrate 11
By reducing the occurrence of cracks, the cut yield rate of the surface acoustic wave device was improved from 96% to 99%.
第1図(a)、第1図(b)、第1図(c)および第1
図(d)は夫々本発明に係る表面波装置の製造方法の説
明図であ1)、第2図(、)は本発明方法により製造さ
れた表面波装置の平面図、第2図(b)は第2図(a)
の表面波装置のII−II線に沿う断面図、第3図(a
)は従来の製造方法により装造される表面波装置の平面
図、第3図(b)は第3図(a)の表面波装置の[V−
IV線に沿う断面図、第4図は従来の表面波装置の製造
方法の説明図である。
11・・・〃う基板(lla、1111・・・主表面)
、12・・・入力側インタディジタル電極、13・・・
出力側インタディンタル電極、14・・・圧電材料膜、
25・・・金属膜、16・・・切断溝。
第1因
11o 23 15 11bt゛
第3図
第4因Figure 1(a), Figure 1(b), Figure 1(c) and Figure 1
Figure (d) is an explanatory diagram of the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention, respectively. ) is shown in Figure 2(a)
A cross-sectional view along the line II-II of the surface acoustic wave device shown in FIG.
) is a plan view of a surface wave device manufactured by a conventional manufacturing method, and FIG. 3(b) is a plan view of the surface wave device of FIG. 3(a).
FIG. 4, a cross-sectional view taken along line IV, is an explanatory diagram of a conventional method of manufacturing a surface acoustic wave device. 11... substrate (lla, 1111... main surface)
, 12... Input side interdigital electrode, 13...
Output side interdyntal electrode, 14... piezoelectric material film,
25... Metal film, 16... Cutting groove. 1st cause 11o 23 15 11bt゛Figure 3 4th cause
Claims (1)
電極および出力側インタディジタル電極と圧電材料膜が
形成された一枚のガラス板を、入力側インタディジタル
電極および出力側インタディジタル電極の対を含んで切
断することにより表面波装置を製造する表面波装置の製
造方法であって、上記ガラス板の他方の主表面に金属膜
を形成し、この金属膜の上からレーザを照射して切断溝
を形成し、上記ガラス板を切断することを特徴とする表
面波装置の製造方法。(1) A single glass plate with multiple pairs of input-side interdigital electrodes and output-side interdigital electrodes and a piezoelectric material film formed on one main surface is connected to a pair of input-side interdigital electrodes and output-side interdigital electrodes. A method for manufacturing a surface wave device, the method comprising: forming a metal film on the other main surface of the glass plate, and irradiating the metal film with a laser to cut the surface wave device. A method of manufacturing a surface acoustic wave device, comprising forming grooves and cutting the glass plate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25099984A JPS61128618A (en) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | Manufacture of surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25099984A JPS61128618A (en) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | Manufacture of surface acoustic wave device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61128618A true JPS61128618A (en) | 1986-06-16 |
JPH0252448B2 JPH0252448B2 (en) | 1990-11-13 |
Family
ID=17216142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25099984A Granted JPS61128618A (en) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | Manufacture of surface acoustic wave device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61128618A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6240812A (en) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Toshiba Corp | Surface acoustic wave device |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP25099984A patent/JPS61128618A/en active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6240812A (en) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Toshiba Corp | Surface acoustic wave device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0252448B2 (en) | 1990-11-13 |
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Legal Events
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EXPY | Cancellation because of completion of term |