JPS61118020A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPS61118020A
JPS61118020A JP24016684A JP24016684A JPS61118020A JP S61118020 A JPS61118020 A JP S61118020A JP 24016684 A JP24016684 A JP 24016684A JP 24016684 A JP24016684 A JP 24016684A JP S61118020 A JPS61118020 A JP S61118020A
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transistor
base
current
level
input
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JP24016684A
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Japanese (ja)
Inventor
Seiichiro Kikuyama
菊山 誠一郎
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0008Arrangements for reducing power consumption
    • H03K19/001Arrangements for reducing power consumption in bipolar transistor circuits

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Abstract

PURPOSE:To limit a through-current by providing a transistor (TR) between the base of the 3rd TR connected between the base and the emitter of the 1st TR and the 2nd potential point. CONSTITUTION:When a through-current flows to the 2nd potential point 2 from the 1st potential point 1 via the 1st and 2nd TRs 6, 8, a base-emitter voltage of the TR 8 is increased as the through-current increases. Then the base-emitter voltage of the 7th TR 17 is increased. When the base-emitter voltage of the TR 7 is increased, a collector current of the TR 17 is increased to decrease the base current from a constant current source 14 to the 3rd TR 9.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路装置に係り、例えば大電流で
はモータのドライブ回路、小電流でけTTL論理回路の
出力回路等に用いられるトーテムポール形出力回路に関
するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, for example, a totem pole type device used in a motor drive circuit for large currents, an output circuit of a TTL logic circuit for small currents, etc. This relates to the output circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第2図は従来のこの種トーテムポール形出力回路を示す
ものであり、図において(1)は電源電位である第1′
dL位点、(2)は接地電位である第2亀位点、(3)
は″Hルベル及びゝLルベルからなる第1人力信号が入
力される第1入力端、(4)は1Hルベル及び%LIレ
ベルからなる第2人力信号か入力される第2入力端で、
第2入力端号は上記第1人力信号か1Hルベルのときは
1Hルベル又hゝLルベルであり、上記第1人力信号か
1Lルベルのときけ1「レベルになる関係になっており
、両者かゝLルベルになることけないものである。(5
)は出力端、(6)はコレクタが電流制御用抵抗(7)
を介して上記第11E位点に扱絖されるとともにエミッ
タか上記出力端(5)に&&される出力用NPIII 
)ランジスタからなる第1のトランジスタ、(s)F!
上記出力端と上記第2電位点との間に接続される出力用
NPN )ランジスタからなル第2ノトランシスタ、(
9)は上記第1のトランジスタ(6)のベース・コレク
タ間に接続されるパワー用NPNトランジスタからなる
第3のトランジスタ、α0け上記Mlのトランジスタ(
6)のベース・エミッタ間に!1i&されるバイアス用
抵抗、■は上記第2のトランジスタ(8)のベース・コ
レクタ間に接続されるハフ −用NPN )ランジスタ
からなる第4のトランジスタ、■は上記第2のトランジ
スタ18)のベース・エミッタ間に接続されるバイアス
用抵抗、a3はコレクタが上記第3のトランジスタ(9
)のベースに接続されるとともにトランジスタ等にて構
成される定電流源(2)を介して上記第1電位点(1)
に接続され、エミッタが上記第21を位点(2)に接続
嘔れ、ベースが上記第1入力端(3)に接続される入力
用NPNトランジスタからなる第5のトランジスタ、b
はコレクタか上記第4のトランジスタ■のベースに接続
されるとともにトランジスタ等により構成される定電流
源師を介して上記第1電位点(1)に接続され、エミッ
タが上記第2電位点に接続され、ベースが上記第2入力
端(4)に接続される入力用NI’Nトランジスタから
なる!46のトランジスタである。
Figure 2 shows a conventional totem-pole output circuit of this type.
dL point, (2) is the second point at ground potential, (3)
(4) is the first input terminal into which the first human power signal consisting of ``H level and ゝL level is input; (4) is the second input terminal into which the second human power signal consisting of 1H level and %LI level is input;
When the first human power signal is 1H level, the second input terminal signal is 1H level or hL level, and when the first human power signal is 1L level, the level is 1. It is impossible to become a L-rubel. (5
) is the output terminal, and (6) is the current control resistor (7).
The output NPIII is connected to the 11th E point via the emitter or the output terminal (5).
) the first transistor consisting of a transistor, (s)F!
A second output transistor (NPN) transistor connected between the output terminal and the second potential point;
9) is a third transistor consisting of a power NPN transistor connected between the base and collector of the first transistor (6), α0 is the transistor of Ml above (
6) between the base and emitter! 1i & bias resistor, ■ is the fourth transistor consisting of a Hough NPN) transistor connected between the base and collector of the second transistor (8), and ■ is the base of the second transistor (18).・The bias resistor a3 is connected between the emitters and the collector is connected to the third transistor (9).
) is connected to the base of the first potential point (1) via a constant current source (2) composed of a transistor, etc.
a fifth transistor consisting of an input NPN transistor, whose emitter connects the 21st point to the point (2) and whose base is connected to the first input terminal (3);
is connected to the collector or the base of the fourth transistor (2), and is also connected to the first potential point (1) via a constant current source constituted by a transistor, etc., and the emitter is connected to the second potential point. is composed of an input NI'N transistor whose base is connected to the second input terminal (4)! There are 46 transistors.

次にこの様に構成されたトーテムホール形出力回路の動
作について説明する。まず、第1入力端(3)に1Hル
ベルの信号が、第2入力端(4)に1Lルベルの信号が
入力されると、第5のトランジスタo3ハそのベース電
位が1Hルベルとなるため導通状態となり、第1電位点
から定電流源Q4+及び第5のトランジスタ0を介して
第2i1位点(2)に電流が流れることになる。その結
果、第3のトランジスタ(9)のベースにはベース電流
が供給されないため第3のトランジスタ(9)は非導通
状態となり、勤6のトランジスタ(6)のベースにも1
施が供給されないため第6のトランジスタ(6)も非導
通状態となる。また、第6のトランジスタC15けその
ベースh位カ’xr’レベルとなるため非導通状態とな
る。その結果、第1電位点(1)から定電流源aBを介
して一定電流が第4のトランジスタUのベースに供給さ
れるため、第4のトランジスタα11け導通状態になり
、第2のトランジスタ(8)のベースに電流を供給する
ため、第2のトランジスタ(8)も導通状態となる。従
って、出力端(5)から第2のトランジスタ(8)を介
シて第2電位点(2)に電流が流し込まれるようになる
ものである。また、第1入力端(3)に″vレベルの信
号が、第2入力端(4)に1rレベルの信号が入力され
ると、上記と逆の動作、つまり、第5のトランジスタ0
が非導通状態、第3及び第1のトランジスタ(9)。
Next, the operation of the totem-hole type output circuit configured in this manner will be explained. First, when a signal of 1H level is input to the first input terminal (3) and a signal of 1L level is input to the second input terminal (4), the fifth transistor o3 becomes conductive because its base potential becomes 1H level. state, and a current flows from the first potential point to the 2i1 point (2) via the constant current source Q4+ and the fifth transistor 0. As a result, the base current is not supplied to the base of the third transistor (9), so the third transistor (9) becomes non-conductive, and the base of the transistor (6) in shift 6 also has a current.
Since power is not supplied, the sixth transistor (6) also becomes non-conductive. Further, the base of the sixth transistor C15 becomes at the 'xr' level, so that it becomes non-conductive. As a result, a constant current is supplied from the first potential point (1) to the base of the fourth transistor U via the constant current source aB, so that the fourth transistor α11 becomes conductive, and the second transistor ( 8), the second transistor (8) also becomes conductive. Therefore, current flows from the output terminal (5) to the second potential point (2) via the second transistor (8). Further, when a signal of level ``v'' is inputted to the first input terminal (3) and a signal of level 1r is inputted to the second input terminal (4), the operation is reversed to that described above, that is, the fifth transistor 0
are in a non-conducting state, the third and first transistors (9).

(6)が導通状態になるとともに、第6のトランジスタ
Dが導通状態、第4及び第2のトランジスタl、(8)
が非導通状態となるため、第1電位点(1)から電流制
限用抵抗(7)及び第1のトランジスタ(6)を介して
出力端(5)に電流が流れ出すことになるものである。
(6) becomes conductive, the sixth transistor D becomes conductive, and the fourth and second transistors l, (8)
becomes non-conductive, so a current flows from the first potential point (1) to the output end (5) via the current limiting resistor (7) and the first transistor (6).

さらに、第1及び第2入力端(3)両者に1Hルベルの
信号が入力されると、第5のトランジスタ03が導通状
態にな冷ため、第3及び第1のトランジスタ(91、(
6)が非導通状態となるとともに、第6のトランジスタ
巴も導通状態になるため、第4及び第1のトランジスタ
但、 (81も非導通状態となるものである。従って、
出力端(5)は電気的に浮いた状態となるものである。
Further, when a signal of 1H level is input to both the first and second input terminals (3), the fifth transistor 03 becomes conductive and cools down, so that the third and first transistors (91, (
6) becomes non-conductive, and the sixth transistor Tomoe also becomes conductive, so that the fourth and first transistors (81 also become non-conductive. Therefore,
The output end (5) is in an electrically floating state.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記の様に構成されたトーテムポール形出力回路におい
ては、第1及び第2入力端+3)、 (4)に入力され
る信号レベルの切換わり時、つまり第1入力端(3)に
入力される信号レベルが1Hルベルかう%L# レベル
に、第2入力端(4)に入力される信号レベルが% I
Ifレベルから1Hルベルに切換る時、あるいけ第1入
力端(3)に入力される信号レベルが1Lルベルから′
″HHルベル第2入力端(4)に入力賂れる信号レベル
が″″H#H#レベルLaレベルに切換る時に、第1及
び第2人力信号の切換りに差が生じたり、第1ナイし第
6のトランジスタ(6) (81(91(11) 03
 Q51のスイッチングスピードの差により、第5及び
第6のトランジスタa3(至)両者とも非導通状態であ
り、第1及び第2のトランジスタf6) (8)両者と
も同時に導通状態となる。その結果、第11!位点(1
)から電流制限用抵抗(7)並びに第1及び第2のトラ
ンジスタ(61+81を介して第2を位点(2)に貫通
電流が流れるものであり、この貫通電流が大電流となっ
て第1及び第2のトランジスタ(6)の破壊するのを防
止するため電流制限用抵抗(7)を挿入して、貫通電流
の電流値を制限しているものである。
In the totem pole output circuit configured as described above, when the signal level input to the first and second input terminals +3) and (4) switches, that is, when the signal level input to the first input terminal (3) is switched, The signal level input to the second input terminal (4) is 1H level or %L# level, and the signal level input to the second input terminal (4) is %I level.
When switching from If level to 1H level, the signal level input to the first input terminal (3) changes from 1L level to '
When the signal level input to the second input terminal (4) of the HH level switches to the H#H# level La level, a difference may occur between the switching of the first and second human input signals, or the first The sixth transistor (6) (81 (91 (11) 03
Due to the difference in switching speed of Q51, both the fifth and sixth transistors a3 (to) are in a non-conducting state, and the first and second transistors f6) (8) are both in a conducting state at the same time. As a result, the 11th! place point (1
) through the current limiting resistor (7) and the first and second transistors (61+81), a through current flows from the second to the point (2), and this through current becomes a large current and the first In order to prevent the second transistor (6) from being destroyed, a current limiting resistor (7) is inserted to limit the current value of the through current.

しかるに、電流制限用抵抗(7)を挿入したことにより
、第1電位点(1)から出力端!5)へ電流を流し出す
際に、電流制限用抵抗(7)での電圧降下が生じ、出力
端(5)に大きな出力電流を流し出せないという問題点
を有するものであった。
However, by inserting the current limiting resistor (7), the output terminal from the first potential point (1)! 5), a voltage drop occurs at the current-limiting resistor (7), resulting in a problem in that a large output current cannot be flowed out to the output terminal (5).

この発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、出
力端に大きな出力電流を流し出せるとともに、第1及び
第2のトランジスタ両者が導通状態になっても第1電位
点と第21!位点との間に流れる貫通電流の電流値を制
限できる半導体集積回路装置を得ることを目的としてい
るものである。
This invention has been made in view of the above points, and allows a large output current to flow to the output terminal, and even when both the first and second transistors are in a conductive state, the first potential point and the 21st! The object of the present invention is to obtain a semiconductor integrated circuit device that can limit the current value of the through current flowing between the points and the points.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係る半導体集積回路装置は、第1電位点と出
力端との間に接続され、第1入力端に入力される第1人
力信号に基づき、導通状態・非導通状態が制御される第
1のトランジスタと、出力端と第2電位点との間に接続
され、第2入力端に入力される第2人力信号に基づき、
導通状態・非導通状態が制御される第2のトランジスタ
を備えたものにおいて、第1のトランジスタのベース・
エミッタ間に接続される第3のトランジスタのベースと
第2を位点との間に接続され、ベースか抵抗を介して第
2のトランジスタのベースに接続さnる第7のトランジ
スタを設けたものである。
The semiconductor integrated circuit device according to the present invention has a semiconductor integrated circuit device connected between a first potential point and an output terminal, and whose conducting state and non-conducting state are controlled based on a first human power signal inputted to the first input terminal. Based on the second human power signal connected between the first transistor and the output terminal and the second potential point and input to the second input terminal,
In a device including a second transistor whose conducting state and non-conducting state are controlled, the base of the first transistor
A seventh transistor connected between the base of the third transistor connected between the emitters and the second point, and connected to the base of the second transistor via the base or a resistor. It is.

〔作 用〕[For production]

この発明においては、第1電位点−第1及び第2のトラ
ンジスター第2電位点に貫通電流が流れると第2のトラ
ンジスタのベース・エミッタ1m1fE圧が増加して第
7のトランジスタのベースを流が増加し、第7のトラン
ジスタのコレクタ電流が増加することになり、第3のト
ランジスタのペース電流が減少して第1のトランジスタ
のコレクタ電流、つまり貫通電流を減少させるものであ
る。
In this invention, when a through current flows between the first potential point and the second potential point of the first and second transistors, the base-emitter 1m1fE pressure of the second transistor increases and the current flows through the base of the seventh transistor. As a result, the collector current of the seventh transistor increases, the pace current of the third transistor decreases, and the collector current of the first transistor, that is, the through current decreases.

〔実施例〕〔Example〕

以下にこの発明の一実施例を第1図に基づいて説明する
と、図において、αりけ第3のトランジスタ(9)のベ
ースと第2i1位点(2)との間に接続され、ベースが
抵抗(至)を介して接続されるNPN )ランジスタか
らなる第7のトランジスタである。
An embodiment of the present invention will be described below based on FIG. The seventh transistor is an NPN transistor connected through a resistor.

次に、この様に構成された半導体集積回路装置のトーテ
ムポール形半導体装置の動作について説明する。
Next, the operation of the totem pole type semiconductor device of the semiconductor integrated circuit device configured in this manner will be explained.

まず、第1入力端(3)に″Hルベルの信号カ、714
2入力端(4)に′″LLルベル号が入力されると、第
5のトランジスタ+13はそのペース電位が1Hルベル
となるため導通状態となり、第1t位点から定電流源(
14及び第5のトランジスタ0を介して第2電位点(2
)に電流が流れることになる。その結果、第3のトラン
ジスタ(9)のベースにはベース電流が供給きれないた
め第3のトランジスタ(9)は非導通状態となり、88
6のトランジスタ(6)のベースにも電流が供給されな
いため、第6のトランジスタ(6)も非導通状態となる
。まに1第6のトランジスタ(2)はそのベース電位が
1Lルベルとなるため非導通状態となる。その結果、第
1−位点(1)から定電流源@を介して一定電流か第4
のトランジスタUのベースに供給されるため、第4のト
ランジスタ0は導通状態になり、第2のトランジスタ(
8)のベースに電流を供給するため、第2のトランジス
タ(8)も導通状態となる。従って、出力端(5)から
第2のトランジスタ(8)を介して第2亀位点(2)に
電流が流し込まれるようになるものである。この時、第
7のトランジスタαηけ、第4のトランジスタIか導通
状態であるため、ベース電流が供給されて導通状態にな
り、第5のトランジスタDとともに定電流源04)から
の電流が流れ、第3のトランジスタ(9)を非導通状態
にしている◇ また、第1入力端(3)に′″VVレベル号が、第2入
力端(4)に1Hルベルの信号が入力されると、上記と
逆の動作、つまり、第5のトランジスタa3が非導通状
態、第3及び第1のトランジスタ19+ +61が導通
状態になるとともに、第6のトランジスタCI5か導通
状態、第4及び第2のトランジスタ0)8)か非導通状
態となるため、第1を位点(1)から電流制限用抵抗(
7)及び第1のトランジスタ(6)を介して出力端(5
)に電流が流れ出すことになるものである。
First, a signal of "H level" is input to the first input terminal (3), 714.
When the LL level is input to the second input terminal (4), the fifth transistor +13 becomes conductive because its pace potential becomes 1H level, and the constant current source (
14 and the fifth transistor 0 to the second potential point (2
) will cause current to flow. As a result, the base current cannot be supplied to the base of the third transistor (9), so the third transistor (9) becomes non-conductive, and the 88
Since no current is supplied to the base of the sixth transistor (6), the sixth transistor (6) also becomes non-conductive. At this time, the base potential of the sixth transistor (2) becomes 1L level, so that it becomes non-conductive. As a result, a constant current flows from the 1st point (1) through the constant current source @
is supplied to the base of transistor U, so the fourth transistor 0 becomes conductive, and the second transistor (
8), the second transistor (8) also becomes conductive. Therefore, current flows from the output terminal (5) to the second point (2) via the second transistor (8). At this time, since the seventh transistor αη and the fourth transistor I are in a conductive state, the base current is supplied and the fourth transistor I becomes conductive, and the current from the constant current source 04) flows together with the fifth transistor D. The third transistor (9) is in a non-conducting state◇ Also, when a ''VV level signal is input to the first input terminal (3) and a 1H level signal is input to the second input terminal (4), The operation is opposite to the above, in other words, the fifth transistor a3 is non-conductive, the third and first transistors 19+ +61 are conductive, and the sixth transistor CI5 is conductive, and the fourth and second transistors are conductive. 0) 8) will be in a non-conducting state, so the current limiting resistor (
7) and the output terminal (5) via the first transistor (6).
), which causes current to flow.

この時、処7のトランジスタα力は、第4のトランジス
タαDが非導通状態であるため、ベース電流が供給され
ず非導通状態になっているものである。
At this time, since the fourth transistor αD is in a non-conducting state, the base current is not supplied to the transistor α in the transistor 7, and the transistor α is in a non-conducting state.

さらに、第1及び第2入力端(3)両者に′Hルベルの
信号が人力されると、第5のトランジスタΩが導通状態
になるため、第3及び第1のトランジスタi9j i6
1が非導通状態となるとともに、第6のトランジスタb
も導通状態になるため、第4及び第1のトランジスタα
11(81も非導通状態となるものである。
Furthermore, when a signal of 'H level is inputted to both the first and second input terminals (3), the fifth transistor Ω becomes conductive, so that the third and first transistors i9j i6
1 becomes non-conductive, and the sixth transistor b
also become conductive, so the fourth and first transistors α
11 (81 is also in a non-conductive state).

従って、出力端(5)は電気的に浮いた状態となるもの
である。この時、第7のトランジスタαηは、第4のト
ランジスタUが非導通状態であるため、ベース電流か供
給されず、非導通状態になっているものである。
Therefore, the output end (5) is in an electrically floating state. At this time, since the fourth transistor U is in a non-conducting state, the seventh transistor αη is not supplied with base current and is in a non-conducting state.

従って、このものにおいても、第7のトランジスタα力
及び抵抗(至)を付加しても、定常状態における回路動
作には側ら影響を与えないものである。
Therefore, in this case as well, even if the seventh transistor α force and resistance are added, the circuit operation in the steady state is not affected.

しかも、第2図″に示した従来のものに比して、電流制
限用抵抗(7)を省いたので、第1のトランジスタ(6
)の導通時における第1を位点(1)からの第1のトラ
ンジスタ(6)を介して出力端(5)に流れろ出力電流
は大きくなるものである。
Moreover, compared to the conventional one shown in FIG.
), the output current that flows from point (1) through the first transistor (6) to the output terminal (5) increases.

次に、第1及び第2入力端(31(4)に入力される信
号レベルの切換わり時における第1及び第2のトランジ
スタ<61 (81の導通に基づく貫通電流の電流値が
、第7のトランジスタ面によって制限できることについ
て説明する。第1を位点(1)から第1及び第2のトラ
ンジスタ(6) (8)を介して第21!位点(2)に
貫通電流が流れると、この貫通電流の増加に伴ない第2
のトランジスタ(8)のベース、エミッタ間電圧vB8
が増加することになる。そして、第7のトランジスタα
hのベース電流は次式(1)で示されるものであるから
、第2のトランジスタ(8)のベース。
Next, the current value of the through current based on the conduction of the first and second transistors < 61 (81) at the time of switching the signal levels input to the first and second input terminals (31 (4) We will explain that it can be limited by the transistor plane of the first point (1).When a through current flows from the first point (1) to the 21st! point (2) via the first and second transistors (6) and (8), As the through current increases, the second
Base-emitter voltage vB8 of transistor (8)
will increase. And the seventh transistor α
Since the base current of h is expressed by the following equation (1), the base current of the second transistor (8).

エミッタ間電圧の増加に伴ない増加することになる0 l−η−(VB、(81−VB]cαり) 7 RQ2
+ ・・−(1)但し、工3αη、vBEa力は第7の
トランジスタαηのベース電流値及びベース・エミッタ
間電圧値、”BE(8)は第2のトランジスタ(8)の
ベース・エミッタ間電圧値、RQ3Hバイアス抵抗■抵
抗抗値である〇このように、第7のトランジスタα力の
ベース・エミッタ聞電圧が増加すると、第7のトランジ
スタQ71 ノコレクタ電流が増加し、定電流源(14
)からの第3のトランジスタ(9)へのベース電流が減
少されることになる。その結果、第1のトランジスタ(
6)のベース電流も減少し、そのコレクタ電流が減少さ
れることになるものである。つまり、第1のトランジス
タ(6)のコレクタ電流が減少することは、まさしく貫
通電流が減少することになり、貫通電流の電流値が制限
されることになるものである。
0 l-η-(VB, (81-VB]cα) which increases as the emitter voltage increases) 7 RQ2
+...-(1) However, the force 3αη, vBEa is the base current value and base-emitter voltage value of the seventh transistor αη, and BE(8) is the base-emitter voltage value of the second transistor (8). Voltage value, RQ3H bias resistance ■ Resistance resistance value 〇 In this way, when the voltage between the base and emitter of the seventh transistor α increases, the collector current of the seventh transistor Q71 increases, and the constant current source (14
) to the third transistor (9) will be reduced. As a result, the first transistor (
The base current of 6) is also reduced, and its collector current is also reduced. In other words, a decrease in the collector current of the first transistor (6) means a decrease in the through current, which limits the current value of the through current.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

Cの発明は以上に述べたように第1を位点と出力端との
間に接続され、第1入力端に入力される第1入力信号に
基づき導通状態・非導通状態が制御される第1のトラン
ジスタと、出力端と第2電位点との間に接続賂れ、第2
入力端に入力される第2入力信号に基づ、き、導通状態
・非導通状態が制御される第2のトランジスタを備えた
ものにおいて、第1のトランジスタのベース・エミッタ
聞に接続蔓れる第3のトランジスタのベースと第2寛位
点との間に接続され、ベースが抵抗を介して第2のトラ
ンジスタのベースに接続される第7のトランジスタを設
けたので、第1141位点と第2電位点との間に貫通電
流が流れると、第7のトランジスタが第1のトランジス
タのコレクタ電流を減少させるため、貫通電流の電流値
が制限でき、しかも、出力端に大きな出力電流を流せる
という効果を有するものである。
As described above, the invention of C has a first terminal connected between a point and an output terminal, and a conductive state and a non-conductive state are controlled based on a first input signal inputted to the first input terminal. There is a connection between the first transistor and the output terminal and the second potential point.
A second transistor connected between the base and emitter of the first transistor is provided with a second transistor whose conductive state and non-conductive state are controlled based on a second input signal inputted to the input terminal. Since a seventh transistor is provided, which is connected between the base of the transistor No. 3 and the second point, and whose base is connected to the base of the second transistor via the resistor, When a through current flows between the potential point and the seventh transistor, the seventh transistor reduces the collector current of the first transistor, so the current value of the through current can be limited, and a large output current can flow through the output terminal. It has the following.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例を示す回路図、第2図は従
来のトーテムポール形出力回路を示す回路図である。 図において、(1)は第1を位点、(2)は第2電位点
、(3)は第1入力端、(4)は第2入力端、(5)は
出力端、(6)は第1のトランジスタ、(8)i第2の
トランジスタ、(9)は第3のトランジスタ、■は第4
のトランジスタ、α3は第5のトランジスタ、凸は第6
のトランジスタ、αηは第9のトランジスタ、■は抵抗
である。 なお、各図中同一符号は同−又は相当笥)分を示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional totem pole type output circuit. In the figure, (1) is the first point, (2) is the second potential point, (3) is the first input terminal, (4) is the second input terminal, (5) is the output terminal, (6) is the first transistor, (8) i is the second transistor, (9) is the third transistor, and ■ is the fourth transistor.
, α3 is the fifth transistor, and the convex one is the sixth transistor.
, αη is the ninth transistor, and ■ is a resistor. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)第1電位点と出力端との間に接続される第1のト
ランジスタ、上記出力端と第2電位点との間に接続され
る第2のトランジスタ、上記第1のトランジスタのベー
ス・コレクタ間に接続される第3のトランジスタ、上記
第2のトランジスタのベース・コレクタ間に接続される
第4のトランジスタ、上記第3のトランジスタのベース
と上記第2電位点との間に接続され、ベースが第1入力
端に接続される第5のトランジスタ、上記第4のトラン
ジスタのベースと上記第2電位点との間に接続され、ベ
ースが第2入力端に接続され、ベースが第2入力端に接
続される第6のトランジスタ、上記第3のトランジスタ
と上記第2電位点との間に接続され、ベースが抵抗を介
して上記第2のトランジスタのベースに接続される第7
のトランジスタを備えた半導体集積回路装置。
(1) A first transistor connected between the first potential point and the output end, a second transistor connected between the output end and the second potential point, and a base of the first transistor. a third transistor connected between the collectors of the transistor; a fourth transistor connected between the base and collector of the second transistor; a fourth transistor connected between the base of the third transistor and the second potential point; a fifth transistor whose base is connected to the first input terminal, a fifth transistor connected between the base of the fourth transistor and the second potential point, whose base is connected to the second input terminal, and whose base is connected to the second input terminal; a seventh transistor connected between the third transistor and the second potential point, the base of which is connected to the base of the second transistor via a resistor;
A semiconductor integrated circuit device equipped with transistors.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0344614A2 (en) * 1988-06-03 1989-12-06 National Semiconductor Corporation TTL totem pole anti-simultaneous conduction circuit
JPH0533541A (en) * 1991-08-01 1993-02-09 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Seal member for housing

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0344614A2 (en) * 1988-06-03 1989-12-06 National Semiconductor Corporation TTL totem pole anti-simultaneous conduction circuit
JPH0533541A (en) * 1991-08-01 1993-02-09 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Seal member for housing

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