JPS6092741A - High speed x-ray ct apparatus - Google Patents

High speed x-ray ct apparatus

Info

Publication number
JPS6092741A
JPS6092741A JP58200232A JP20023283A JPS6092741A JP S6092741 A JPS6092741 A JP S6092741A JP 58200232 A JP58200232 A JP 58200232A JP 20023283 A JP20023283 A JP 20023283A JP S6092741 A JPS6092741 A JP S6092741A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
semi
target ring
electron
annular
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58200232A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH049532B2 (en
Inventor
直 奈良林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP58200232A priority Critical patent/JPS6092741A/en
Publication of JPS6092741A publication Critical patent/JPS6092741A/en
Publication of JPH049532B2 publication Critical patent/JPH049532B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、医療用のみならず二相流体のディト率(蒸気
の体積率ンの分布、配管構造材の欠陥検出等の工業計測
に用いることのできる高速X線CT (Compute
d Tomography )に関する0〔発明の技術
的背景およびその問題点〕被測定物を断層撮影するX線
CT装置は飛躍的な進歩を遂け、Xif管と検出器が対
になつで、直線走査をして回転をしていく第1世代のも
のから始まり、最近では時間分解能10m5をめざした
第5世代の超高速CTが開発されている。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention can be used not only for medical purposes but also for industrial measurements such as the distribution of the Dito ratio of two-phase fluids (vapor volume fraction distribution, defect detection of piping structural materials, etc.) High-speed X-ray CT (Compute
[Technical background of the invention and its problems] X-ray CT devices that take tomographic images of objects to be measured have made dramatic progress, and Xif tubes and detectors are paired to perform linear scanning. Starting with the first-generation CT system, which rotates in the same direction, the fifth-generation ultra-high-speed CT system, which aims for a temporal resolution of 10m5, has recently been developed.

添付図面の第1図乃至第3図を参照して従来装置の構成
例を説明する。なお、以下の図の説明においては同一要
素は同一符号で示す。第1図はD S R(Dynam
ic 5patial Reconstructor)
と呼ばれるX線CT装置の斜視図である。半環状に互い
に対向した各14個のX線管1とX線テレビ撮像管2と
を組合せ、高電圧スイッチ3によってX線管1の電圧を
高速で切換える。これによって、機械走査なしでIWr
In間隔で240断面を10m5以内に撮ることができ
、これを毎秒60回繰返すことができる。
An example of the configuration of a conventional device will be described with reference to FIGS. 1 to 3 of the accompanying drawings. In addition, in the explanation of the following figures, the same elements are indicated by the same reference numerals. Figure 1 shows DSR (Dynam
ic 5patial Reconstructor)
It is a perspective view of an X-ray CT apparatus called. Fourteen X-ray tubes 1 and an X-ray television image pickup tube 2 are combined in a semicircular configuration, and the voltage of the X-ray tubes 1 is switched at high speed by a high-voltage switch 3. This allows IWr without mechanical scanning.
It is possible to take 240 cross sections within 10 m5 at intervals of In, and this can be repeated 60 times per second.

しかし、これでは装置があまりにも大規模(上記のX線
管1から主ベアリング4、ビデオ信号スリップリング5
、高速スリップリンタロまで含めると非常に大型)で、
工業計測には適しない。特に原子炉のように配管が複雑
に密集している所では、配管の供用中検査など罠は用い
ることができない。また、14個のX線管では解像度を
十分に上げることはできず、精密な測定には適しない。
However, this would require too large a device (from the X-ray tube 1 to the main bearing 4, the video signal slip ring 5, etc.).
, very large if you include the high-speed slip lintaro),
Not suitable for industrial measurement. Particularly in places like nuclear reactors where piping is complex and densely packed, traps cannot be used to inspect piping while it is in service. Furthermore, 14 X-ray tubes cannot sufficiently increase the resolution and are not suitable for precise measurements.

第2図はCV CT (Cardio Vascula
r CT )と呼ばれるX線CT装置の斜視図で、第3
図はその側面図である。電子銃7から発射された電子ビ
ーム8は、偏向コイル9によって進行方向を変えられ、
半円錐状真空容器10 を通って半環状真空容器10b
に設けた半環状ターゲットリング11に照射(照射点1
2)される。そして、こ1Lから放射されたX線13は
コリメータ系を経由し、人体を透過した後に半環状X線
アレイセンサー4で検出される。
Figure 2 shows CV CT (Cardio Vascula).
This is a perspective view of an X-ray CT device called
The figure is a side view thereof. The electron beam 8 emitted from the electron gun 7 has its traveling direction changed by a deflection coil 9.
The semi-circular vacuum vessel 10b passes through the semi-conical vacuum vessel 10.
Irradiation to the semi-annular target ring 11 provided at (irradiation point 1
2) To be done. The X-rays 13 emitted from this 1L pass through a collimator system, pass through the human body, and then are detected by the semi-annular X-ray array sensor 4.

なお、電子ビーム8の通路は真空ポンプ15a、15b
によって真空に保たれている。このようにすると、8断
面1200m5以内に撮ることができる○しかし、偏向
コイル9が大きくなって電磁石が大型化し、真空ポンプ
15 a + 15 bが必要になるなど、装置が大規
模化するという欠点がある。
Note that the path of the electron beam 8 is provided by vacuum pumps 15a and 15b.
is kept in a vacuum by In this way, it is possible to take images within 1200 m5 of 8 cross sections. However, the disadvantage is that the deflection coil 9 becomes larger, the electromagnet becomes larger, and vacuum pumps 15a + 15b are required, making the device larger. There is.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上記の従来技術の欠点を克服するためになされ
たもので、装置を小型、軽量化し、医療用のみならず工
業計測用にも利用できるようにした高速X線CT装置を
提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to overcome the drawbacks of the above-mentioned prior art.It is an object of the present invention to provide a high-speed X-ray CT device that is compact and lightweight and can be used not only for medical purposes but also for industrial measurement. With the goal.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

上記の目的を実現するため本発明は、半環状のターゲラ
) IJタング対向して複数個の電子銃を半環状に配設
し、電子銃ごとに偏向手段金膜け、この電子銃の電子ビ
ーム発射動作と偏向手段の偏向動作を電子的に切換える
ことにより、電子ビームをターゲットリング上で連続的
に走査させ、ターゲットリングから放射されたX線を被
測定物をはさんで設けたX線アレイセンサで検知して、
被測定物の断層像を得るようにした高速X線CT装置を
提供するものである。
In order to achieve the above object, the present invention has a plurality of electron guns arranged in a semi-annular shape facing an IJ tongue, a deflection means for each electron gun, and a gold film for deflecting the electron beam of the electron gun. An X-ray array in which the electron beam is continuously scanned over a target ring by electronically switching the emission operation and the deflection operation of the deflection means, and the X-rays emitted from the target ring are placed across the object to be measured. Detected by a sensor,
The present invention provides a high-speed X-ray CT apparatus that obtains a tomographic image of an object to be measured.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、添付図面の第4図乃至第7図を参照して本発明の
一実施例を説明する。第4図は同実施例の要部の斜視図
である0半環状の真空容器10bに設けた半環状ターゲ
ットリング11に対向してn個(図では5個)の電子銃
7〜7 が取シ伺けらa e れ、電子銃7a〜78のそれぞれには偏向板16a〜1
6 が取り付けられている。そして、被測定物17をは
さんで半環状ターゲットリング11に対向して半環状X
線アレイセンサ14が設けられ、これらは移動用レール
18および移動装置19により移動させることかできる
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 7 of the accompanying drawings. FIG. 4 is a perspective view of the main part of the same embodiment. n electron guns 7 to 7 are installed facing a semi-annular target ring 11 provided in a semi-annular vacuum vessel 10b. In addition, each of the electron guns 7a to 78 has deflection plates 16a to 1.
6 is installed. Then, a semi-annular X
A line array sensor 14 is provided, which can be moved by a moving rail 18 and a moving device 19.

第5図は第4図の半環状X線アレイセンサー4の一部の
断面図である。従来装置のアレイセンサには、一対のシ
ンチレータと光電子増倍管を多数並べたものが使用され
ているが、分解能が光電子増倍管の配置によって制限さ
れる。そこで本実施例では、図示の如く半導体CCD素
子加の各受光部21に、光学用シリコングラス22f:
介して薄板状シンチレータ23を密着し、この間に黒色
接着剤2/!を充填してこれらを遮光芥器乙に収納し、
半環状X線アレイセンサ14とした。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a portion of the semicircular X-ray array sensor 4 of FIG. Conventional array sensors use a pair of scintillators and a large number of photomultiplier tubes, but the resolution is limited by the arrangement of the photomultiplier tubes. Therefore, in this embodiment, as shown in the figure, each light receiving section 21 of the semiconductor CCD element is provided with an optical silicon glass 22f:
The thin plate scintillator 23 is closely attached through the film, and the black adhesive 2/! and store them in a light-shielding container.
A semi-annular X-ray array sensor 14 was used.

半導体COD素子別は単独でもnJ視光から紫外線、さ
らに約10KeV以下のエネルギーのX線に対する感度
はあるが、X線CT装置に用いる高エネルギー(約15
KeV以上)のX線は透過してし甘う。そこで、γ線や
高エネルギーのX線に対してもよく発光する性質のある
シンチレータを用い、X線を可視光に変換して半導体C
CD索子かで電気信号に変換する。半導体CCI)素子
加の各受光部21の幅は約25μm程度の微細なものが
可能であり、分解能は非常に高い。また、信号読取り用
の駆動クロックパルスとしては5MHzから10MHz
と非常に高くとれるので、高速OCT画像データの読取
りが可能になる。
Although individual semiconductor COD elements are sensitive to nJ visible light, ultraviolet light, and even X-rays with energies below about 10 KeV, they are sensitive to high-energy (about 15
X-rays (more than KeV) are easily transmitted. Therefore, we used a scintillator that emits well against γ-rays and high-energy X-rays to convert X-rays into visible light and convert semiconductors into visible light.
Convert it into an electrical signal using a CD cable. The width of each light receiving part 21 of the semiconductor CCI) element can be as small as about 25 μm, and the resolution is very high. In addition, the driving clock pulse for signal reading is 5MHz to 10MHz.
This makes it possible to read OCT image data at high speed.

第6図は第4図および第5図に示す実施例の回路図であ
る。電子銃7は、ヒータH(H,、H2)によって加熱
され熱電子を発生するカソードにと、小孔状の第1グリ
ツI′01と、電子レンズを構成する円筒状の第2グリ
ツドG2と、第1陽極P1と、電子を加速する第2陽極
P2とによって構成され、細い電子ビーム8を発射する
。このとき、第1グリツドG1に印加する負の電圧を大
きくしてカットオフ電圧以下にすると、熱電子はカソー
ドKに押し戻されて電子ビーム8は発射されない。従っ
て、1個の電子銃7のみを作動させるには、その電子銃
7の第1グリツドG工に印加する電圧を適当に小さくし
てやればよく、切換は容易である。
FIG. 6 is a circuit diagram of the embodiment shown in FIGS. 4 and 5. The electron gun 7 includes a cathode that is heated by a heater H (H,, H2) and generates thermoelectrons, a first hole-shaped grid I'01, and a cylindrical second grid G2 that constitutes an electron lens. , a first anode P1, and a second anode P2 that accelerates electrons, and emits a narrow electron beam 8. At this time, if the negative voltage applied to the first grid G1 is increased to below the cutoff voltage, the thermoelectrons are pushed back to the cathode K and the electron beam 8 is not emitted. Therefore, in order to operate only one electron gun 7, the voltage applied to the first grid G of the electron gun 7 can be appropriately reduced, and switching is easy.

そこで、本実施例では、これらグリッド等を制御するだ
めの電子銃電源回路がの外に、各を子銃7からの電子ピ
ー480発射動作を切換えるための第1グリッド制御回
路nを設ける。また、発射された電子ビーム8の向きを
変える偏向板168〜16゜に階段状のこぎり波を印加
するだめの階段状のこぎり波発生回路路を設ける。半環
状ターゲットリング11には高圧電源29が供給される
Therefore, in this embodiment, in addition to the electron gun power supply circuit for controlling these grids, etc., a first grid control circuit n is provided for switching the firing operation of the electron beam 480 from each child gun 7. Further, a step-like sawtooth wave generating circuit is provided to apply a step-like sawtooth wave to the deflecting plate 168 to 16° for changing the direction of the emitted electron beam 8. A high voltage power source 29 is supplied to the semi-annular target ring 11 .

第7図は第6図に示す回路の各部の信号の変化を説明す
る波形図である。信号g1+g2+・・・gnは第1グ
リッド制御回路τから各電子銃7a#7b+・・・78
の各第1グリツドG1に与えられるカットオフ切換電圧
で、期間T1では電子銃7a1期間T2では電子銃7b
2期間T3では電子銃7cから電子ビーム8が発射され
る。
FIG. 7 is a waveform diagram illustrating changes in signals at each part of the circuit shown in FIG. 6. Signals g1+g2+...gn are sent from the first grid control circuit τ to each electron gun 7a#7b+...78
With the cutoff switching voltage applied to each first grid G1, the electron gun 7a is applied to the electron gun 7a during the period T1, and the electron gun 7b is applied to the electron gun 7b during the period T2.
During the second period T3, the electron beam 8 is emitted from the electron gun 7c.

信号aは階段状のこぎシ波発生回路四から電子銃7a、
7b・・・7oの各偏向板16a、 IG、・・−16
,に与えられるのこぎり波電圧で、信号すは半環状X線
アレイセンサ14のデータ(信号電荷)収録を開始する
だめの周期ΔTのサンプリング信号起動/eルスである
。このように信号g1〜g+1によって電子ビーム8を
発射する電子銃7a〜7eが順次切換えられ、またのこ
ぎり秋の信号aが偏向板16a〜16eに与えられるの
で電子ビーム8の照射点12は半環状ターゲットリング
ll上を順次移動していくことになる。そして、階段状
のこぎり電圧aに同期してサンプリング信号起動パルス
bが与えられるので、電子ビーム8の照射点12が停止
している周期ΔTの間にX線アレイセンサ14からデー
タの収録がなされるので、CT両画像にじみが無くなっ
て画質が向上する。
The signal a is transmitted from the stepped sawtooth wave generating circuit 4 to the electron gun 7a,
Each deflection plate 16a of 7b...7o, IG,...-16
, and the signal S is a sampling signal activation/e pulse with a period ΔT for starting data (signal charge) recording of the semi-annular X-ray array sensor 14. In this way, the electron guns 7a to 7e that emit the electron beam 8 are sequentially switched according to the signals g1 to g+1, and the sawtooth fall signal a is given to the deflection plates 16a to 16e, so that the irradiation point 12 of the electron beam 8 is semicircular. It will move sequentially on the target ring ll. Since the sampling signal starting pulse b is given in synchronization with the stepped saw voltage a, data is recorded from the X-ray array sensor 14 during the period ΔT when the irradiation point 12 of the electron beam 8 is stopped. Therefore, blurring between both CT images is eliminated and the image quality is improved.

まだ本莢施例では、半環状X線アレイセンサ14として
薄板状シンチレータお付きの半導体CCDCD素子用い
ているので、サンプリング信号起動パルスbに同期して
周期ΔtのサンプリングクロックパルスCがこれに与え
られる。サンプリングクロック・eルスCの周波数を1
0MHzとするとΔt = iooプソ秒、ΔT = 
100マイクロ秒となり、従来よシはるかに解像度をあ
げても、1画面あたり10ミリ秒(T=10ミlJ秒)
の高速収録が達成できる。
In this embodiment, since a semiconductor CCDCD element with a thin plate scintillator is used as the semi-annular X-ray array sensor 14, a sampling clock pulse C with a period Δt is applied to it in synchronization with the sampling signal activation pulse b. . Set the frequency of sampling clock/eRus C to 1
If 0MHz, Δt = ioo psoseconds, ΔT =
100 microseconds, and even if the resolution is much higher than before, it will take 10 milliseconds (T = 10 milJ seconds) per screen.
can achieve high-speed recording.

収録した1画面分の全データは、複数個の半導体メモリ
群へ転送し、次の測定周期Tの間に超高速CTプロセッ
サによシCT画像の再構成計nを完了することができる
。再構成後の画像データはディスクファイルに保存し、
後で再生し、被測定物の詳細な検討を行なう。
All recorded data for one screen can be transferred to a plurality of semiconductor memory groups, and reconstruction of the CT image can be completed by the ultra-high-speed CT processor during the next measurement period T. The image data after reconstruction is saved to a disk file,
It will be played back later and the object to be measured will be examined in detail.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上記の如く本発明によれば、半環状のターゲットリング
に対向して複数個の″dL子銃を半環状に配設し、電子
銃の電子ビーム発射動作および電子銃ごとの偏向手段の
偏向動作を切」晃えるようにしたので、複雑な機械的可
動部分を無くし、大型の電磁石を煕<シて装置を小型、
軽量化し、医療用のみならず工業計測用にも利用できる
ようにした高速X紐CT装置を得ることができる。
As described above, according to the present invention, a plurality of "dL sub-guns are disposed in a semi-annular shape facing a semi-annular target ring, and the electron beam emitting operation of the electron gun and the deflecting operation of the deflection means for each electron gun are performed. This eliminates complex mechanical moving parts and reduces the size of the device by reducing large electromagnets.
It is possible to obtain a high-speed X-string CT device that is lightweight and can be used not only for medical purposes but also for industrial measurement.

また、X線アレイセンザとして半導体COD素子の各受
光部に薄板状のシンチレータを密着して遮光容器に収納
したものを用いることにより、解像度を向上させ、高品
位のCT両画像10ミリ秒ごとにオンライン等で得るこ
とができる。
In addition, by using an X-ray array sensor with a thin plate-shaped scintillator tightly attached to each light-receiving part of a semiconductor COD element and housed in a light-shielding container, the resolution is improved and both high-quality CT images are sent online every 10 milliseconds. etc. can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来装置の一構成例の斜視図、第2図は従来装
置の他の構成例の斜視図、第3図は第2図の構成例の側
面図、第4図は本発明の一実施例の要部の斜視図、第5
図は第4図の半環状X線アレイセンサの一部の断面図、
第6図は第4図および第5図に示す実施例の回路図、第
7図は第6図に示す回路の各部の信号の波形図である。 1・・・X線管、2・・・X線テレビ撮像管、3・・・
高電圧スイッチ、4・・・主ベアリング、5・・・ビデ
オ信号スリップリング、6・・・高速スリップリング、
7゜7a、7b・・・78・・・電子銃、8・・・電子
ビーム、9・・・偏向コイル、10a、 105・・・
真空容器、11・・・半環状ターゲットリング、12・
・・照射点、13・・・X線、14・・・半環状X線ア
レイセンサ、15a、15b・・・真空ポンプ、16a
、 16b、・・・16.・・・偏向板、17・・・被
測定物、18・・・移動用レーノペ19・・・移動装置
、加・・・半導体CCD素子、2I・・・受光部、お・
・・薄板状シンチレータ。 出願人代理人 猪 股 清 第1図 第5図
FIG. 1 is a perspective view of one configuration example of the conventional device, FIG. 2 is a perspective view of another configuration example of the conventional device, FIG. 3 is a side view of the configuration example of FIG. 2, and FIG. 4 is a perspective view of another configuration example of the conventional device. Perspective view of main parts of one embodiment, No. 5
The figure is a cross-sectional view of a part of the semi-annular X-ray array sensor in Figure 4.
FIG. 6 is a circuit diagram of the embodiment shown in FIGS. 4 and 5, and FIG. 7 is a waveform diagram of signals at various parts of the circuit shown in FIG. 6. 1... X-ray tube, 2... X-ray television imaging tube, 3...
High voltage switch, 4... Main bearing, 5... Video signal slip ring, 6... High speed slip ring,
7゜7a, 7b... 78... Electron gun, 8... Electron beam, 9... Deflection coil, 10a, 105...
Vacuum container, 11... Semi-annular target ring, 12.
...Irradiation point, 13...X-ray, 14...Semi-annular X-ray array sensor, 15a, 15b...Vacuum pump, 16a
, 16b,...16. . . . Deflection plate, 17 . . . Object to be measured, 18 .
...Thin scintillator. Applicant's agent Kiyoshi Inomata Figure 1 Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、半環状のターゲットリングと、該ターゲットリング
に対応して半環状に配設された複数個の電子銃と、該電
子銃のそれぞれから発射された電子ビームを偏向させて
前記ターゲットリングに照射させる複数の偏向手段と、
前記電子銃のそれぞれの電子ビーム発射動作を順次切換
える切換手段と、被測定物をはさんで前記ターゲットリ
ングに対向して設けられた半環状のX線アレイセンサと
、該X線アレイセンサの出力信号を処理する信号処理手
段とを備え、前記被測定物の断層像を処理する高速X線
CT装置。 2、切換手段は、偏向手段による偏向動作を切換え、電
子ビームをターゲットリング上で連続的に走査させるよ
う圧した特許請求の範囲第1項記載の高速X線CT装置
。 3、 X線アレイセンサは、半導体CCD素子の各受光
部に薄板状のシンチレータを密着し、遮光
[Claims] 1. A semi-annular target ring, a plurality of electron guns arranged in a semi-annular shape corresponding to the target ring, and deflecting electron beams emitted from each of the electron guns. a plurality of deflection means for irradiating the target ring with the deflection means;
a switching means for sequentially switching the electron beam emitting operation of each of the electron guns; a semi-annular X-ray array sensor provided opposite to the target ring across the object to be measured; and an output of the X-ray array sensor. A high-speed X-ray CT apparatus that processes a tomographic image of the object to be measured, comprising a signal processing means that processes signals. 2. The high-speed X-ray CT apparatus according to claim 1, wherein the switching means switches the deflection operation by the deflection means and presses the electron beam to continuously scan the target ring. 3. The X-ray array sensor has a thin plate-shaped scintillator attached to each light-receiving part of the semiconductor CCD element to block light.
JP58200232A 1983-10-26 1983-10-26 High speed x-ray ct apparatus Granted JPS6092741A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58200232A JPS6092741A (en) 1983-10-26 1983-10-26 High speed x-ray ct apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58200232A JPS6092741A (en) 1983-10-26 1983-10-26 High speed x-ray ct apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6092741A true JPS6092741A (en) 1985-05-24
JPH049532B2 JPH049532B2 (en) 1992-02-20

Family

ID=16421004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58200232A Granted JPS6092741A (en) 1983-10-26 1983-10-26 High speed x-ray ct apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6092741A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010508080A (en) * 2006-10-31 2010-03-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Swept anode CT scanner
EP2858087B1 (en) * 2013-09-18 2019-07-03 Tsinghua University A X-Ray apparatus and a CT device having the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5546408A (en) * 1978-09-29 1980-04-01 Toshiba Corp X-ray device
JPS5641659A (en) * 1979-08-16 1981-04-18 Gen Electric Xxray source

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5546408A (en) * 1978-09-29 1980-04-01 Toshiba Corp X-ray device
JPS5641659A (en) * 1979-08-16 1981-04-18 Gen Electric Xxray source

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010508080A (en) * 2006-10-31 2010-03-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Swept anode CT scanner
EP2858087B1 (en) * 2013-09-18 2019-07-03 Tsinghua University A X-Ray apparatus and a CT device having the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH049532B2 (en) 1992-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3848130A (en) Selective material x-ray imaging system
US4179100A (en) Radiography apparatus
US4383327A (en) Radiographic systems employing multi-linear arrays of electronic radiation detectors
EP0061496B1 (en) X-ray intensifier detector system for x-ray electronic radiography
US7601973B2 (en) Radiography system and method for recording X-rays in phosphor layers
US7016458B2 (en) Tomographic apparatus and method
US3937965A (en) Radiography apparatus
US4995062A (en) X-ray diagnostics installation for producing panorama tomograms of the jaw of a patient
US6078643A (en) Photoconductor-photocathode imager
US7170080B2 (en) Read-out device and method for reading out X-rays stored in phosphor layers
US7329891B2 (en) Read-out device and method for reading out X-rays stored in phosphor layers
US4366574A (en) Shadowgraphic slit scanner with video display
EP1426009B1 (en) X-ray-tomographic imaging apparatus and method with non-destructive read-out solid-state image pickup device
Reynolds et al. High sensitivity image intensifier‐TV detector for x‐ray diffraction studies
US4547670A (en) Two-dimensional radiation detecting apparatus
USRE32164E (en) Radiographic systems employing multi-linear arrays of electronic radiation detectors
FI67465B (en) INSTALLATION FOER AOSTADKOMMANDE AV RADIOGRAFISKA SKIKTBILDER
JPS6092741A (en) High speed x-ray ct apparatus
USRE32779E (en) Radiographic systems employing multi-linear arrays of electronic radiation detectors
CA1165904A (en) Radiography apparatus with a fan-shaped beam
JP2004202026A (en) X-ray diagnostic apparatus and x-ray photographing method
RU78955U1 (en) DEVICE FOR FORMATION AND REGISTRATION OF X-RAY IMAGES
JPS60100947A (en) Imaging method and apparatus for medical diagnosis and x-raydetection assembly
JPS6336773B2 (en)
JPH1199146A (en) X-ray tomograph