JPS6086979A - 電荷転送装置 - Google Patents
電荷転送装置Info
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- JPS6086979A JPS6086979A JP58194798A JP19479883A JPS6086979A JP S6086979 A JPS6086979 A JP S6086979A JP 58194798 A JP58194798 A JP 58194798A JP 19479883 A JP19479883 A JP 19479883A JP S6086979 A JPS6086979 A JP S6086979A
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- Japan
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- vertical
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- charge transfer
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Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は電荷転送装置に係り、特に垂直インターライン
転送部の２次元電荷転送装置に関する。
転送部の２次元電荷転送装置に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
赤外線検知器等半導体を用いた撮像装置の信号処理部ニ
は垂直インターライン転送型の２次元電荷転送装置が多
く用いられる。この垂直インターライン転送型２次元電
荷転送装置は、垂直方向にダイオードが並んで配設され
た信号入力部ラインと、各ダイオードから電荷転送部へ
信号電荷を移す移送ゲートと、該信号電荷を垂直方向に
転送する垂直電荷転送部と、該垂直電荷転送部を転送さ
れてきた信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部
と、該信号電荷を検知する検出増幅器とによって主とし
て構成されている。第１図はその従来構造を示した模式
平面図で、図中Ａ１〜Ａｎ、Ｂ。
は垂直インターライン転送型の２次元電荷転送装置が多
く用いられる。この垂直インターライン転送型２次元電
荷転送装置は、垂直方向にダイオードが並んで配設され
た信号入力部ラインと、各ダイオードから電荷転送部へ
信号電荷を移す移送ゲートと、該信号電荷を垂直方向に
転送する垂直電荷転送部と、該垂直電荷転送部を転送さ
れてきた信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部
と、該信号電荷を検知する検出増幅器とによって主とし
て構成されている。第１図はその従来構造を示した模式
平面図で、図中Ａ１〜Ａｎ、Ｂ。
〜Ｂｎ、Ｍ、〜Ｍｎは信号受理用の入力ダイオード、Ｔ
Ｇは電荷移送ゲート、ＶＲａ ｒＶＲｉｌ ｔ ＶＲｍ
は電荷結合素よりなる入力部ライン、ＨＲはＣＯＤより
なる水平電荷転送部（水平レジスタ）、ＳＡは電荷検出
増幅器である。該従来構造に於ては全面の入力ダイオー
ドＡ４〜Ａｎ ！ Ｂ Ｈ〜Ｂｎ 、及びＭ＋−Ｍｎ等
から一体の電荷移送ゲー１−ＴＧによって同時に各垂直
しジスタに電荷が移されるので、各入力部ラインＬａ。
Ｇは電荷移送ゲート、ＶＲａ ｒＶＲｉｌ ｔ ＶＲｍ
は電荷結合素よりなる入力部ライン、ＨＲはＣＯＤより
なる水平電荷転送部（水平レジスタ）、ＳＡは電荷検出
増幅器である。該従来構造に於ては全面の入力ダイオー
ドＡ４〜Ａｎ ！ Ｂ Ｈ〜Ｂｎ 、及びＭ＋−Ｍｎ等
から一体の電荷移送ゲー１−ＴＧによって同時に各垂直
しジスタに電荷が移されるので、各入力部ラインＬａ。
Ｌｂ、Ｌｍ等に対してそれぞれ専用の垂直レジスタ黴ａ
。
。
ＶＲｂ、ＶＲｍ等を設けねばない。そのため該従来構造
の電荷転送装置に於ては、これを更に高密度高集積化す
る際には、集積度の向上率にほぼ比例して垂直電荷転送
部（垂直レジスタ）の幅がせばめられるので、電荷転送
容量がそれに伴って低下するという問題がありた。
の電荷転送装置に於ては、これを更に高密度高集積化す
る際には、集積度の向上率にほぼ比例して垂直電荷転送
部（垂直レジスタ）の幅がせばめられるので、電荷転送
容量がそれに伴って低下するという問題がありた。
（ｃ） 発明の目的
本発明は上記問題点を除去する目的でなされたものであ
り、１つの垂直電荷転送部（垂直レジスタ）を入力部２
ラインで共有せしめることにより、高密度高集積化され
た際に於ける電荷転送容量の増大を図ったものである。
り、１つの垂直電荷転送部（垂直レジスタ）を入力部２
ラインで共有せしめることにより、高密度高集積化され
た際に於ける電荷転送容量の増大を図ったものである。
ｆｄｌ 発明の構成
即ち本発明は垂直方向のダイオード列よりなる信号入力
部ラインと、該信号入力部ラインの各ダイオードから電
荷転送部へ信、号電荷を移す移送ゲートと、該信号電荷
を組直方向に転送する垂直電荷転送部を具備してなる垂
直インターライン転送方式の２次元電荷転送装置に於て
、該入力部２ラインで１つの垂直電荷転送部を共有し、
該入力部２ラインの中の第１の入力部ラインと第２の入
力部ラインとに導入された信号電荷を該垂直電荷転送部
で交互に転送し読出すことを特徴とする。
部ラインと、該信号入力部ラインの各ダイオードから電
荷転送部へ信、号電荷を移す移送ゲートと、該信号電荷
を組直方向に転送する垂直電荷転送部を具備してなる垂
直インターライン転送方式の２次元電荷転送装置に於て
、該入力部２ラインで１つの垂直電荷転送部を共有し、
該入力部２ラインの中の第１の入力部ラインと第２の入
力部ラインとに導入された信号電荷を該垂直電荷転送部
で交互に転送し読出すことを特徴とする。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明全実施例について、図を用いて説明する。
第２図は本発明に係る垂直インターライン転送型２次元
電荷転送装置に於ける素子構成の一実施例を示す模式平
面図である。同図に於てＡ ａ ７Ａ ａｎ 。
電荷転送装置に於ける素子構成の一実施例を示す模式平
面図である。同図に於てＡ ａ ７Ａ ａｎ 。
Ａｂ、〜Ａｂｎ及びＢａ、 〜Ｂａｎ 、 Ｂｂ、 〜
Ｂｂｎは基板、と反対導電型拡散領域によって構成され
た信号受理用の入力ダイオード、Ｌａａ、Ｌａｂ及びＬ
ｂａ、Ｌｂｂは前記ダイオードの列によってそれぞれ構
成される入力部ライン％ ＴＧａ及びＴＧｂは多結晶シ
リコン層等よりなり動作のタイミングが異なる第１及び
第２の移送ゲート、ＶＲａ及びＶＲｂは電荷結合素−Ｋ
Ｃ中よりなる第１及び第２の垂直電荷転送部（垂直レジ
スタ）、ＨＲはＣＯＤ等よりなる水平電荷転送部（水平
レジスタ）、、ＳＡは電荷検出増幅器を示している。
Ｂｂｎは基板、と反対導電型拡散領域によって構成され
た信号受理用の入力ダイオード、Ｌａａ、Ｌａｂ及びＬ
ｂａ、Ｌｂｂは前記ダイオードの列によってそれぞれ構
成される入力部ライン％ ＴＧａ及びＴＧｂは多結晶シ
リコン層等よりなり動作のタイミングが異なる第１及び
第２の移送ゲート、ＶＲａ及びＶＲｂは電荷結合素−Ｋ
Ｃ中よりなる第１及び第２の垂直電荷転送部（垂直レジ
スタ）、ＨＲはＣＯＤ等よりなる水平電荷転送部（水平
レジスタ）、、ＳＡは電荷検出増幅器を示している。
該図の構造に於ては、例えば入力ダイオードＡａ１〜Ａ
ａｎと入力ダイオードＡｂ、〜Ａｂｎはそれぞれ移送ゲ
ートＴＧａ、ＴＧｂを介して垂直レジスタＶＲａに結合
しており、入力ダイオードＢａ、〜Ｂａｎと入力ダイオ
ードＢｂ、〜Ｂｂｎはそれぞれ移送ゲートＴＧａ。
ａｎと入力ダイオードＡｂ、〜Ａｂｎはそれぞれ移送ゲ
ートＴＧａ、ＴＧｂを介して垂直レジスタＶＲａに結合
しており、入力ダイオードＢａ、〜Ｂａｎと入力ダイオ
ードＢｂ、〜Ｂｂｎはそれぞれ移送ゲートＴＧａ。
ＴＧｂを介して垂直レジスタ■Ｒｂに結合している。
即ち入力ダイオードＡａ１〜Ａａｎによって構成される
入力ラインＬａａと入力ダイオードＡｂ、〜Ａｂｎによ
って構成される入力ラインＬａｂとの２本の入力ライン
が１つの垂直レジスタＶＲａを共治し、入力ダイオード
Ｂａ１〜Ｂａｎによって構成される入力ラインＬｂａと
入力ダイオードＢｂ１−Ｂｂｎによって構成される入力
ラインＬｂｂとの２本の入力ラインが１つの垂直レジス
タＶＲｂを共有してなっている。
入力ラインＬａａと入力ダイオードＡｂ、〜Ａｂｎによ
って構成される入力ラインＬａｂとの２本の入力ライン
が１つの垂直レジスタＶＲａを共治し、入力ダイオード
Ｂａ１〜Ｂａｎによって構成される入力ラインＬｂａと
入力ダイオードＢｂ１−Ｂｂｎによって構成される入力
ラインＬｂｂとの２本の入力ラインが１つの垂直レジス
タＶＲｂを共有してなっている。
そして先ず第１の移送ゲートＴＧａにパルス電圧を印加
して該移送ゲー？ ＴＧａをＯＮさせ、入力ダイオード
Ａａ、 ”−Ａａｎに入力されている（ｉｔ号電荷及び
Ｂａｉ〜Ｂａｎに入力されている信号電荷をそれぞれ垂
直レジスタＶＲａ及びＶＲｂに移送し、該信号電荷を該
垂直レジスタＶＲａ及びＶＲｂで下方の水平レジスタＨ
Ｒに向って順次転送し、該水平レジスタＨＲに転送され
て来た信号電荷を該水平レジスタＨＲによって順次信号
検出増幅器ＳＡに送り込んで信号の読出しがなされる。
して該移送ゲー？ ＴＧａをＯＮさせ、入力ダイオード
Ａａ、 ”−Ａａｎに入力されている（ｉｔ号電荷及び
Ｂａｉ〜Ｂａｎに入力されている信号電荷をそれぞれ垂
直レジスタＶＲａ及びＶＲｂに移送し、該信号電荷を該
垂直レジスタＶＲａ及びＶＲｂで下方の水平レジスタＨ
Ｒに向って順次転送し、該水平レジスタＨＲに転送され
て来た信号電荷を該水平レジスタＨＲによって順次信号
検出増幅器ＳＡに送り込んで信号の読出しがなされる。
そして次の瞬間第２の移送ゲートＴＧｂにパルス電圧を
印加して該移送ゲートＴＧｂをＯＮさせ、入力ダイオー
ドＡｂＩ−Ａｂｎに入力されている信号電荷及びＢｂ、
〜Ｂｂｎに入力されている信号電荷をそれぞれ垂直レジ
スタＶＲａ及びＶＲｂに移送し、該信号電荷を該垂直レ
ジスタＶＲａ及びＶＲｂで順次水平レジスタＨＲに転送
し、該電荷信号を水平レジスタＨＲによって順次信号変
化する各ダイオードの入力信号の読出しがなされる。
印加して該移送ゲートＴＧｂをＯＮさせ、入力ダイオー
ドＡｂＩ−Ａｂｎに入力されている信号電荷及びＢｂ、
〜Ｂｂｎに入力されている信号電荷をそれぞれ垂直レジ
スタＶＲａ及びＶＲｂに移送し、該信号電荷を該垂直レ
ジスタＶＲａ及びＶＲｂで順次水平レジスタＨＲに転送
し、該電荷信号を水平レジスタＨＲによって順次信号変
化する各ダイオードの入力信号の読出しがなされる。
このように本発明の構造に於ては２本の入力ラインの入
力信号が１つの垂直レジスタによって転送されるので、
同じ情報量に対して垂直レシスタの数は従来の壺で済む
。従って該電荷転送装置を高集積化した際にも、大きな
電荷転送容量を得ることができる。
力信号が１つの垂直レジスタによって転送されるので、
同じ情報量に対して垂直レシスタの数は従来の壺で済む
。従って該電荷転送装置を高集積化した際にも、大きな
電荷転送容量を得ることができる。
（ｆ） 発明の詳細
な説明したように、本発明によれば電荷の転送容量を低
下せしめずに垂直インターライン転送型の２次元電荷転
送装置の高集積化が図れる。従って本発明は、赤外線検
知器等撮像装置の性能向上に極めて有効であ、る。
下せしめずに垂直インターライン転送型の２次元電荷転
送装置の高集積化が図れる。従って本発明は、赤外線検
知器等撮像装置の性能向上に極めて有効であ、る。
第１図は従来の垂直インターライン転送型２次元電荷転
送装置の模式上面図で、第２図は本発明の構造の一実施
例を示す模式上面図である。 図に於て、Ａａｉ 〜Ａａｎ、Ａｂｌ ＮＡｂｎ及びＢ
ａ ５３ａｎ 。 Ｂｂ、 〜Ｂｂｎは入力ダイオード、Ｌａａ、Ｌａｂ、
ＬｂａＪｙｂｂは前記入力ダイオードで構成される入力
部ライン、ＴＧａ、ＴＧｂは移送ゲート、ＶＲａ、ＶＲ
ｂは垂直電荷転送部（垂直レジスタ）、）ＩＲは水平電
荷転送部（水平レジスタ）、ＳＡは電荷検出増幅器を示
す。
送装置の模式上面図で、第２図は本発明の構造の一実施
例を示す模式上面図である。 図に於て、Ａａｉ 〜Ａａｎ、Ａｂｌ ＮＡｂｎ及びＢ
ａ ５３ａｎ 。 Ｂｂ、 〜Ｂｂｎは入力ダイオード、Ｌａａ、Ｌａｂ、
ＬｂａＪｙｂｂは前記入力ダイオードで構成される入力
部ライン、ＴＧａ、ＴＧｂは移送ゲート、ＶＲａ、ＶＲ
ｂは垂直電荷転送部（垂直レジスタ）、）ＩＲは水平電
荷転送部（水平レジスタ）、ＳＡは電荷検出増幅器を示
す。
Claims (1)
- 垂直方向のダイオード列よりなる信号入力部ラインと、
該信号入力部ラインの各ダイオードから電荷転送部へ信
号電荷を移す移送ゲートと、該信号電荷を垂直方向に転
送する垂直電荷転送部を具備してなる垂直インターライ
ン転送方式の２次元電荷転送型でありて、該入力部２ラ
インで１つの垂直電荷転送部を共有し、該入力部２ライ
ンの中の第１の入力部ラインと第２の入力部ラインとに
導入された信号電荷を該垂直電荷転送部で交互に転送し
読出すことを特徴とする電荷転送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194798A JPS6086979A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 電荷転送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194798A JPS6086979A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 電荷転送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086979A true JPS6086979A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16330430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58194798A Pending JPS6086979A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 電荷転送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086979A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0293831U (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-25 |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP58194798A patent/JPS6086979A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0293831U (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-25 |
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