JPS6086861A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高周波領域において増ｒｈ、変調、スイッチ
ング等に用いることの出来る半導体装置、特にｎ型砒化
ガリウム（以下、砒化ガリウムをＧａＡｓと記す）を用
いたショットキー障壁型ダイオードならびにショットキ
２障壁形電界効果トランジスターに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a semiconductor device that can be used for RH enhancement, modulation, switching, etc. in a high frequency region, particularly an n-type gallium arsenide (hereinafter, gallium arsenide is referred to as GaAs). The present invention relates to the used Schottky barrier diode and Schottky double barrier field effect transistor.
従来例の構成とその問題点
本発明に関る半導体装置としては、前述の如くショット
キー障壁型ダイオード及びショットキー障壁型電界効果
トランジスターがある。Structures of Conventional Examples and Their Problems Semiconductor devices related to the present invention include Schottky barrier diodes and Schottky barrier field effect transistors, as described above.
ショットキー障壁型ダイオードでは、整流作用には多数
キャリアのみが関係するのでその遮断周波数は障壁容量
と直列抵抗できまり、少数キャリアの寿命には関係しな
い。このため、ショットキー障壁型ダイオードは高速ス
イッチング・ダイオードあるいはマイクロ波ダイオード
として広く用いられる。In a Schottky barrier diode, only the majority carriers are involved in the rectification, so its cutoff frequency is determined by the barrier capacitance and series resistance, and is not related to the lifetime of the minority carriers. For this reason, Schottky barrier diodes are widely used as high-speed switching diodes or microwave diodes.
特に砒化ガリウム（ＧａＡｓ）を用いたショットキー障
壁型ダイオードは硅素（Ｓｉ）を用いたものに比較して
遮断周波数を高くすることができるので高周波機器に適
している。In particular, Schottky barrier diodes using gallium arsenide (GaAs) can have a higher cutoff frequency than those using silicon (Si), and are therefore suitable for high-frequency equipment.
また、口型ＧａＡｓを用いたショットキー障壁型電界効
果トランジスターも、前記と同様に、すなわち、寄生抵
抗が小さく、多数キアリアの移動度が大きい故に、遮断
周波数を高くすることが出来る。近年、高周波機器に広
く使用されるようになってきた。Further, a Schottky barrier field effect transistor using mouth-type GaAs can also have a high cutoff frequency in the same manner as described above, that is, because the parasitic resistance is small and the mobility of the majority chiaria is large. In recent years, it has become widely used in high-frequency equipment.
しかしながら、一般にｎｆｆ２ＧａＡｓ結晶上のショッ
トキー障壁を具備する半導体装置、すなわち、ＧａＡｓ
・ショットキ２障壁形ダイオードや、ＧａＡｓ・ショッ
トキ２障壁形トランジスターにおいて前記障壁が金属層
とＧａＡｓ半導体結晶の接触界面に生起するため、前記
障壁の性質あるいは、前記半導体装置の特性は、その接
触界面の状態に着るしく影響される。However, in general, semiconductor devices with a Schottky barrier on nff2GaAs crystal, that is, GaAs
- In a Schottky two-barrier diode or a GaAs Schottky two-barrier transistor, the barrier occurs at the contact interface between the metal layer and the GaAs semiconductor crystal, so the properties of the barrier or the characteristics of the semiconductor device depend on the contact interface. The way you wear it is affected by the condition.
従来、温度に対して、満足し得る程のＧａＡｓ・ショッ
トキー障壁は実現されていない。Hitherto, a satisfactory GaAs Schottky barrier with respect to temperature has not been realized.
ＧａＡｓ・ショットキー障壁型ダイオードやＧａＡｓ・
ショットキー障壁型電界効果トランジスターの製造過程
を考えるとき、８５０℃位までのＧ’ａＡｓ・ショット
キー障壁の安定性があれば、製造過程が柔軟になり、非
常に望ましい。GaAs Schottky barrier diode and GaAs Schottky barrier diode
When considering the manufacturing process of a Schottky barrier type field effect transistor, the stability of the G'aAs Schottky barrier up to about 850° C. makes the manufacturing process flexible and is highly desirable.
現在、前記の望ましい状態に近いＧａＡ、ｓショットキ
ー障壁として、タングステン層とｎ型ＧａＡｓの接触、
または硅素とチタンのうちの少なくとも１種とタングス
テンの合金層とｎ型ＧａＡｓの接触のみが知られている
。しかしながら、これら、タングステン層や、タングス
テンを含む前記合金層を、スパッター法等で０型ＧａＡ
ｓ上に形成しても、４００〜６００℃位に昇温すると剥
離を起こしやすい欠点がある。これは、前記タングステ
ン層や前記合金層の展伸性の非常に小さいことや、熱膨
張係数の大きな差異によると思われる。Currently, as a GaAs Schottky barrier close to the above-mentioned desirable state, contact between a tungsten layer and an n-type GaAs,
Alternatively, only contact between an alloy layer of at least one of silicon and titanium and tungsten and n-type GaAs is known. However, these tungsten layers and the alloy layer containing tungsten can be formed by sputtering or the like using 0-type GaAs.
Even if it is formed on the same surface, it has the disadvantage that it is likely to peel off when the temperature is raised to about 400 to 600°C. This seems to be due to the extremely low malleability of the tungsten layer and the alloy layer and the large difference in thermal expansion coefficients.
発明の目的
本発明の目的は、８５０℃位までの温度領域において安
定で、かつ前記従来の欠点を除去したＧａＡｓ・ショッ
トキー障壁を有し信頼性を有する半導体装置、すなわち
ＧａＡｓ・ショットキー障壁型ダイオードおよび電界効
果トランジスターを提供することにある。OBJECTS OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide a reliable semiconductor device having a GaAs Schottky barrier that is stable in a temperature range up to about 850° C. and eliminates the above-mentioned conventional drawbacks, that is, a GaAs Schottky barrier type. The present invention is to provide diodes and field effect transistors.
発明の構成
本発明の半導体装置は、ｎ型ＧａＡｓ結晶表面に接して
、チタン（Ｔｉ）と硅素（Ｓｉ）からなる群のうちの少
なくとも１種と、レニウム（Ｒｅ）からなる合金から形
成された金属層を設け、その表面に形成されたショット
キー障壁を具備するものであり、これにより、前記ショ
ットキー障壁は約８５０℃位まで安定であり、また、前
記金属層はｎ型ＧａＡｓ結晶表面からの剥離は、著るし
く生起し難くなるものである。Composition of the Invention The semiconductor device of the present invention is formed of an alloy consisting of at least one member of the group consisting of titanium (Ti) and silicon (Si) and rhenium (Re) in contact with an n-type GaAs crystal surface. A metal layer is provided, and a Schottky barrier is formed on the surface of the metal layer, whereby the Schottky barrier is stable up to about 850°C, and the metal layer is formed from the surface of the n-type GaAs crystal. Peeling is significantly less likely to occur.
前記剥離が、著るしく生起し難くなることは、レニウム
（Ｒｅ）とタングステン（Ｗ）の物理的性質から若干の
理解出来る。すなわち、展伸性はレニウム（Ｒｅ）がは
るかに優れており、また、熱膨張系数もレニウム（Ｒｅ
）の方がはるかにＧａＡｓのそれに近い。The fact that the peeling is significantly less likely to occur can be partially understood from the physical properties of rhenium (Re) and tungsten (W). In other words, rhenium (Re) has much better malleability, and also has a higher thermal expansion coefficient than rhenium (Re).
) is much closer to that of GaAs.
前記金属層の形成は、チタン（Ｔｉ）ターゲット、ある
いは硅素（Ｓｉ）ターゲット上に、所定の面積比で高純
度レニウム（Ｒｅ）粉末、さらに必要とあれば高純度硅
素（Ｓｉ）粉末を戴せたものをターゲットとして、被着
さるべきＧａＡｓを上部対向電極に設置して、スパッタ
ー法でなすのが最も容易であった。The metal layer is formed by applying high-purity rhenium (Re) powder and, if necessary, high-purity silicon (Si) powder on a titanium (Ti) target or a silicon (Si) target at a predetermined area ratio. The easiest way to do this was to use a sputtering method with GaAs to be deposited placed on the upper counter electrode using the same as the target.
このとき、スパッター前にスパッター室をＩ Ｏ’ｔｏ
ｒｒ以下の高真空にすること、スパッターで用いるアル
ゴン（Ａｒ）には高純度のものを使用すること、３０分
程度のブリ・スパッターを行うことなどが、さらに望ま
しい結果につながった。At this time, before sputtering, the sputtering chamber is
More desirable results were achieved by using a high vacuum of less than rr, using high-purity argon (Ar) for sputtering, and performing buri sputtering for about 30 minutes.
なお、ソースを工夫することにより、電子ビーム加熱蒸
着も可能であった。Note that electron beam heating evaporation was also possible by devising a source.
形式された前記金属層の望ましい＆ＩＩｊｌｌｋ比の範
１′ｔ１構成金属元素の組み合わせにより異なるが、は
ぼレニウム（Ｒｅ）が約６０原子％以上であった。The desirable range of &IIjllk ratio of the formed metal layer varies depending on the combination of the constituent metal elements, but the content of rhenium (Re) is about 60 atomic % or more.
また、ショットキーＦｔ壁形電界効果トランジスターの
場合には、前記金属層の上に、タングステン（Ｗ＞や、
チタン（Ｔｉ）等の金属層を積層させて、ショットキー
電極層とした場合、この電極層のシート抵抗が下がる効
果があった。これは遮断周波数等の向上を招来するもの
である。In addition, in the case of a Schottky Ft wall field effect transistor, tungsten (W>,
When metal layers such as titanium (Ti) are laminated to form a Schottky electrode layer, the sheet resistance of this electrode layer is reduced. This leads to an improvement in the cutoff frequency, etc.
実施例の説明
以下本発明の実施例について説明する。実施例において
使用したショットキー障壁型ダイオードについて、図を
もちいて説明する。図はシミツトキー障壁型ダイオード
の構造の１例を示す断面図である。基板１はＧａＡｓ絶
縁性基板ないしＧａＡｓ低抵抗性基板、２はｏ、ａ〜ｏ
、ｏｓΩ’ａｍの比抵抗をもつＧａＡｓエピタキシャル
成長層、ないしはＧａＡｓ絶縁製基板にイオン注入し、
さらに熱処理により活性化されたＧａＡｓ層、３はＧａ
Ａｓウェハー表面の第１保護膜である。４はショットキ
ー障壁を形成するためのシミツトキー電極、５は第２保
護膜、６はオーミック電極である。DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. The Schottky barrier diode used in the examples will be explained with reference to the drawings. The figure is a sectional view showing an example of the structure of a Schmittky barrier diode. Substrate 1 is a GaAs insulating substrate or GaAs low resistance substrate, 2 is o, a to o
, ion implantation into a GaAs epitaxial growth layer having a specific resistance of osΩ'am or a GaAs insulating substrate,
Furthermore, a GaAs layer activated by heat treatment, 3 is Ga
This is the first protective film on the surface of the As wafer. 4 is a Schmitt key electrode for forming a Schottky barrier, 5 is a second protective film, and 6 is an ohmic electrode.
なお、本実施例は、図のような構造をもつショットキー
障壁型ダイオードについて述べるが、本実施例の結果は
他の構造をもつショットキー障壁型ダイオードについて
も成立した。Although this example describes a Schottky barrier diode having the structure shown in the figure, the results of this example also hold true for Schottky barrier diodes having other structures.
従来からの、タングステン（Ｗ）等をシミツトキー電極
４とした場合の、図のようなショットキー障壁型ダイオ
ードは、たとえば次のようにして作ることが出来る。ま
ず、ＧａＡｓ絶縁性基板ないしＧａＡｓ低抵抗性基板ｌ
上に気相エピタキシャル法で０．３〜０．０５Ω・ｃｍ
の比抵抗をもつＧａＡｓ層２を形成するか、又は、基板
１の表面にイオン注入し、さらに熱処理により注入イオ
ン原子を活性化して形成したＧａＡｓ層２を形成する。A conventional Schottky barrier diode as shown in the figure in which the Schmitt key electrode 4 is made of tungsten (W) or the like can be manufactured, for example, as follows. First, a GaAs insulating substrate or a GaAs low resistance substrate
0.3 to 0.05 Ω・cm on top by vapor phase epitaxial method
Alternatively, the GaAs layer 2 is formed by implanting ions into the surface of the substrate 1 and activating the implanted ion atoms by heat treatment.
つぎにＧａＡｓ層２の上に第１保護膜３として化学蒸着
法（ＣＶＤ法）で二酸化硅素（ＳｉＯ２）膜を形成する
。つぎに、第１保護膜３の一部を化学蝕刻法で除き、Ｇ
ａＡｓの清浄表面を露出させ、ｌ Ｏ’＋ｎ＋ｎＨｇ以
下の高真空でタングステン（Ｗ）等を電子ビーム加熱蒸
着法又は、スパッター法で蒸着して、ショットキー電極
４を形成する。さらに、第２保護膜５を、第１保護膜３
と同様の方法で形成する。つぎに、第１保護膜３と第２
保護膜５の一部を化学蝕刻法で除き、ＧａＡｓの清浄面
を露出させ、さらにたとえば金（Ａμ）−ゲルマニウム
（Ｇｅ）の共晶合金を蒸着し、４５０℃程度の熱処理を
行ないオーミック電極６を得る。Next, a silicon dioxide (SiO2) film is formed as a first protective film 3 on the GaAs layer 2 by chemical vapor deposition (CVD). Next, a part of the first protective film 3 is removed by chemical etching, and the G
The clean surface of aAs is exposed, and tungsten (W) or the like is deposited by electron beam heating evaporation or sputtering in a high vacuum of 1 O'+n+nHg or less to form a Schottky electrode 4. Further, the second protective film 5 is replaced with the first protective film 3.
Formed in the same manner as. Next, the first protective film 3 and the second
A part of the protective film 5 is removed by chemical etching to expose the clean surface of GaAs, and then a eutectic alloy of, for example, gold (Aμ)-germanium (Ge) is deposited and heat treated at about 450°C to form an ohmic electrode 6. get.
本実施例では、前述の如く、ダイオードを作った。但し
以下の点が特徴的である。図の１は半絶縁性ＧａＡｓ基
板からなり、２は０．２・ΩｃＩｍ程度の比抵抗を有し
、膜厚約３０００Ａのエピタキシャル成長層からなるＧ
ａＡｓウェハーを購入した。In this example, a diode was made as described above. However, the following points are characteristic. In the figure, 1 is made of a semi-insulating GaAs substrate, and 2 is a G made of an epitaxially grown layer with a thickness of about 3000A and has a resistivity of about 0.2 ΩcIm.
I purchased an aAs wafer.
また、ショットキー電極４は高周波スパッター法での膜
形成と、フレオン・ガスによるプラズマ・エッチによる
膜の加工によった。高周波スパッターの時のターゲット
としては、以下のものを用いた。Further, the Schottky electrode 4 was formed by forming a film by high frequency sputtering and processing the film by plasma etching using Freon gas. The following targets were used for high-frequency sputtering.
比較例として、タングステン（Ｗ）のスパッターの場合
は、タングステン板を、硅素−タングステンやチタン−
タングステン合金のスパッターの場合、タングステン板
に、一部硅素あるいはチタンを電子ビーム蒸着したもの
を用いた。また、レニウム（Ｒｅ＞のスパッターの場合
には、銅板の表面にレニウム（Ｒｅ）を電子ビーム蒸着
したものをターゲットとし、レニウム（Ｒｅ）を含み、
硅素（Ｓｉ）とチタン（Ｔｉ）の少なくとも１種をも含
むスパッターの場合には、前記ターゲットの表面の一部
に、硅素（Ｓｉ）あるいはチタン（Ｔｉ）、またはその
双方を電子ビーム蒸着したものをターゲットとして使用
した。形成された、ショットキー電極４の膜組成は化学
分析で大略決定された。オーミック電極の材料としては
、金（ＡＩｊ）−ゲルマニウム（Ｇｅ）の共晶合金を使
用した。As a comparative example, in the case of tungsten (W) sputtering, the tungsten plate is replaced with silicon-tungsten or titanium-
In the case of tungsten alloy sputtering, a tungsten plate on which silicon or titanium was partially deposited by electron beam was used. In addition, in the case of sputtering of rhenium (Re), the target is a copper plate with rhenium (Re) deposited by electron beam, and
In the case of sputtering that also contains at least one of silicon (Si) and titanium (Ti), silicon (Si) or titanium (Ti), or both, are electron beam evaporated on a part of the surface of the target. was used as the target. The film composition of the Schottky electrode 4 thus formed was approximately determined by chemical analysis. As the material of the ohmic electrode, a eutectic alloy of gold (AIj)-germanium (Ge) was used.
さらに、次のことを行なった。ショットキー電極４に由
来するショットキー障壁の熱的安定性を検討するために
、一部のダイオードでは第２保護膜５の形成後、アルゴ
ン気流中８５０℃、１５分間の熱処理を行い、そのあと
、オーミック電極６を形成した。Furthermore, we did the following: In order to examine the thermal stability of the Schottky barrier derived from the Schottky electrode 4, some diodes were subjected to heat treatment at 850°C for 15 minutes in an argon stream after forming the second protective film 5, and then , an ohmic electrode 6 was formed.
さらに、ショットキー障壁の検討のため、この障壁の順
方向の電圧−電流特性から、ショットキー障壁を前述の
如く８５０℃で熱処理したダイオードのｎ値及び、次式
に示すこの障壁の拡散電位のショットキー障壁の前記の
８５０℃の熱処理による変化率（Ｒ）をめた。Furthermore, in order to study the Schottky barrier, from the forward voltage-current characteristics of this barrier, we determined the n value of a diode in which the Schottky barrier was heat-treated at 850°C as described above, and the diffusion potential of this barrier as shown in the following equation. The rate of change (R) of the Schottky barrier due to the heat treatment at 850° C. was calculated.
・但し Ｒ＝Ａ／Ｂ
ここでＡはショットキー障壁が８５０℃の熱処理を受け
た場合の拡散電位であり、Ｂはショットキー障壁が８５
０℃の熱処理を受けていない場合の拡散電位である。・However, R=A/B where A is the diffusion potential when the Schottky barrier is subjected to heat treatment at 850°C, and B is the diffusion potential when the Schottky barrier is heated to 850°C.
This is the diffusion potential when no heat treatment was performed at 0°C.
一般に、ショットキー障壁の評価の目やすとして、ｎ値
が用いられる。このｎ値はｌに近い程、そのショットキ
ー障壁は理想的である。また、前記のＲは、ショットキ
ー障壁の熱的安定性の目やすを与えるものである〈Ｒが
１に近い程、熱的安定性が大となる）。Generally, the n value is used as a guide for evaluating the Schottky barrier. The closer this n value is to l, the more ideal the Schottky barrier is. Further, the above-mentioned R gives an indication of the thermal stability of the Schottky barrier (the closer R is to 1, the greater the thermal stability).
次表に、本実施例の実施方法とｎ値、Ｒ等を掲げる。な
お、サンプル番号１４．１５．１（ｉ、１７，１８．１
９は従来法による比較例である。The following table lists the implementation method, n value, R, etc. of this example. In addition, sample number 14.15.1 (i, 17, 18.1
9 is a comparative example using the conventional method.
表において、ショットキー電極の膜組成は化学分析で決
定された値である。ｎ８５０は、前述のｎ値、Ｒは前述
したものである。In the table, the film composition of the Schottky electrode is a value determined by chemical analysis. n850 is the above-mentioned n value, and R is the above-mentioned value.
従来、高温でも安定なショットキー障壁を招来するショ
ットキー電極の材料としは、タングステン（Ｗ＞やタン
グステン（Ｗ）−硅素（Ｓｉ）合金、タングステン（Ｗ
）−チタン（Ｔｉ）合金が知られている。これら従来の
ショットキー電極と、本発明に係るショットキー電極の
比較を、表のサンプル番号、■。Conventionally, materials for Schottky electrodes that provide a stable Schottky barrier even at high temperatures include tungsten (W), tungsten (W)-silicon (Si) alloy, and tungsten (W).
)-Titanium (Ti) alloys are known. A comparison between these conventional Schottky electrodes and the Schottky electrode according to the present invention is shown in the sample number ■ in the table.
２．３．４．１４，１５．１６．１７．１８．１９．に
示している。従来例では、ショットキー電極を約２００
０Ａとすると高温で剥離が起こるが、本発明に係る場合
には、剥離は全く起きない。また、ｎ８５０やＲの値か
ら、本発明に係る場合の方が、従来のものより優れてい
るのが判る。2.3.4.14, 15.16.17.18.19. It is shown in In the conventional example, the Schottky electrode is approximately 200
At 0 A, peeling occurs at high temperatures, but in the case of the present invention, no peeling occurs at all. Furthermore, from the values of n850 and R, it can be seen that the case according to the present invention is superior to the conventional one.
また、サンプル番号５〜１３から、レニウム（Ｒｅ）を
含み、硅素（Ｓｉ）とチタン（Ｔｉ）の少なくとも一種
を含みしかもこれらのみからなる組成から、ショットキ
ー電極がなっている場合、本発明の効果が発揮されるこ
と、さらに、レニウム（Ｒｅ）ドについて述べて来たが
、レニウム（Ｒｅ）を含み、かつ、硅素（Ｓｉ）とチタ
ン（Ｔｉ）の少なくとも一種をも含み、かつ、これらの
みからなる合金層を、シＢットキー障壁型ゲートとして
持つ、電界効果トランジスターにも、本発明の範囲に含
まれることは、申すまでもない。この場合には、前記ゲ
ート形成後、イオン注入及び活性化のための約８５０℃
程度の熱処理が可能になり、産業上の価値は非常に大き
い。Further, from sample numbers 5 to 13, when the Schottky electrode is made of a composition containing rhenium (Re) and at least one of silicon (Si) and titanium (Ti) and consisting only of these, the present invention is applicable. Furthermore, although we have mentioned rhenium (Re), it is important to note that rhenium (Re) metals containing rhenium (Re) and at least one of silicon (Si) and titanium (Ti), and containing only these Needless to say, the scope of the present invention also includes a field effect transistor having an alloy layer consisting of the following as a Schottky barrier type gate. In this case, after the gate formation, the temperature is about 850°C for ion implantation and activation.
This makes it possible to perform heat treatment of a certain degree, and the industrial value is extremely large.
図は本発明の実施例におけるショットキー障壁型ダイオ
ードの一例の構成断面図である。
ｌ・・・・・・ＧａＡｓ基板、２・・・・・・ＧａＡｓ
エピタキシャル層、ないしイオン注入と熱処理により活
性化されたＧａＡｓ層、３・・・・・・第１保護膜、４
・・・・・・ショットキー電極、５・・・・・・第２保
護膜、６・・・・・・オーミック電極。The figure is a cross-sectional view of an example of a Schottky barrier diode according to an embodiment of the present invention. l...GaAs substrate, 2...GaAs
Epitaxial layer or GaAs layer activated by ion implantation and heat treatment, 3...First protective film, 4
. . . Schottky electrode, 5 . . . second protective film, 6 . . . Ohmic electrode.
Claims (1)
なる群のうちの少なくとも１種と、レニウムからなる合
金とから形成された金属層を設けることにより前記表面
にショットキー障壁が形成されたことを特徴とする半導
体装置。A Schottky barrier is formed on the surface of the n-type gallium arsenide crystal by providing a metal layer made of at least one member of the group consisting of titanium and silicon and an alloy of rhenium in contact with the surface of the n-type gallium arsenide crystal. A semiconductor device characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19565383A JPS6086861A (en) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19565383A JPS6086861A (en) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086861A true JPS6086861A (en) | 1985-05-16 |
Family
ID=16344746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19565383A Pending JPS6086861A (en) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086861A (en) |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19565383A patent/JPS6086861A/en active Pending
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