JPS6076092A - 光磁気メモリ装置 - Google Patents
光磁気メモリ装置Info
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- JPS6076092A JPS6076092A JP18253783A JP18253783A JPS6076092A JP S6076092 A JPS6076092 A JP S6076092A JP 18253783 A JP18253783 A JP 18253783A JP 18253783 A JP18253783 A JP 18253783A JP S6076092 A JPS6076092 A JP S6076092A
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- G11C13/06—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam using magneto-optical elements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、磁性体の光学効果を利用してメモリ作用を行
わせる光磁気メモリ装置に関する。更に詳細には、光軸
に平行な一軸磁気異方性を有する光学的に透明な磁性体
群を用いてメモリ作用を行わせ、ランダム・アクセスを
可能にするものである。
わせる光磁気メモリ装置に関する。更に詳細には、光軸
に平行な一軸磁気異方性を有する光学的に透明な磁性体
群を用いてメモリ作用を行わせ、ランダム・アクセスを
可能にするものである。
従来から磁気光学効果を利用した光磁気メモリとして、
ＭｎＢ１やアモルファス磁性膜ＵｕＯ（酸化ユーロピウ
ム）を使用したものが試みられているが、ランダム・ア
クセスができない。そのため、アクセスに時間がかかり
、データの読み書き速度が低下する。
ＭｎＢ１やアモルファス磁性膜ＵｕＯ（酸化ユーロピウ
ム）を使用したものが試みられているが、ランダム・ア
クセスができない。そのため、アクセスに時間がかかり
、データの読み書き速度が低下する。
本発明の目的は、従来の光磁気メモリ装置におけるこの
ような問題を解消し、書き込みおよび読み出しをランダ
ムに行えるようにすることにある。
ような問題を解消し、書き込みおよび読み出しをランダ
ムに行えるようにすることにある。
この目的を達成するために講じた本発明による技術的手
段は、−軸磁気異方性を有するデータ記憶のための透明
磁性体群と、該透明磁性体群の片方に配設されたデータ
の読み出しのための光源と、該透明磁性体群の他方に配
設されたデータ読み出しのための受光素子群と、前記光
源と前記透明磁性体群の間に置かれた偏光子と、前記透
明磁性体群と前記受光素子群の間に置かれた検光子とを
備えており、かつ透明磁性体群中のそれぞれの透明磁性
体にはマトリクス配線された書き込みラインが接続され
、受光素子群中のそれぞれの受光素子にはマトリクス配
線された読み出しラインが接続されている構成を採って
いる。
段は、−軸磁気異方性を有するデータ記憶のための透明
磁性体群と、該透明磁性体群の片方に配設されたデータ
の読み出しのための光源と、該透明磁性体群の他方に配
設されたデータ読み出しのための受光素子群と、前記光
源と前記透明磁性体群の間に置かれた偏光子と、前記透
明磁性体群と前記受光素子群の間に置かれた検光子とを
備えており、かつ透明磁性体群中のそれぞれの透明磁性
体にはマトリクス配線された書き込みラインが接続され
、受光素子群中のそれぞれの受光素子にはマトリクス配
線された読み出しラインが接続されている構成を採って
いる。
本発明の詳細な説明する前に、磁気光学効果を説明する
。磁気バブル素子における迷路状磁区や磁気バブル（以
下「バブル」と略す）は、磁気光学効果であるファラデ
ー効果を利用することにより、眼で直接観察することが
できる。ファラデー効果とは、偏光が透明磁性体を通過
する際に、磁化の向きにより偏光面が回転する現象をい
う。
。磁気バブル素子における迷路状磁区や磁気バブル（以
下「バブル」と略す）は、磁気光学効果であるファラデ
ー効果を利用することにより、眼で直接観察することが
できる。ファラデー効果とは、偏光が透明磁性体を通過
する際に、磁化の向きにより偏光面が回転する現象をい
う。
したがって磁気バブル素子において、バブルが上向きに
磁化しているか下向きに磁化しているかによって、偏光
を逆向きに回転させることになり、眼に見えたり見えな
かったりする。
磁化しているか下向きに磁化しているかによって、偏光
を逆向きに回転させることになり、眼に見えたり見えな
かったりする。
この現象を利用して、第１図に示すような磁気光スイッ
チ素子が得られる。即ちバイアス磁界Ｈｂ中に配置され
た磁気バブル素子１を使用し、バブル２の位置の片側北
入力側光ファイバーＦｉを配置し、他方に出力側光ファ
イバーＦｏを配置して互いに対向させる。そして入力側
光ファイバーＦｉと磁気バブル素子１との間に偏光子３
を配置し、出力側光ファイバーＦｏと磁気バブル素子１
との間に検光子４を配置する。いま（イ）のように、バ
ブル２が上向きに磁化していると、偏光子３を通過した
偏光は、バブル２により、検光子４へ到達できない向き
に回転されるので、出力側光ファイバーＦｏに光が到達
しない。ところが（ロ）に示すように、バブル２の磁化
を下向きに反転させると、偏光子３を通過した偏光が検
光子４に到達する方向に回転される。その結果、出力側
光ファイバーＦｏでは光を検出し、出力することができ
、いわゆる磁気光スイッチングを行うことができる。
チ素子が得られる。即ちバイアス磁界Ｈｂ中に配置され
た磁気バブル素子１を使用し、バブル２の位置の片側北
入力側光ファイバーＦｉを配置し、他方に出力側光ファ
イバーＦｏを配置して互いに対向させる。そして入力側
光ファイバーＦｉと磁気バブル素子１との間に偏光子３
を配置し、出力側光ファイバーＦｏと磁気バブル素子１
との間に検光子４を配置する。いま（イ）のように、バ
ブル２が上向きに磁化していると、偏光子３を通過した
偏光は、バブル２により、検光子４へ到達できない向き
に回転されるので、出力側光ファイバーＦｏに光が到達
しない。ところが（ロ）に示すように、バブル２の磁化
を下向きに反転させると、偏光子３を通過した偏光が検
光子４に到達する方向に回転される。その結果、出力側
光ファイバーＦｏでは光を検出し、出力することができ
、いわゆる磁気光スイッチングを行うことができる。
第２図の（イ）はこの原理を応用して作製した本発明に
よる光磁気メモリ装置の実施例を示す分解斜視図、（ロ
）は受光素子群の斜視図、（ハ）は透明磁性体の斜視図
である。（イ）に示すように、発光素子５、偏光子６、
透明磁性体群７、検光子８および受光素子群９の順に配
設されている。
よる光磁気メモリ装置の実施例を示す分解斜視図、（ロ
）は受光素子群の斜視図、（ハ）は透明磁性体の斜視図
である。（イ）に示すように、発光素子５、偏光子６、
透明磁性体群７、検光子８および受光素子群９の順に配
設されている。
発光素子５は、例えばフォトダイオードなどを利用して
、均一に面発光するように形成される。偏光子６は、第
１図の偏光子３と同様に、発光素子５から到来した光を
一定方向に偏光させるものである。偏光子６を通過した
偏光は、透明磁性体群７に到達するが、透明磁性体群７
には（ハ）に示すように、Ｘ−Ｙ方向に多数の記憶単位
を構成する一軸磁気異方性の透明磁性体１１・・・が形
成され、それぞれの記憶単位において、第１図で説明し
たファラデー効果を応用し°Ｃ記憶が行われる。
、均一に面発光するように形成される。偏光子６は、第
１図の偏光子３と同様に、発光素子５から到来した光を
一定方向に偏光させるものである。偏光子６を通過した
偏光は、透明磁性体群７に到達するが、透明磁性体群７
には（ハ）に示すように、Ｘ−Ｙ方向に多数の記憶単位
を構成する一軸磁気異方性の透明磁性体１１・・・が形
成され、それぞれの記憶単位において、第１図で説明し
たファラデー効果を応用し°Ｃ記憶が行われる。
第３図は透明磁性体群における各透明磁性体１１・・・
を拡大して示したもので、（イ）は平面図、（ロ）は断
面図である。ｘｌ 、ｘ２・・・はＸ方向に間隔をおい
て配設されたＸ方向の書き込みラインであり、導体で形
成されている。ｙｔ 、Ｙ２・・・はＹ方向に間隔をお
いて配設されたＹ方向の書込みラインである。各Ｘ方向
書込みラインＸ１、Ｘ２・・・とＹ方向書込みラインＹ
、 、Ｙ２・・・は、互いに交差する位置において、ニ
クロムなどのような発熱体１０で接続されている。そし
てそれぞれの発熱体１０・・・の下には、ＧＧＧ基板な
どに形成したＢ１Ｇｄ１Ｇ （ビスマス・ガドリニウム
・アイアンガーネット）などの−軸磁気異方性の透明磁
性体１１・・・が形成されている。
を拡大して示したもので、（イ）は平面図、（ロ）は断
面図である。ｘｌ 、ｘ２・・・はＸ方向に間隔をおい
て配設されたＸ方向の書き込みラインであり、導体で形
成されている。ｙｔ 、Ｙ２・・・はＹ方向に間隔をお
いて配設されたＹ方向の書込みラインである。各Ｘ方向
書込みラインＸ１、Ｘ２・・・とＹ方向書込みラインＹ
、 、Ｙ２・・・は、互いに交差する位置において、ニ
クロムなどのような発熱体１０で接続されている。そし
てそれぞれの発熱体１０・・・の下には、ＧＧＧ基板な
どに形成したＢ１Ｇｄ１Ｇ （ビスマス・ガドリニウム
・アイアンガーネット）などの−軸磁気異方性の透明磁
性体１１・・・が形成されている。
バブル材料などのような一軸磁気異方性の磁性体は、温
度が高いと、磁化を反転するための磁界が小さくてすむ
。そこで本発明では、透明磁性体７の各記憶単位である
一軸磁気異方性体１１の磁化を上向きまたは下向きに磁
化するだめの外部コイルを設げる。そしてＸ方向書込み
ラインＸ１、Ｘ２・・・とＹ方向書込みラインＹ１、Ｙ
２・・・間を選択的に通電して、発熱体１０を発熱させ
た状態で、該外部コイルに、−軸磁気異方性体１１・・
・が上向きに磁化する方向に通電する。すると発熱部の
一軸磁気異方性体１１のみが容易に上向きに磁化する。
度が高いと、磁化を反転するための磁界が小さくてすむ
。そこで本発明では、透明磁性体７の各記憶単位である
一軸磁気異方性体１１の磁化を上向きまたは下向きに磁
化するだめの外部コイルを設げる。そしてＸ方向書込み
ラインＸ１、Ｘ２・・・とＹ方向書込みラインＹ１、Ｙ
２・・・間を選択的に通電して、発熱体１０を発熱させ
た状態で、該外部コイルに、−軸磁気異方性体１１・・
・が上向きに磁化する方向に通電する。すると発熱部の
一軸磁気異方性体１１のみが容易に上向きに磁化する。
逆にＸ方向書込みラインＸｔ 、ｘ２・・・とＹ方向書
込みラインＹ１ 、Ｙ２・・・間を選択的に通電して、
発熱体１０を発熱させた状態で、外部コイルに、−軸磁
気異方性体１１・・・が下向きに磁化する方向に通電す
ると、発熱部の一軸磁気異方性体１１のみが容易に下向
きに磁化する。−軸磁気異方性体の磁化の向きによって
、偏光の旋回方向が異なり、偏光が検光子８へ到達した
り到達不能となったりすることは第１図で説明したとお
りである。
込みラインＹ１ 、Ｙ２・・・間を選択的に通電して、
発熱体１０を発熱させた状態で、外部コイルに、−軸磁
気異方性体１１・・・が下向きに磁化する方向に通電す
ると、発熱部の一軸磁気異方性体１１のみが容易に下向
きに磁化する。−軸磁気異方性体の磁化の向きによって
、偏光の旋回方向が異なり、偏光が検光子８へ到達した
り到達不能となったりすることは第１図で説明したとお
りである。
なお各−軸磁気異方性体ＩＩ・・・間の溝部にＸ方向書
込みラインＸｉ 、Ｘ２・・・およびＹ方向書込みライ
ンＹ１、Ｙ２・・・が格子状即ちマトリックス状に配設
され、かつ溝部をポリイミド樹脂１２などで埋めること
で、Ｘ方向書込みラインＸ１ 、Ｘ２・・・とＹ方向書
込みラインＹ１、Ｙ２・・・との絶縁を行なっている。
込みラインＸｉ 、Ｘ２・・・およびＹ方向書込みライ
ンＹ１、Ｙ２・・・が格子状即ちマトリックス状に配設
され、かつ溝部をポリイミド樹脂１２などで埋めること
で、Ｘ方向書込みラインＸ１ 、Ｘ２・・・とＹ方向書
込みラインＹ１、Ｙ２・・・との絶縁を行なっている。
透明磁性体７に隣接して設ける検光子８には、受光素子
群９が配設される。第４図は検光子８上に設けた各受光
素子９１・・・を示ずもので、（イ）は平面図、（ロ）
は断面図である。受光素子９１・・・は、各−軸磁気異
方性体１１・・・と対応してｘ−ｙ方向に配設されてお
り、各受光素子９１・・・間にＸ方向読出しラインｘ、
、Ｘ２・・・とＹ方向読出しラインＹ１、Ｙ２・・・
が格子状に配設されている。そして各Ｘ方向読出しライ
ンｘｉ 、ｘ２・・・とＹ方向読出しラインＹｉ 、Ｙ
２・・・は、互いに交差する位置において、前記の受光
素子９１が接続されている。受光素子９１・・・は、光
導電体１３の片面に透明導電膜などの導体１４を接続し
、他方の面に光の反射性に冨んだアルミニウム膜１５等
を被せることで、それぞれＸ−Ｙ方向の読出しラインに
接続されている。
群９が配設される。第４図は検光子８上に設けた各受光
素子９１・・・を示ずもので、（イ）は平面図、（ロ）
は断面図である。受光素子９１・・・は、各−軸磁気異
方性体１１・・・と対応してｘ−ｙ方向に配設されてお
り、各受光素子９１・・・間にＸ方向読出しラインｘ、
、Ｘ２・・・とＹ方向読出しラインＹ１、Ｙ２・・・
が格子状に配設されている。そして各Ｘ方向読出しライ
ンｘｉ 、ｘ２・・・とＹ方向読出しラインＹｉ 、Ｙ
２・・・は、互いに交差する位置において、前記の受光
素子９１が接続されている。受光素子９１・・・は、光
導電体１３の片面に透明導電膜などの導体１４を接続し
、他方の面に光の反射性に冨んだアルミニウム膜１５等
を被せることで、それぞれＸ−Ｙ方向の読出しラインに
接続されている。
いまある一部の受光素子９１に、検光子８側から光が到
来し照射されると、該受光素子９１の光導電体１３の抵
抗値が低下することで、該光導電体に接続しているＸ方
向続出しラインとＹ方向続出しライン間に、光を検出し
たことが出力される。そのため、第３図で説明した、−
軸磁気異方性体１１を通過して光導電体１３に光が到来
した場合を論理“ｌ”とし、−軸磁気異方性体１１の磁
化の向きが逆のために光導電体１３に光が到来できない
場合を論理“０”に対応させることで、デジタル情報の
読出しを行うことができる。また第３図の一軸磁気異方
性体１１・・・を、外部コイルを所定の方向に通電する
と共に、ｘ−Ｘ方向書込みライン間に通電して加熱する
ことで、所定の方向に磁化し、その磁化の方向により、
デジタル情報を記憶させることができる。
来し照射されると、該受光素子９１の光導電体１３の抵
抗値が低下することで、該光導電体に接続しているＸ方
向続出しラインとＹ方向続出しライン間に、光を検出し
たことが出力される。そのため、第３図で説明した、−
軸磁気異方性体１１を通過して光導電体１３に光が到来
した場合を論理“ｌ”とし、−軸磁気異方性体１１の磁
化の向きが逆のために光導電体１３に光が到来できない
場合を論理“０”に対応させることで、デジタル情報の
読出しを行うことができる。また第３図の一軸磁気異方
性体１１・・・を、外部コイルを所定の方向に通電する
と共に、ｘ−Ｘ方向書込みライン間に通電して加熱する
ことで、所定の方向に磁化し、その磁化の方向により、
デジタル情報を記憶させることができる。
なお受光素子９Ｉとしては、ａ−３ｉ （アモルファス
シリコン）などのように光によって起電力を発生する物
質を使用することも有効である。
シリコン）などのように光によって起電力を発生する物
質を使用することも有効である。
以上のように本発明によれば、Ｘ方向書込みラインｘ、
、ｘ２・・・とＹ方向書込みラインＹ１、Ｙ２・・・
間に透明の一軸磁気異方性体ｌｌ・・・をそれぞれ接続
し、外部コイルによる磁化の方向とＸ−Ｙ書き込みライ
ンによる通電位置を選択することで、ランダムに情報を
書き込むことができる。また各−軸磁気異方性体１１・
・・に対応して、該−軸磁気異方性体１１・・・を通過
した偏光を受光素子群で検出し、Ｘ−Ｙ読み出しライン
で出力することにより、−軸磁気異方性体の磁化の方向
をライダムに読み出すことができる。このようにランダ
ム・アクセスが可能なため、光磁気メモリにおいても、
アクセスを高速で行うことが可能となる。
、ｘ２・・・とＹ方向書込みラインＹ１、Ｙ２・・・
間に透明の一軸磁気異方性体ｌｌ・・・をそれぞれ接続
し、外部コイルによる磁化の方向とＸ−Ｙ書き込みライ
ンによる通電位置を選択することで、ランダムに情報を
書き込むことができる。また各−軸磁気異方性体１１・
・・に対応して、該−軸磁気異方性体１１・・・を通過
した偏光を受光素子群で検出し、Ｘ−Ｙ読み出しライン
で出力することにより、−軸磁気異方性体の磁化の方向
をライダムに読み出すことができる。このようにランダ
ム・アクセスが可能なため、光磁気メモリにおいても、
アクセスを高速で行うことが可能となる。
第１図はファラデー効果を説明する断面図、第２図以下
は本発明による光磁気メモリ装置の実施例を示すもので
、第２図は全容を示す分解斜視図、第３図は透明磁性体
から成る記憶部を示す平面図と断面図、第４図は受光素
子を示す平面図と断面図である。 図において、５は発光素子、６は偏光子、７は透明磁性
体群、８は検光子、９は受光素子群、１１は発熱体、１
１は透明の一軸磁気異方性体、９１は受光素子、１３は
光導電体をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 青 柳 稔 第１図 （イ） （ロ） 第２図 第４図 第３図 手続ネｆｆｉ正書 ■、事件の表示 特願昭５８−１８２５３７２、発明の
名称 光磁気メモリ装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者白木 卓眞 ４、代理人 〒１０１童（０３） ８６３−０２２０住
所 東京都千代田区岩本町３丁目４番５号６、補正の対
象 明細書全文、図面第１図ハ５コ、（ 明細書 １、発明の名称 光磁気メモリ装置 ２、特許請求の範囲 一軸磁気異方性を有するデータ記憶のための透明磁性体
群と、該透明磁性体群の片方に配設されたデータの読み
出しのための光源と、該透明磁性体群の他方に配設され
たデータ読み出しのための受光素子群と、前記光源と前
記透明磁性体群の間に置かれた偏光子と、前記透明磁性
体群と前記受光素子群の間に置かれた検光子とを備えＣ
おり、かつ透明磁性体群中のそれぞれの透明磁性体には
マトリクス配線された書き込みラインが接続され、受光
素子群中のそれぞれの受光素子にはマトリクス配線され
た読み出しラインが接続されていることを特徴とする光
磁気メモリ装置。 ３、発明の詳細な説明 〔発明の技術分野〕 本発明は、磁性体の光学効果を利用してメモリ作用を行
わせる光磁気メモリ装置に関する。更に詳細には、光軸
に平行な一軸磁気異方性を有する光学的に透明な磁性体
群を用いてメモリ作用を行わせ、ランダム・アクセスを
可能にするものである。 〔従来技術とその問題点〕 従来から磁気光学効果を利用した光磁気メモリとして、
ＭｎＢ１やアモルファス磁性１１Ｅｕｏ （酸化ユーロ
ピウム）を使用したものが試みられているが、ランダム
・アクセスができない。そのため、アクセスに時間がか
かり、データの読み書き速度が低下する。 （発明の目的） 本発明の目的は、従来の光磁気メモリ装置におけるこの
ような問題を解消し、書き込みおよび読み出しをランダ
ムに行えるようにすることにある。 〔発明の構成〕 この目的を達成するために講じた本発明による技術的手
段は、−軸磁気異方性を有するデータ記憶のための透明
磁性体群と、該透明磁性体群の片方に配設されたデータ
の読み出しのための光源と、該透明磁性体群の他方に配
設されたデータ読み出しのための受光素子群と、前記光
源と前記透明磁性体群の間に置かれた偏光子と、前記透
明磁性体群と前記受光素子群の間に置かれた検光子とを
備えており、かつ透明磁性体群中のそれぞれの透明磁性
体にはマトリクス配線された書き込みラインが接続され
、受光素子群中のそれぞれの受光素子にはマトリクス配
線された読み出しラインが接続されている構成を採って
いる。 〔発明の実施例〕 本発明の詳細な説明する前に、磁気光学効果を説明する
。磁気バブル結晶における迷路状磁区や磁気バブル（以
下「バブル」と略す）は、磁気光学効果であるファラデ
ー効果を利用することにより、眼で直接観察することが
できる。ファラデー効果とは、偏光が透明磁性体を通過
する際に、磁化の向きにより偏光面が回転する現象をい
う。 したがって磁気バブル結晶において、バブルが上向きに
磁化しているか下向きに磁化しているかによって、偏光
を逆向きに回転させることになり、眼に見えたり見えな
かったりする。 この現象を利用して、第１図に示すような磁気光スイッ
チ素子が得られる。即ちバイアス磁界Ｈｂ中に配置され
た磁気バブル結晶１を使用し、バブル２の位置の片側に
入力側光ファイバーＦｉを配置し、他方に出力側光ファ
イバーＦＯを配置して互いに対向させる。そして入力側
光ファイバーＦｉと磁気バブル結晶１との間に偏光子３
を配置し、出力側光ファイバーＦＯと磁気バブル結晶ｌ
との間に検光子４を配置する。いま（イ）のように、バ
ブル２が上向きに磁化していると、偏光子３を通過した
偏光は、バブル２により、検光子４を通過できない向き
に回転されるので、出力０１１１光フアイバーＦＯに光
が到達しない。ところが（ロ）に示すように、バブル２
を移動または消滅させることにより光軸上の当該磁気バ
ブル結晶領域の磁化を下向きに反転させると、偏光子３
を通過した偏光が検光子４を通過する方向に回転される
。その結果、出力側光ファイバーＦＯでは光を検出し、
出力することができ、いわゆる磁気光スイッチングを行
うことができる。 第２図の（イ）は磁性体のこの光学的なスイッチングの
原理を応用して作製した本発明による光磁気メモリ装置
の実施例を示す分解斜視図、（ロ）は受光素子群の斜視
図、（ハ）は透明磁性体の斜視図である。（イ）に示す
ように、発光素子５、偏光子６、透明磁性体群７、検光
子８および受光素子群９の順に配設されている。発光素
子５は、例えばフォトダイオードなどを利用して、均一
に面発光するように形成される。偏光子６は、第１図の
偏光子３と同様に、発光素子５から到来した光を一定方
向に偏光させるものである。偏光子６を通過した偏光は
、透明磁性体群７に到達するが、透明磁性体群７には（
ハ）に示すように、Ｘ−Ｙ方向に多数の記憶単位を構成
する一軸磁気異方性の透明磁性体１１・・・が形成され
、それぞれの記憶単位において、第１図で説明したファ
ラデー効果を応用して記憶が行われる。 第３図は透明磁性体群における各透明磁性体１１・・・
を拡大して示したもので、（イ）は平面図、（ロ）は断
面図である。ｘｔ 、Ｘ２・・・はＸ方向に間隔をおい
て配設されたＸ方向の書き込みラインであり、導体で形
成されている。ｙｔ 、Ｙ２・・・はＹ方向に間隔をお
いて配設されたＹ方向の書込みラインである。各Ｘ方向
書・込みラインｘ１ 、ｘ２・・・とＹ方向書込みライ
ンｙｔ 、Ｙ２・・・は、互いに交差する位置において
、ニクロムなどのような発熱体ｌＯで接続されている。 そしてそれぞれの発熱体１０・・・の下には、ＧＧＧな
どの基板上に形成したＢｉＧｃｌｌＧ （ビスマス・ガ
ドリニウム・アイアンガーネット）などの−軸磁気異方
性の透明磁性体１１・・・が形成されている。 バブル材料などのような一軸磁気異方性の磁性体は、温
度が高いと、磁化を反転するための磁界が小さくてすむ
。そこで本発明では、透明磁性体７の各記憶単位である
一軸磁気異方性体１１の磁化を上向きまたは下向きに磁
化するための外部コイルを設ける。そしてＸ方向書込み
ラインＸ１、ｘ２・・・とＹ方向書込みライン’／１、
Ｙ２・・・門を選択的に通電して、発熱体ＩＯを発熱さ
せた状態で、該外部コイルに、−軸磁気異方性体１１・
・・が上向きに磁化する方向に通電する。すると発熱部
の一軸磁気異方性体１１のみが容易に上向きに磁化する
。逆にＸ方向書込みラインＸ１、Ｘ２・・・とＹ方向書
込みラインＹ１ 、Ｙ２・・・間を選択的に通電して、
発熱体ｌＯを発熱させた状態で、外部コイルに、−軸磁
気異方性体１１・・・が下向きに磁化する方向に通電す
ると、発熱部の一軸磁気異方性体１１のみが容易に下向
きに磁化する。−軸磁気異方性体の磁化の向きによって
、偏光の旋回方向が異なり、偏光が検光子８へ到達した
り到達不能となったりすることは第１図で説明したとお
りである。 なお各−軸磁気異方性体１１・・・間の溝部にＸ方向書
込ミラインＸ １ 、Ｘ ２・・・およびＹ方向書込み
ラインＹｌ 、Ｙ２・・・が格子状即ちマトリックス状
に配設され、かつ溝部をポリイミド樹脂１２などで埋め
ることで、Ｘ方向書込みラインｘｉ 、ｘ２・・・とＹ
方向書込みラインＹ、 、Ｙ２・・・との絶縁を行なっ
ている。 透明磁性体７に隣接して設ける検光子８には、受光素子
群９が配設される。第４図は検光子８上に設けた各受光
素子９１・・・を示すもので、（イ）は平面図、（ロ）
は断面図である。受光素子９１・・・は、各−軸磁気異
方性体１１・・・と対応してＸ−Ｙ方向に配設されてお
り、各受光素子９１・・・間にＸ方向読出しラインＸ、
、Ｘ２・・・とＹ方向読出しラインＹ１、Ｙ２・・・
が格子状に配設されている。そして各Ｘ方向読出しライ
ンｘｔ 、Ｘ２・・・とＹ方向読出しラインＹ１、Ｙ２
・・・は、互いに交差する位置において、前記の受光素
子９１が接続されている。受光素子９１・・・は、光導
電体１３の片面に透明導電膜などの導体１４を接続し、
他方の面に光の反射性に冨んだアルミニウム膜１５等を
被せることで、それぞれＸ−Ｙ方向の読出しラインに接
続されている。 いまある一部の受光素子９１に、検光子８側から光が到
来し照射されると、該受光素子９１の光導電体１３の抵
抗値が低下することで、該光導電体に接続しているＸ方
向読出しラインとＹ方向続出しライン間に、光を検出し
たことが出力される。そのため、第３図で説明した、−
軸磁気異方性体１１を通過して光導電体１３に光が到来
した場合を論理“ｌ”とし、−軸磁気異方性体１１の磁
化の向きが逆のために光導電体１３に光が到来できない
場合を論理“０″に対応させることで、デジタル情報の
読出しを行うことができる。また第３図の一軸磁気異方
性体１１・・・を、外部コイルを所定の方向に通電する
と共に、Ｘ−Ｙ方向書込みライン間に通電して加熱する
ことで、所定の方向に磁化し、その磁化の方向により、
デジタル情報を記憶させることができる。 なお受光素子９１としては、ａ−５ｔ （アモルファス
シリコン）などのように光によって起電力を発生する物
質を使用することも有効である。 〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、Ｘ方向書込みラインＸ１
、Ｘ２・・・とＹ方向書込みラインＹ１％Ｙ２・・・間
に透明の一軸磁気異方性体１１・・・をそれぞれ接続し
、外部コイルによる磁化の方向とＸ−Ｙ書き込みライン
による通電位置を選択することで、ランダムに情報を書
き込むことができる。また各−軸磁気異方性体１１・・
・に対応して、該−軸磁気異方性体１１・・・を通過し
た偏光を受光素子群で検出し、ｘ−Ｙ読み出しラインで
出力することにより、−軸磁気異方性体の磁化の方向を
ランダムに読み出すことができる。このようにランダム
・アクセスが可能なため、光磁気メモリにおいても、ア
クセスを高速で行うことが可能となる。 ４、図面の簡単な説明 第Ｆ図はファラデー効果を説明する断面図、第２図以下
は本発明による光磁気メモリ装置の実施例を示すもので
、第２図は全容を示す分解斜視図、第３図は透明磁性体
−／１１ら成る記憶部を示す平面図と断面図、第４図は
受光素子を示す平面図と断面図である。 図におい°ζ、５は発光素子、６は偏光子、７は透明磁
性体群、８は検光子、９は受光素子群、１０は発熱体、
１１は透明の一軸磁気異方性体、９１は受光素子、１３
は光導電体をそれぞれ示す。 特許出願人 冨士通株式会社 代理人 弁理士 青 柳 稔 −一一憂工 −−１藩℃
は本発明による光磁気メモリ装置の実施例を示すもので
、第２図は全容を示す分解斜視図、第３図は透明磁性体
から成る記憶部を示す平面図と断面図、第４図は受光素
子を示す平面図と断面図である。 図において、５は発光素子、６は偏光子、７は透明磁性
体群、８は検光子、９は受光素子群、１１は発熱体、１
１は透明の一軸磁気異方性体、９１は受光素子、１３は
光導電体をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 青 柳 稔 第１図 （イ） （ロ） 第２図 第４図 第３図 手続ネｆｆｉ正書 ■、事件の表示 特願昭５８−１８２５３７２、発明の
名称 光磁気メモリ装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者白木 卓眞 ４、代理人 〒１０１童（０３） ８６３−０２２０住
所 東京都千代田区岩本町３丁目４番５号６、補正の対
象 明細書全文、図面第１図ハ５コ、（ 明細書 １、発明の名称 光磁気メモリ装置 ２、特許請求の範囲 一軸磁気異方性を有するデータ記憶のための透明磁性体
群と、該透明磁性体群の片方に配設されたデータの読み
出しのための光源と、該透明磁性体群の他方に配設され
たデータ読み出しのための受光素子群と、前記光源と前
記透明磁性体群の間に置かれた偏光子と、前記透明磁性
体群と前記受光素子群の間に置かれた検光子とを備えＣ
おり、かつ透明磁性体群中のそれぞれの透明磁性体には
マトリクス配線された書き込みラインが接続され、受光
素子群中のそれぞれの受光素子にはマトリクス配線され
た読み出しラインが接続されていることを特徴とする光
磁気メモリ装置。 ３、発明の詳細な説明 〔発明の技術分野〕 本発明は、磁性体の光学効果を利用してメモリ作用を行
わせる光磁気メモリ装置に関する。更に詳細には、光軸
に平行な一軸磁気異方性を有する光学的に透明な磁性体
群を用いてメモリ作用を行わせ、ランダム・アクセスを
可能にするものである。 〔従来技術とその問題点〕 従来から磁気光学効果を利用した光磁気メモリとして、
ＭｎＢ１やアモルファス磁性１１Ｅｕｏ （酸化ユーロ
ピウム）を使用したものが試みられているが、ランダム
・アクセスができない。そのため、アクセスに時間がか
かり、データの読み書き速度が低下する。 （発明の目的） 本発明の目的は、従来の光磁気メモリ装置におけるこの
ような問題を解消し、書き込みおよび読み出しをランダ
ムに行えるようにすることにある。 〔発明の構成〕 この目的を達成するために講じた本発明による技術的手
段は、−軸磁気異方性を有するデータ記憶のための透明
磁性体群と、該透明磁性体群の片方に配設されたデータ
の読み出しのための光源と、該透明磁性体群の他方に配
設されたデータ読み出しのための受光素子群と、前記光
源と前記透明磁性体群の間に置かれた偏光子と、前記透
明磁性体群と前記受光素子群の間に置かれた検光子とを
備えており、かつ透明磁性体群中のそれぞれの透明磁性
体にはマトリクス配線された書き込みラインが接続され
、受光素子群中のそれぞれの受光素子にはマトリクス配
線された読み出しラインが接続されている構成を採って
いる。 〔発明の実施例〕 本発明の詳細な説明する前に、磁気光学効果を説明する
。磁気バブル結晶における迷路状磁区や磁気バブル（以
下「バブル」と略す）は、磁気光学効果であるファラデ
ー効果を利用することにより、眼で直接観察することが
できる。ファラデー効果とは、偏光が透明磁性体を通過
する際に、磁化の向きにより偏光面が回転する現象をい
う。 したがって磁気バブル結晶において、バブルが上向きに
磁化しているか下向きに磁化しているかによって、偏光
を逆向きに回転させることになり、眼に見えたり見えな
かったりする。 この現象を利用して、第１図に示すような磁気光スイッ
チ素子が得られる。即ちバイアス磁界Ｈｂ中に配置され
た磁気バブル結晶１を使用し、バブル２の位置の片側に
入力側光ファイバーＦｉを配置し、他方に出力側光ファ
イバーＦＯを配置して互いに対向させる。そして入力側
光ファイバーＦｉと磁気バブル結晶１との間に偏光子３
を配置し、出力側光ファイバーＦＯと磁気バブル結晶ｌ
との間に検光子４を配置する。いま（イ）のように、バ
ブル２が上向きに磁化していると、偏光子３を通過した
偏光は、バブル２により、検光子４を通過できない向き
に回転されるので、出力０１１１光フアイバーＦＯに光
が到達しない。ところが（ロ）に示すように、バブル２
を移動または消滅させることにより光軸上の当該磁気バ
ブル結晶領域の磁化を下向きに反転させると、偏光子３
を通過した偏光が検光子４を通過する方向に回転される
。その結果、出力側光ファイバーＦＯでは光を検出し、
出力することができ、いわゆる磁気光スイッチングを行
うことができる。 第２図の（イ）は磁性体のこの光学的なスイッチングの
原理を応用して作製した本発明による光磁気メモリ装置
の実施例を示す分解斜視図、（ロ）は受光素子群の斜視
図、（ハ）は透明磁性体の斜視図である。（イ）に示す
ように、発光素子５、偏光子６、透明磁性体群７、検光
子８および受光素子群９の順に配設されている。発光素
子５は、例えばフォトダイオードなどを利用して、均一
に面発光するように形成される。偏光子６は、第１図の
偏光子３と同様に、発光素子５から到来した光を一定方
向に偏光させるものである。偏光子６を通過した偏光は
、透明磁性体群７に到達するが、透明磁性体群７には（
ハ）に示すように、Ｘ−Ｙ方向に多数の記憶単位を構成
する一軸磁気異方性の透明磁性体１１・・・が形成され
、それぞれの記憶単位において、第１図で説明したファ
ラデー効果を応用して記憶が行われる。 第３図は透明磁性体群における各透明磁性体１１・・・
を拡大して示したもので、（イ）は平面図、（ロ）は断
面図である。ｘｔ 、Ｘ２・・・はＸ方向に間隔をおい
て配設されたＸ方向の書き込みラインであり、導体で形
成されている。ｙｔ 、Ｙ２・・・はＹ方向に間隔をお
いて配設されたＹ方向の書込みラインである。各Ｘ方向
書・込みラインｘ１ 、ｘ２・・・とＹ方向書込みライ
ンｙｔ 、Ｙ２・・・は、互いに交差する位置において
、ニクロムなどのような発熱体ｌＯで接続されている。 そしてそれぞれの発熱体１０・・・の下には、ＧＧＧな
どの基板上に形成したＢｉＧｃｌｌＧ （ビスマス・ガ
ドリニウム・アイアンガーネット）などの−軸磁気異方
性の透明磁性体１１・・・が形成されている。 バブル材料などのような一軸磁気異方性の磁性体は、温
度が高いと、磁化を反転するための磁界が小さくてすむ
。そこで本発明では、透明磁性体７の各記憶単位である
一軸磁気異方性体１１の磁化を上向きまたは下向きに磁
化するための外部コイルを設ける。そしてＸ方向書込み
ラインＸ１、ｘ２・・・とＹ方向書込みライン’／１、
Ｙ２・・・門を選択的に通電して、発熱体ＩＯを発熱さ
せた状態で、該外部コイルに、−軸磁気異方性体１１・
・・が上向きに磁化する方向に通電する。すると発熱部
の一軸磁気異方性体１１のみが容易に上向きに磁化する
。逆にＸ方向書込みラインＸ１、Ｘ２・・・とＹ方向書
込みラインＹ１ 、Ｙ２・・・間を選択的に通電して、
発熱体ｌＯを発熱させた状態で、外部コイルに、−軸磁
気異方性体１１・・・が下向きに磁化する方向に通電す
ると、発熱部の一軸磁気異方性体１１のみが容易に下向
きに磁化する。−軸磁気異方性体の磁化の向きによって
、偏光の旋回方向が異なり、偏光が検光子８へ到達した
り到達不能となったりすることは第１図で説明したとお
りである。 なお各−軸磁気異方性体１１・・・間の溝部にＸ方向書
込ミラインＸ １ 、Ｘ ２・・・およびＹ方向書込み
ラインＹｌ 、Ｙ２・・・が格子状即ちマトリックス状
に配設され、かつ溝部をポリイミド樹脂１２などで埋め
ることで、Ｘ方向書込みラインｘｉ 、ｘ２・・・とＹ
方向書込みラインＹ、 、Ｙ２・・・との絶縁を行なっ
ている。 透明磁性体７に隣接して設ける検光子８には、受光素子
群９が配設される。第４図は検光子８上に設けた各受光
素子９１・・・を示すもので、（イ）は平面図、（ロ）
は断面図である。受光素子９１・・・は、各−軸磁気異
方性体１１・・・と対応してＸ−Ｙ方向に配設されてお
り、各受光素子９１・・・間にＸ方向読出しラインＸ、
、Ｘ２・・・とＹ方向読出しラインＹ１、Ｙ２・・・
が格子状に配設されている。そして各Ｘ方向読出しライ
ンｘｔ 、Ｘ２・・・とＹ方向読出しラインＹ１、Ｙ２
・・・は、互いに交差する位置において、前記の受光素
子９１が接続されている。受光素子９１・・・は、光導
電体１３の片面に透明導電膜などの導体１４を接続し、
他方の面に光の反射性に冨んだアルミニウム膜１５等を
被せることで、それぞれＸ−Ｙ方向の読出しラインに接
続されている。 いまある一部の受光素子９１に、検光子８側から光が到
来し照射されると、該受光素子９１の光導電体１３の抵
抗値が低下することで、該光導電体に接続しているＸ方
向読出しラインとＹ方向続出しライン間に、光を検出し
たことが出力される。そのため、第３図で説明した、−
軸磁気異方性体１１を通過して光導電体１３に光が到来
した場合を論理“ｌ”とし、−軸磁気異方性体１１の磁
化の向きが逆のために光導電体１３に光が到来できない
場合を論理“０″に対応させることで、デジタル情報の
読出しを行うことができる。また第３図の一軸磁気異方
性体１１・・・を、外部コイルを所定の方向に通電する
と共に、Ｘ−Ｙ方向書込みライン間に通電して加熱する
ことで、所定の方向に磁化し、その磁化の方向により、
デジタル情報を記憶させることができる。 なお受光素子９１としては、ａ−５ｔ （アモルファス
シリコン）などのように光によって起電力を発生する物
質を使用することも有効である。 〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、Ｘ方向書込みラインＸ１
、Ｘ２・・・とＹ方向書込みラインＹ１％Ｙ２・・・間
に透明の一軸磁気異方性体１１・・・をそれぞれ接続し
、外部コイルによる磁化の方向とＸ−Ｙ書き込みライン
による通電位置を選択することで、ランダムに情報を書
き込むことができる。また各−軸磁気異方性体１１・・
・に対応して、該−軸磁気異方性体１１・・・を通過し
た偏光を受光素子群で検出し、ｘ−Ｙ読み出しラインで
出力することにより、−軸磁気異方性体の磁化の方向を
ランダムに読み出すことができる。このようにランダム
・アクセスが可能なため、光磁気メモリにおいても、ア
クセスを高速で行うことが可能となる。 ４、図面の簡単な説明 第Ｆ図はファラデー効果を説明する断面図、第２図以下
は本発明による光磁気メモリ装置の実施例を示すもので
、第２図は全容を示す分解斜視図、第３図は透明磁性体
−／１１ら成る記憶部を示す平面図と断面図、第４図は
受光素子を示す平面図と断面図である。 図におい°ζ、５は発光素子、６は偏光子、７は透明磁
性体群、８は検光子、９は受光素子群、１０は発熱体、
１１は透明の一軸磁気異方性体、９１は受光素子、１３
は光導電体をそれぞれ示す。 特許出願人 冨士通株式会社 代理人 弁理士 青 柳 稔 −一一憂工 −−１藩℃
Claims (1)
- 一軸磁気異方性を有するデータ記憶のための透明磁性体
群と、該透明磁性体群の片方に配設されたデータの読み
出しのための光源と、該透明磁性体群の他方に配設され
たデータ読み出しのための受光素子群と、前記光源と前
記透明磁性体群の間に置かれた偏光子と、前記透明磁性
体群と前記受光素子群の間に置かれた検光子とを備えて
おり、かつ透明磁性体群中のそれぞれの透明磁性体に番
よマトリクス配線された書き込みラインが接続され、受
光素子群中のそれぞれの受光素子にはマトリクス配線さ
れた読み出しラインが接続されても）ることを特徴とす
る光磁気メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18253783A JPS6076092A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 光磁気メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18253783A JPS6076092A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 光磁気メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076092A true JPS6076092A (ja) | 1985-04-30 |
Family
ID=16120030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18253783A Pending JPS6076092A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 光磁気メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076092A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2653247A1 (fr) * | 1989-10-13 | 1991-04-19 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'ecriture et de lecture d'informations a partir d'un support a base de materiau ferroelectrique. |
| US10387298B2 (en) | 2017-04-04 | 2019-08-20 | Hailo Technologies Ltd | Artificial neural network incorporating emphasis and focus techniques |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18253783A patent/JPS6076092A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2653247A1 (fr) * | 1989-10-13 | 1991-04-19 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'ecriture et de lecture d'informations a partir d'un support a base de materiau ferroelectrique. |
| US10387298B2 (en) | 2017-04-04 | 2019-08-20 | Hailo Technologies Ltd | Artificial neural network incorporating emphasis and focus techniques |
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