JPS607405A - 光導波路の製造方法 - Google Patents

光導波路の製造方法

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JPS607405A
JPS607405A JP11778583A JP11778583A JPS607405A JP S607405 A JPS607405 A JP S607405A JP 11778583 A JP11778583 A JP 11778583A JP 11778583 A JP11778583 A JP 11778583A JP S607405 A JPS607405 A JP S607405A
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JP
Japan
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film
optical waveguide
polymer film
parallel
ultraviolet rays
Prior art date
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Pending
Application number
JP11778583A
Other languages
English (en)
Inventor
Naohisa Inoue
直久 井上
Masaharu Matano
俣野 正治
Maki Yamashita
山下 牧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Tateisi Electronics Co
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
Application filed by Tateisi Electronics Co, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Tateisi Electronics Co
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Publication of JPS607405A publication Critical patent/JPS607405A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/138Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using polymerisation

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)発明の分野 この発明は、高分子フィルムを用いた光導波路のml造
方法に関する。
(ロ)従来技術とその問題点 一般に、光導波路の椙料としては、誘電体(LiNbo
3.LiTaO3など)、半導体(GaA3など)。
ガラス(コーニング社製の0211ガラス、ソーダライ
ムカ゛ラヌなど)及び高分子(ポリメチルメタクリレー
ト、ポリカーボネートなど)等の多数の材料が挙げられ
る。
一方、光導波路には、2次元光導波路の他、5次元光導
波路があり、この3次元光導波路には。
基板表面上に形成される拡散形などの能、埋込形のもの
がある。そして、との埋込形光導波路の製造に適した材
料が少なく、その製造例としては。
ガラス材料に2種類のイオン′!il−選択拡散して製
造している程度である。
との光導波路を埋込形にすることは、拡散型などの基板
表面に形成する光導波路に比して基板表面における不整
合による光散乱を減少させ損失を低下させることができ
る上に、モードの鐸換もなくすることができる。しかも
、基板表面の光導波路に比して埋込形は、端面研磨の許
容度が大きく。
且つ光ファイバとの糖自が容易になるという利点がある
ところが、従来、高分子フィルムを用いた光導波路の製
造方法は、第1図に示すように、先ず。
低屈折率モノマを含有した高分子フィルムaを設置した
後(第1図(、)参照)、このフィルムaの上面にマス
クbを設け、上方よシ紫外線Cを垂直に照射する(第1
図(b)参照)。この紫外線C照射によシマスフbの下
方部以外を露光してモノマを重合し、マスクbの下方部
に非露光部dを製作する。
続いて、このフィルムaを真空乾燥して非露光部dの未
反応モノマを除去七:屈折率を上昇させて光導波路Cを
形成する(第1図(C)参照)。最後に。
フィルムaの表面にり?ラド層[を形成していた←第1
図1d)参照)。 、 しかし、この方法では埋込形の光導波路を製造すること
ができないので、高分子フィルムaの適用範囲が狭いと
いう問題があった。そこで、高分子フィルムと埋込形光
導波路との長所を発揮する新たな製造方法の出現が望ま
れていた。
(ハ)発明の目的 この発明は、斯かる点に鑑みてなされたもので。
紫外線を多方向より照射することによって品分イフイル
ムに埋込形光導波を製作できるようにした光導波路の製
造方法を提供することを目的とするものである。
に)発明の構成と効果 この発明は、上述した目的を達成するために。
低屈折率モノマを含有した高分子フィルムの表面上に少
なくとも2つ以上のマスクを並設した□後。
この高分子フィルムにマスク側より紫外線を多方向から
照射し、高分子フィルムの内部に非露光部を作製し、こ
の非露光部を光導波路に形成するように構成されている
したがって、この発明によれば、高分子フィルムに埋込
形光導波路を形成することができるので。
高分子フィルムと埋込形光導波路との長所を十分に発揮
させることができる。つまシ、高分子フィルムには従来
ない埋込形光導波路を形成することができるので2光の
伝振損失を少なくすることができる。その上、端面研磨
を容易にすることができると共に、光ファイバとの結合
を極めて簡単に行うことができる。
更に、極細径の光導波路をも制約なしに製造することが
できるから叩光導波路の適用範囲を拡大することができ
る。
09実施例の説明 以下、この発明の一実施例にっ艷て図面に基づき詳細に
説明する。 。
第2図に示すように、1は先導波路2の製造装置であっ
て、高分子フィルム6が下部に設置され。
このフィルム6の上面にフォトマスク4が重畳されると
共に、プリズム5が設けられて構成されている。更に、
このプリズム5の上方には2図示しないが、高圧の水銀
灯が設けられておシ、この水銀灯よシ紫外線6がプリズ
ム5に向って照射されるようになっている。
このプリズム5は、紫外線6を2皿類の方向の第1平行
光線6aと第2平行光線6bとに分割するもので、高分
子フィルム3に対して垂直方向の紫外線6が外側方に傾
斜した2つの平行光線/) J6bに分割されるように
なっている。
そして、このプリズム5と高分子フィルム6との間にお
いて、プリズム5の両側方にはミラー7が設けられてい
る。このミラー7は、プリズム5からの両平行光線6a
、6bを反則させるもので。
両平行光線6 a I 6 bをフィルム乙の上面に交
叉する方向に照射するようになっている。しかも。
両平行光線6 a + 6 bがフィルレム乙の」二面
の法線に対して対称にフィルレム乙に照射されるように
なっている。
前記高分子フィルムろは、ドープモノマであるアクリル
酸メチル(MA、重合時の屈折率ロー148)と光増感
剤のベンゾインエチルエーテル(増感波長330〜36
0nm)を含むポリヵーボネ−) (PC・屈折率n=
1.59)の母材フィルムがキャスティングにより作製
されたものである。また。
前記フォトマスク4は、各平行光線6a+6L+を遮蔽
するもので、所定パターンに形成されており。
2つ所定間隔を存して並設されている。
次に、この製造装置1による光導波路2の製造方法につ
いて説明する。
先ず、高分子フィルムろを作製し、つまりドープモノマ
のアクl))し酸メチルと光増感剤のベンゾインエチル
エーテルを含むポリカーボネ−1・の母4Zフィルムを
ギー\lスティングにより作製する。
この高分子フィルム6を製造装置1の下部に設置し、こ
のフィルム6の上面に2つのフ第1・マスク4を並行に
設ける。
続いて、窒素雰囲気中において、水銀灯(図示省略)よ
シ紫外線6を出射する8この紫外線6は。
プリズム5により2種類の平行光)$6a+6bに分割
され、この両軍行光線6a、6bはミラー7゜7で反射
し、マスク4を含むフィルム6の」二面に15分間照則
される(第2図(a)参照)。この平行光線6a、6b
はフィルレム6上面に対して斜めに照射されてフィルム
6が露光される一方、2つのフォトマスク4,4で遮蔽
されるので、第1平行光線6aが一方のマスクで遮蔽さ
れた非露光部6aが、第2平行光線6bが他方のマスク
7で遮蔽されだ非露光部3bがそれぞれ互いに交叉する
斜め方向にフィルム乙に形成され1両軍行光線6a。
6bの何れにも露光されない非露光部3Cがフィルム乙
の内部に形成される。そして、露光部のモノマは重合さ
れる。
続いて、このフィルム6を温度95′Gで10時間真空
乾燥し、第2図(b)に示すように、非露光部3Cに残
存している未反応モノマを除去し、非露光部6Cの屈折
率を上昇し光導波路2を形成する。
これによって、埋込形光導波路2が高分子フィルム乙に
形成される。
第6図は光伝送手段の1デバイス8を示し、フィルム6
よシなる基板9の上下面にクラッドj−10が形成され
、この基板9の内部に光2jメ波路2が形成されて構成
されている。
尚、紫外線乙の照射時間及び方向は実jjllj例に限
られるものではなく、要するに、光導波路がフィルム内
に形成されればよい。また、高分子フィルムの材料も実
施例に限られるものではない。特に。
紫外線6の照射については、同時に2方向によシ行った
が、1方向毎に行うようにしてもよい。
また、フォトマスク4は3つ以上並設してもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の先導波路の製造工程を示し、第1図(a
)は高分子フィルムの断面図、第1図(b)は紫外線照
射時の同断面図、第1図((〕)は真空乾燥時の同断面
図、第1図(d)は光4波路成形後の同断面図。 第2図及び第6図はこの発明の一実施例を示し。 昭2図(a)は紫外線照射時を示す光導波路の製造装置
の概略側両断面図、8第2図(b)は真空乾燥時の高分
子フィルムの断面図、第3図は埋込形光導波路を備えた
デバイスの斜視図である。 1:光d導波路の製造装置iff、2:光導波路。 6:高分子フィルム、 3C:非露光部。 4:フオトマスク、5ニプリズム。 6:紫外線t 6a・6b:平行光線。 7:ミラー。 特許出願人 立石電機株式会社 代理人 弁理士 中 村 茂 信 第1図 第2図 第3図 手続補正歯(自発) 1 事件の表示 昭和58年特許願第117785号 2 発明の名称 光導波路の製造方法 6、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 京都市右京区花園土堂町10番地名 称 (2
94) 立石電機株式会社代表者 立石孝雄 4、代理人 (1)明細書の第2頁第6行目に[Ga Asj とあ
るを「Ga Asjと補正する。 以」−

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)低屈折率モノマを含有した高分子フィμムの表面
    上に少なくとも2つ以上のマスクを並設した後、この高
    分子フィルムにマスク側よシ紫外線を多方向から照射し
    、高分子フィルムの内部に非露光部を作製し、この非露
    光部を光導波路に形成することを特徴とする光導波路の
    製造方法。
  2. (2)前記紫外線は、2柾類の′!1fJ1平行光線と
    第2平行光線とよυ成シ9両平行光線が前記高分子フィ
    ルム表面の法線に対して対称に照射していることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の光導波路の製造方法
JP11778583A 1983-06-28 1983-06-28 光導波路の製造方法 Pending JPS607405A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01125169A (ja) * 1987-11-10 1989-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd イメージセンサ
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