JPS607405A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JPS607405A JPS607405A JP11778583A JP11778583A JPS607405A JP S607405 A JPS607405 A JP S607405A JP 11778583 A JP11778583 A JP 11778583A JP 11778583 A JP11778583 A JP 11778583A JP S607405 A JPS607405 A JP S607405A
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- JP
- Japan
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- film
- optical waveguide
- polymer film
- parallel
- ultraviolet rays
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/138—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using polymerisation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)発明の分野
この発明は、高分子フィルムを用いた光導波路のml造
方法に関する。
方法に関する。
(ロ)従来技術とその問題点
一般に、光導波路の椙料としては、誘電体(LiNbo
3.LiTaO3など)、半導体(GaA3など)。
3.LiTaO3など)、半導体(GaA3など)。
ガラス(コーニング社製の0211ガラス、ソーダライ
ムカ゛ラヌなど)及び高分子(ポリメチルメタクリレー
ト、ポリカーボネートなど)等の多数の材料が挙げられ
る。
ムカ゛ラヌなど)及び高分子(ポリメチルメタクリレー
ト、ポリカーボネートなど)等の多数の材料が挙げられ
る。
一方、光導波路には、2次元光導波路の他、5次元光導
波路があり、この3次元光導波路には。
波路があり、この3次元光導波路には。
基板表面上に形成される拡散形などの能、埋込形のもの
がある。そして、との埋込形光導波路の製造に適した材
料が少なく、その製造例としては。
がある。そして、との埋込形光導波路の製造に適した材
料が少なく、その製造例としては。
ガラス材料に2種類のイオン′!il−選択拡散して製
造している程度である。
造している程度である。
との光導波路を埋込形にすることは、拡散型などの基板
表面に形成する光導波路に比して基板表面における不整
合による光散乱を減少させ損失を低下させることができ
る上に、モードの鐸換もなくすることができる。しかも
、基板表面の光導波路に比して埋込形は、端面研磨の許
容度が大きく。
表面に形成する光導波路に比して基板表面における不整
合による光散乱を減少させ損失を低下させることができ
る上に、モードの鐸換もなくすることができる。しかも
、基板表面の光導波路に比して埋込形は、端面研磨の許
容度が大きく。
且つ光ファイバとの糖自が容易になるという利点がある
。
。
ところが、従来、高分子フィルムを用いた光導波路の製
造方法は、第1図に示すように、先ず。
造方法は、第1図に示すように、先ず。
低屈折率モノマを含有した高分子フィルムaを設置した
後(第1図(、)参照)、このフィルムaの上面にマス
クbを設け、上方よシ紫外線Cを垂直に照射する(第1
図(b)参照)。この紫外線C照射によシマスフbの下
方部以外を露光してモノマを重合し、マスクbの下方部
に非露光部dを製作する。
後(第1図(、)参照)、このフィルムaの上面にマス
クbを設け、上方よシ紫外線Cを垂直に照射する(第1
図(b)参照)。この紫外線C照射によシマスフbの下
方部以外を露光してモノマを重合し、マスクbの下方部
に非露光部dを製作する。
続いて、このフィルムaを真空乾燥して非露光部dの未
反応モノマを除去七:屈折率を上昇させて光導波路Cを
形成する(第1図(C)参照)。最後に。
反応モノマを除去七:屈折率を上昇させて光導波路Cを
形成する(第1図(C)参照)。最後に。
フィルムaの表面にり?ラド層[を形成していた←第1
図1d)参照)。 、 しかし、この方法では埋込形の光導波路を製造すること
ができないので、高分子フィルムaの適用範囲が狭いと
いう問題があった。そこで、高分子フィルムと埋込形光
導波路との長所を発揮する新たな製造方法の出現が望ま
れていた。
図1d)参照)。 、 しかし、この方法では埋込形の光導波路を製造すること
ができないので、高分子フィルムaの適用範囲が狭いと
いう問題があった。そこで、高分子フィルムと埋込形光
導波路との長所を発揮する新たな製造方法の出現が望ま
れていた。
(ハ)発明の目的
この発明は、斯かる点に鑑みてなされたもので。
紫外線を多方向より照射することによって品分イフイル
ムに埋込形光導波を製作できるようにした光導波路の製
造方法を提供することを目的とするものである。
ムに埋込形光導波を製作できるようにした光導波路の製
造方法を提供することを目的とするものである。
に)発明の構成と効果
この発明は、上述した目的を達成するために。
低屈折率モノマを含有した高分子フィルムの表面上に少
なくとも2つ以上のマスクを並設した□後。
なくとも2つ以上のマスクを並設した□後。
この高分子フィルムにマスク側より紫外線を多方向から
照射し、高分子フィルムの内部に非露光部を作製し、こ
の非露光部を光導波路に形成するように構成されている
。
照射し、高分子フィルムの内部に非露光部を作製し、こ
の非露光部を光導波路に形成するように構成されている
。
したがって、この発明によれば、高分子フィルムに埋込
形光導波路を形成することができるので。
形光導波路を形成することができるので。
高分子フィルムと埋込形光導波路との長所を十分に発揮
させることができる。つまシ、高分子フィルムには従来
ない埋込形光導波路を形成することができるので2光の
伝振損失を少なくすることができる。その上、端面研磨
を容易にすることができると共に、光ファイバとの結合
を極めて簡単に行うことができる。
させることができる。つまシ、高分子フィルムには従来
ない埋込形光導波路を形成することができるので2光の
伝振損失を少なくすることができる。その上、端面研磨
を容易にすることができると共に、光ファイバとの結合
を極めて簡単に行うことができる。
更に、極細径の光導波路をも制約なしに製造することが
できるから叩光導波路の適用範囲を拡大することができ
る。
できるから叩光導波路の適用範囲を拡大することができ
る。
09実施例の説明
以下、この発明の一実施例にっ艷て図面に基づき詳細に
説明する。 。
説明する。 。
第2図に示すように、1は先導波路2の製造装置であっ
て、高分子フィルム6が下部に設置され。
て、高分子フィルム6が下部に設置され。
このフィルム6の上面にフォトマスク4が重畳されると
共に、プリズム5が設けられて構成されている。更に、
このプリズム5の上方には2図示しないが、高圧の水銀
灯が設けられておシ、この水銀灯よシ紫外線6がプリズ
ム5に向って照射されるようになっている。
共に、プリズム5が設けられて構成されている。更に、
このプリズム5の上方には2図示しないが、高圧の水銀
灯が設けられておシ、この水銀灯よシ紫外線6がプリズ
ム5に向って照射されるようになっている。
このプリズム5は、紫外線6を2皿類の方向の第1平行
光線6aと第2平行光線6bとに分割するもので、高分
子フィルム3に対して垂直方向の紫外線6が外側方に傾
斜した2つの平行光線/) J6bに分割されるように
なっている。
光線6aと第2平行光線6bとに分割するもので、高分
子フィルム3に対して垂直方向の紫外線6が外側方に傾
斜した2つの平行光線/) J6bに分割されるように
なっている。
そして、このプリズム5と高分子フィルム6との間にお
いて、プリズム5の両側方にはミラー7が設けられてい
る。このミラー7は、プリズム5からの両平行光線6a
、6bを反則させるもので。
いて、プリズム5の両側方にはミラー7が設けられてい
る。このミラー7は、プリズム5からの両平行光線6a
、6bを反則させるもので。
両平行光線6 a I 6 bをフィルム乙の上面に交
叉する方向に照射するようになっている。しかも。
叉する方向に照射するようになっている。しかも。
両平行光線6 a + 6 bがフィルレム乙の」二面
の法線に対して対称にフィルレム乙に照射されるように
なっている。
の法線に対して対称にフィルレム乙に照射されるように
なっている。
前記高分子フィルムろは、ドープモノマであるアクリル
酸メチル(MA、重合時の屈折率ロー148)と光増感
剤のベンゾインエチルエーテル(増感波長330〜36
0nm)を含むポリヵーボネ−) (PC・屈折率n=
1.59)の母材フィルムがキャスティングにより作製
されたものである。また。
酸メチル(MA、重合時の屈折率ロー148)と光増感
剤のベンゾインエチルエーテル(増感波長330〜36
0nm)を含むポリヵーボネ−) (PC・屈折率n=
1.59)の母材フィルムがキャスティングにより作製
されたものである。また。
前記フォトマスク4は、各平行光線6a+6L+を遮蔽
するもので、所定パターンに形成されており。
するもので、所定パターンに形成されており。
2つ所定間隔を存して並設されている。
次に、この製造装置1による光導波路2の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
先ず、高分子フィルムろを作製し、つまりドープモノマ
のアクl))し酸メチルと光増感剤のベンゾインエチル
エーテルを含むポリカーボネ−1・の母4Zフィルムを
ギー\lスティングにより作製する。
のアクl))し酸メチルと光増感剤のベンゾインエチル
エーテルを含むポリカーボネ−1・の母4Zフィルムを
ギー\lスティングにより作製する。
この高分子フィルム6を製造装置1の下部に設置し、こ
のフィルム6の上面に2つのフ第1・マスク4を並行に
設ける。
のフィルム6の上面に2つのフ第1・マスク4を並行に
設ける。
続いて、窒素雰囲気中において、水銀灯(図示省略)よ
シ紫外線6を出射する8この紫外線6は。
シ紫外線6を出射する8この紫外線6は。
プリズム5により2種類の平行光)$6a+6bに分割
され、この両軍行光線6a、6bはミラー7゜7で反射
し、マスク4を含むフィルム6の」二面に15分間照則
される(第2図(a)参照)。この平行光線6a、6b
はフィルレム6上面に対して斜めに照射されてフィルム
6が露光される一方、2つのフォトマスク4,4で遮蔽
されるので、第1平行光線6aが一方のマスクで遮蔽さ
れた非露光部6aが、第2平行光線6bが他方のマスク
7で遮蔽されだ非露光部3bがそれぞれ互いに交叉する
斜め方向にフィルム乙に形成され1両軍行光線6a。
され、この両軍行光線6a、6bはミラー7゜7で反射
し、マスク4を含むフィルム6の」二面に15分間照則
される(第2図(a)参照)。この平行光線6a、6b
はフィルレム6上面に対して斜めに照射されてフィルム
6が露光される一方、2つのフォトマスク4,4で遮蔽
されるので、第1平行光線6aが一方のマスクで遮蔽さ
れた非露光部6aが、第2平行光線6bが他方のマスク
7で遮蔽されだ非露光部3bがそれぞれ互いに交叉する
斜め方向にフィルム乙に形成され1両軍行光線6a。
6bの何れにも露光されない非露光部3Cがフィルム乙
の内部に形成される。そして、露光部のモノマは重合さ
れる。
の内部に形成される。そして、露光部のモノマは重合さ
れる。
続いて、このフィルム6を温度95′Gで10時間真空
乾燥し、第2図(b)に示すように、非露光部3Cに残
存している未反応モノマを除去し、非露光部6Cの屈折
率を上昇し光導波路2を形成する。
乾燥し、第2図(b)に示すように、非露光部3Cに残
存している未反応モノマを除去し、非露光部6Cの屈折
率を上昇し光導波路2を形成する。
これによって、埋込形光導波路2が高分子フィルム乙に
形成される。
形成される。
第6図は光伝送手段の1デバイス8を示し、フィルム6
よシなる基板9の上下面にクラッドj−10が形成され
、この基板9の内部に光2jメ波路2が形成されて構成
されている。
よシなる基板9の上下面にクラッドj−10が形成され
、この基板9の内部に光2jメ波路2が形成されて構成
されている。
尚、紫外線乙の照射時間及び方向は実jjllj例に限
られるものではなく、要するに、光導波路がフィルム内
に形成されればよい。また、高分子フィルムの材料も実
施例に限られるものではない。特に。
られるものではなく、要するに、光導波路がフィルム内
に形成されればよい。また、高分子フィルムの材料も実
施例に限られるものではない。特に。
紫外線6の照射については、同時に2方向によシ行った
が、1方向毎に行うようにしてもよい。
が、1方向毎に行うようにしてもよい。
また、フォトマスク4は3つ以上並設してもよい。
第1図は従来の先導波路の製造工程を示し、第1図(a
)は高分子フィルムの断面図、第1図(b)は紫外線照
射時の同断面図、第1図((〕)は真空乾燥時の同断面
図、第1図(d)は光4波路成形後の同断面図。 第2図及び第6図はこの発明の一実施例を示し。 昭2図(a)は紫外線照射時を示す光導波路の製造装置
の概略側両断面図、8第2図(b)は真空乾燥時の高分
子フィルムの断面図、第3図は埋込形光導波路を備えた
デバイスの斜視図である。 1:光d導波路の製造装置iff、2:光導波路。 6:高分子フィルム、 3C:非露光部。 4:フオトマスク、5ニプリズム。 6:紫外線t 6a・6b:平行光線。 7:ミラー。 特許出願人 立石電機株式会社 代理人 弁理士 中 村 茂 信 第1図 第2図 第3図 手続補正歯(自発) 1 事件の表示 昭和58年特許願第117785号 2 発明の名称 光導波路の製造方法 6、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 京都市右京区花園土堂町10番地名 称 (2
94) 立石電機株式会社代表者 立石孝雄 4、代理人 (1)明細書の第2頁第6行目に[Ga Asj とあ
るを「Ga Asjと補正する。 以」−
)は高分子フィルムの断面図、第1図(b)は紫外線照
射時の同断面図、第1図((〕)は真空乾燥時の同断面
図、第1図(d)は光4波路成形後の同断面図。 第2図及び第6図はこの発明の一実施例を示し。 昭2図(a)は紫外線照射時を示す光導波路の製造装置
の概略側両断面図、8第2図(b)は真空乾燥時の高分
子フィルムの断面図、第3図は埋込形光導波路を備えた
デバイスの斜視図である。 1:光d導波路の製造装置iff、2:光導波路。 6:高分子フィルム、 3C:非露光部。 4:フオトマスク、5ニプリズム。 6:紫外線t 6a・6b:平行光線。 7:ミラー。 特許出願人 立石電機株式会社 代理人 弁理士 中 村 茂 信 第1図 第2図 第3図 手続補正歯(自発) 1 事件の表示 昭和58年特許願第117785号 2 発明の名称 光導波路の製造方法 6、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 京都市右京区花園土堂町10番地名 称 (2
94) 立石電機株式会社代表者 立石孝雄 4、代理人 (1)明細書の第2頁第6行目に[Ga Asj とあ
るを「Ga Asjと補正する。 以」−
Claims (2)
- (1)低屈折率モノマを含有した高分子フィμムの表面
上に少なくとも2つ以上のマスクを並設した後、この高
分子フィルムにマスク側よシ紫外線を多方向から照射し
、高分子フィルムの内部に非露光部を作製し、この非露
光部を光導波路に形成することを特徴とする光導波路の
製造方法。 - (2)前記紫外線は、2柾類の′!1fJ1平行光線と
第2平行光線とよυ成シ9両平行光線が前記高分子フィ
ルム表面の法線に対して対称に照射していることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の光導波路の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11778583A JPS607405A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11778583A JPS607405A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS607405A true JPS607405A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14720249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11778583A Pending JPS607405A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607405A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01125169A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメージセンサ |
WO1997028473A1 (de) * | 1996-02-03 | 1997-08-07 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur herstellung von optischen bauelementen und optisches bauelement |
US11131929B2 (en) * | 2018-11-07 | 2021-09-28 | Waymo Llc | Systems and methods that utilize angled photolithography for manufacturing light guide elements |
US11131934B2 (en) | 2019-10-29 | 2021-09-28 | Waymo Llc | Non-telecentric light guide elements |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP11778583A patent/JPS607405A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01125169A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメージセンサ |
WO1997028473A1 (de) * | 1996-02-03 | 1997-08-07 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur herstellung von optischen bauelementen und optisches bauelement |
US6178281B1 (en) | 1996-02-03 | 2001-01-23 | Robert Bosch Gmbh | Method for the manufacture of optical components, and optical component |
US11131929B2 (en) * | 2018-11-07 | 2021-09-28 | Waymo Llc | Systems and methods that utilize angled photolithography for manufacturing light guide elements |
US11994802B2 (en) | 2018-11-07 | 2024-05-28 | Waymo Llc | Systems and methods that utilize angled photolithography for manufacturing light guide elements |
US11131934B2 (en) | 2019-10-29 | 2021-09-28 | Waymo Llc | Non-telecentric light guide elements |
US11520236B2 (en) | 2019-10-29 | 2022-12-06 | Waymo Llc | Non-telecentric light guide elements |
US11868050B2 (en) | 2019-10-29 | 2024-01-09 | Waymo Llc | Non-telecentric light guide elements |
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