JPS607360B2 - 加熱炉 - Google Patents
加熱炉Info
- Publication number
- JPS607360B2 JPS607360B2 JP8661875A JP8661875A JPS607360B2 JP S607360 B2 JPS607360 B2 JP S607360B2 JP 8661875 A JP8661875 A JP 8661875A JP 8661875 A JP8661875 A JP 8661875A JP S607360 B2 JPS607360 B2 JP S607360B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- tube
- flow path
- gas flow
- heating element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H3/00—Production or acceleration of neutral particle beams, e.g. molecular or atomic beams
- H05H3/02—Molecular or atomic beam generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は循環気体流を300ぴK程度の極めて高い温度
に加熱するための加熱炉に関するものである。
に加熱するための加熱炉に関するものである。
本発明は主としてノズルから排出される超音速噴流の軸
方向部分を高真空中において抽出かつ伝達させることに
より分子噴流を発生するのに用いられる実験器具に関す
るものである。この目的はより高度の真空が漸進的に得
られる一連の近接室を分離するようにされた適当なダイ
ヤフラムを使用することにより達成される。この型式の
装置において加熱炉を介してノズル内の気体が生ずる温
度は300K〜3000K程度に連続的に変動し〜 か
くて分子噴流を形成する分子のエネルギーも該温度に比
例して変動する。軽量のキャリア気体(水素及至ヘリウ
ム)を高濃度に含有した混合物の超音速噴流内に自然に
発生する空気力学的加速効果とこの加熱効果を組合わせ
ることにより例えば00&V〜4戊Vの範囲の運動エネ
ルギーを有する分子光線を発生させることが出来る。こ
の様なエネルギーを有する光線は基礎的並びに応用的研
究諸分野において有用なものである。
方向部分を高真空中において抽出かつ伝達させることに
より分子噴流を発生するのに用いられる実験器具に関す
るものである。この目的はより高度の真空が漸進的に得
られる一連の近接室を分離するようにされた適当なダイ
ヤフラムを使用することにより達成される。この型式の
装置において加熱炉を介してノズル内の気体が生ずる温
度は300K〜3000K程度に連続的に変動し〜 か
くて分子噴流を形成する分子のエネルギーも該温度に比
例して変動する。軽量のキャリア気体(水素及至ヘリウ
ム)を高濃度に含有した混合物の超音速噴流内に自然に
発生する空気力学的加速効果とこの加熱効果を組合わせ
ることにより例えば00&V〜4戊Vの範囲の運動エネ
ルギーを有する分子光線を発生させることが出来る。こ
の様なエネルギーを有する光線は基礎的並びに応用的研
究諸分野において有用なものである。
即ちこのエネルギー範囲は実際には諸物理化学行程〜励
起行程、イオン化行程「分離行程も気体一団体間の相互
作用行程等において見られるエネルギーレベルである。
上述の加熱炉は又風洞、空力学的レーザ等の研究分野に
おいても用いる事が出来る。従来の技術によれば「循環
気体の加熱は通常タングステンから構成された小さな管
状貯蔵部材を通過する時のジュール効果を利用して行な
われており、該チューブの側壁は加熱抵抗器の作用を行
なっていた。
起行程、イオン化行程「分離行程も気体一団体間の相互
作用行程等において見られるエネルギーレベルである。
上述の加熱炉は又風洞、空力学的レーザ等の研究分野に
おいても用いる事が出来る。従来の技術によれば「循環
気体の加熱は通常タングステンから構成された小さな管
状貯蔵部材を通過する時のジュール効果を利用して行な
われており、該チューブの側壁は加熱抵抗器の作用を行
なっていた。
尚この場合導入気体はチューブ内において連続的に循環
し、ノズルの作用を行なう小さなオリフィスを経て超音
速暖流となって流出する。この型式の装置は種々の不具
合を有している。
し、ノズルの作用を行なう小さなオリフィスを経て超音
速暖流となって流出する。この型式の装置は種々の不具
合を有している。
即ちまず分子噴流の形成に不可欠のアラィメント(整合
性)が膨脹効果により大中に乱され、その結果ノズルの
排出オリフィスの位置が狂ってしまう。次に該オリフィ
スの寸法は通常気体の特性に応じて装置全体を修整する
こと無く修整してやる必要が往々にして生ずるのにこの
寸法修整が出来ないこと。実際上はタングステンが極め
て脆性に富んでいるために機械的加工が困難であるとい
う理由の故にタングステンチューブに脱着部品を固定す
ることは極めて困難である。更には真空にひかれた管状
貯蔵部材は特に高温度においてはかなり低い値の圧力に
のみ耐えることが出来るQ従ってこの型式の装置は1び
トールのオーダの極めて高い発生圧力中において作動す
る分子噴流発生装置として用いるのには不適当である。
本発明に係る加熱炉においては気体流の循環作用に対し
て気体出口付近において温度効果とポンプ効果を組合せ
ることが可能であり「かくて絶対温度の平方根に比例す
る噴流速度はかなり増大させることが可能である。
性)が膨脹効果により大中に乱され、その結果ノズルの
排出オリフィスの位置が狂ってしまう。次に該オリフィ
スの寸法は通常気体の特性に応じて装置全体を修整する
こと無く修整してやる必要が往々にして生ずるのにこの
寸法修整が出来ないこと。実際上はタングステンが極め
て脆性に富んでいるために機械的加工が困難であるとい
う理由の故にタングステンチューブに脱着部品を固定す
ることは極めて困難である。更には真空にひかれた管状
貯蔵部材は特に高温度においてはかなり低い値の圧力に
のみ耐えることが出来るQ従ってこの型式の装置は1び
トールのオーダの極めて高い発生圧力中において作動す
る分子噴流発生装置として用いるのには不適当である。
本発明に係る加熱炉においては気体流の循環作用に対し
て気体出口付近において温度効果とポンプ効果を組合せ
ることが可能であり「かくて絶対温度の平方根に比例す
る噴流速度はかなり増大させることが可能である。
この目的を蓮成す‐るための、本発明の分子噴流を発生
させるための加熱炉は、密封された支持ケーシングと、
該ケーシングの内部に配置された第1端と該ケーシング
の外部に少なくとも1部分が露出されている第2端とを
有する炉組立体とを有し「該炉組立体は「周囲壁と、該
周囲壁内に配置された管状抵抗型式加熱機素と「該周囲
壁と該加熱機素との間に配置されていて該加熱機素を取
囲む少なくとも1つの環状熱的スクリーンとも該支持ケ
ーシングを室温に維持し且つ該管状抵抗型式加熱機素の
末端部を冷却するための冷却用流体循環回路とを含み「
該加熱機素は、第1の気体流路を函成する内側表面を有
する内側チューブと、該内側チューブを取囲んで該内側
チューブとの間に第2の気体流路を画成する外側チュー
ブとを含み、該内側チューブは閉鎖端と該第1の気体流
路に蓮適する閉口端とを有し、該外側チューブは該内側
チューブの閉鎖端と開口端とにそれぞれ隣接して配置さ
れた閉鎖端と閉口端とを有し、該外側チューブの閉口端
は該第2の気体流路に蓮通しており、該内側チューブの
閉鎖端の近くに貫通穴が備えられていて該第1の気体流
路と該第2の気体流路との間を互いに蓮通させており、
また、該外側チューブの開口端を通して該ケーシングの
内部を該第2の気体流路に蓮通させて気体が該ケーシン
グの内部から該第2の気体流路、該貫通穴及び該第1の
気体流路を通って該内側チューブの開□端へ流れるのを
許容する第3の気体流路を備え、気体は該第2及び第1
の気体流路を通過している間に該加熱機素の該内側及び
外側チューブによって加熱されるようになっており、更
に、該ケーシングの外部に露出されている該炉組立体の
該第2端の部分に端部キャップが取付けられており、該
織部キャップには該内側チューブの関口端に対面し且つ
該第1の気体流路に蓮適するオリフィスが穿設されてい
て該オリフィスを通して加熱された気体を分子噴流とし
て排出するようにされており、また、該内側チューブの
閉口端の近くには吸引ポンプ装置が連結されていて、気
体の最も冷却された部分を除去し、それによって最も高
温の噴流を発生させるようになっていることを特徴とす
る。
させるための加熱炉は、密封された支持ケーシングと、
該ケーシングの内部に配置された第1端と該ケーシング
の外部に少なくとも1部分が露出されている第2端とを
有する炉組立体とを有し「該炉組立体は「周囲壁と、該
周囲壁内に配置された管状抵抗型式加熱機素と「該周囲
壁と該加熱機素との間に配置されていて該加熱機素を取
囲む少なくとも1つの環状熱的スクリーンとも該支持ケ
ーシングを室温に維持し且つ該管状抵抗型式加熱機素の
末端部を冷却するための冷却用流体循環回路とを含み「
該加熱機素は、第1の気体流路を函成する内側表面を有
する内側チューブと、該内側チューブを取囲んで該内側
チューブとの間に第2の気体流路を画成する外側チュー
ブとを含み、該内側チューブは閉鎖端と該第1の気体流
路に蓮適する閉口端とを有し、該外側チューブは該内側
チューブの閉鎖端と開口端とにそれぞれ隣接して配置さ
れた閉鎖端と閉口端とを有し、該外側チューブの閉口端
は該第2の気体流路に蓮通しており、該内側チューブの
閉鎖端の近くに貫通穴が備えられていて該第1の気体流
路と該第2の気体流路との間を互いに蓮通させており、
また、該外側チューブの開口端を通して該ケーシングの
内部を該第2の気体流路に蓮通させて気体が該ケーシン
グの内部から該第2の気体流路、該貫通穴及び該第1の
気体流路を通って該内側チューブの開□端へ流れるのを
許容する第3の気体流路を備え、気体は該第2及び第1
の気体流路を通過している間に該加熱機素の該内側及び
外側チューブによって加熱されるようになっており、更
に、該ケーシングの外部に露出されている該炉組立体の
該第2端の部分に端部キャップが取付けられており、該
織部キャップには該内側チューブの関口端に対面し且つ
該第1の気体流路に蓮適するオリフィスが穿設されてい
て該オリフィスを通して加熱された気体を分子噴流とし
て排出するようにされており、また、該内側チューブの
閉口端の近くには吸引ポンプ装置が連結されていて、気
体の最も冷却された部分を除去し、それによって最も高
温の噴流を発生させるようになっていることを特徴とす
る。
本発の好ましい実施例によれば電流の帰還作用は地面に
接続された外側加熱機素により行なわれている。
接続された外側加熱機素により行なわれている。
上記管状加熱機素はタングステン、グラフアィトにより
作るか乃至は高融点を有し気体に対し不活性な他の抵抗
機素例えばタンタル、モリブデン、ニオブ、レニウム等
から作ることが出来る。
作るか乃至は高融点を有し気体に対し不活性な他の抵抗
機素例えばタンタル、モリブデン、ニオブ、レニウム等
から作ることが出来る。
第1図について言及すると、支持ケーシングが符号1で
示されており「該ケーシング内には符号2によって示さ
れる加熱炉が備えられている。該加熱炉の詳細について
は第2図及び第3図と関連して説明を行なう。該ケーシ
ング1はその図中右側端部において絶縁端部板3によっ
て閉じられており、該板3は炉2の周辺を支持しており
、ケーシング1‘ま又左側端部において管状延長部材4
を備えている。該延長部材41まケーシングーを収納し
ている真空囲いの壁5と一体になったダクト6中を通過
する様にされている。尚機素5及び6は第1図において
一点鎖線により図式的に例示されている。管状延長部材
4はケーシングーから遠い方の端部において中空スリー
ブ7にしっかり固定されており、このスリーブ7はナッ
ト8を介して上記延長部材の周辺にクランプされている
。上記スリーブ7には閉鎖板9が設けられており、該板
9は電気的絶縁材料より形成されており、ねじIQを介
してスリーブにしっかり固定されている。該スリーブの
横壁には閉口亀1が設けられて延長部材4の周辺におい
て加圧気体流を該部材4内に導入せしめ、該気体流をケ
ーシング1内に送り込んでやる作用を行なっている。「
分子噴流」を発生させるための機器に本発明に係る加熱
炉が適用されている上述の例においては上記気体流は純
粋気体か「軽量気体内に希釈された気体か、気体状混合
物である。関口11を経てスリーブT内に導入される上
記気体はかくて延長部材4の内側壁と金属チューブ13
の間に形成された環状領域12内を循環することになる
。ここに該チューブ13は上述の加熱炉の抵抗型式の加
熱機素に必要な電流を供給する役目を有している。付図
の左側に示される如く、チューブ13はブッシュ14に
しっかり固定されており「該プッシュは上記板9中を通
過するようにされている。尚該板9によりスリーブ7は
閉じられており、又該スリーブとチユ−ブ13の間に発
生する可能性のある熱膨脹の差異も該板により吸収され
ている。この吸収作用は実際にはばね機素15を該板9
とブッシュ14の環状フラソジ16の間に設けることに
より実施することが出来る。シール17を設けることに
より該プッシュ14はスリーブ7の内部との耐気密性を
損ねう事無〈滑動することが出来る。第二のチューブ1
8がチューブ13内において同軸的に設けられており、
該チューブ18内にはサーモカップル試片(第1図には
図示せず)に接続されたケーブル19が通過している。
尚該サーモカップルは加熱炉に損傷を与える程度に加熱
される危険性のある個所が略20000を越えない温度
に保持されることをチェックする役目を有している。電
流の供給は被覆導線2川こより行なわれており、該導線
はブッシュ14の周辺に固定されている。
示されており「該ケーシング内には符号2によって示さ
れる加熱炉が備えられている。該加熱炉の詳細について
は第2図及び第3図と関連して説明を行なう。該ケーシ
ング1はその図中右側端部において絶縁端部板3によっ
て閉じられており、該板3は炉2の周辺を支持しており
、ケーシング1‘ま又左側端部において管状延長部材4
を備えている。該延長部材41まケーシングーを収納し
ている真空囲いの壁5と一体になったダクト6中を通過
する様にされている。尚機素5及び6は第1図において
一点鎖線により図式的に例示されている。管状延長部材
4はケーシングーから遠い方の端部において中空スリー
ブ7にしっかり固定されており、このスリーブ7はナッ
ト8を介して上記延長部材の周辺にクランプされている
。上記スリーブ7には閉鎖板9が設けられており、該板
9は電気的絶縁材料より形成されており、ねじIQを介
してスリーブにしっかり固定されている。該スリーブの
横壁には閉口亀1が設けられて延長部材4の周辺におい
て加圧気体流を該部材4内に導入せしめ、該気体流をケ
ーシング1内に送り込んでやる作用を行なっている。「
分子噴流」を発生させるための機器に本発明に係る加熱
炉が適用されている上述の例においては上記気体流は純
粋気体か「軽量気体内に希釈された気体か、気体状混合
物である。関口11を経てスリーブT内に導入される上
記気体はかくて延長部材4の内側壁と金属チューブ13
の間に形成された環状領域12内を循環することになる
。ここに該チューブ13は上述の加熱炉の抵抗型式の加
熱機素に必要な電流を供給する役目を有している。付図
の左側に示される如く、チューブ13はブッシュ14に
しっかり固定されており「該プッシュは上記板9中を通
過するようにされている。尚該板9によりスリーブ7は
閉じられており、又該スリーブとチユ−ブ13の間に発
生する可能性のある熱膨脹の差異も該板により吸収され
ている。この吸収作用は実際にはばね機素15を該板9
とブッシュ14の環状フラソジ16の間に設けることに
より実施することが出来る。シール17を設けることに
より該プッシュ14はスリーブ7の内部との耐気密性を
損ねう事無〈滑動することが出来る。第二のチューブ1
8がチューブ13内において同軸的に設けられており、
該チューブ18内にはサーモカップル試片(第1図には
図示せず)に接続されたケーブル19が通過している。
尚該サーモカップルは加熱炉に損傷を与える程度に加熱
される危険性のある個所が略20000を越えない温度
に保持されることをチェックする役目を有している。電
流の供給は被覆導線2川こより行なわれており、該導線
はブッシュ14の周辺に固定されている。
又ブッシュ14はチューブ13と電気的に接触している
。尚該チューブを内部冷却するために該チューブ亀3と
チューブ18の間には環状領域21が設けられており、
この領域内にはブッシュ14上に備えられたホース接続
器22aを介して冷却水が循環する様にされており、か
くて冷却水はチューブ18の接続器22と反対側端部に
形成されたオリフィス23を経てチューブ18の内部へ
と流入し、次にブッシュ14に向けて還流し第二の接続
器22bを経てチューブ18から排出される。チューブ
13と管状延長部材4の間にはリング4aの如き絶縁リ
ングが設けられており「都村4はケーシングーと共に地
面にアースされているのが好ましい。気体流路は矢印2
00‘こより示されている。第2図には気体を加熱する
ための加熱炉2の構造の詳細や拡大尺度で示されている
。
。尚該チューブを内部冷却するために該チューブ亀3と
チューブ18の間には環状領域21が設けられており、
この領域内にはブッシュ14上に備えられたホース接続
器22aを介して冷却水が循環する様にされており、か
くて冷却水はチューブ18の接続器22と反対側端部に
形成されたオリフィス23を経てチューブ18の内部へ
と流入し、次にブッシュ14に向けて還流し第二の接続
器22bを経てチューブ18から排出される。チューブ
13と管状延長部材4の間にはリング4aの如き絶縁リ
ングが設けられており「都村4はケーシングーと共に地
面にアースされているのが好ましい。気体流路は矢印2
00‘こより示されている。第2図には気体を加熱する
ための加熱炉2の構造の詳細や拡大尺度で示されている
。
該加熱炉はグラフアィトチューブ24からなる抵抗型式
の加熱機素から主として構成されている。尚該チューブ
24の外部表面にはらせんビード25が機械加工されて
いる。チューブ24の外側には第二のグラフアィトチュ
ーブ26がチューブ24と同軸状に装着されている。該
第二のチューブ26の延長部分27は円錐形状部分27
aに終結しており〜該部分27aはチューブ24及び2
6と係合したこれらを部材130の円錐状関口13a内
に心合わせしている。尚部材竃3OGまチューブ亀3の
周辺に固定されている。該チューブ?3と同軸的に装着
されたチューブ18は該都材軍3bにしっかり固定され
ている。上記グラフアイトチューブ24‘まその右側端
部において「小さなグラフアイトチューブ29の形態を
した鱗方向延長部村を備えた拡大部分28を設けたヘッ
ドを有している。貫通穴33がチューブ24の壁に備え
られており「この貫通穴33は小さなグラフアィトチュ
ープ29の反対側の、チューブ24の端部に配置されて
いる。尚領域31及び部分32は貫通穴33を介して該
チューブの表面を通り互いに導適するようになつている
。本加熱炉は第三の管状機素34を有しており〜該機素
も又チューブ24及び26と同軸関係に配設されている
。
の加熱機素から主として構成されている。尚該チューブ
24の外部表面にはらせんビード25が機械加工されて
いる。チューブ24の外側には第二のグラフアィトチュ
ーブ26がチューブ24と同軸状に装着されている。該
第二のチューブ26の延長部分27は円錐形状部分27
aに終結しており〜該部分27aはチューブ24及び2
6と係合したこれらを部材130の円錐状関口13a内
に心合わせしている。尚部材竃3OGまチューブ亀3の
周辺に固定されている。該チューブ?3と同軸的に装着
されたチューブ18は該都材軍3bにしっかり固定され
ている。上記グラフアイトチューブ24‘まその右側端
部において「小さなグラフアイトチューブ29の形態を
した鱗方向延長部村を備えた拡大部分28を設けたヘッ
ドを有している。貫通穴33がチューブ24の壁に備え
られており「この貫通穴33は小さなグラフアィトチュ
ープ29の反対側の、チューブ24の端部に配置されて
いる。尚領域31及び部分32は貫通穴33を介して該
チューブの表面を通り互いに導適するようになつている
。本加熱炉は第三の管状機素34を有しており〜該機素
も又チューブ24及び26と同軸関係に配設されている
。
該機素の上記へッド28から遠い方の延長部分は端部塊
片35にしっかり固定されており、、該魂片はチューブ
13及び18の対応する周辺部を取囲んでいる。チュー
ブ24及び26‘こ電流を供給しているチューブ13と
端部塊片35の間にはリング36を装着することにより
電気的絶縁作用が得られている。尚リング36中には長
手方向の通路36aが形成されており、この通路を介し
て気体が加熱炉中に侵入することが出来る。管状機素即
ちチューブ3州こは内側に突出する環状のボス34aが
備えられている。実際には気体はオリフィス貴1を経て
環状領域首2内に導入されトケーシング亀内へと通過し
、次にまずオリフィス36aを通過し、次いで通路37
を通過し次にチューブ26及び34の間に形成された環
状領域26aを充填する。
片35にしっかり固定されており、、該魂片はチューブ
13及び18の対応する周辺部を取囲んでいる。チュー
ブ24及び26‘こ電流を供給しているチューブ13と
端部塊片35の間にはリング36を装着することにより
電気的絶縁作用が得られている。尚リング36中には長
手方向の通路36aが形成されており、この通路を介し
て気体が加熱炉中に侵入することが出来る。管状機素即
ちチューブ3州こは内側に突出する環状のボス34aが
備えられている。実際には気体はオリフィス貴1を経て
環状領域首2内に導入されトケーシング亀内へと通過し
、次にまずオリフィス36aを通過し、次いで通路37
を通過し次にチューブ26及び34の間に形成された環
状領域26aを充填する。
該気体はチューブ26の周辺においてらせん領域31内
に還流し、穴33を通過」次にチューブ24を経て再び
領域32内へと流入し、最後に該チューブ2鷲と接触し
そこから小さなチュ−ブ29の関口30を経て流出する
。気体が加熱チューブ24と接触して循環する際気体が
得た熱がこの地点において頚射及び対流により外部に失
なわれるのを防止するために、本発明に係る加熱炉は熱
的保護装魔を備えているのが好ましい。
に還流し、穴33を通過」次にチューブ24を経て再び
領域32内へと流入し、最後に該チューブ2鷲と接触し
そこから小さなチュ−ブ29の関口30を経て流出する
。気体が加熱チューブ24と接触して循環する際気体が
得た熱がこの地点において頚射及び対流により外部に失
なわれるのを防止するために、本発明に係る加熱炉は熱
的保護装魔を備えているのが好ましい。
かくて織部塊片35は横方向フランジ板38もこしつか
り固定されており、該板38はチューブ26及び34に
関して一連の同軸状円筒スクリーン40,41,42,
43用絶縁支持部材39を定置する作用を行なっている
。尚該スクリーンも又それらの周辺部において都材39
と類似の部材44を介して定置されている。端部スクリ
ーン43は鞘45により取囲まれており「該鞘には冷却
水を循環させるようにすることの出釆る連続的らせん通
路を同軸殻47に対して規定するための外側らせんリプ
亀6を備えた鞘45によって取囲まれている。殻471
ま炉2を閉じている端部板48を備えており、又パイプ
49を通している。尚パイプはその1本だけが第2図に
示されており〜他のパイプは第亀図において図式的に示
されている。該パイプは共通取水マニホールド58に接
続されており「該マニホールドは分岐部材51を介して
供給回路に接続されている。マニホールド5釘からパイ
プ49へと取水された水流はフランジ板3姦の後部へと
排出され、次に鞘47の間に形成されたらせん通路内を
循環し最後に排水分岐管52を経て最終的に排水される
。加熱炉2全体は最終的には固定ねじ53によりケーシ
ング川こしつかり固定された端部板3を介して装着され
ており、かくて絶縁スベーサ部材54及びシール66,
66を端部板と水密ケーシングの間に締結してやること
が可能となる。上述の加熱炉の中央部分における熱的ス
クリーンを冷却するばかりでなく加熱機素24のヘッド
28を冷却するために本装置は上述の回路とは独立した
第二の冷却回路を有している。
り固定されており、該板38はチューブ26及び34に
関して一連の同軸状円筒スクリーン40,41,42,
43用絶縁支持部材39を定置する作用を行なっている
。尚該スクリーンも又それらの周辺部において都材39
と類似の部材44を介して定置されている。端部スクリ
ーン43は鞘45により取囲まれており「該鞘には冷却
水を循環させるようにすることの出釆る連続的らせん通
路を同軸殻47に対して規定するための外側らせんリプ
亀6を備えた鞘45によって取囲まれている。殻471
ま炉2を閉じている端部板48を備えており、又パイプ
49を通している。尚パイプはその1本だけが第2図に
示されており〜他のパイプは第亀図において図式的に示
されている。該パイプは共通取水マニホールド58に接
続されており「該マニホールドは分岐部材51を介して
供給回路に接続されている。マニホールド5釘からパイ
プ49へと取水された水流はフランジ板3姦の後部へと
排出され、次に鞘47の間に形成されたらせん通路内を
循環し最後に排水分岐管52を経て最終的に排水される
。加熱炉2全体は最終的には固定ねじ53によりケーシ
ング川こしつかり固定された端部板3を介して装着され
ており、かくて絶縁スベーサ部材54及びシール66,
66を端部板と水密ケーシングの間に締結してやること
が可能となる。上述の加熱炉の中央部分における熱的ス
クリーンを冷却するばかりでなく加熱機素24のヘッド
28を冷却するために本装置は上述の回路とは独立した
第二の冷却回路を有している。
該第二の回路は基本的には閉鎖ケーシング57から成っ
ており「該ケーシング67はチューブ34のボス34a
尊こ接触させられている環状カラー57aにより該チュ
ーブに定着されていて、閉鎖ケーシング57内に環状領
域58を画成している。該ケーシングの内側領域6川ま
又発生した噴流に対する排出オリフイス63を備えた端
部キャップ62によってその範囲を規制されている。冷
却水は取水分岐管64を介して領域68へと供給されて
おりt排水分岐管S5を介して排出されている。これら
の一つの冷却回路は第1図に例示される如く加熱炉の外
側において共通の供給及び排水パイプ66及び67に接
続されているのが好ましい。該パイプは囲い部村6の外
側においてホースコネクタ63及び69に接続されてお
り、該コネク外ま付図に示されていない供給ステーショ
ンに対する接続作用を行なっている。上述の如く加熱チ
ューブ24及び261こ対する電流の供給は被覆導線2
はブッシュ富4及びチューブ亀3により行なわれている
。
ており「該ケーシング67はチューブ34のボス34a
尊こ接触させられている環状カラー57aにより該チュ
ーブに定着されていて、閉鎖ケーシング57内に環状領
域58を画成している。該ケーシングの内側領域6川ま
又発生した噴流に対する排出オリフイス63を備えた端
部キャップ62によってその範囲を規制されている。冷
却水は取水分岐管64を介して領域68へと供給されて
おりt排水分岐管S5を介して排出されている。これら
の一つの冷却回路は第1図に例示される如く加熱炉の外
側において共通の供給及び排水パイプ66及び67に接
続されているのが好ましい。該パイプは囲い部村6の外
側においてホースコネクタ63及び69に接続されてお
り、該コネク外ま付図に示されていない供給ステーショ
ンに対する接続作用を行なっている。上述の如く加熱チ
ューブ24及び261こ対する電流の供給は被覆導線2
はブッシュ富4及びチューブ亀3により行なわれている
。
かくて電流の帰還は本装置のケーシング1を経て行なわ
れており「特に突起?8を介して鞘4蚤及び殻47を経
て金属製より導線7富から地面へとアースされている。
符号72により示された型式の他の接地より導線が供給
パイプ6亀及び6字上に設けられており、より導線71
は必要とあらばパイプ縞6により担持された結合突起?
3を介し冷却水回路を経て導線72へと接続されている
。本装置は又符号74及び7SIこよって示されるサー
モカップル試片を備えている。
れており「特に突起?8を介して鞘4蚤及び殻47を経
て金属製より導線7富から地面へとアースされている。
符号72により示された型式の他の接地より導線が供給
パイプ6亀及び6字上に設けられており、より導線71
は必要とあらばパイプ縞6により担持された結合突起?
3を介し冷却水回路を経て導線72へと接続されている
。本装置は又符号74及び7SIこよって示されるサー
モカップル試片を備えている。
これらのサーモカップルは加熱炉に損傷を与えて加熱さ
れる可能性のある地点を略20000以下の温度に保持
する作用を有している。環状領域58内に蓮適する関口
83を有するパイプ82が備えられていて、パイプ82
の池端には図示されていないポンプ装置が連結されてい
る。
れる可能性のある地点を略20000以下の温度に保持
する作用を有している。環状領域58内に蓮適する関口
83を有するパイプ82が備えられていて、パイプ82
の池端には図示されていないポンプ装置が連結されてい
る。
このポンプ装置が作動されると、チューブ29から排出
される気体の一部は環状領域58内に吸引される。かよ
うに「チューブ29から排出される気体を部分的に環状
領域58内に吸引することによって、端部キャップ62
のオリフイス63を通過する気体の温度はかなり高くな
る(その理由については後述する)。本発明に係る加熱
炉の作動は次の如く行なわれる。
される気体の一部は環状領域58内に吸引される。かよ
うに「チューブ29から排出される気体を部分的に環状
領域58内に吸引することによって、端部キャップ62
のオリフイス63を通過する気体の温度はかなり高くな
る(その理由については後述する)。本発明に係る加熱
炉の作動は次の如く行なわれる。
即ち延長部村4とチューブi3の間に形成された環状領
域12を経てケーシング亀内に導入された気体は通路3
4を通ってチューブ26及び34‘こよって規定される
領域26a内へと流入し、最初該領域26aの外側表面
を通過することにより加熱機素と接触を行ない次いでら
せん領域31を通過し「最後に穴33を通った後領域3
2中をらせん領域31の反対側周辺へと還流する。かく
て高温度に加熱された該気体は小さなチューブ29の閉
口30を経てチューブ24から端部キャップ62内に形
成されたオリフィス63を通って流れて行く。ケーシン
グ竃の内部に位置する領域はシール55及び56によっ
て得られる気密性の故に気体出口から常に隔離されてい
るということに注意されたい。上述の例においては装置
の取入口及び加熱炉取入口において使用される気体圧力
は略2バールであるが更に高い値とすることも出来る。
導線28を通って供給される加熱必要電流はブッシュ亀
4からチューブ13へと伝達され、次に都材13a及び
27aの間の接触作用により加熱チューブ24へと伝達
される。
域12を経てケーシング亀内に導入された気体は通路3
4を通ってチューブ26及び34‘こよって規定される
領域26a内へと流入し、最初該領域26aの外側表面
を通過することにより加熱機素と接触を行ない次いでら
せん領域31を通過し「最後に穴33を通った後領域3
2中をらせん領域31の反対側周辺へと還流する。かく
て高温度に加熱された該気体は小さなチューブ29の閉
口30を経てチューブ24から端部キャップ62内に形
成されたオリフィス63を通って流れて行く。ケーシン
グ竃の内部に位置する領域はシール55及び56によっ
て得られる気密性の故に気体出口から常に隔離されてい
るということに注意されたい。上述の例においては装置
の取入口及び加熱炉取入口において使用される気体圧力
は略2バールであるが更に高い値とすることも出来る。
導線28を通って供給される加熱必要電流はブッシュ亀
4からチューブ13へと伝達され、次に都材13a及び
27aの間の接触作用により加熱チューブ24へと伝達
される。
チューブ24及び26の抵抗により該電流は気体が上述
の如く通過しているこれらのチューブに実質的な温度上
昇をもたらしている。電流は「チューブ24,26を流
れ「 28と34aを介してチューブ341こ流れ〜次
に鞘亀5及び殻47を流れ、突起70を通って導線71
に流れてアースに到る。一方チューブ官 8は例えば「
セロロン(Celoron)」の如き適当な材料からな
るスベーサ部材56及び「アルトガラス(山tugas
s)」から構成された端部板3により地面から絶縁され
ている。熱的スクリーン40, 41,42,43によ
り加熱チューブ24及び26の幅射作用を効果的に防止
することが出来る。これらのスクリーンはモリブデンか
ら形成されているのが好ましくしアルミナから形成され
ている絶縁部材39及び卑41こよって適当に心を合せ
られている。加熱炉の諸部品の冷却作用は例示された循
環装置によって行なうことが出来る。即ち第一の循環装
置は中央部分を冷却するためのマニホルド50及びパイ
プ49を有しており、第二の循環装置は加熱機素のヘッ
ドを保護する作用をしているケーシング57により構成
されており〜電流供給チューブ翼3のまわりに設けられ
た第三の循環装置によりこのチューブ13は領域21を
介して保護される。種々のサーモカップルを採用するこ
とにより加熱炉の種々の傷付き易い部分を低温状態に保
持することが可能である。
の如く通過しているこれらのチューブに実質的な温度上
昇をもたらしている。電流は「チューブ24,26を流
れ「 28と34aを介してチューブ341こ流れ〜次
に鞘亀5及び殻47を流れ、突起70を通って導線71
に流れてアースに到る。一方チューブ官 8は例えば「
セロロン(Celoron)」の如き適当な材料からな
るスベーサ部材56及び「アルトガラス(山tugas
s)」から構成された端部板3により地面から絶縁され
ている。熱的スクリーン40, 41,42,43によ
り加熱チューブ24及び26の幅射作用を効果的に防止
することが出来る。これらのスクリーンはモリブデンか
ら形成されているのが好ましくしアルミナから形成され
ている絶縁部材39及び卑41こよって適当に心を合せ
られている。加熱炉の諸部品の冷却作用は例示された循
環装置によって行なうことが出来る。即ち第一の循環装
置は中央部分を冷却するためのマニホルド50及びパイ
プ49を有しており、第二の循環装置は加熱機素のヘッ
ドを保護する作用をしているケーシング57により構成
されており〜電流供給チューブ翼3のまわりに設けられ
た第三の循環装置によりこのチューブ13は領域21を
介して保護される。種々のサーモカップルを採用するこ
とにより加熱炉の種々の傷付き易い部分を低温状態に保
持することが可能である。
ここに傷付き易い部分の保護作用は加熱機素の後部にお
いては探針19により、該機素の取出口においては探針
75により、中央部分は探針741こよりそれぞれ行な
われている。以下の表に示される如く加熱機素と端部キ
ャップの間に位置する環状周辺領域内においてチューブ
82により行なわれるポンプ作用の効率は大中に向上し
ている。
いては探針19により、該機素の取出口においては探針
75により、中央部分は探針741こよりそれぞれ行な
われている。以下の表に示される如く加熱機素と端部キ
ャップの間に位置する環状周辺領域内においてチューブ
82により行なわれるポンプ作用の効率は大中に向上し
ている。
この表はポンプ作用を行なった場合と行なわない場合の
他のパラメーター定条件*における、端部キャップ62
のオリフィス68を通過する気体の温度の記録値を示し
ている。表1環状領域5蟹内にチューブ蟹溝から排出さ
れる気体を一部吸引することによってトオリフイス富3
を通過する気体の温度を高めるという利点のほかに、本
発明の構成によれば、次の如くも従来技術の不都合を解
消することができるという利点をも備え得る。
他のパラメーター定条件*における、端部キャップ62
のオリフィス68を通過する気体の温度の記録値を示し
ている。表1環状領域5蟹内にチューブ蟹溝から排出さ
れる気体を一部吸引することによってトオリフイス富3
を通過する気体の温度を高めるという利点のほかに、本
発明の構成によれば、次の如くも従来技術の不都合を解
消することができるという利点をも備え得る。
{a} 加熱炉全体が例えば水袷「ジャケット」を用い
〜銅の如き良導体を使用することにより室温に保持され
た殻内に収納されている。
〜銅の如き良導体を使用することにより室温に保持され
た殻内に収納されている。
この様な型式の冷却作用は小郡村(端部キャップ8基)
内に設けられたノズルオリフィスに迄実施されており、
この小部材は囲い部材を構成する冷却鋼ブロック上にね
じ止めされている。かくて高性能の分子噴流を形成する
のに必要な心合せ効果がスムーズに得られる。‘b)オ
リフィスの寸法(回転体の場合にはその直径)を変更す
るのが容易であり「該オリフィス63が形成されている
端部キャップ62は容易に除去することが出釆る。
内に設けられたノズルオリフィスに迄実施されており、
この小部材は囲い部材を構成する冷却鋼ブロック上にね
じ止めされている。かくて高性能の分子噴流を形成する
のに必要な心合せ効果がスムーズに得られる。‘b)オ
リフィスの寸法(回転体の場合にはその直径)を変更す
るのが容易であり「該オリフィス63が形成されている
端部キャップ62は容易に除去することが出釆る。
‘c} 管状に設計された加熱抵抗器の内側及び外側の
両者に圧力が誘起される。
両者に圧力が誘起される。
同機の効果が冷却殻にも得られる(但しノズルの付近を
除く)。かくて加熱炉は極めて高圧にも耐えることが出
来る。何故ならば圧力が謙起される囲い部材の全ての壁
面は室温に保持されておりふかくてステンレス鋼を該壁
面に使用することが可能だからである。本発明の特徴は
上記端部キャップオリフィスの上流直近に位置する周辺
環状領域内においてポンプ作用が発生するということで
ある。
除く)。かくて加熱炉は極めて高圧にも耐えることが出
来る。何故ならば圧力が謙起される囲い部材の全ての壁
面は室温に保持されておりふかくてステンレス鋼を該壁
面に使用することが可能だからである。本発明の特徴は
上記端部キャップオリフィスの上流直近に位置する周辺
環状領域内においてポンプ作用が発生するということで
ある。
上述せる如くこのポンプ作用により炉の諸特性がかなり
向上し「特に超音速噴流を形成する轍流の温度に関する
特性が向上する。現在の学門のレベルにおいてはこのポ
ンプ作用が演ずる効率向上に関する明確な理論は存在し
ていない。しかしながらある程度の推論を与えることは
可能である。まず第一に気体流の周辺に発生したポンプ
作用は気体流の最低温部分貝0ち袷却壁と接触していた
気体流の周辺部分を除去して平均温度を上昇させるとい
う効果を有しているという説明が可能である。第二の説
明によればポンプ作用により滞留時間が茸るしく減少し
、その結果加熱機素から逃げる気体と低温壁との間にお
ける熱交換量も減少するのではないかということが考え
られる。更に別の考え方によれば加熱機素と端部キャッ
プの間に形成された領域内の圧力が減少する事により気
体の熱的伝導率が減少し、囲い都材のこの領域中を気体
が通過する際の気体の冷却効果が防止されるのではない
かと推察される。加熱機素と端部キャップの間に位置す
る環状周辺領域内にある最も冷却された気体の層が有し
ている圧力は、例えばio〜100バールというように
極めて高い。
向上し「特に超音速噴流を形成する轍流の温度に関する
特性が向上する。現在の学門のレベルにおいてはこのポ
ンプ作用が演ずる効率向上に関する明確な理論は存在し
ていない。しかしながらある程度の推論を与えることは
可能である。まず第一に気体流の周辺に発生したポンプ
作用は気体流の最低温部分貝0ち袷却壁と接触していた
気体流の周辺部分を除去して平均温度を上昇させるとい
う効果を有しているという説明が可能である。第二の説
明によればポンプ作用により滞留時間が茸るしく減少し
、その結果加熱機素から逃げる気体と低温壁との間にお
ける熱交換量も減少するのではないかということが考え
られる。更に別の考え方によれば加熱機素と端部キャッ
プの間に形成された領域内の圧力が減少する事により気
体の熱的伝導率が減少し、囲い都材のこの領域中を気体
が通過する際の気体の冷却効果が防止されるのではない
かと推察される。加熱機素と端部キャップの間に位置す
る環状周辺領域内にある最も冷却された気体の層が有し
ている圧力は、例えばio〜100バールというように
極めて高い。
従ってもポンプ装置としては、単に調節可能な弁を備え
た開□がチューブ82の自由端に設けられたに過ぎない
ような手段を使用することができる。すなわち「 この
閉口を大気に蓮通させれば高圧の冷却された気体がチュ
ーブ鯵2を通って大気中に排出されるのであって「本発
明における吸引ポンプ装置はかようなものも含むもので
ある。勿論、チューブ82の自由機を真空ポンプに連結
して気体を吸引しt また吸引した気体を再利用するこ
とも可能である。通路37を通って気体が一定流速で加
熱炉内に流入しているときにt上述した吸引ポンプ装置
を作用させると、加熱機素と織部キャップの間に位置す
る環状周辺領域内の圧力は10〜80%だけ減少される
。
た開□がチューブ82の自由端に設けられたに過ぎない
ような手段を使用することができる。すなわち「 この
閉口を大気に蓮通させれば高圧の冷却された気体がチュ
ーブ鯵2を通って大気中に排出されるのであって「本発
明における吸引ポンプ装置はかようなものも含むもので
ある。勿論、チューブ82の自由機を真空ポンプに連結
して気体を吸引しt また吸引した気体を再利用するこ
とも可能である。通路37を通って気体が一定流速で加
熱炉内に流入しているときにt上述した吸引ポンプ装置
を作用させると、加熱機素と織部キャップの間に位置す
る環状周辺領域内の圧力は10〜80%だけ減少される
。
従って〜オリフィス零3を通過して出て行く分子噴流の
速度は遅くなるがし然し、この圧力が減少されただけ通
路37を通ってより高い流速で気体が加熱炉内に流入す
るわけであって「結局、分子噴流の速度は以前と同様と
なり、かような吸引ポンプ装置を適用することは、気体
の温度を高くさせるという利点をもたらすだけで、他に
格別な悪影響は与えない。分子噴流を形成する気体の流
量は、一例をあげれば、常温常圧のもとで100リット
ル/時間である。噴流内における分子速度(すなわち、
分子噴流かち得られる分子ビームの速度)は、気体の性
質と、実際に気体が有する全体としての温度によって変
化するのであって、例えば水素ガス等の場合において、
数100Zの/秒〜7.5物/秒の範囲に亘つて変化す
る。かくて、温度を変えることによって分子ビームの速
度を変化させて、前述したように0.0段V〜4氏Vの
範囲の運動エネルギーを有するものとすることができる
わけである。 Z実験の結果によ
れば端部キャップ62のオリフィス63の直径が小さく
なるにつれてポンプ作用の効率が上昇した。本発明に係
る加熱炉の好ましい実施例が第3図の断面図に示されて
いる。
速度は遅くなるがし然し、この圧力が減少されただけ通
路37を通ってより高い流速で気体が加熱炉内に流入す
るわけであって「結局、分子噴流の速度は以前と同様と
なり、かような吸引ポンプ装置を適用することは、気体
の温度を高くさせるという利点をもたらすだけで、他に
格別な悪影響は与えない。分子噴流を形成する気体の流
量は、一例をあげれば、常温常圧のもとで100リット
ル/時間である。噴流内における分子速度(すなわち、
分子噴流かち得られる分子ビームの速度)は、気体の性
質と、実際に気体が有する全体としての温度によって変
化するのであって、例えば水素ガス等の場合において、
数100Zの/秒〜7.5物/秒の範囲に亘つて変化す
る。かくて、温度を変えることによって分子ビームの速
度を変化させて、前述したように0.0段V〜4氏Vの
範囲の運動エネルギーを有するものとすることができる
わけである。 Z実験の結果によ
れば端部キャップ62のオリフィス63の直径が小さく
なるにつれてポンプ作用の効率が上昇した。本発明に係
る加熱炉の好ましい実施例が第3図の断面図に示されて
いる。
この構造によれば第一の実施例におけるより高温度の気
体取出し温度を得ることが出来る。この好ましい実施例
の全体的な構造は第一の実施例とほぼ同一であるが、グ
ラファィト機素24及び26はタングステン機素により
層変えられている。高温度に耐えるようにするため例え
ばステンレス鋼により形成されている外側ケーシングー
内に収納された加熱炉はオリフィス63を設けた端部キ
ャップ62内に終結しており、該オリフィスを経て気体
は矢印79の方向に排出されている。この加熱炉は外側
円筒102と中心シリンダ103とを有しており、この
中心シリンダ103は循環水によって冷却されている。
尚この循環水は矢印105の方向に導入され、二つのシ
リンダー02及び103の間の間隙を通り、次いでパイ
プ107を経て矢印106の方向に流出している。中心
シリンダ103は循環気体を加熱するための装置を含ん
でいる。この加熱装置は少なくとも一つの熱的スクリー
ン4川こよって構成されており、該スクリーンには複数
個の閉口が設けられ、該関口を介して囲い部材101内
に収納された気体は矢印110の方向に流れている。例
えばモリブデンにより構成された熱的スクリーン40の
存在により低温気体を通過させると共に該気体を予熱す
ることが可能となる。チューブ40は囲い部材1内に収
納された気体を導入せしめるために穿孔された絶縁リン
グ109を介して一端が定置されている。熱的スクリー
ン40の他端に設けられたりング111の如き絶縁リン
グにより第一のタングステンチューブ26を鯛心的に固
定することが可能である。ここに核チューブ26はやは
りタングステンからなる第二のチューブ24と協働して
加熱炉の抵抗加熱組立体を構成している。これらの二つ
のチューブはタングステンの導体リング112を介して
電気的に後続されており、池端は絶縁リング113によ
り定置され固定されている。これらの二つのりングは適
当な気密性を備えている。又これらの二つのタングステ
ンチューブは円錐部材114及び115を介して両端部
板に締結されており、該円錐部材115はリング116
により電気的に絶縁されている。第2図の加熱炉の場合
と同機電流は冷却された銅チューブを経て円錐部材12
3上に到達している。電流の地面への帰還作用は第2図
の好ましい方法と同様の方法で行なわれている。第3図
においてはチューブ24の取出口付近に位置する環状領
域を介してポンプ作用が行なわれている。
体取出し温度を得ることが出来る。この好ましい実施例
の全体的な構造は第一の実施例とほぼ同一であるが、グ
ラファィト機素24及び26はタングステン機素により
層変えられている。高温度に耐えるようにするため例え
ばステンレス鋼により形成されている外側ケーシングー
内に収納された加熱炉はオリフィス63を設けた端部キ
ャップ62内に終結しており、該オリフィスを経て気体
は矢印79の方向に排出されている。この加熱炉は外側
円筒102と中心シリンダ103とを有しており、この
中心シリンダ103は循環水によって冷却されている。
尚この循環水は矢印105の方向に導入され、二つのシ
リンダー02及び103の間の間隙を通り、次いでパイ
プ107を経て矢印106の方向に流出している。中心
シリンダ103は循環気体を加熱するための装置を含ん
でいる。この加熱装置は少なくとも一つの熱的スクリー
ン4川こよって構成されており、該スクリーンには複数
個の閉口が設けられ、該関口を介して囲い部材101内
に収納された気体は矢印110の方向に流れている。例
えばモリブデンにより構成された熱的スクリーン40の
存在により低温気体を通過させると共に該気体を予熱す
ることが可能となる。チューブ40は囲い部材1内に収
納された気体を導入せしめるために穿孔された絶縁リン
グ109を介して一端が定置されている。熱的スクリー
ン40の他端に設けられたりング111の如き絶縁リン
グにより第一のタングステンチューブ26を鯛心的に固
定することが可能である。ここに核チューブ26はやは
りタングステンからなる第二のチューブ24と協働して
加熱炉の抵抗加熱組立体を構成している。これらの二つ
のチューブはタングステンの導体リング112を介して
電気的に後続されており、池端は絶縁リング113によ
り定置され固定されている。これらの二つのりングは適
当な気密性を備えている。又これらの二つのタングステ
ンチューブは円錐部材114及び115を介して両端部
板に締結されており、該円錐部材115はリング116
により電気的に絶縁されている。第2図の加熱炉の場合
と同機電流は冷却された銅チューブを経て円錐部材12
3上に到達している。電流の地面への帰還作用は第2図
の好ましい方法と同様の方法で行なわれている。第3図
においてはチューブ24の取出口付近に位置する環状領
域を介してポンプ作用が行なわれている。
開口83を通った気体はパイプ82を経て排出される。
サーモカップル100及び101により所定の地点が実
際室温付近の温度乃至は略200qo以下の温度に保持
されているかどうかをチェックすることが出来る。水、
電流、気体、サーモカップルに対する全接続作用は加熱
炉の後部においてかつケーシング1の延長部材を形成す
るチューブ内において行なわれている。
サーモカップル100及び101により所定の地点が実
際室温付近の温度乃至は略200qo以下の温度に保持
されているかどうかをチェックすることが出来る。水、
電流、気体、サーモカップルに対する全接続作用は加熱
炉の後部においてかつケーシング1の延長部材を形成す
るチューブ内において行なわれている。
かくて本加熱炉はそれを分子噴流発生装置に定置する前
に完全に組立てることが可能である。表2にはポンプ作
用がある場合と無い場合の得られる温度比較が他の全て
のパラメータを一定にした条件において示されている。
に完全に組立てることが可能である。表2にはポンプ作
用がある場合と無い場合の得られる温度比較が他の全て
のパラメータを一定にした条件において示されている。
表2
上述の説明からも明らかな通り本発明は付図と関連して
説明された二つの実施例によってのみ規定されるもので
はなく全ての修整例を含むものである。
説明された二つの実施例によってのみ規定されるもので
はなく全ての修整例を含むものである。
第1図は分子噴流発生用加熱炉の概略立面図、第2図は
本発明に係る加熱機素、熱的スクリ−ン、グラフアイト
炉冷却用装置の長手方向断面図、第3図はタングステン
機素を備えた本発明に係る好ましい加熱炉実施例の長手
方向断面図をそれぞれ示す。 1:支持ケーシング、24:加熱機素、30:関口加熱
機素周辺部、40,41,42,43:熱的スクリーン
、46,49,50,52:冷却回路、62:端部キャ
ップ、63:オリフイス。 FIG.lFIG.2 FIG.3
本発明に係る加熱機素、熱的スクリ−ン、グラフアイト
炉冷却用装置の長手方向断面図、第3図はタングステン
機素を備えた本発明に係る好ましい加熱炉実施例の長手
方向断面図をそれぞれ示す。 1:支持ケーシング、24:加熱機素、30:関口加熱
機素周辺部、40,41,42,43:熱的スクリーン
、46,49,50,52:冷却回路、62:端部キャ
ップ、63:オリフイス。 FIG.lFIG.2 FIG.3
Claims (1)
- 1 分子噴流を発生させるための加熱炉であって、密封
された支持ケーシング1と、該ケーシング1の内部に配
置された第1端と該ケーシング1の外部に少なくとも1
部分が露出されている第2端とを有する炉組立体2とを
有し、該炉組立体2は、周囲壁47と、該周囲壁47内
に配置された管状抵抗型式加熱機素と、該周囲壁47と
該加熱機素との間に配置されていて該加熱機素を取囲む
少なくとも1つの環状熱的スクリーンと、該支持ケーシ
ング1を室温に維持し且つ該管状抵抗型式加熱機素の末
端部を冷却するための冷却用流体循環回路とを含み、該
加熱機素は、第1の気体流路32を画成する内側表面を
有する内側チユーブ24と、該内側チユーブ24を取囲
んで該内側チユーブ24との間に第2の気体流路31を
画成する外側チユーブ26とを含み、該内側チユーブ2
4は閉鎖端と該第1の気体流路32に連通する開口端と
を有し、該外側チユーブ26は該内側チユーブ24の閉
鎖端と開口端とにそれぞれ隣接して配置された閉鎖端と
開口端とを有し、該外側チユーブ26の開口端は該第2
の気体流路31に連通しており、該内側チユーブ24の
閉鎖端の近くに貫通穴33が備えられていて該第1の気
体流路32と該第2の気体流路31との間を互いに連通
させており、また、該外側チユーブ26の開口端を通し
て該ケーシング1の内部を該第2の気体流路31に連通
させ気体が該ケーシング1の内部から該第2の気体流路
31、該貫通穴33及び該第1の気体流路32を通って
該内側チユーブ24の開口端へ流れるのを許容する第3
の気体流路36a,37を備え、気体は該第2及び第1
の気体流路31,32を通過している間に該加熱機素の
該内側及び外側チユーブ24,26によって加熱される
ようになっており、更に、該ケーシング1の外部に露出
されている該炉組立体2の該第2端の部分に端部キヤツ
プ62が取付けられており、該端部キヤツプ62には該
内側チユーブ24の開口端に対面し且つ該第1の気体流
路32に連通するオリフイス63が穿設されていて該オ
リフイス63を通して加熱された気体を分子噴流として
排出するようにされており、また、該内側チユーブ24
の開口端の近くには吸引ポンプ装置82,83が連結さ
れていて、気体の最も冷却された部分を除去し、それに
よって最も高温の噴流を発生させるようになっているこ
とを特徴とする加熱炉。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7424524A FR2279045A1 (fr) | 1974-07-15 | 1974-07-15 | Four de chauffage d'un courant de gaz en circulation utilise notamment pour creer des jets moleculaires |
FR7424524 | 1974-07-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5134437A JPS5134437A (ja) | 1976-03-24 |
JPS607360B2 true JPS607360B2 (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=9141280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8661875A Expired JPS607360B2 (ja) | 1974-07-15 | 1975-07-15 | 加熱炉 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607360B2 (ja) |
DE (1) | DE2530851C2 (ja) |
FR (1) | FR2279045A1 (ja) |
NL (1) | NL7508058A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0246161U (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-29 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3270182A (en) * | 1964-03-26 | 1966-08-30 | Hynes Electric Heating Company | High temperature fluid heater |
-
1974
- 1974-07-15 FR FR7424524A patent/FR2279045A1/fr active Granted
-
1975
- 1975-07-07 NL NL7508058A patent/NL7508058A/xx not_active Application Discontinuation
- 1975-07-10 DE DE19752530851 patent/DE2530851C2/de not_active Expired
- 1975-07-15 JP JP8661875A patent/JPS607360B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0246161U (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-29 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2530851C2 (de) | 1985-04-18 |
FR2279045B1 (ja) | 1976-12-24 |
FR2279045A1 (fr) | 1976-02-13 |
DE2530851A1 (de) | 1976-02-05 |
JPS5134437A (ja) | 1976-03-24 |
NL7508058A (nl) | 1976-01-19 |
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