JPS6055623A - Aligning device - Google Patents
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- JPS6055623A JPS6055623A JP58162603A JP16260383A JPS6055623A JP S6055623 A JPS6055623 A JP S6055623A JP 58162603 A JP58162603 A JP 58162603A JP 16260383 A JP16260383 A JP 16260383A JP S6055623 A JPS6055623 A JP S6055623A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 32
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 abstract description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 33
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7069—Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は2つの物体の位置合わせ装置に関し、特にマス
クあるいはレチクル上の半導体集積回路パターンをウェ
ハー−にの所定の位置に位置合わせ(以下アライメント
という)するに先立って、マスクあるいはレチクル」二
のアライメントマークの位置とウェハー上のアライメン
トマークの位置を検出する位置検知回路に関する。[Detailed Description of the Invention] (Technical Field) The present invention relates to an apparatus for aligning two objects, and particularly for aligning a semiconductor integrated circuit pattern on a mask or reticle to a predetermined position on a wafer (hereinafter referred to as alignment). The present invention relates to a position detection circuit that detects the position of an alignment mark on a mask or reticle and the position of an alignment mark on a wafer prior to processing.
(従来技術)
半導体製造工程には幾つかのパターンをウエハ−」二に
順次転写し、半導体集積回路を形成する工程が含まれて
いる。その場合、既に前工程のパターンが転写されたウ
ェハー上に更に別のパターンを正確に位置合わせするた
めに、パターンを具えたマスクとウェハーを高精度でア
ライメントする必要がある。そしてこのアライメントは
、まずマスクとウェハー上にそれぞれ書込まれたアライ
メントマークを光電検知することによりそれらのマーク
の相対的位置関係を知り、その後この位置関係に基づい
た所定量の移動によって達成される。(Prior Art) A semiconductor manufacturing process includes a step of sequentially transferring several patterns onto a wafer to form a semiconductor integrated circuit. In this case, in order to accurately position another pattern on the wafer onto which the previous pattern has already been transferred, it is necessary to align the mask with the pattern and the wafer with high precision. This alignment is achieved by first determining the relative positional relationship between the alignment marks written on the mask and wafer by photoelectrically detecting them, and then moving them by a predetermined amount based on this positional relationship. .
ところでアライメントマークの検知は、その検知信号の
ピークレベルが所定の基準レベル以上であることを識別
することにより行われる。しかし、従来、この基準レベ
ルは固定的なものであり、アライメントマークの基板で
あるウェハーやマスクの種類によっては高すぎたり、あ
るいは低すぎたり検知に失敗することがあった。また失
敗したときには手動により改めて基準レベルを調整する
ものもあった。By the way, alignment mark detection is performed by identifying that the peak level of the detection signal is higher than a predetermined reference level. However, conventionally, this reference level has been fixed, and depending on the type of wafer or mask that is the substrate for the alignment mark, it may be too high or too low, resulting in detection failure. In some cases, the reference level was manually adjusted when a failure occurred.
(目 的)
本発明は上記の欠点に鑑み提案されたものであり、基準
レベルの調整を自動的に行い、2つの物体のアライメン
トマークの位置を確実に検知する位置検知回路を有する
位置合わせ装置の提供を目的とする。(Objective) The present invention has been proposed in view of the above-mentioned drawbacks, and is an alignment device having a position detection circuit that automatically adjusts a reference level and reliably detects the positions of alignment marks on two objects. The purpose is to provide.
(実施例)
以下、図面に従って本発明の詳細な説明するが、第1図
は本発明の実施例に係る位置検知回路を有する位置合わ
せ装置の外観を示している。1は集積回路パターンを具
えたマスクで、マスクアライメ〕/]・マークやマスク
・ウェハーアライメントマークを貝えるものとする。2
はマスク・ステージで、マスク1を保持してマスク1を
平面内並びに回転方向(二移動させる。3は縮小投影レ
ンズ、4は感光層をJl、えるウェハーで、マスク・ウ
ェハーアライメントマークとウェハーアライメントマー
クを具えるものとする。5はウェハー・ステージである
。つ王バー・ステージ5はウェハー4を保持してそれを
平面内並びに回転方向に移動させるものであり、またウ
ェハー焼付位置(投影骨内)とテレビ・ウェハーアライ
メント位置間を移動する。6け、テレビウェハーアライ
メント用検知装置の対物レンズ、7は、撮像管又は固体
撮像素子、8は、映像観察用のテレビ受像器である。9
は、双眼ユニットで、投影レンズ3を介してウェハー4
の表面を観察するために役立つ。10は、光源10aを
発したマスク照明光を収束させるための照明光学系並び
(ニマスク・ウェハーアライメント用の検知装置を収容
する上部ユニットである。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the external appearance of a positioning device having a position detection circuit according to an example of the present invention. Reference numeral 1 denotes a mask provided with an integrated circuit pattern, which includes mask alignment marks and mask wafer alignment marks. 2
is a mask stage that holds the mask 1 and moves the mask 1 in the plane and in the rotational direction (2). 3 is a reduction projection lens, 4 is a wafer with a photosensitive layer, and a mask wafer alignment mark and a wafer alignment 5 is a wafer stage. The king bar stage 5 holds the wafer 4 and moves it in the plane and in the rotational direction, and also controls the wafer baking position (projection bone). 6 is the objective lens of the detection device for TV wafer alignment, 7 is an image pickup tube or solid-state image sensor, and 8 is a TV receiver for video observation. 9
is a binocular unit that projects the wafer 4 through the projection lens 3.
useful for observing the surface of Reference numeral 10 denotes an upper unit housing an illumination optical system array (a detection device for mask wafer alignment) for converging the mask illumination light emitted from the light source 10a.
ウェハー・ステージ5は、図示しないウェハー搬送手段
により搬送されたウェハーを所定の位置で保持し、まず
テレビ・ウエハーアライメソト用対物レンズ6の視野内
にウェハー上のアライメントマークが入る位置まで移動
する。この時の位置精度は機械的なアライメント精度に
よるものであり、対物レンズ6の視野はおよそ直径1履
〜2ffl+++程度である。この視野内のアライメン
ト・マークは撮像管7で検知され、テレビ・ウェハーア
ライメント用の光学系内に設けられたテレビ・ウエノ1
−アライメント用基準マーク(後述)を基準として、そ
こからのウェハーのアライメント・マークの座標位置が
検出される。一方、投影光学系のオートアライメント用
検知位置と前述のテレビ・ウエハーアクイメント用基準
マークの位置はあらかじめ設定されているので、この2
点の位置とテレビ・ウェハーアライメントマークの座標
位置からオートアライメント位置へのウェハー・ステー
ジ5の送り込み量が決められる。The wafer stage 5 holds the wafer transported by a wafer transport means (not shown) at a predetermined position, and first moves to a position where the alignment mark on the wafer is within the field of view of the objective lens 6 for television wafer alignment. The positional accuracy at this time is due to mechanical alignment accuracy, and the field of view of the objective lens 6 is approximately 1 to 2 ffl+++ in diameter. The alignment mark within this field of view is detected by the image pickup tube 7, and the alignment mark is detected by the image pickup tube 7.
- Using an alignment reference mark (described later) as a reference, the coordinate position of the alignment mark on the wafer is detected from there. On the other hand, since the detection position for automatic alignment of the projection optical system and the position of the reference mark for TV/wafer alignment described above are set in advance, these two
The amount of feed of the wafer stage 5 to the auto-alignment position is determined from the position of the point and the coordinate position of the television wafer alignment mark.
テレビウェハーアライメントの位置検出精度は±5μ以
下であの、テレビ・フェノ1−アライメント位置からマ
スク・フェノ1−アライメント位置までのウェハーステ
ージの移動で発生する誤差を考慮に入れても、±10μ
程度である。従ってファインアライメントは約+10μ
の範囲で行えばよく、これは従来のアライメントの視野
範囲の17100以下の範囲であり、アライメントが従
来より高速で行えることになる。The position detection accuracy of TV wafer alignment is less than ±5μ, and even when taking into account the error caused by moving the wafer stage from the TV/phenol 1 alignment position to the mask/phenol 1 alignment position, it is ±10μ.
That's about it. Therefore, fine alignment is approximately +10μ
It is sufficient to perform alignment within a range of 17100 or less, which is the field of view range of conventional alignment, which is less than 17100, which means that alignment can be performed faster than conventional alignment.
第2図は本発明の実施例に係る位置合わせ装置の光学系
を示す図であり、位置検知回路にマスクおよびウェハー
」二のアライメントマーク検知信号を送出する状態を示
している。図中、マスク1、縮小投影レンズ3、ウェハ
ー4、ウニへ−ステージ5は第1図の通りである。投影
レンズ3は便宜」二模式的に描いている。11と11′
はマスクアライメントマークで、レンズ鏡筒あるいは装
置の一部といった不動の箇所に刻まれている。FIG. 2 is a diagram showing the optical system of the alignment apparatus according to the embodiment of the present invention, and shows a state in which alignment mark detection signals for the mask and wafer are sent to the position detection circuit. In the figure, a mask 1, a reduction projection lens 3, a wafer 4, and a sea urchin stage 5 are as shown in FIG. The projection lens 3 is depicted schematically for convenience. 11 and 11'
is a mask alignment mark, which is engraved in an immovable location such as a lens barrel or a part of the device.
他方、マスク1」二の2(1,20’で示した位置には
第3(A)図で付番75.76で示す如き、走査線60
に対し45°傾むいて配設された線もしくはスリット状
のアライメント・マークが設けられている。又、つエバ
ー4上の21.21’で示した位置には第3図cA)月
番71.72,73.74で示す如き走査線60に対し
て45゜傾むいて配設された線もしくはスリット状のア
ライメントマークが設けられている。そして通常は左右
両観察系の信号によって位置合わせが行われる。On the other hand, at the positions indicated by mask 1''2 (1, 20') there are scan lines 60, as indicated by numbers 75 and 76 in FIG. 3(A).
A line or slit-shaped alignment mark is provided at an angle of 45 degrees with respect to the other direction. In addition, at the position indicated by 21.21' on the Ever 4, there is a line inclined at 45 degrees with respect to the scanning line 60 as indicated by the month numbers 71.72 and 73.74 in Fig. 3cA). Alternatively, a slit-shaped alignment mark is provided. Normally, positioning is performed using signals from both the left and right observation systems.
なお、マスク1上のアライメントマークとウェハー上の
アライメントマークは、等倍投影系以外の系を介在させ
た時には投影もしくは逆投影しても両方のアライメント
マークの寸法が変わらない様に、アライメントマークの
寸法を変えておくものとし、ここではマスクのアライメ
ントマークの寸法でウェハーのアライメントマークの寸
法を除すると縮小倍率になる様に設定する。Note that the alignment marks on the mask 1 and the alignment marks on the wafer are arranged so that when a system other than the same-magnification projection system is used, the dimensions of both alignment marks do not change even if the projection or back projection is performed. The dimensions are set to be different, and in this case, the reduction magnification is set so that the dimension of the alignment mark on the wafer is divided by the dimension of the alignment mark on the mask.
第2図へ戻って、22はレーザー光源、23は音響光学
系素子等の光偏向器である。光偏向器23は外部からの
切換信号に応じて光の射出方向を上方、水平、下方に切
換える。24と25はそれぞれ収束性のシリンドリカル
レンズで、その母線が直交する様に配置され、レーザー
ビームの断面形状を線状に変換する機能を持つ。26と
27は台形プリズムで、光偏向器23で」一方と下方に
偏向された光を逆方向へ屈折させる機能を持つ。28は
回転軸29を中心として回転する回転多面鏡(ポリゴン
)である。Returning to FIG. 2, 22 is a laser light source, and 23 is an optical deflector such as an acousto-optic system element. The optical deflector 23 switches the light emission direction upward, horizontally, and downward in response to a switching signal from the outside. 24 and 25 are convergent cylindrical lenses, which are arranged so that their generating lines are perpendicular to each other, and have the function of converting the cross-sectional shape of the laser beam into a linear one. 26 and 27 are trapezoidal prisms, which have the function of refracting the light that has been deflected downward on one side by the optical deflector 23 in the opposite direction. 28 is a rotating polygon mirror (polygon) that rotates around a rotation axis 29.
レーザ光源22から射出したレーザ光H30は光偏向器
23の状態により、シリンドリカル・レンズ24とプリ
ズト26を経由するスリット状光線30a。The laser beam H30 emitted from the laser light source 22 passes through the cylindrical lens 24 and the prism 26, depending on the state of the optical deflector 23, into a slit-shaped beam 30a.
シリンドリカル・レンズ25とプリズム27を経由する
スリット状光IN 30b 、或は直進するスポット状
九線30cのいずれかの光路をとるが、どの場合にも回
転多面@28J:の面の一点31へ収束する。The optical path is either the slit-shaped light IN 30b passing through the cylindrical lens 25 and the prism 27, or the spot-shaped nine-ray beam 30c traveling straight, but in either case, it converges to a point 31 on the surface of the rotating polygon @28J: do.
32.33.34は中間レンズ、35は光路分割ミラー
、36は目視観察系37.38を形成するハーフ・ミラ
ー、37はレンズ、38は接眼レンズでウェハー面の像
を結1象する。39は目視観察不用照明系40.41
を形成するハーフ・ミラー、40はコンデンサ・レンズ
、41はランプである。42は光電検出系43,44゜
45.46を形成するハーフミラ−で、43はミラー、
44はレンズ、45は空間フィルタであり、46はコン
デンサ・レンズ、47はアライメントパターン信号検出
のための光検出器、57はレンズ、58は同期信号検出
のための光検知器である。32, 33, and 34 are intermediate lenses, 35 is an optical path splitting mirror, 36 is a half mirror forming a visual observation system 37, 38, 37 is a lens, and 38 is an eyepiece that forms an image of the wafer surface. 39 is a lighting system that does not require visual observation 40.41
40 is a condenser lens, and 41 is a lamp. 42 is a half mirror forming the photoelectric detection system 43, 44° 45.46; 43 is a mirror;
44 is a lens, 45 is a spatial filter, 46 is a condenser lens, 47 is a photodetector for detecting an alignment pattern signal, 57 is a lens, and 58 is a photodetector for detecting a synchronization signal.
また、48,49,50.51は全反射ミラー、52は
プリズム、53はf−θ対物レンズである。54はマス
ク1上に設けられたマスクアライメント用のアライメン
トパターンの位置である。Further, 48, 49, 50, and 51 are total reflection mirrors, 52 is a prism, and 53 is an f-θ objective lens. 54 is the position of an alignment pattern provided on the mask 1 for mask alignment.
第2図かられかるように信号検出系は全く対称な左右の
系から成っており、オペレータ側を紙面の手前とするダ
ッシュで示した系は右、ダッシュなしの系は左の信号検
出系と呼ぶことにする。As can be seen from Figure 2, the signal detection system consists of completely symmetrical left and right systems, the system shown with a dash with the operator side in front of the page is the signal detection system on the right, and the system without a dash is the signal detection system on the left. I'll call you.
中間レンズ32 、33 、34は回転多面鏡28から
の振れ原点を対物レンズ53の絞り位置55の中の瞳5
6に形成する。従ってレーザービームは回転多面鏡28
の回転によりマスク及びウェハー上を走査する。Intermediate lenses 32 , 33 , 34 align the origin of vibration from the rotating polygon mirror 28 with the pupil 5 in the aperture position 55 of the objective lens 53 .
Form into 6. Therefore, the laser beam is
The mask and wafer are scanned by the rotation of the wafer.
また対物レンズ系において、対物レンズ53、絞り55
、ミラー51及びプリズム52はXY方向に図示しない
移動手段により移動可能であり、マスク1及びウェハー
4の観察及び測定位置は任意に変えることができる。例
えば、X方向の移動はミラー51が図中矢印Aで示した
方向に移動すると対物レンズ53及び絞り55も同時に
A方向に移動すると共に光路長を常に一定に保つためプ
リズム52もA方向にミラー51の移動量の1々の量移
動する。In addition, in the objective lens system, an objective lens 53, an aperture 55
, the mirror 51 and the prism 52 are movable in the XY directions by a moving means (not shown), and the observation and measurement positions of the mask 1 and wafer 4 can be changed arbitrarily. For example, when moving in the X direction, when the mirror 51 moves in the direction indicated by arrow A in the figure, the objective lens 53 and diaphragm 55 simultaneously move in the A direction, and in order to keep the optical path length constant, the prism 52 also moves in the A direction. 51 movement amounts.
一方、Y方向の移動は観察・位置検出用の光学系全体が
Y方向(紙面に垂直な方向)に移動する。On the other hand, when moving in the Y direction, the entire optical system for observation and position detection moves in the Y direction (direction perpendicular to the plane of the paper).
シリンドリカルレンズ24を経由する光路30aの走査
ビーム61は走査軸60に対し角度θ−45°をなし、
第3図(A)においてほぼマーク71 、72.75と
平行をなす。この状態で走査した時に光検出器47には
第3図(B)に示すようなS7+ 、 S?5 、57
2の信号が得られる。SKI 、 875 、572は
位置合わせマーク71゜75.72にそれぞれ対応した
信号である。また、走査面上に微小なゴミがあってもス
ポット状ビームの場合とは異なり、平均化され出力とし
て実用上検知されない。The scanning beam 61 of the optical path 30a passing through the cylindrical lens 24 forms an angle θ-45° with respect to the scanning axis 60,
In FIG. 3(A), it is almost parallel to marks 71 and 72.75. When scanning in this state, the photodetector 47 shows S7+ and S? as shown in FIG. 3(B). 5, 57
2 signals are obtained. SKI, 875, and 572 are signals corresponding to the alignment marks 71°, 75.72, respectively. Further, even if there is minute dust on the scanning surface, unlike the case of a spot beam, it is averaged and is not practically detected as an output.
一方、シリンドリカルレンズ25を通過する光路30b
の走査ビーム62は走査軸60に対してθ=−45゜傾
斜しマーク?3,74.76と平行しているので検出信
号は第3図(b)のS78 、 S76 、 S?4と
なる。従って検出信号s1. 、 sフロ 1572
+ 5ell + S76 、 S?4の間隔を計測す
ればマスクとウェハーのズレ量が検出でき、両者が整合
した場合には検出信号の間隔が等しくなる。なお、本出
願人は特開昭53−90872号あるいは特開昭53−
91754号等でオート・アライメントについて提案し
ている。On the other hand, the optical path 30b passing through the cylindrical lens 25
The scanning beam 62 is inclined at θ=-45° with respect to the scanning axis 60 to mark the mark 3, 74, and 76, the detection signals are S78, S76, and S? in FIG. 3(b). It becomes 4. Therefore, the detection signal s1. , sflo 1572
+ 5ell + S76, S? By measuring the interval 4, the amount of deviation between the mask and the wafer can be detected, and when they match, the intervals between the detection signals become equal. In addition, the present applicant has published Japanese Patent Application Laid-Open No. 53-90872 or Japanese Patent Application Laid-open No. 53-90872
No. 91754, etc., proposes auto-alignment.
以上、第2図と第3図を用いて、マスク1上のアライメ
ントマーク20とウェハー面上のアライメントマーク2
1の整合即ちマスク・ウニへ−アライメントの概略につ
いて説明を行った。As described above, using FIGS. 2 and 3, the alignment mark 20 on the mask 1 and the alignment mark 2 on the wafer surface are
1, that is, the outline of the mask-to-urchin alignment was explained.
次に本発明の実施例に係る位置合わせ装置のアライメン
トマークの位置検知回路の構成について説明する。Next, the configuration of the alignment mark position detection circuit of the alignment device according to the embodiment of the present invention will be described.
第4図は本発明の実施例に係る位置検知回路のブロック
図である。47.47’は既に説明したアライメントマ
ークの光信号を電気信号に変換する光検知器であり、5
8.58’はマスクおよびウェハー上を走査するレーザ
ー光を電気信号に変換して走査タイミングを検出する光
検知器である。101は光検知器58,58’の出力信
号を二値化・波形整形して、第3図(C1に示すような
同期信号161やコントロール信号103を出力する同
期検出回路である。102はアナログスイッチであり、
コントロール信号103によりスイッチング動作を行
い光検出器41゜47′からの出力信号を合成する(第
3図(B)は光検出器47の出力信号を示している)。FIG. 4 is a block diagram of a position detection circuit according to an embodiment of the present invention. 47. 47' is a photodetector that converts the optical signal of the alignment mark already explained into an electrical signal, and 5
8.58' is a photodetector that converts the laser beam scanning the mask and wafer into an electrical signal and detects the scanning timing. 101 is a synchronization detection circuit that binarizes and waveforms the output signals of the photodetectors 58, 58' and outputs a synchronization signal 161 and control signal 103 as shown in FIG. 3 (C1). 102 is an analog is a switch,
A switching operation is performed by the control signal 103, and the output signals from the photodetectors 41 and 47' are combined (FIG. 3(B) shows the output signals from the photodetector 47).
104はAD変換器であり、アナログスイッチ102の
アナログ信号レベルを一定のタイミングにより8ビツト
長のデジタル信号に変換する。105はAD変換器10
4のデジタル信号を一時記憶するラッチである。AD変
換器104およびラッチ105を制御するタイミング信
号(不図示)は後述のコントロール/タイミング発生回
路114から出力される。104 is an AD converter, which converts the analog signal level of the analog switch 102 into an 8-bit digital signal at a fixed timing. 105 is an AD converter 10
This is a latch that temporarily stores the digital signal of 4. A timing signal (not shown) for controlling AD converter 104 and latch 105 is output from control/timing generation circuit 114, which will be described later.
150は入力Aボート8ビット長、入力Bポート16ビ
ツト長、出力Yポート16ビツト長の加算器であり、ラ
ッチ105の出力データ(Alとラッチ153の出力デ
ータ(B)を加算し、ラッチ151に出力する。150 is an adder with an input A port 8 bits long, an input B port 16 bits long, and an output Y port 16 bits long, which adds the output data (Al) of the latch 105 and the output data (B) of the latch 153, Output to.
152は16ビツトX4にワードのランダム・アクセス
メモリであり、アドレス及びリード・ライト・コントロ
ールはデータセレクタ154の出力(yo。152 is a 16-bit x 4 word random access memory, and address and read/write control is provided by the output of the data selector 154 (yo.
y+)でコントロールされる。メモリ152の出力はラ
ッチ153に入力され、ラッテ153の出力は前述した
ように加算器150のBポートに入力される。y+). The output of the memory 152 is input to the latch 153, and the output of the latch 153 is input to the B port of the adder 150 as described above.
一方、メモリ152の人力及び出力はそれぞれバッファ
157,158を介してマイクロプロセッサ(不図示)
のデータ・バス121と接続されている。On the other hand, the input and output of the memory 152 are transmitted to the microprocessor (not shown) via buffers 157 and 158, respectively.
data bus 121.
154はデータセレクタであり、その出力信号(R/W
信号、ADR信号)は、コントロール/タイミング発生
回路114の出力信号(R/W信号、ADR信号)か、
またはアドレスおよび制御パス122を介して出力され
るマイクロプロセッサの出力信号(R/W信号、ADR
信号)のいずれかであり、その選択はコントロール/タ
イミング発生回路114の出力するセレクト信号156
によって制御される。なお、セレクト信号156の制御
はマイクロプロセッサが行う。154 is a data selector, and its output signal (R/W
signal, ADR signal) is the output signal (R/W signal, ADR signal) of the control/timing generation circuit 114,
or microprocessor output signals (R/W signals, ADR
The selection is made by the select signal 156 output from the control/timing generation circuit 114.
controlled by Note that the select signal 156 is controlled by a microprocessor.
107はデータ・セレクタであり、コントロール/タイ
ミング発生回路114より出力されるセレクト信号10
8によりバッファ112の出力またはラッチ153の出
力のいずれか一つを選択して出力する。107 is a data selector, which receives the select signal 10 output from the control/timing generation circuit 114.
8 selects and outputs either the output of the buffer 112 or the output of the latch 153.
ここでバッファ112は不図示のマイクロプロセッサの
データ・パス122に接続している。109は8ビツト
構成24バイトのランダム・アクセス・メそりであり、
データ・セレクタ110の出力するリード・ライト信号
(以下R/W信号という)およびアドレス信号(以下A
DH信号という)により制御され、データセレクタ10
7の出力データを所定の番地に書き込んだり、あるいは
書き込まれた所定の番地内のデータが読み出される。こ
こでデータ・セレクタ110の出力信号(R/W信号、
ADH耐号)は、コントロール/タイミング発生回路1
14の出力信号(R//W信号、ADR信号)か、また
はアドレスおよび制御パス123を介して出力されるマ
イクロプロセッサの出力信号(RAW信号、ADR信号
)のいずれかであり、その選択はコントロール/タイミ
ング発生回路114の出力するセレクト信号111によ
って制御される。Here, buffer 112 is connected to a data path 122 of a microprocessor (not shown). 109 is an 8-bit 24-byte random access memory,
The read/write signal (hereinafter referred to as R/W signal) and address signal (hereinafter referred to as A
DH signal), and the data selector 10
The output data of No. 7 is written to a predetermined address, or the written data within a predetermined address is read. Here, the output signal of the data selector 110 (R/W signal,
ADH code) is control/timing generation circuit 1
14 output signals (R//W signal, ADR signal) or microprocessor output signals (RAW signal, ADR signal) output via address and control path 123, the selection of which is controlled / is controlled by the select signal 111 output from the timing generation circuit 114.
106は、ランチ105の出力データとメモリ109の
読み出しデータの大小関係を比較し、その結果をコント
ロール/タイミング発生回路114に出力するデジタル
コンパレータである。コントロール/タイミング発生回
路114は、デジタル・コンパレータ108の出力信号
116、同期検出回路100の同期信号101およびデ
ータバス122を介して与えられるマイクロコンピュー
タの出力データ信号に基づいて既述のデータセレクタ1
07,110および後述のデータ・セレクタ117、計
数回路119をコントロールする。計数回路119は1
6ビツトカウンタであり、コントロール/タイミング発
生回路114から信号線120を介して与えられるクリ
ア信号およびカウントイネーブル信号によりカウント動
作が制御される。121は16ビツト×24ワードのラ
ンダム・アクセス・メモリであり、データ・セレクタ1
17の出力信号(R/W信号、ADR信号)により制御
され、計数回路119の計数値を所定の番地に書き込ん
だり、あるいは書き込まれた所定の番地内のデータが読
み出される。ここでデータ・セレクタ117の出力信号
(R/W信号、ADR信号)はコントロール/タイミン
グ発生回路114の出力信号(RAW信号、ADR信号
)か、またはアドレスおよび制御パス123を介して出
力されるマイクロプロセッサの出力信号(R/W信号、
ADR信号)のいずれかであり、その選択はコントロー
ル/タイミング発生回路114の出力するセレクト信号
118によって制御される。また、メモリ109および
121の出力はそれぞれバッファ113および115を
介してデータバス122に出力され、マイクロプロセッ
サがメモリのデータを読み出しうるように構成されてい
る。106 is a digital comparator that compares the output data of the launch 105 with the read data of the memory 109 and outputs the result to the control/timing generation circuit 114. The control/timing generation circuit 114 selects the previously described data selector 1 based on the output signal 116 of the digital comparator 108, the synchronization signal 101 of the synchronization detection circuit 100, and the output data signal of the microcomputer provided via the data bus 122.
07, 110, a data selector 117, and a counting circuit 119, which will be described later. The counting circuit 119 is 1
It is a 6-bit counter, and its counting operation is controlled by a clear signal and a count enable signal applied from control/timing generation circuit 114 via signal line 120. 121 is a 16-bit x 24-word random access memory, and data selector 1
17 (R/W signal, ADR signal), the count value of the counting circuit 119 is written to a predetermined address, or the written data within a predetermined address is read. Here, the output signals (R/W signal, ADR signal) of the data selector 117 are the output signals (RAW signal, ADR signal) of the control/timing generation circuit 114, or the microcontroller output signal via the address and control path 123. Processor output signal (R/W signal,
ADR signal), and the selection thereof is controlled by the select signal 118 output from the control/timing generation circuit 114. Further, the outputs of the memories 109 and 121 are output to the data bus 122 via buffers 113 and 115, respectively, so that the microprocessor can read the data from the memories.
次に図を参照しγCがら本発明の実施例に係る位置検知
回路の動作に−〕いて説明する。第5図(A)は第4図
の位置検知回路を制御するマイクロプロセッサの制御シ
ーケンスを示すフローチャート図である。また第5図(
B)は、第5図(A)で示す第1計測の実行状態を更に
詳しく説明するためのフローチャート図であり、この実
行はマイクロプロセッサの制御下にて[<、ハード的に
行われる。同様に第5図(c)は、第5図(Nで示す第
2計測の実行状態を更(−詳しく説明するためのフロー
チャート図であり、この実行もマイクロプロセッサの制
御下になく、ハード的に行われるものである。ここで、
第1計測とはデジタル化信号の重畳的加算プロセスをい
い、第2計測とは第1計測によって得られたピーク値か
らめた基準スライスレベルによりアライメントマークの
検知信号のパルス間隔の計測をいう。以下、詳細に説明
する。Next, the operation of the position detection circuit according to the embodiment of the present invention will be explained with reference to the drawings. FIG. 5(A) is a flowchart showing the control sequence of the microprocessor that controls the position detection circuit of FIG. 4. Also, Figure 5 (
B) is a flowchart for explaining in more detail the state of execution of the first measurement shown in FIG. Similarly, FIG. 5(c) is a flowchart for explaining in detail the execution state of the second measurement shown in FIG. Here,
The first measurement refers to a superimposed addition process of digitized signals, and the second measurement refers to measurement of the pulse interval of the alignment mark detection signal using a reference slice level calculated from the peak value obtained by the first measurement. This will be explained in detail below.
まずメモリ109をクリアする(ステップ501)。First, the memory 109 is cleared (step 501).
すなわちマイクロプロセッサは、コントロール/タイミ
ング発生回路114がセレクト信号111をデータ・セ
レクタ110に、およびセレクト信号108をデータ・
セレクタ111に出力するように制御する。これにより
データ・セレクタ110はマイクロプロセッサのアドレ
スおよび制御パス123を、またデータ・セレクタ10
7はバッファを介してマイクロプロセッサのデータバス
122を選択する。メモリ109はマイクロプロセッサ
に直接アクセスされ、メモリ109の全記憶領域にゼロ
が書き込まれてクリアされる。That is, in the microprocessor, the control/timing generation circuit 114 sends the select signal 111 to the data selector 110 and the select signal 108 to the data selector 110.
The signal is controlled to be output to the selector 111. This allows data selector 110 to access the microprocessor's address and control path 123, and data selector 10
7 selects the microprocessor data bus 122 via a buffer. Memory 109 is directly accessed by the microprocessor and all storage areas of memory 109 are written with zeros and cleared.
同様に、メモリ152をクリアする(ステップ501)
。Similarly, the memory 152 is cleared (step 501).
.
すなわちマイクロプロセッサは、コントロール/タイミ
ング発生回路114がセレクト信号156をデータセレ
クタ154に出力するように制御する。これによりデー
タセレクタ154はマイクロプロセッサのアドレスおよ
び制御パス122を選択する。メモリ152はマイクロ
プロセッサに直接アクセスされ、メモリ152の全記憶
領域にゼロが書き込まれてクリアされる。That is, the microprocessor controls the control/timing generation circuit 114 to output the select signal 156 to the data selector 154. This causes data selector 154 to select the microprocessor's address and control path 122. Memory 152 is directly accessed by the microprocessor and all storage areas of memory 152 are cleared by writing zeros.
次に第1の計測モードを設定する(ステップ502)。Next, a first measurement mode is set (step 502).
この設定はマイクロプロセッサと接続されたメモリ15
2をマイクロプロセッサの制御下から切り離 ゛し、コ
ントロール/タイミング発生回路114の制御下で動作
するようにしたものである。即ち、マイクロプロセッサ
はメモリ152がラッチ151の出力を選択するように
、及びデータ・セレクタ154がコントロール/タイミ
ング発生回路114の出力するR/W信号およびADR
信号を選択するようにコントロール・タイミング発生回
路114を制御するっ尚、この時点ではデジタルコンパ
レータ106およびデータセレクタ107はラッチ15
3の出力デ−タを入力しない。This setting is the memory 15 connected to the microprocessor.
2 is separated from the control of the microprocessor and operates under the control of the control/timing generation circuit 114. That is, the microprocessor causes the memory 152 to select the output of the latch 151, and the data selector 154 to select the R/W signal and ADR output from the control/timing generation circuit 114.
At this point, the digital comparator 106 and the data selector 107 are connected to the latch 15.
Do not input the output data of step 3.
設定が終了するとマイクロプロセッサはコントロール/
タイミング発生回路114に第1計測命令を指命し計測
が開始される(ステップ551)。計測はすべてマイク
ロプロセッサが介在せず、コントロール/タイミング発
生回路114の下でハード的に動作し、計測が終了する
とコントロール/タイミング発生回路114が自動的に
マイクロプロセッサに終了を知らせる。Once the configuration is complete, the microprocessor will take control/
A first measurement command is issued to the timing generation circuit 114, and measurement is started (step 551). All measurements are performed by hardware under the control/timing generation circuit 114 without the intervention of the microprocessor, and when the measurement is completed, the control/timing generation circuit 114 automatically notifies the microprocessor of the completion.
コントロール/タイミング発生回路114の制御下に行
われる第1計測の加算プロセス動作を第5図(B)を用
いて説明する。計測スタート551後ステツフ560に
てコントロール/タイミング発生回路114に設けられ
ているメモリ152用アドレスカウンタ(不図示)はク
リアされる。The addition process operation of the first measurement performed under the control of the control/timing generation circuit 114 will be explained using FIG. 5(B). After the start of measurement 551, an address counter (not shown) for the memory 152 provided in the control/timing generation circuit 114 is cleared in step 560.
次に同期信号101が561にて検出されると、562
にてメモリの0番地のデータ(最初はクリアされている
からゼロである)がリードされると共に、AD変換器1
04にて最初のサンプリング信号により光信号がデジタ
ル化される。この2つのデータはそれぞれラッチ105
,153を介して同じタイミングで加算器150に入力
され加算される(ステップ563)。その加算結果はラ
ッチ151を介してメモリ152に書込まれ(ステップ
564)、メモリ152用アドレスカウンタは1だけイ
ンクリメントされる(ステップ565)。次のタイミン
グ信号によりデジタル化された光信号は、アドレスカウ
ンタの指示に従い、メモリ152の1番地に記憶される
。Next, when the synchronization signal 101 is detected at 561, 562
At the same time, the data at address 0 of the memory (which is initially cleared, so it is zero) is read, and the AD converter 1
At step 04, the optical signal is digitized using the first sampling signal. These two data are each stored in a latch 105.
, 153 to the adder 150 at the same timing and are added together (step 563). The addition result is written to the memory 152 via the latch 151 (step 564), and the address counter for the memory 152 is incremented by 1 (step 565). The optical signal digitized by the next timing signal is stored at address 1 of the memory 152 according to the instruction of the address counter.
以下、同様の動作により一走査分の光信号の各デジタル
データはメモリ152の所定のアドレスに順次記憶され
る。この動作は同期信号の終了まで続けられる(ループ
562→567)。メモリのアドレス4にワード数は同
期信号の区間およびAD変換器104のサンプリング間
隔(二上って決められており、同期信号が終了する以前
にアドレスが4095番地(4K)まで進むことはfI
い。Thereafter, each digital data of the optical signal for one scan is sequentially stored in a predetermined address of the memory 152 by the same operation. This operation continues until the end of the synchronization signal (loop 562→567). The number of words in address 4 of the memory is determined by the period of the synchronization signal and the sampling interval of the AD converter 104 (2), and it is fI that the address advances to address 4095 (4K) before the synchronization signal ends.
stomach.
走査はあらかじめ定められた回数まで繰り返される(ル
ープ560→567)。この走査回数は要求精度に対応
して定められる。なお要求精度と走査回数の関係(二つ
いては、本出願人の特願昭57−208765号で明ら
かにされている。所定回数の計測が終了すると、ステッ
プ568にてコントロール/タイミング発生回路114
はマイクロプロセッサに対して終了信号を発生し計測終
了となる。計測が終了した時点で、メモリ152内には
第3図(B)で示した波形の走査日数分重畳加算した波
形がデジタルデータとして記憶されていることになる。The scan is repeated up to a predetermined number of times (loop 560→567). The number of scans is determined according to the required accuracy. The relationship between the required accuracy and the number of scans (the two are clarified in Japanese Patent Application No. 57-208765 by the present applicant). When the predetermined number of measurements is completed, in step 568, the control/timing generation circuit 114
generates a termination signal to the microprocessor and ends the measurement. At the end of the measurement, the waveform shown in FIG. 3B is superimposed and added for the number of days of scanning, and is stored as digital data in the memory 152.
再び第5図(A)に戻る。計測終了後ステップ505に
てマイクロプロセッサはメモリ152をアクセスしてメ
モリ152内のピークデータをサーチし、ステップ50
6ニてピークデータからスライスレベルを計算し、ステ
ップ507にてこのスライスレベルのデータをメモリ1
52に書き込む。Returning again to FIG. 5(A). After the measurement is completed, the microprocessor accesses the memory 152 in step 505 to search for peak data in the memory 152, and then in step 50
6, the slice level is calculated from the peak data, and the slice level data is stored in the memory 1 in step 507.
Write to 52.
次に第2計測モードの設定が行われる(ステップ508
)。これは前述の第1計測モードの設定と同様、メモリ
109および152をマイクロプロセッサの制御下から
切離し、コントロール/タイミング発生回路114の制
御下で動作するようにするものである。すなわち設定が
終了するとマイクロプロセッサはコントロール/タイミ
ング発生回路114に第2計測命令を指命し、これによ
り計測が開始される(ステップ509)。Next, the second measurement mode is set (step 508
). This is similar to the setting of the first measurement mode described above, in which the memories 109 and 152 are separated from the control of the microprocessor and are made to operate under the control of the control/timing generation circuit 114. That is, when the settings are completed, the microprocessor instructs the control/timing generation circuit 114 to issue a second measurement command, thereby starting measurement (step 509).
g 2 i1測の動作を第5図(c)を用いて説明する
。The operation of g 2 i1 measurement will be explained using FIG. 5(c).
計測スタート指令がステップ509にて出ると、コント
ロール/タイミング発生回路114はステップ531に
て同期信号101の立上り検出にはいり、検出すると実
際の計測にはいる。また、この指令によりコントロール
/タイミング発生回路114内のメモリ121用のアド
レスカウンタ(不図示)がクリアされる(ステップ53
0)。第2計測は、メモリ109に設定されたスライス
レベルとメモリ152の各アドレス(二記憶されている
加算データとを逐次比較し、スライスレベルを通過した
タイミングを計測するものである。When a measurement start command is issued in step 509, the control/timing generation circuit 114 goes to step 531 to detect the rise of the synchronization signal 101, and when detected, starts actual measurement. Furthermore, this command clears the address counter (not shown) for the memory 121 in the control/timing generation circuit 114 (step 53).
0). The second measurement is to successively compare the slice level set in the memory 109 and the added data stored at each address (2) in the memory 152, and measure the timing at which the slice level is passed.
ここでスライスレベルの通過とは、ラッチ153を介し
て出力されるメモリ152の加算データ(以下Cという
)とメモリ109から読出されたスライスレベルのデー
タ(以下りという)とを各アドレス毎にデジタルコンパ
レータ108で比較の結果、C≦D→C>Dに変化した
時、およびCOD→C≦Dに変化した時をいう。これは
ハード的には、比較結果信号の立上りおよび立下りのエ
ッヂを検出することである。Here, passing through the slice level means that the addition data of the memory 152 (hereinafter referred to as C) outputted via the latch 153 and the slice level data (hereinafter referred to as C) read out from the memory 109 are digitalized for each address. This refers to when the result of comparison by the comparator 108 changes from C≦D→C>D, and when COD→C≦D. In terms of hardware, this means detecting the rising and falling edges of the comparison result signal.
また、スライス・レベルの通過タイミングは、コントロ
ール/タイミング発生回路114内で発生するタイミン
グクロックをカウントすることで計測できる。これは、
メモリ152の読み出しの開始時をスタート点とし、計
数回路119にてタイミングクロックを計数することで
ある。従ってステップ532にて、C>Dの変化を検知
したならば、コントロール/タイミング発生回路114
はステップ533にてメモリ121に対しライト信号を
発生する。Furthermore, the timing at which the slice level passes can be measured by counting the timing clocks generated within the control/timing generation circuit 114. this is,
The timing clock is counted by the counting circuit 119 using the start point of reading from the memory 152 as the starting point. Therefore, in step 532, if a change in C>D is detected, the control/timing generation circuit 114
generates a write signal to the memory 121 in step 533.
この時メモリ121に書き込まれる値は計数回路119
の出力であり、メモリ152の読み出し時点からの時間
に相当するものである。これは第3図(c)にて説明す
ると、図中T71で示した時間間隔データである。The value written to the memory 121 at this time is the value written to the counting circuit 119.
This corresponds to the time from the time when the memory 152 is read. To explain this with reference to FIG. 3(c), this is the time interval data indicated by T71 in the figure.
(効 果)
このように本発明の実施例によれば、スライスレベルは
実際のアライメントマーク信号のピーク値に対応して自
動的に決定されるので、アライメントマーク信号の見落
しが防止されるとともに、手動によりスライスレベルを
設定し直すという手間も省けるという効果がある。(Effects) As described above, according to the embodiment of the present invention, the slice level is automatically determined in accordance with the peak value of the actual alignment mark signal, thereby preventing the alignment mark signal from being overlooked. This has the effect of saving the trouble of manually resetting the slice level.
また、加算データを基に計測するのでノイズ等の影響を
除去でき、位置合わせ精度が向上するとともに加算のた
めの走査回数は要求精度に応じて選択できるので作業能
率が向上する。Furthermore, since the measurement is performed based on the added data, the influence of noise etc. can be removed, the alignment accuracy is improved, and the number of scans for addition can be selected according to the required accuracy, so the work efficiency is improved.
さらに、加算プロセスによって得られた光信号デジタル
データとスライスレベルデータとの大小比較をハード的
に遂行するので測定時間を短縮することができる。Furthermore, since the optical signal digital data obtained by the addition process and the slice level data are compared in size by hardware, the measurement time can be shortened.
第1図は本発明の実施例に係る位置合わせ装置の斜視図
、第2図は本発明の実施例に係る位置合わせ装置の光学
系を示す図、第3図(A)はマスクまたはウェハー−に
のアライメントマークの模式図、第3図(Blは第3図
(Nのアライメントマークに対応する検知信号を示す図
、第3図(C)は同期検出回路101の出力信号である
同期信号を示す図、第4図は位置検知回路のブロック図
、第5図囚は第4図の位置検知回路を制御するマイクロ
プロセッサの制御シーケンスを示すフローチャート図、
第5図(B)は第5図(5)で示す第1計測の実行状態
を詳しく説明するためのフローチャート図、第5図(C
)は第2計測の実行状態を詳しく説明するためのフロー
チャート図である。
47.47’、58.58’・・・・・・光検知器10
0・・・・・・同期検出回路
102・・・・・・アナログスイッチ
103・・・・・・アナログスイッチ制御信号104・
・・・・・AD変換器
105.151.153・・・・・・ラッチ106・・
・・・・デジタルコンパレータ107.110,117
,154・・・・・・データ・セレクタ109.121
,152・・・・・・メモリ112.113,115,
157,158・・・・・・バッファ114・・・・・
・コントロール/タイミング発生回路119・・・・・
・計数回路
122・・・・・・マイクロプロセッサのデータバス1
23・・・・・・マイクロプロセッサのアドレスバス、
制御パス
101・・・・・・同期信号
103・・・・・アナログスイッチ制御用信号108.
111,118,120,156・・・・・・コントロ
ール/タイミング発生回路の出力する制御信号
116・・・・・・デジタルコンパレータ出力信号15
0・・・・・・加算器
第1計測
針側スタート 551
メモリ
ク2ノア 501
メtすYトルレス 560
111計測 クリア
モ、−ト氾じ1
14開昭GO−55623(11)
3912計須すFIG. 1 is a perspective view of a positioning apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing an optical system of the positioning apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 (Bl is a diagram showing the detection signal corresponding to the alignment mark in FIG. 3 (N), and FIG. 4 is a block diagram of the position detection circuit, and FIG. 5 is a flowchart showing the control sequence of the microprocessor that controls the position detection circuit of FIG.
FIG. 5(B) is a flowchart diagram for explaining in detail the execution state of the first measurement shown in FIG. 5(5), and FIG.
) is a flowchart diagram for explaining in detail the execution state of the second measurement. 47.47', 58.58'...Photodetector 10
0...Synchronization detection circuit 102...Analog switch 103...Analog switch control signal 104.
...AD converter 105.151.153...Latch 106...
...Digital comparator 107.110,117
, 154... Data selector 109.121
,152...Memory 112.113,115,
157, 158...Buffer 114...
・Control/timing generation circuit 119...
・Counting circuit 122...Microprocessor data bus 1
23... Microprocessor address bus,
Control path 101...Synchronization signal 103...Analog switch control signal 108.
111, 118, 120, 156...Control signal 116 output from the control/timing generation circuit...Digital comparator output signal 15
0...Adder 1st measurement needle side start 551 Memory 2 Noah 501 Metsu Y Torres 560 111 measurement Clear mo, -to flood 1 14 Kaisho GO-55623 (11) 3912 Measurement
Claims (1)
ることにより物体を所定の位置に合わせる装置において
、 前記パタンを検知する光電変換手段と、前記光電変換手
段の出力信号レベルを逐次デジタル化するデジタル変換
手段と、 複数回走査により得られたデジタル化データを重畳的に
加算する加算手段と、 前記加算手段によって得られた加算データを格納する記
憶手段と、 前記記憶手段内の加算データと所定値を有する特定デー
タの大小関係を比較する比較手段とによって構成され、
前記比較手段の信号出力のタイミングによりバタン位置
を測定する位置検知回路を有することを特徴とする位置
合わせ装置。[Scope of Claims] A device for aligning an object to a predetermined position by optically scanning an alignment pattern provided on the object multiple times, comprising: a photoelectric conversion means for detecting the pattern; and an output of the photoelectric conversion means. digital conversion means for sequentially digitizing signal levels; addition means for adding digitized data obtained by multiple scans in a superimposed manner; storage means for storing added data obtained by said addition means; and said storage. Comprising means for comparing the magnitude relationship between the addition data in the means and the specific data having a predetermined value,
A positioning device characterized by comprising a position detection circuit that measures a button position based on the timing of a signal output from the comparison means.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58162603A JPS6055623A (en) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | Aligning device |
US06/623,088 US4713784A (en) | 1983-07-04 | 1984-06-21 | Alignment apparatus |
DE3424453A DE3424453C2 (en) | 1983-07-04 | 1984-07-03 | Device with a scanner for scanning an object carrying an alignment mark and its use |
GB08416983A GB2143637B (en) | 1983-07-04 | 1984-07-04 | An alignment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58162603A JPS6055623A (en) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | Aligning device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6055623A true JPS6055623A (en) | 1985-03-30 |
Family
ID=15757725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58162603A Pending JPS6055623A (en) | 1983-07-04 | 1983-09-06 | Aligning device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6055623A (en) |
-
1983
- 1983-09-06 JP JP58162603A patent/JPS6055623A/en active Pending
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