JPS60500110A - microwave package - Google Patents

microwave package

Info

Publication number
JPS60500110A
JPS60500110A JP50027284A JP50027284A JPS60500110A JP S60500110 A JPS60500110 A JP S60500110A JP 50027284 A JP50027284 A JP 50027284A JP 50027284 A JP50027284 A JP 50027284A JP S60500110 A JPS60500110 A JP S60500110A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave
package
base plate
substrate
wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP50027284A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
スパロウ,ジヨン アンドリユー
Original Assignee
プレツシ− オ−バ−シ−ズ リミテツド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by プレツシ− オ−バ−シ−ズ リミテツド filed Critical プレツシ− オ−バ−シ−ズ リミテツド
Publication of JPS60500110A publication Critical patent/JPS60500110A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/047Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being parallel to the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 マイクロ波パッケージ 本発明はマイクロ波パッケージに関し、特に密封的にシールされたパンケージに 係る。[Detailed description of the invention] microwave package The present invention relates to microwave packaging, and more particularly to hermetically sealed pancages. It depends.

既知のマイクロ波パッケージは、その中にマイクロに所定位置にねじどめされた ふたとを含む。これらのパッケージは多数の欠点を有している。特に、それらは 、現在ではガリウム砒素集積回路では可能な広い周波数領域の操作に適していな い。The known microwave package has a micro screwed in place into it. Including lid. These packages have a number of drawbacks. In particular, they , currently not suitable for the wide frequency range operation possible with gallium arsenide integrated circuits. stomach.

本発明は、広い周波数領域にわたって良好なマイクロ波回路で作動することがで き、また従来得られた以上の高い出力率で作動する良好な熱特性を有した、マイ クロ波パッケージを提供しようとするものである。The invention can operate in good microwave circuits over a wide frequency range. It also has good thermal characteristics that allow it to operate at higher output rates than previously available. It is intended to provide a chronograph package.

本発明によるとマイクロ波パッケージにおいて、パッケージのベース板上に位置 していて、ベース板と良好な熱接触している基板に対して、結合された活性的な マイクロ波装置と、密封的にシールされたパンケージを形成するために、ベース 板に溶接されている、パッケージのための壁部材およびふた部材とを含み、前記 基板とベース板とは類似の膨張係数を有しており、前記活性的なマイクロ波装置 に対する接触は、壁部材におけるガラス−金属シールを介して行なわれること2  特表明GO−500110(2) を特徴とするマイクロ波パンケージが提供される。According to the present invention, in a microwave package, the bonded active material to the substrate and is in good thermal contact with the base plate. base to form a hermetically sealed pancage with the microwave device a wall member and a lid member for the package welded to the plate; The substrate and base plate have similar coefficients of expansion, and the active microwave device 2. Contact is made through a glass-to-metal seal in the wall member. Special notice GO-500110 (2) A microwave panpackage is provided which is characterized by:

好ましくは前記基板にはその上に電気的に伝導性のあるトラックが印刷されてお り、その一端においてマイクロ波装置が結合されており、その他端においてはガ ラス−金属シールを貫通する導線と結合するため結合バンドが設けられており、 完全なパッケージは、ベース部材上の導線の高さがベース部材上の結合パッドの 高さとほぼ同じになるようにして、導線と結合部材とがそれらの間にほとん1ど 距離をおかないで結合できるようにして構成される。Preferably said substrate has electrically conductive tracks printed thereon. A microwave device is coupled at one end and a gas is connected at the other end. A coupling band is provided to connect the conductor passing through the lath-metal seal. The complete package is such that the height of the conductor on the base member is equal to the height of the bond pad on the base member. height, so that the conductor and the coupling member have almost 1 inch between them. It is constructed in such a way that it can be combined without leaving any distance.

前述し1こ特徴の重要な点は、前記2つの間の距離が長いと結合ワイヤあるいは 非常に大きなはんだのしずくが必要となり、これが回路の中へマイクロホン効果 を誘導することがあるという点である。The important point of this feature mentioned above is that if the distance between the two is long, the bonding wire or A very large drop of solder is required, which creates a microphone effect into the circuit. The point is that it may induce

本発明によると、また、タングステン鋼でできたベース板と、ニッケル鉄あるい はコーパルでできた壁部材と、ニッケル鉄あるいはコーパルでできたふた部材と からなるマイクロ波パッケージが提供され、前記マイクロ波回路は、ベース上に 位置していてベース板と良好な熱接触をしている酸化ベリリウム基板上に取付け られており、またマイクロ波装置への導線はガラス−金属シールを介してパンケ ージの壁部を貫通しており、ふた部材と、壁部材と、ベース部材とは一緒に野接 され、密封的にシールされたパッケージが形成される。According to the invention, the base plate made of tungsten steel and the base plate made of nickel iron or has a wall member made of copal and a lid member made of nickel iron or copal. A microwave package is provided consisting of a microwave circuit, the microwave circuit being mounted on a base. Mounted on a beryllium oxide substrate that is well-positioned and in good thermal contact with the base plate. The wires to the microwave device are connected through a glass-to-metal seal. It penetrates the wall of the cage, and the lid member, wall member, and base member are connected together in the field. to form a hermetically sealed package.

ベースとしてタングステン鋼を用いると、好ましくは金の中間層を介して、基板 からの極めて良好な熱伝導性が得られ、従って基板上に取付けられたマイクロ波 装置(単数あるいは複数)は、従来よりも大きな出力レベルで作動することがで きる。Using tungsten steel as a base, the substrate is preferably extremely good thermal conductivity from the microwaves mounted on the substrate is obtained. The device(s) can operate at higher power levels than previously possible. Wear.

ベースとしてタングステン鋼を用いることはまた、パッケージをレーデ−によっ て溶接することができるようにしており、従ってパッケージ内の温度の上昇は1 20度Cに制限され、マイクロ波装置に損傷を与えることもない。Using tungsten steel as the base also makes the package Therefore, the temperature increase inside the package is only 1 It is limited to 20 degrees Celsius and will not damage microwave equipment.

さらに、壁部材をベースに、またふたを壁部材にそれぞれ溶接し、ガラス−金属 シールを用いると、広い周波数領域にわたって作動可能な、極めて良好に密封的 にシールされたマイクロ波パッケージが提供される。Furthermore, by welding the wall component to the base and the lid to the wall component, the glass-metal The seal provides an extremely well-tight seal that can operate over a wide frequency range. A sealed microwave package is provided.

本発明の実施例について添付図面を参照しながら以下説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

第1図は本発明によるマイクロ波パッケージの断面図、第2図は第1図のパッケ ージの一部分をより詳細に示し、ガラス−金属シールと、基板と入力導線との結 合とを示している。FIG. 1 is a cross-sectional view of a microwave package according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a microwave package according to the present invention. shows a portion of the board in more detail, showing the glass-to-metal seal and connections between the board and the input leads. It shows that

第1図を参照すると、マイクロ波パンケージが示されており、好ましくは、2. 5 W /cm’にという比較的高い熱伝導率を有した酸化ぺIJ IJウムで できた基板12上に取付けられた活性的なマイクロ波装置10を含んでいる。前 記装置10に対する接触は、壁部材18におけるガラス−金属シール16を貫通 している導線14を介して行われる。基板12は、好ましくは金でできた中間伝 導層22を介してベース板20に固定される。壁部18はベース板20におゆる 凹所24の中へはめ込まれ、溶接部26を形成するレーデ−を用いて、ベース部 材24の全周にわたって溶接される。Referring to FIG. 1, a microwave pancage is shown and preferably includes 2. PeIJIJium oxide has a relatively high thermal conductivity of 5 W/cm'. The resulting substrate 12 includes an active microwave device 10 mounted on it. Before Contact with the device 10 is made through the glass-to-metal seal 16 in the wall member 18. This is done through a conductor 14 that is Substrate 12 is preferably an intermediate layer made of gold. It is fixed to the base plate 20 via the conductive layer 22. The wall portion 18 is loosely attached to the base plate 20. Using a radar that fits into the recess 24 and forms the weld 26, the base part The entire circumference of the material 24 is welded.

壁部18の頂部上にはふた28が配置され、30において示したように、レーず −によって壁部18の全周にわたって溶接さ・れている。前記ベース部材、壁部 材およびふたは、好ましくは長方形になっている。A lid 28 is disposed on the top of the wall 18 and includes a lid 28 as shown at 30. - is welded over the entire circumference of the wall portion 18. Said base member, wall part The material and lid are preferably rectangular.

第2図を参照すると、貫通導線14からの装置10に対する接触について、より 詳細に示されている。導線14はベース部材よりも高い位置においてガラスシー ル16を貫通しており、基板上の導電性トランク32よりほんのわずか高(なる ように、また、34において示すように、前記トラック32に対して直接的には んだづけできるようになっている。基板には金の裏張り22が設けられており、 ベース板20にはその全体にわたり、あるいは図示したような内部パンケージ表 面36上において、ニッケルと金とが張られている。Referring to FIG. 2, contact from feedthrough conductor 14 to device 10 is further illustrated. Shown in detail. The conductor 14 is connected to the glass sheet at a higher position than the base member. 16 and is only slightly higher than the conductive trunk 32 on the board. , and as shown at 34, directly to the track 32. It can be soldered. The substrate is provided with a gold lining 22, The base plate 20 may include an internal pancage surface over its entirety or as shown. On the surface 36, nickel and gold are lined.

マイクロ波パッケージのベース部材はタングステン鋼でできており、これは1[ 1,1ppm K−1の熱膨張係数(約6 ppm K”−1)と類似している 。タングステン鋼の熱伝導率は24 D ’Wm−1に−1であり、この値は銅 400とうまく比較でき、コパール17よりもがなりよい。The base member of the microwave package is made of tungsten steel, which has a Similar to the thermal expansion coefficient of 1.1 ppm K-1 (approximately 6 ppm K”-1) . The thermal conductivity of tungsten steel is -1 at 24 D'Wm-1, and this value is It compares well with 400 and is much better than Copal 17.

熱伝導度の大きな基板に対して金の裏張りがあり、ペース部材に対してニッケル と金の板36が張っであることは、このマイクロ波装置10に良好なヒートシン クが設けられていることを意味し、従って従来設計になるマイクロ波パッケージ よりも高出力で使用することができることを意味している。Gold backing for high thermal conductivity substrate and nickel for paste material The fact that the gold plate 36 is stretched provides a good heat sink for this microwave device 10. Microwave package This means that it can be used at higher outputs.

組立時においては、マイクロ波装置10は、例えば、はんだづけによって基板1 2に取付けられ、次に金を裏張りされたアルミナの基板12がエンテクテインク (entectic )によってベース部材20に対してはんだづけされる。コ パールあるいはニッケル鉄でできた壁部材18にはガラス−金属シールが取付け られるが。During assembly, the microwave device 10 is attached to the substrate 1 by, for example, soldering. 2 and then a gold-lined alumina substrate 12 (entectic) is soldered to the base member 20. Ko A glass-to-metal seal is attached to the wall member 18 made of pearl or nickel iron. Although it is possible.

あるいは後で追加するようなシールのための適当な孔が設けられる。もし望みな らばマイクロ波装置の完全な接着とテストとを、壁の取付けの前に行ってもよい 。Alternatively, suitable holes may be provided for seals that may be added later. If you wish Full gluing and testing of the Raba microwave device may be done prior to wall installation. .

壁部はガラスシールの厚さく約1.15m)と同一の厚すヲ有し、パッケージの ふた28と同様に、レーず−を用いてベースに対して溶接される。The wall has the same thickness as the glass seal (approximately 1.15 m), and the thickness of the package Like the lid 28, it is welded to the base using a lathe.

実際的な実施例においては、ベースとふたとの両方を溶接するために用いられる レーデ−は、コンピューター制御を用いた平均出力の高いパルス式のソリッド、 < f −トNd / YAGレーずであった。コンピューターのプログラムは アルゴン雰囲気の中で4つの側部を全て周溶接するようになっていて、レーず− のビームは金属ジヨイント上に焦点があてられている。In practical embodiments, it is used to weld both the base and the lid. The radar is a pulse type solid with high average output using computer control. <f-tNd/YAG race. computer program is All four sides are circumferentially welded in an argon atmosphere, and the laser The beam is focused onto a metal joint.

アルミナセラミックの基板(熱膨張係数は約8ppmK−”)を用いた他の実施 例においては、セラミック基板には穴があけられていて、必要とされる大きな熱 伝導度を与えるために、ベース上に直接はんだづけされたマイクロ波装置を収納 するようになっている。このことは、アルミナセラミックの基板が十分大きな熱 伝導度を有しておらず、マイクロ波装置がアルミナセラミック基板の頂部に位置 している場合には、大きな出力レベルで使用することが不可能であるので、必要 なことである。Another implementation using an alumina ceramic substrate (thermal expansion coefficient approximately 8 ppm K-”) In the example, the ceramic substrate is perforated and requires large amounts of heat. Houses a microwave device soldered directly onto the base to provide conductivity It is supposed to be done. This means that the alumina ceramic substrate can heat up to a sufficiently high temperature. It has no conductivity and the microwave device is located on top of the alumina ceramic substrate. is not necessary, as it is impossible to use it at large output levels if That's true.

実際の場合には、マイクロ波のストリップ伝送線路を支持しているアルミナ基板 は、好ましくはレーデ−によってあげられた穴を有している。この基板はベース にはんだづけされ、前記装置は基板内にあけられた穴の中でベースにはんだづけ されている。In the actual case, the alumina substrate supporting the microwave strip transmission line preferably has a reed-raised hole. This board is the base The device is soldered to the base in a hole drilled in the board. has been done.

本発明の主たる特徴は、マイクロ波装置のための良好なヒートシンクを提供する ためにタングステン銅のベースを用いている点である。レーザー技術を用いた壁 部のベースへの溶接作業によると、温度は120度C以上に増加せず、従って構 成要素に損傷を与えることがない。ベースを壁部に対してレーデ−溶接すること の利点は、壁部を所定位置に置く前にチップやストリップ伝送線路を組立て、接 着し、テストすることがでできる点である。普通は、ベースの壁部へのはんだづ けおよび上述の全てのプロセスは、壁部の束縛の中で行わなければならない。The main feature of the invention is to provide a good heat sink for microwave equipment The point is that a tungsten copper base is used for this purpose. Wall using laser technology According to the welding operation to the base of the part, the temperature did not increase above 120 degrees C and therefore the structure No damage to components. Radey welding the base to the wall The advantage of this is that chip or strip transmission lines can be assembled and connected before the wall is in place. This is something that can be done and tested. Normally, soldering to the wall of the base is All processes described above must be carried out within the confines of the wall.

前記パッケージの熱特性が良好なので、広い周波数領域にわたって作動するガリ ウムのマイクロ波装置乞使用することができる。The package's good thermal properties allow it to operate over a wide frequency range. Microwave equipment can be used.

一体構造的な50オームのガラス−金属シールを用いるパッケージは、少なくと もi [I GHzまで、またある種の場合には18 GHzまで、良好なマイ クロ波特性ヲ有している。この特性はまた広帯域にわたるものであり、即ち、D C状態から上方へ連続作動する。本発明と同一の物理的寸法を有した多くのセラ ミックベースのパンケージは、金属あるいは金属的なふたと、パッケージ壁部を 貫通する連結ラインとの間の共鳴のために、狭帯域特性で悩まされている。全金 属製のパッケージもまた”導波管遮断周波数”以下の特性に関しては優れた特性 を与え、これによって不要な信号の伝送は、パンケージの幅を最大寸法に保つこ とによって抑制することができる。このことは特に重要であり、パッケージ内に 収納されるガリウム砒素の集積回路は、ケ8インの高い帯域幅(例えば50 G Hzあるいはそれ以上)を生み出す。金属ベースはICチップに対して十分なR Fグランドを提供する。RF特性の再現性は集中素子上のマイクロ波伝送線路の 利用の如何によるので、再現可能な特性あるいは非励振素子をつくり出すために 、チップをグランドプレーンに対してはんだづけあるいはエポキシ化することが それぞれ用いられる。Packages that use a monolithic 50 ohm glass-to-metal seal shall have at least also has good mi- ter coverage up to i[I GHz and in some cases up to 18 GHz. It has chroma wave characteristics. This characteristic is also broadband, i.e. D Continuously operates upward from state C. Many ceramics with the same physical dimensions as the present invention Micbase pan cages have metal or metallic lids and package walls. It suffers from narrowband characteristics due to resonance between the connecting lines that it passes through. All money Metallic packages also have excellent properties below the waveguide cutoff frequency. , thereby reducing the transmission of unwanted signals by keeping the pancage width at its maximum dimension. It can be suppressed by This is especially important, as the The gallium arsenide integrated circuits housed in the Hz or higher). The metal base has sufficient R against the IC chip. Provide F ground. The reproducibility of RF characteristics is determined by the microwave transmission line on lumped elements. Depending on the application, to create reproducible characteristics or parasitic elements. , the chip can be soldered or epoxied to a ground plane. Each is used.

国際調査報告international search report

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、 マイクロ波パッケージにおいて、パッケージのベース板上に位置していて 、ベース板と良好な熱接触している基板に対して、結合された活性的なマイクロ 波装置と、密封的にシールされたパッケージを形成するために、ベース板に溶接 されている、パッケージのための壁部材およびふた部材とを含み、前記基板とベ ース板とは類似の膨張係数を有しており、前記活性的なマイクロ波装置に対する 接触は、壁部材におけるガラス−金属シールを介して行なわれることを特徴とす るマイクロ波パッケージ。 2、 請求の範囲第1項記載のマイクロ波パンケージにおいて、前記基板にはそ の上に電気的に伝導性のあるトラックが印刷されており、その一端においてマイ クロ波装置が結合されており、その他端においてはガラス−金属シールを貫通す る導線と結合するための結合パッドが設けられており、完全なパッケージは、ぺ −ヌ部材上の導線の高さがペース部材上の結合パッドの高さとほぼ同じになるよ うにして、導線と結合部材とがそれらの間にほとんど距離をおかないで結合でき るようにして構成されるマイクロ波パッケージ。 ろ 請求の範囲第1項あるいは第2項記載のマイクロ波パッケージにおいて、前 記ベース板はタングステン銅でできており、壁部材はニッケル鉄あるいはコバる いはコバールでできており、前記マイクロ波回路は、ペース上に位置していてベ ース板と良好な熱接触をしている酸化ベリリウム基板上に取付けられているマイ クロ波パッケージ。 4、請求の範囲第1項あるいは第2項記載のマイクロ波パンケージにおいて、前 記ベース板はタングステン銅でできており、壁部材はニッケル鉄あるいはコパー ルでできており、マイクロ波回路は、アルミナ製の基板に形成された穴を介して ペース上に直接取付けられているマイクロ波パッケージ。 5、請求の範囲第1項から第6項のいずれか1項記載のマイクロ波パッケージに おいて、前記ベース板にはその外周に凹所が形成されており、この凹所の中へ壁 部材が溶接の前に配置されているマイクロ波パッケージ。 1[Claims] 1. In a microwave package, it is located on the base plate of the package. , the bonded active micro to the substrate in good thermal contact with the base plate. wave device and welded to the base plate to form a hermetically sealed package a wall member and a lid member for the package, which are connected to the substrate and the base member. The base plate has a similar coefficient of expansion and has a similar coefficient of expansion to the active microwave device. characterized in that the contact is made via a glass-metal seal in the wall member. microwave package. 2. In the microwave pancage according to claim 1, the substrate includes a An electrically conductive track is printed on top, with a micrometer at one end. A chroma wave device is coupled and at the other end there is a A complete package is - Make sure that the height of the conductor on the lining member is approximately the same as the height of the bonding pad on the pacing member. so that the conductor and the coupling member can be coupled with little distance between them. A microwave package configured in such a way that In the microwave package according to claim 1 or 2, The base plate is made of tungsten copper, and the wall members are made of nickel iron or copper. The microwave circuit is located on the pace and is made of Kovar. The microphone is mounted on a beryllium oxide substrate that is in good thermal contact with the base plate. Kuro wave package. 4. In the microwave package according to claim 1 or 2, The base plate is made of tungsten copper, and the wall members are made of nickel iron or copper. The microwave circuit is connected through a hole formed in the alumina substrate. Microwave package installed directly on the pace. 5. The microwave package according to any one of claims 1 to 6. A recess is formed on the outer periphery of the base plate, and a wall is inserted into the recess. Microwave package where parts are placed before welding. 1
JP50027284A 1982-12-24 1983-12-16 microwave package Pending JPS60500110A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8236783 1982-12-24
GB8236783 1982-12-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60500110A true JPS60500110A (en) 1985-01-24

Family

ID=10535247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50027284A Pending JPS60500110A (en) 1982-12-24 1983-12-16 microwave package

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0131004A1 (en)
JP (1) JPS60500110A (en)
WO (1) WO1984002612A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1990010308A1 (en) * 1989-03-02 1990-09-07 Explosive Fabricators, Inc. Explosively formed electronic packages and method of manufacture
GB2319668B (en) * 1996-11-23 2001-09-12 Marconi Gec Ltd Housing for electrical apparatus
CN114121823A (en) * 2021-11-19 2022-03-01 中国电子科技集团公司第二十九研究所 Airtight packaging structure of embedded metal matrix composite substrate

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS495597B1 (en) * 1969-10-17 1974-02-07
US3641398A (en) * 1970-09-23 1972-02-08 Rca Corp High-frequency semiconductor device
US3767979A (en) * 1971-03-05 1973-10-23 Communications Transistor Corp Microwave hermetic transistor package
US4266090A (en) * 1978-09-14 1981-05-05 Isotronics, Incorporated All metal flat package

Also Published As

Publication number Publication date
WO1984002612A1 (en) 1984-07-05
EP0131004A1 (en) 1985-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6114635A (en) Chip-scale electronic component package
JP3129288B2 (en) Microwave integrated circuit multi-chip module, mounting structure of microwave integrated circuit multi-chip module
US4649416A (en) Microwave transistor package
US5783464A (en) Method of forming a hermetically sealed circuit lead-on package
EP0503200B1 (en) Package for microwave integrated circuit
GB2292010A (en) Ceramic package for a semiconductor device
US6559728B1 (en) Miniature ovenized crystal oscillator
JPH08501659A (en) Hermetically sealed circuit module with conductive cap anchor
JPH03225854A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JP3209183B2 (en) High frequency signal integrated circuit package and method of manufacturing the same
US20060071311A1 (en) Surface-mounted microwave package and corresponding mounting with a multilayer circuit
GB1514595A (en) Package for hermetically sealing electronic circuits
JPH1065038A (en) Package for miliwave device
US5406120A (en) Hermetically sealed semiconductor ceramic package
KR20030060807A (en) Saw filter
JPS61114562A (en) Chip carrier for microwave
JPS60500110A (en) microwave package
US3852690A (en) Microwave transmission line to ground plane transition
JPH0239097B2 (en)
JPH11214580A (en) Package for high-frequency element
JP2511136Y2 (en) Metal package for electronic parts
JPH0752759B2 (en) Package
GB2132413A (en) Microwave device package
JP2000183488A (en) Hybrid module
JP2664774B2 (en) High frequency circuit module